JPH05283666A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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JPH05283666A
JPH05283666A JP4074583A JP7458392A JPH05283666A JP H05283666 A JPH05283666 A JP H05283666A JP 4074583 A JP4074583 A JP 4074583A JP 7458392 A JP7458392 A JP 7458392A JP H05283666 A JPH05283666 A JP H05283666A
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JP
Japan
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light receiving
read
charge
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JP4074583A
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Inventor
Yoshinori Kuno
嘉則 久野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14825—Linear CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電荷転送路内での読出し電界の改善を図り、
読出し動作の高速化を実現させる。 【構成】 各画素に対応して、チャネルストッパ領域１
にて分離された受光部６を含む電荷転送路２と、各電荷
転送路２に対して共通に形成された読出しゲート３及び
水平シフトレジスタ４とを有し、受光部６で蓄積された
信号電荷ｅを読出し期間に読出しゲート３を介して水平
シフトレジスタ４に転送するＣＣＤリニアセンサにおい
て、電荷転送路２の中間部分の幅Ｄｂを水平シフトレ
ジスタ４に向かって連続的に広くし、電荷転送路２の電
荷転送方向の長さを受光部６の長さよりも大きくし、電
荷転送路２の先端部分の幅Ｄａを水平シフトレジスタ
４に向かって連続的に広くする。また更に、電荷転送路
２の読出しゲート３に対応する部分の幅Ｄｃを水平シ
フトレジスタに向かって連続的に広くする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関し、
例えばｐｎ接合によるフォトダイオードからなる受光部
で蓄積した信号電荷を読出しゲートを介してＣＣＤによ
る電荷転送部（レジスタ）に転送する固体撮像素子に関
し、特にＣＣＤリニアセンサに用いて好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えばＣＣＤリニアセンサは、図３に示
すように、例えばＰ形の不純物拡散によるチャネルスト
ッパ領域１１により各画素毎に分離された電荷転送路１
２と、各電荷転送路１２に対して共通に形成された読出
しゲート１３（１３ａ，１３ｂ）及び水平シフトレジス
タ１４（１４ａ，１４ｂ）を有する。特に、各電荷転送
路１２の一部を遮光膜１５で区画することにより、各電
荷転送路１２内に受光部１６が形成された形となる。
【０００３】そして、電荷蓄積期間において、各受光部
１６に撮像情報に応じた信号電荷ｅが蓄積され、次の読
出し期間において、例えば奇数番目の受光部１６に蓄積
されている信号電荷ｅを一方の読出しゲート１３ａを介
して一方の水平シフトレジスタ１４ａに転送すると共
に、偶数番目の受光部１６に蓄積されている信号電荷ｅ
を他方の読出しゲート１３ｂを介して他方の水平シフト
レジスタ１４ｂに転送する。各水平シフトレジスタ１４
ａ及び１４ｂに転送された信号電荷ｅは、例えば２相の
転送パルスによる駆動によって、水平方向に、即ち出力
回路（図示せず）側に転送される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、受光部１６
から読出しゲート１３を介して水平シフトレジスタ１４
に転送する場合、各画素において、その転送効率がほぼ
同一でなければならない。従って、従来のＣＣＤリニア
センサにおいては、図示するように、電荷転送路１２の
平面形状を均一な四角形、例えば長方形状に形成するよ
うにしている。
【０００５】この場合、II−II線上における電荷転送路
１２のポテンシャル分布をみると、電荷転送路１２の平
面形状が長方形状であることから、図４に示すように、
そのポテンシャル分布は、ほぼ平坦な分布となる。この
ことから、より高い周波数で読出し動作を行うと、受光
部１６の先端部分（図４においてａで示す）に信号電荷
が残存するという、いわゆる転送残りが発生する。
【０００６】また、電荷転送路１２での読出し電界が最
小となる部分、即ち、その中間部分（図４においてｂで
示す）において、ポテンシャル分布が平坦となり、しか
もその平坦部分ｂの長さが大きくなることから、上記中
間部分ｂにおいて、信号電荷ｅの転送速度が遅くなり、
その結果、読出し駆動のために印加する読出しパルスの
周波数（サンプリング周波数）が制限されてしまうとい
う問題が生じる。
【０００７】このようなことから、従来のＣＣＤリニア
センサにおいては、読出し駆動に関し、高いサンプリン
グ周波数を有する読出しパルスを印加しても、信号電荷
ｅの転送速度が上がらず、読出し動作の高速化を実現さ
せることができなかった。
【０００８】尚、従来のＣＣＤリニアセンサにおいて、
図５に示すように、電荷転送路１２の幅Ｄを、電荷転送
路１２全体にわたって、かつ水平シフトレジスタ１４に
向かって連続的に広がるように形成したものが提案され
ているが、この場合、III −III 線上における電荷転送
路１２のポテンシャル分布をみると、図６に示すよう
に、受光部の先端部分ａ及び電荷転送路１２の読出しゲ
ート１３ａに対応する部分（図６においてｃで示す）に
おいて、局部的にポテンシャルの傾斜がみられるが、電
荷転送路１２の中間部分ｂは、依然、ほぼ平坦なポテン
シャル分布となっている。
【０００９】従って、この図５及び図６で示す例におい
ても、電荷転送路１２の中間部分ｂにおいて、信号電荷
ｅの転送動作が規制されてしまい、高い周波数のサンプ
リング周波数を有する読出しパルスを印加しても、信号
電荷ｅの転送速度が上がらないという不都合がある。ま
た、電荷転送路１２の先端部分と受光部１６の先端が同
じであるため、受光部１６の先端部分ａのポテンシャル
分布に極端な傾斜が形成され、それにより、受光部１６
の先端部分ａにおいて信号電荷ｅが蓄積されないという
現象が生じ、受光部１６での光電変換効率が低下してし
まうという問題がある。
【００１０】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、電荷転送路内での読
出し電界の改善を図ることができ、読出し動作の高速化
を実現させることができる固体撮像素子を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、各画素に対応
して、チャネルストッパ領域１にて分離された受光部６
を含む電荷転送路２と、各電荷転送路２に対して共通に
形成された読出しゲート３及び電荷転送部４とを有し、
受光部６で蓄積された信号電荷ｅを読出し期間に読出し
ゲート３を介して電荷転送部４に転送する固体撮像素子
において、電荷転送路２を、該電荷転送路２の少なくと
もその読出し電界が最小となる部分の幅Ｄｂが、電荷
転送部４に向かって連続的に広がるように形成して構成
する。
【００１２】この場合、上記構成に加えて、電荷転送路
２における電荷転送方向の長さを受光部６の長さよりも
大にし、その長い部分の幅Ｄａが電荷転送部４に向か
って連続的に広がるように形成するようにしてもよい。
また、電荷転送路２における読出しゲート３での幅Ｄｃ
が電荷転送部４に向かって連続的に広がるように形成し
てもよい。
【００１３】
【作用】上述の本発明の構成によれば、電荷転送路２
を、該電荷転送路２の少なくともその読出し電界が最小
となる部分の幅Ｄｂが、電荷転送部４に向かって連続
的に広がるように形成するようにしたので、電荷転送路
２における電荷転送方向に沿ったポテンシャル分布が、
電荷転送部４に向かって連続する下向きの傾斜を持つよ
うになり、読出し電界の改善を図ることができる。この
ことから、高いサンプリング周波数で読出し動作を行っ
たとしても、受光部６の先端部分ａでの転送残りは生じ
なくなると共に、サンプリング周波数に応じて信号電荷
ｅの転送速度を向上させることができる。
【００１４】特に、上記構成に加えて、電荷転送路２に
おける電荷転送方向の長さを受光部６の長さよりも大と
し、その長い部分の幅Ｄａを電荷転送部４に向かって
連続的に広がるように形成することにより、電荷転送路
２の先端部分の読出し電界が弱くなり、受光部６の先
端部分ａにおけるポテンシャル分布に、電荷転送部４に
向かって連続する下向きの傾斜を持たせることができ
る。その結果、受光部６の先端部分ａに蓄積されている
信号電荷ｅを効率よく電荷転送部４に転送することが可
能となる。
【００１５】また、電荷転送路２における読出しゲート
３での幅Ｄｃを電荷転送部４に向かって連続的に広がよ
うに形成することにより、電荷転送路２における読出し
ゲート３下の読出し電界が強くなるため、受光部６から
転送されてきた信号電荷ｅを効率よく電荷転送部４に転
送することができる。
【００１６】
【実施例】以下、図１及び図２を参照しながら本発明の
実施例を説明する。図１は、本実施例に係るＣＣＤリニ
アセンサの要部の構成を示す平面図である。
【００１７】このＣＣＤリニアセンサは、例えばＰ形の
不純物拡散によるチャネルストッパ領域１により各画素
毎に分離された電荷転送路２と、各電荷転送路２に対し
て共通に形成された読出しゲート３（３ａ，３ｂ）及び
水平シフトレジスタ４（４ａ，４ｂ）を有する。
【００１８】特に、各電荷転送路２中、読出しゲート３
及び水平シフトレジスタ４に対応した部分を例えばＡｌ
などによる遮光膜５で区画することにより、各電荷転送
路２内に受光部６（斜線で示す領域）が形成される。従
って、各受光部６は、各画素に対応して一方向に配列さ
れた形となっている。尚、図示の例では、各受光部６の
両側に読出しゲート（３ａ，３ｂ）及び水平シフトレジ
スタ（４ａ、４ｂ）が、各受光部６に対し共通に形成さ
れている例を示す。
【００１９】そして、電荷蓄積期間において、各受光部
６に撮像情報に応じた信号電荷ｅが蓄積され、次の読出
し期間において、例えば奇数番目の受光部６に蓄積され
ている信号電荷ｅを一方の読出しゲート３ａを介して一
方の水平シフトレジスタ４ａに転送すると共に、偶数番
目の受光部６に蓄積されている信号電荷ｅを他方の読出
しゲート３ｂを介して他方の水平シフトレジスタ４ｂに
転送する。各水平シフトレジスタ４ａ及び４ｂに転送さ
れた信号電荷ｅは、例えば２相の転送パルスによる駆動
によって、水平方向に、即ち出力回路（図示せず）側に
転送される。
【００２０】しかして、本例においては、各電荷転送路
２の形成パターンを以下のようにする。
【００２１】（１）電荷転送路２の形状を従来のよう
に、長方形状とした場合において、その読出し電界が最
小となる部分、即ち図示の例では、電荷転送路２の中間
部分（図１においてで示す部分）の幅Ｄｂを水平シフ
トレジスタ４に向かって連続的に広くする。
【００２２】（２）電荷転送路２の電荷転送方向の長さ
を受光部６の長さよりも大きくし、その長い部分、即ち
電荷転送路２の先端部分（図１においてで示す部分）
の幅Ｄａを水平シフトレジスタ４に向かって連続的に広
くする。
【００２３】（３）電荷転送路２の読出しゲート３に対
応する部分（図１においてで示す部分）の幅Ｄｃを水
平シフトレジスタに向かって連続的に広くする。
【００２４】（４）上記電荷転送路２の先端部分、電
荷転送路２の中間部分及び電荷転送路２の読出しゲー
ト３に対応する部分以外の部分における幅Ｄｄ及びＤ
ｅを夫々均一にする。
【００２５】上記パターン形成において、（４）の事項
については、必ずしも必要ではなく、例えば電荷転送路
２の中間部分及び読出しゲート３に対応する部分に
おける各幅Ｄｂ及びＤｃの広がり率（水平シフトレジス
タに向かって広がるその変化の割合）よりも小さい変化
率で、上記幅Ｄｄ及びＤｅが水平シフトレジスタ４に向
かって連続的に広がっていてもよい。
【００２６】そして、上記のパターン形成によって、以
下のような効果を得ることができる。まず、上記（１）
のパターン形成によって、電荷転送路２における電荷転
送方向に沿ったポテンシャル分布、例えば図１のＩ−Ｉ
線上における電荷転送路２のポテンシャル分布が、図２
に示すように、水平シフトレジスタ４ａに向かって連続
する下向きの傾斜を持つようになり、読出し電界の改善
を図ることができる。このことから、高いサンプリング
周波数で読出し動作を行ったとしても、受光部６先端部
分（図２においてａで示す部分）での転送残りは生じな
くなると共に、サンプリング周波数に応じて信号電荷ｅ
の転送速度を向上させることができる。
【００２７】また、（２）のパターン形成によって、電
荷転送路２の先端部分（図２においてｂで示す部分）の
読出し電界が弱くなり、受光部６の先端部分ａにおける
ポテンシャル分布に、水平シフトレジスタ４ａに向かっ
て連続する下向きの傾斜を持たせることができる。その
結果、受光部６の先端部分ａに蓄積されている信号電荷
ｅを効率よく水平シフトレジスタ４ａに転送することが
可能となる。しかも、受光部６の先端部分ａにおいて極
端な傾斜が形成されないため、該先端部分ａにおいても
信号電荷ｅを蓄積することができ、受光部６での光電変
換効率を向上させることができる。
【００２８】また、（３）のパターン形成によって、電
荷転送路２における読出しゲート３ａ下の読出し電界が
強くなるため、受光部６から転送されてきた信号電荷ｅ
を効率よく水平シフトレジスタ４ａに転送することがで
きる。
【００２９】このように、本実施例に係るＣＣＤリニア
センサによれば、受光部６での感度を向上させることが
できると共に、信号電荷ｅの読出し動作の高速化を実現
させることができる。
【００３０】尚、上記実施例は、受光部６が一方向に配
列されたＣＣＤリニアセンサに適用した例を示したが、
その他、受光部６が水平・垂直方向にマトリクス状に配
列されたＣＣＤイメージセンサにも適用させることがで
きる。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像素子によれば、電
荷転送路内での読出し電界の改善を図ることができ、読
出し動作の高速化を実現させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係るＣＣＤリニアセンサの要部の構
成を示す平面図。
【図２】図１のＩ−Ｉ線上におけるポテンシャル図。
【図３】従来例に係るＣＣＤリニアセンサの要部の構成
を示す平面図。
【図４】図３のII−II線上におけるポテンシャル図。
【図５】他の従来例に係るＣＣＤリニアセンサの要部の
構成を示す平面図。
【図６】図５のIII −III 線上におけるポテンシャル
図。
【符号の説明】
１ チャネルストッパ領域 ２ 電荷転送路 ３（３ａ，３ｂ） 読出しゲート ４（４ａ，４ｂ） 水平シフトレジスタ ５ 遮光膜 ６ 受光部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 各画素に対応して、チャネルストッパ領
    域にて分離された受光部を含む電荷転送路と、各電荷転
    送路に対して共通に形成された読出しゲート及び電荷転
    送部とを有し、上記受光部で蓄積された信号電荷を読出
    し期間に上記読出しゲートを介して上記電荷転送部に転
    送する固体撮像素子において、 上記電荷転送路の少なくともその読出し電界が最小とな
    る部分の幅が、上記電荷転送部に向かって連続的に広が
    っていることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項２】 上記電荷転送路における電荷転送方向の
    長さが上記受光部の長さよりも大とされ、その長い部分
    の幅が上記電荷転送部に向かって連続的に広がっている
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項３】 上記電荷転送路における上記読出しゲー
    トでの幅が上記電荷転送部に向かって連続的に広がって
    いることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像素
    子。
JP4074583A 1992-03-30 1992-03-30 固体撮像素子 Pending JPH05283666A (ja)

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JP4074583A JPH05283666A (ja) 1992-03-30 1992-03-30 固体撮像素子
US08/039,566 US5365093A (en) 1992-03-30 1993-03-19 Solid-state imaging device with tapered channel regions

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231926A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置
KR100866441B1 (ko) * 1998-12-04 2008-10-31 소니 가부시끼 가이샤 광전 변환 장치
JP2010040594A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 National Univ Corp Shizuoka Univ 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置
JP2011054596A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Renesas Electronics Corp Ｃｃｄイメージセンサ
JP2019521337A (ja) * 2016-06-30 2019-07-25 テレダイン・イー・２・ブイ・セミコンダクターズ・エス・ア・エス 分光器光コヒーレンストモグラフィ撮像装置のためのリニアセンサ

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2704978B1 (fr) * 1993-05-07 1995-06-09 Thomson Csf Semiconducteurs Dispositif à transfert de charges à grille d'étraînement.
JP2699841B2 (ja) * 1993-12-10 1998-01-19 日本電気株式会社 固体撮像装置
KR0136934B1 (ko) * 1994-02-23 1998-04-24 문정환 선형 고체영상소자
US5903021A (en) * 1997-01-17 1999-05-11 Eastman Kodak Company Partially pinned photodiode for solid state image sensors
JPH11155103A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Toshiba Corp 固体撮像装置
US6476426B1 (en) 1999-07-06 2002-11-05 Motorola, Inc. Electronic component and method for improving pixel charge transfer in the electronic component
JP4471677B2 (ja) * 2004-02-09 2010-06-02 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置及び電荷転送部
JP5452511B2 (ja) * 2011-01-14 2014-03-26 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP5680979B2 (ja) 2011-01-20 2015-03-04 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4398301A (en) * 1980-09-11 1983-08-09 Fairchild Camera & Instrument Corporation Multiple preamplifiers with intervening overflow cell for charge coupled imaging devices
US5182622A (en) * 1989-02-14 1993-01-26 Sony Corporation Charge coupled device imager having multichannel readout structure

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100866441B1 (ko) * 1998-12-04 2008-10-31 소니 가부시끼 가이샤 광전 변환 장치
JP2002231926A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置
JP2010040594A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 National Univ Corp Shizuoka Univ 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置
US8587709B2 (en) 2008-07-31 2013-11-19 National University Corporation Shizuoka University High-speed charge-transfer photodiode, a lock-in pixel, and a solid-state imaging device
JP2011054596A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Renesas Electronics Corp Ｃｃｄイメージセンサ
JP2019521337A (ja) * 2016-06-30 2019-07-25 テレダイン・イー・２・ブイ・セミコンダクターズ・エス・ア・エス 分光器光コヒーレンストモグラフィ撮像装置のためのリニアセンサ

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Publication number Publication date
US5365093A (en) 1994-11-15

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