JP2002231926A - ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置 - Google Patents
ラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読取装置Info
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Abstract
において、電荷読出効率を向上させる。 【解決手段】 複数の領域22a、22b、22cに区
分され、読出ゲート23に近い領域ほどそのポテンシャ
ル井戸が深くなるポテンシャル傾斜構造を有するフォト
ダイオード22を用いた光電変換素子21により構成さ
れたラインセンサ20。
Description
放射線情報読取装置に関し、より詳細にはフォトダイオ
ードを光電変換部とするラインセンサおよび放射線画像
情報読取装置に関するものである。
素子として所定の間隔を置いて一列に配列してラインセ
ンサの受光部を構成することが知られている。これらの
ラインセンサは、図1(a)に示すラインセンサの側面
図に示すように、各フォトダイオード1の受光面(図示
陰影部分)により、受光した光のエネルギー量に応じた
量の電荷を発生させ、これらの電荷を読出ゲート2を通
してCCDなどの電荷転送部3のある方向(矢印Y方
向)に読み出し、電荷転送部3により外部に転送するこ
とによって、光検出を行う装置として広い分野で応用さ
れている。例えば、蓄積性蛍光体シートに蓄積された放
射線画像情報の読取装置にも放射線検出用のラインセン
サが組込まれているものがある。
ると、この放射線エネルギーの一部が蓄積され、その
後、可視光や、レーザ光などの励起光を照射すると、蓄
積された放射線エネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積
性蛍光体(輝尽性蛍光体)のことであり、この蓄積性蛍
光体を利用して、支持体上に蓄積性蛍光体を積層してな
るシート状の蓄積性蛍光体シートに人体などの被写体の
放射線画像情報を一旦蓄積記録したものに、レーザ光な
どの励起光を偏向走査して輝尽発光光を生じさせ、この
輝尽発光光を光電読取手段により光電的に順次読み取っ
て画像信号を得、一方この画像信号を読み取った後の蓄
積性蛍光体シートに消去光を照射して、このシートに残
留する放射線エネルギーを放出させる放射線画像記録再
生システムが広く実用に供されている(たとえば特開昭
55-12429号、同55-116340号、同56-104645号など)。
テムに用いられる放射線画像情報読取装置においては、
励起光源として、シートに対して線状に励起光を照射す
るライン光源を使用し、光電読取手段としては、ライン
光源により励起光が照射されたシートの線状の部分の長
さ方向(以下、主走査方向とする)に沿って多数のフォ
トダイオードが配列されたラインセンサを使用するとと
もに、上記ライン光源および前記ラインセンサと上記蛍
光体シートの一方を他方に対して相対的に、上記線状の
部分の長さ方向に略直交する方向(以下、副走査方向と
する)に移動する走査手段を備え、輝尽発光光の読取時
間の短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減を
図る構成が提案されている(特開昭60-111568号、特開
昭60-236354、特開平1-101540号など)。
ンセンサでは、フォトダイオード1内部のポテンシャル
井戸が読出ゲート2下部のポテンシャル井戸より浅いこ
とによって、電荷の読出しが実現されているが、フォト
ダイオード1の内部では、ポテンシャルが一様である。
図1(b)は、図1(a)に示すラインセンサのA−B
断面のポテンシャル構造を示している。光検出の効率を
高めるために、フォトダイオードを大型のもの、換言す
れば図1(a)の陰影部分のY方向における幅の大きい
ものを用いた場合、フォトダイオード1内部において、
読出ゲート2から離れた部分に発生した電荷は、読出ゲ
ート2に辿り着くまで時間がかかり、完全な読出しが困
難であるため、電荷読出効率が良くない。そのため、完
全な電荷読出しのために、読出電圧および読出時間の増
加が避けられないという問題がある。
置においても顕著である。蓄積性蛍光体シートから発生
する輝尽発光光は微弱なので、発生した輝尽発光光から
より多くの光量を受光することが望まれており、そのた
め、受光部の受光面積を増大し、換言すれば、各フォト
ダイオードの並ぶ列の延びる方向と直交する方向(図1
(a)の矢印Y方向)における各フォトダイオードの寸
法を大きくする必要があるからである。
あり、フォトダイオード、特に大型のフォトダイオード
を用いても、電荷読出効率の良いラインセンサおよびこ
のラインセンサを用いた放射線画像情報読取装置を提供
することを目的とするものである。
サは、所定の間隔をおいて一列に配列された複数のフォ
トダイオードからなる光電変換部と、前記光電変換部の
各前記フォトダイオードから電荷を受け取って転送する
電荷転送部と、前記光電変換部と前記電荷転送部との間
に設けられた読出ゲートとを備えたラインセンサであっ
て、前記フォトダイオードが、前記読出ゲートに近いほ
どポテンシャル井戸が深くなるポテンシャル傾斜構造を
有することを特徴とするものである。
フォトダイオードにP型および/またはN型のイオンを
注入することにより形成されている。
ォトダイオードがその内部ポテンシャルがフォトダイオ
ード全体に亘って一様であることに対して、本発明のラ
インセンサにおけるフォトダイオードは、ポテンシャル
傾斜構造を有し、前記読出ゲートに向うラインで見た時
に、前記読出ゲートに近いほどポテンシャル井戸が深く
なることを特徴とする。
ンシャル井戸が深くなる」とは、例えば、図1(a)の
例示のように、矢印Y方向に従ってポテンシャル井戸が
深くなることは勿論のこと、図1(c)に示すように、
読出ゲート2'の図示矢印X方向における幅が、フォト
ダイオード1'の同方向における幅より小さい場合にお
いて、矢印Y方向と略垂直の方向において、前記読出ゲ
ートの中心部分に向ってポテンシャル井戸が深くなるこ
とも含む。
フォトダイオードの内部ポテンシャルが、前記読出ゲー
トに近い位置ほどポテンシャル井戸が深くなる構造であ
れば、いかなる構造であってもよい。例えば、前記読出
ゲートから最も離れた位置から前記読出ゲートに最も近
い位置まで、前記フォトダイオードのポテンシャル井戸
が、一様な勾配で連続的に深くなる構造であっても勿論
よいし、前記フォトダイオードが複数の領域に区分さ
れ、前記ポテンシャル傾斜構造が、前記読出ゲートに近
い前記領域ほどそのポテンシャル井戸が深くなる段階的
傾斜構造であってもよい。但し、加工および製造の簡単
さの視点から、前記ポテンシャル傾斜構造は、上述の段
階的な傾斜構造であることが好ましい。
て、隣接する2つの前記領域の境界は、前記読出ゲート
から離れるに従って幅狭になる先細形を有する形状であ
ることがより好ましい。
いて、隣接する2つの前記領域の境界は、前記読出ゲー
トから離れるに従って幅狭になる先細形を複数並べたジ
グザグ形を有する形状であることが一層好ましい。
転送部としてCCDを適用することができる。
線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シートの一部
に励起光を線状に照射するライン光源と、前記蛍光体シ
ートの線状に照射された部分から発光された輝尽発光光
を受光して光電変換を行うラインセンサと、前記ライン
光源および前記ラインセンサと前記蛍光体シートの一方
を他方に対して相対的に、前記照射された部分の長さ方
向と異なる方向に移動させる走査手段と、前記ラインセ
ンサの出力を前記移動に応じて順次読み取る読取手段と
を備えてなる放射線画像情報読取装置であって、前記ラ
インセンサは、上述したポテンシャル傾斜構造を有する
フォトダイオードからなる光電変換部を有することを特
徴とするものである。
陰極蛍光灯、LEDアレイ等を適用することができる。
またライン光源は、上述した蛍光灯等のように光源自体
がライン状であるものだけではなく、出射された励起光
がライン状とされるものであってもよく、ブロードエリ
アレーザなども含まれる。ライン光源から出射される励
起光は、連続的に出射されるものであってもよいし、出
射と停止を繰り返すパルス状に出射されるパルス光であ
ってもよいが、ノイズ低減の観点から、高出力のパルス
光であることが望ましい。
よびラインセンサを蓄積性蛍光体シートに対して相対的
に移動させる方向(これらの長さ方向とは異なる方向)
とは、これらの長さ方向に略直交する方向、すなわち短
軸方向であることが望ましいが、この方向に限るもので
はなく、例えば、シートの略全面に亘って均一に励起光
を照射することができる範囲内で、ライン光源およびラ
インセンサの長さ方向に略直交する方向から外れた斜め
方向に移動させるものであってもよいし、例えばジグザ
グ状に移動方向を変化させて移動させるものであっても
よい。
ートの同一面側に配置される構成であってもよいし、互
いに反対の面側に別個に配置される構成であってもよ
い。ただし、別個に配置される構成を採用する場合は、
シートの、励起光が入射した面とは反対の面側に輝尽発
光光が透過するように、シートの支持体等を、輝尽発光
光透過性のものとすることが必要である。
蛍光体シートとしては、放射線を吸収する蛍光体および
放射線エネルギー、すなわち、放射線画像情報を蓄積す
る蛍光体両方を兼任する通常の蓄積性蛍光体シートであ
っても勿論よいが、特願平11-372978号に提案されてい
るように、従来の輝尽性蛍光体における放射線吸収機能
とエネルギー蓄積機能を分離して、放射線吸収の優れた
蛍光体と輝尽発光の応答性の優れた蛍光体を夫々放射線
吸収と放射線画像情報蓄積に使い分けし、放射線吸収の
優れた蛍光体を用いて(放射線吸収用蛍光体)、放射線
を吸収して、紫外乃至可視領域に発光させ、この発光光
を前述の輝尽発光の応答性の優れた蛍光体(蓄積専用蛍
光体)を用いて吸収してそのエネルギーを蓄積し、可視
乃至赤外領域の光で励起して該エネルギーを輝尽発光光
として放出させ、この輝尽発光光を光電読取手段により
光電的に順次読み取って画像信号を得るシステムを用い
れば、放射線画像形成の検出量子効率、すなわち放射線
吸収率、輝尽発光効率および輝尽発光光の取出し効率な
どをトータル的に高めることができるため、本発明の放
射線画像情報読取装置が対象とする蓄積性蛍光体シート
は、前記蓄積専用蛍光体を含有するものであることが好
ましい。
吸収用蛍光体からの紫外乃至可視領域の発光光を吸収し
てそのエネルギーを蓄積して画像情報とするが、該紫外
乃至可視領域の発光光は、前記放射線吸収用蛍光体が放
射線を吸収して発光したものであるため、前記蓄積専用
蛍光体に蓄積され画像情報も放射線画像情報とする。
た輝尽発光光のラインセンサにおける集光度を高めるた
めに、前記蛍光体シートと前記ラインセンサとの間に、
前記輝尽発光光を前記ラインセンサの受光面に集光する
ための集光光学系が設けられ、該集光光学系が等倍また
は拡大光学系であることが好ましい。
ンサとの間に、輝尽発光光を透過させるが励起光を透過
させない励起光カットフィルタ(シャープカットフィル
タ、バンドパスフィルタ)を設けて、ラインセンサに励
起光が入射するのを防止するのが好ましい。
換部を構成する各フォトダイオードが、読出ゲートに近
いほどポテンシャル井戸が深くなるポテンシャル傾斜構
造になっているので、フォトダイオード内部に発生した
電荷を読み出しやすくなり、大型のフォトダイオードの
場合においても、読出電圧および読出時間の増加をせず
に完全に電荷を読出すことが可能となり、電荷読出効率
を高めることができる。
け、ポテンシャル傾斜構造が、読出ゲートに近い領域ほ
どそのポテンシャル井戸が深くなる段階的な傾斜構造で
あるようにすれば、製造が簡単である。
する2つの領域の境界が、読出ゲートから離れるに従っ
て幅狭になる先細形を有する形状にすれば、ある段階の
ポテンシャルを有する領域から、隣接する領域への電荷
の移動距離は短くなるため、転送効率をより高めること
ができる。
する2つの領域の境界が、読出ゲートから離れることに
従って幅狭にある先細形を複数並べたジグザグ形を有す
る形状にすれば、領域の形が幅狭いパターンとなり、狭
チャネル効果のため、電荷読出しの効率をより高めるこ
とができる。
光体シートに蓄積された放射線画像情報の読取装置に応
用すれば、受光部を構成する各フォトダイオードが大型
のものであっても、電荷転送を効率良く行うことができ
るので、前述したように、蓄積性蛍光体シートに蓄積さ
れた放射線画像情報を読み取る際に、ラインセンサの受
光部の受光面積を大きくして、輝尽発光光の読取効率向
上を図ることができる。
よるラインセンサおよびそれを用いた放射線画像情報読
取装置の実施形態について説明する。
形態を用いた放射線画像情報読取装置を示す斜視図、図
3は図2に示した放射線画像情報読取装置のI−I線断
面を示す断面図、図4は図2と図3に示した読取装置の
ラインセンサ20の詳細構成を示す図、図5は図4に示
すラインセンサ20を構成する各光電変換素子21の詳
細構造を示す拡大図である。
射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート(以
下、シートという)50を載置して矢印Y方向に搬送す
る走査ベルト40、線幅略 100μmの線状の2次励
起光(以下、単に励起光という)Lをシート50表面に
略平行に発するブロードエリアレーザ(以下、BLDと
いう)11、BLD11から出射された線状の励起光L
を集光するコリメータレンズおよび一方向にのみビーム
を拡げるトーリックレンズの組合せからなる光学系1
2、シート50表面に対して45度の角度傾けて配され
た、励起光Lを反射し後述する輝尽発光光Mを透過する
ように設定されたダイクロイックミラー14、ダイクロ
イックミラー14により反射された線状の励起光Lを、
シート50上に矢印X方向に沿って延びる線状(線幅略
100μm)に集光するとともに、線状の励起光Lが集
光されてシート50から発せられる、蓄積記録された放
射線画像情報に応じた輝尽発光光Mを平行光束とする屈
折率分布形レンズアレイ(多数の屈折率分布形レンズが
配列されてなるレンズであり、以下、第1のセルフォッ
クレンズアレイという)15、およびこの第1のセルフ
ォックレンズアレイ15により平行光束とされ、ダイク
ロイックミラー14を透過した輝尽発光光Mを、後述す
るラインセンサ20の各光電変換素子21の受光部を構
成するフォトダイオード部22に集光させる第2のセル
フォックレンズアレイ16、第2のセルフォックレンズ
アレイ16を透過した輝尽発光光Mに僅かに混在する、
シート50表面で反射した励起光Lをカットし輝尽発光
光Mを透過される励起光カットフィルタ17、励起光カ
ットフィルタ17を透過した輝尽発光光Mを受光して光
電変換するラインセンサ20、およびラインセンサ20
を構成する各光電変換素子21aからの出力をシートの
部位毎に対応させて演算し、その結果を画像信号として
出力する画像情報読取手段30を備えた構成である。
ダイクロイックミラー14上において、シート50上の
輝尽発光光Mの発光域を1対1の大きさで結像する像面
とする作用をなし、第2のセルフォックレンズアレイ1
6は、光電変換素子21の受光面において、ダイクロイ
ックミラー14上における輝尽発光光Mの像を1対1の
大きさで結像する像面とする作用をなす。
ズからなる光学系12は、BLD11からの励起光Lを
ダイクロイックイックミラー14上に所望の照射域に拡
大する。
ように、多数の光電変換素子21を副走査方向(矢印X
方向)に並べてなる構成である。また、図5(a)に示
すように、光電変換素子21は、蛍光体シート50から
発される輝尽発光光Mを受光し、受光した輝尽発光光M
をその光量に応じた量の電荷に変換するフォトダイオー
ド部(受光部)22と、読出ゲート23を介してフォト
ダイオード22からの電荷を読み出し、読取手段30に
転送するCCD23により構成される。
態において、フォトダイオード22は、3つの領域22
a、22b、22cにより構成され、夫々の領域には、
量が異なるイオン粒子が注入されており、フォトダイオ
ード22全体としては図5(b)に示すポテンシャル構
造となっている。すなわち、フォトダイオード22は、
領域毎に異なる量のイオン粒子を注入することにより、
読出ゲート23に近いほどポテンシャル井戸が深くなる
構造となっている。
述のポテンシャル構造を可能にすることができれば、い
かなるものであってもよい。P型イオン粒子だけを注入
してもよいし、N型イオン粒子だけを注入してもよい。
さらに、P型とN型イオン粒子を部位別に分けて注入し
でもよい。
型イオン粒子をその注入量が領域22a>領域22b>
領域22cとなるように注入することによって、図5
(b)に示すポテンシャル傾斜構造を得ているが、フォ
トダイオード22にN型イオン粒子をその注入量が領域
22a<領域22b<領域22cとなるように注入する
ようにしても、図5(b)に示すポテンシャル傾斜構造
を得ることができる。
から、フォトダイオード22の各領域(22a、22
b、22c)内において、ポテンシャルを一様にしてい
るが、読出ゲート23に近い部位ほどポテンシャル井戸
が深くなる構造を守れば、各領域内の各部位において、
ポテンシャルが異なってもよい。さらに、製造が難しく
なるが、図5(b)に示す段階的なポテンシャル傾斜構
造の代わりに、フォトダイオード22全体が、読出ゲー
ト23に近いほどポテンシャル井戸が連続的に深くなる
ポテンシャル傾斜構造を用いてもよい。
の作用について説明する。
することにより、この走査ベルト40上に載置された、
放射線画像情報が蓄積記録されたシート50を矢印Y方
向に搬送する。このときのシート50の搬送速度はベル
ト40の移動速度に等しく、ベルト40の移動速度は画
像読取手段30に入力される。
の線状の励起光Lを、シート50表面に対して略平行に
出射し、この励起光Lは、その光路上に設けられたコリ
メータレンズおよびトーリックレンズからなる光学系1
2により平行ビームとされ、ダイクロイックミラー14
により反射されてシート50表面に対して垂直に入射す
る方向に進行され、第1のセルフォックレンズ15によ
り、シート50上に矢印X方向に沿って延びる線状(線
幅dL 略 100μm)に集光される。
起により、シート50の集光域およびその近傍から、蓄
積記録されている放射線画像情報に応じた強度の輝尽発
光光Mが発光される。この輝尽発光光Mは、第1のセル
フォックレンズ15により平行光束とされ、ダイクロイ
ックミラー14を透過し、第2のセルフォックレンズア
レイ16により、ラインセンサ20を構成する各光電変
換素子21の受光部(フォトダイオード)22の受光面
に集光される。この際、第2のセルフォックレンズアレ
イ16を透過した輝尽発光光Mに僅かに混在する、シー
ト50表面で反射した励起光Lが、励起光カットフィル
タ17によりカットされる。
変換素子21の各々の光電変換フォトダイオード22
は、受光された輝尽発光光Mを光電変換して、各領域
(22a、22b、22c)において電荷を発生させ
る。これらの電荷は読出ゲート23を介して電荷転送部
となるCCD24に読み出され、CCD24は読み出し
た電荷信号を転送し、読取手段30に入力する。読取手
段30は、入力された電荷信号を、走査ベルト40の移
動速度に基づいて、シート50の各部位に対応して設け
られたメモリ領域に累積して記憶させ、後に画像情報と
して画像処理装置に出力する。
めに、シート50とラインセンサ20の間の光学系を
1:1結像系に設定したが、拡大縮小光学系を利用して
も勿論よい。ただし、集光効率を高める視点からは、等
倍または拡大光学系を用いることが好ましい。
いた放射線画像情報読取装置によれば、ラインセンサ2
0の受光部となる各フォトダイオード22は、イオン粒
子が注入されることにより、読出ゲート23に近いほど
ポテンシャル井戸が深くなる段階的な傾斜構造となって
いるため、フォトダイオード22内部に発生した電荷を
読出ゲート23を介してCCD24に読み出す際に、フ
ォトダイオード22の矢印Y方向における幅が大きくて
も、読出電圧および読出時間を増加せずに完全な読出し
を実現することが可能となる。また、フォトダイオード
22を複数(ここの例では3つ)の領域に分け、ポテン
シャル傾斜構造が、読出ゲートに近い領域ほどそのポテ
ンシャル井戸が深くなる段階的な傾斜構造であるように
しているので、製造が簡単である。
ラインセンサの各光電変換素子25の構造を示す図であ
る。図示の構造の光電変換素子25を図4に示すように
多数配列して構成したラインセンサを本発明の第2の実
施形態として図2に示す放射線画像情報読取装置に適用
することができる。
ンサを用いた放射線画像情報読取装置として、ラインセ
ンサを除いて他の部分の構造、作用は、前述の第1の実
施形態のラインセンサ20を用いた放射線画像情報読取
装置のラインセンサ20を除いた部分の構造、作用と同
様であるため、ここで説明を省略する。
実施形態のラインセンサを構成する各光電変換素子25
のフォトダイオード26は、矢印X方向において、同方
向における読出ゲート23の幅よりも大きい幅を有し、
領域毎に異なる量のイオン粒子の注入により、ポテンシ
ャルが異なる3つの領域(26a、26b、26c)に
分けられている。図6(b)と図6(c)は、夫々光電
変換素子25のAOB断面ポテンシャル図とCOB断面
ポテンシャル図である。図6(b)と図6(c)に示す
ように、領域26a、26b、26cのポテンシャル深
さは領域26a<領域26b<領域26cの関係になっ
ており、矢印Y方向に限らず、いかなる方向において
も、読出ゲート23に向ったラインで見た時に、読出ゲ
ート23に近い部位ほどポテンシャル井戸が深いポテン
シャル傾斜構造となっていると共に、領域26aと領域
26b、領域26bと領域26cの境界は、読出ゲート
23から離れるに従って幅狭になる先細形状を有する。
子25により構成したラインセンサ、すなわち本発明の
第2の実施形態のラインセンサを用いた放射線画像情報
読取装置によれば、ラインセンサの受光部となる各フォ
トダイオード26は、読出ゲート23に近いほどポテン
シャル井戸が深くなる傾斜構造となっているため、前述
の第1の実施形態のラインセンサ20を用いた放射線画
像情報読取装置と同様に、矢印Y方向において大きい幅
を有するフォトダイオードを用いても、読出電圧および
読出時間の増加を防ぎつつ電荷の完全読出しを可能にす
ると共に、矢印Y方向に限らずあらゆる方向において読
出ゲート23に向うラインで見た時に、前述のポテンシ
ャル傾斜構造を成しているので、フォトダイオードの矢
印X方向における幅は、読出ゲートの同方向における幅
より大きい場合においても、電荷読出効率の向上を図る
ことができる。さらに、隣接する領域の境界線は、図6
(a)に示すように先細形状を有するため、ある領域に
発生した電荷が次の領域に移動する距離が短くなるた
め、電荷読出効率をより良くすることができる。
ラインセンサの各光電変換素子27の構造を示す図であ
る。図示の構造の光電変換素子27を図4に示すように
多数配列して構成したラインセンサを本発明の第3の実
施形態として図2に示す放射線画像情報読取装置に適用
することができる。
ンサを用いた放射線画像情報読取装置として、ラインセ
ンサを除いて他の部分の構造、作用は、前述の第1およ
び第2の実施形態のラインセンサを用いた放射線画像情
報読取装置のラインセンサを除いた部分の構造、作用と
同様であるため、ここで説明を省略する。
実施形態のラインセンサを構成する各光電変換素子27
のフォトダイオード28は、矢印X方向において、同方
向における読出ゲート23の幅よりも大きい幅を有し、
領域毎に異なる量のイオン粒子の注入により、ポテンシ
ャルが異なる3つの領域(28a、28b、28c)に
分けられている。図7(b)と図7(c)は、夫々光電
変換素子27のAOB断面ポテンシャル図とCOB断面
ポテンシャル図である。図7(b)と図7(c)に示す
ように、領域28a、28b、28cのポテンシャル井
戸の深さは領域28a<領域28b<領域28cの関係
になっており、矢印Y方向に限らず、いかなる方向にお
いても、読出ゲート23に向ったラインで見た時に、読
出ゲート23に近い部位ほどポテンシャル井戸が深くな
るポテンシャル傾斜構造となっていると共に、領域28
aと領域28b、領域28bと領域28cの境界は、読
出ゲート23から離れるに従って幅狭になる先細形を複
数並べたジグザグ形を有する形状である。
子27により構成したラインセンサ、すなわち本発明の
第3の実施形態のラインセンサを用いた放射線画像情報
読取装置によれば、ラインセンサの受光部となる各フォ
トダイオード28は、読出ゲート23に近いほどポテン
シャル井戸が深くなる傾斜構造となっているため、前述
の第1の実施形態のラインセンサ20を用いた放射線画
像情報読取装置と同様に、矢印Y方向において大きい幅
を有するフォトダイオードを用いても、読出電圧および
読出時間の増加を防ぎつつ電荷の完全読出しを可能にす
ると共に、矢印Y方向に限らずあらゆる方向において、
読出ゲートに向うラインで見た時に、前述のポテンシャ
ル傾斜構造を成しているので、前述の第2の実施形態の
ラインセンサを用いた放射線画像情報読取装置と同様
に、フォトダイオードの矢印X方向における幅は、読出
ゲートの同方向における幅より大きい場合においても、
電荷読出効率の向上を図ることができる。さらに、隣接
する領域の境界線は、図7(a)に示すように読出ゲー
ト23から離れるに従って幅狭になる先細形複数に並べ
たジグザグ形を有する形状であるので、ある領域に発生
した電荷が次の領域に移動する距離が短くなると共に、
狭チャンネル効果を利用することができるので、電荷の
読出効率を一層良くすることができる。
線画像情報読取装置は上述した実施形態に限るものでは
なく、光源、光源とシートとの間の集光光学系、シート
とラインセンサとの間の光学系などとして、公知の種々
の構成を採用することができる。また、画像情報読取手
段から出力された信号に対して種々の信号処理を施す画
像処理装置をさらに備えた構成や、励起が完了したシー
トになお残存する放射線エネルギを適切に放出せしめる
消去手段をさらに備えた構成を採用することもできる。
読取装置は、励起光Lの光路と輝尽発光光Mの光路とが
一部において重複するような構成を採用して、装置の一
層のコンパクト化を図るものとしたが、このような構成
に限るものではなく、例えば励起光Lの光路と輝尽発光
光Mの光路とが全く重複しない構成などを適用すること
もできる。
取装置は、励起光の光源とラインセンサとをいずれもシ
ートの同一面側に配して、励起光が入射したシート面か
ら出射する輝尽発光光を受光するようにした反射光集光
型の構成を採用したが、本発明の放射線画像情報読取装
置はこのような構成のものに限るものではなく、支持体
が輝尽発光光透過性の材料により形成された蓄積性蛍光
体シートを用いることによって、励起光の光源とライン
センサとを互いにシートの異なる面側に配して、励起光
が入射したシート面の反対側の面から出射する輝尽発光
光を受光するようにした透過光集光型の構成を採用する
こともできる。
報読取装置に使用されるシートとして、放射線を吸収す
る蛍光体および放射線エネルギー、すなわち、放射線画
像情報を蓄積する蛍光体両方を兼任する通常の蓄積性蛍
光体シートであっても勿論良いが、特願平11-372978号
に提案されているように、従来の輝尽性蛍光体における
放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能を分離して、放射
線吸収の優れた蛍光体と輝尽発光の応答性の優れた蛍光
体を夫々放射線吸収と放射線画像情報蓄積に使い分け
し、放射線吸収の優れた蛍光体を用いて(放射線吸収用
蛍光体)、放射線を吸収して、紫外乃至可視領域に発光
させ、この発光光を前述の輝尽発光の応答性の優れた蛍
光体(蓄積専用蛍光体)を用いて吸収してそのエネルギ
ーを蓄積し、可視乃至赤外領域の光で励起して該エネル
ギーを輝尽発光光として放出させ、この輝尽発光光を光
電読取手段により光電的に順次読み取って画像信号を得
るシステムを用いれば、放射線画像形成の検出量子効
率、すなわち放射線吸収率、輝尽発光効率および輝尽発
光光の取出し効率などをトータル的に高めることができ
るため、本発明の放射線画像情報読取装置が対象とする
蓄積性蛍光体シートは、前述の蓄積専用蛍光体を含有す
るものを使用すれば、一層画像の品質を高めることがで
きる。
に使用されるシートとして、同一の被写体についての、
放射線エネルギ吸収特性が互いに異なる2つの画像情報
を蓄積記録してなり、各画像情報に応じた2つの輝尽発
光光をその表裏面から各別に発光し得る、放射線エネル
ギーサブトラクション用の蓄積性蛍光体シートを使用す
ると共に、ラインセンサを前記シートの両面側に夫々各
別に配設し、更にシートの両面から読み取られた画像情
報を、シートの表裏面の画素を対応させてサブトラクシ
ョン処理する読取手段を備えた装置とすることもできる
が、この場合においても、シートの両面側に夫々各別に
配設されるラインセンサとして、上述したフォトダイオ
ードの構造を有する光電変換素子により構成されたライ
ンセンサを使用することができる。
用の蓄積性蛍光体シートとしても、例えばシートの厚さ
方向に延びる励起光反射性隔壁部材により多数の微小房
に細分区画された構造を有するシート等の、いわゆる異
方化されたシートを用いることもできる。
実施形態のラインセンサを用いた放射線画像情報読取装
置を用いたが、本発明のラインセンサは、放射線画像情
報読取装置に限らず、受光部の大きいラインセンサを必
要とするいかなる装置にも適用することができる。
読取装置の一実施形態を示す構成図
線断面を示す断面図
ラインセンサの詳細を示す図
電変換素子の詳細を示す図
電変換素子の詳細を示す図
電変換素子の詳細を示す図
光学系 14 ダイクロイックミラー 15,16 セルフォックスレンズアレイ 17 励起光カットフィルタ 20 ラインセンサ 21,25,27 光電変換素子 30 画像情報読取手段 40 走査ベルト 50 蓄積性蛍光体シート L 励起光 M 輝尽発光光
Claims (6)
- 【請求項1】 所定の間隔をおいて一列に配列された複
数のフォトダイオードからなる光電変換部と、前記光電
変換部の各前記フォトダイオードから電荷を受け取って
転送する電荷転送部と、前記光電変換部と前記電荷転送
部との間に設けられた読出ゲートとを備えたラインセン
サであって、 前記フォトダイオードが、前記読出ゲートに近いほどポ
テンシャル井戸が深くなるポテンシャル傾斜構造を有す
ることを特徴とするラインセンサ。 - 【請求項2】 前記ポテンシャル傾斜構造が、前記フォ
トダイオードにP型および/またはN型のイオンを注入
することにより形成されていることを特徴とする請求項
1記載のラインセンサ。 - 【請求項3】 前記フォトダイオードが複数の領域に区
分され、前記ポテンシャル傾斜構造が、前記読出ゲート
に近い前記領域ほどそのポテンシャル井戸が深くなる段
階的傾斜構造であることを特徴とする請求項1または2
記載のラインセンサ。 - 【請求項4】 隣接する2つの前記領域の境界が、前記
読出ゲートから離れるに従って幅狭になる先細形を有す
る形状であることを特徴とする請求項3記載のラインセ
ンサ。 - 【請求項5】 隣接する2つの前記領域の境界が、前記
読出ゲートから離れるに従って幅狭になる先細形を複数
並べたジグザグ形を有する形状であることを特徴とする
請求項3記載のラインセンサ。 - 【請求項6】 放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性
蛍光体シートの一部に励起光を線状に照射するライン光
源と、前記蛍光体シートの線状に照射された部分から発
光された輝尽発光光を受光して光電変換を行うラインセ
ンサと、前記ライン光源および前記ラインセンサと前記
蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に、前記照射
された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手
段と、前記ラインセンサの出力を前記移動に応じて順次
読み取る読取手段とを備えてなる放射線画像情報読取装
置であって、 前記ラインセンサが、請求項1、2、3、4、5記載の
ラインセンサのうちの1つであることを特徴とする放射
線画像情報読取装置。
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