KR0136934B1 - 선형 고체영상소자 - Google Patents

선형 고체영상소자

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KR0136934B1
KR0136934B1 KR1019940003199A KR19940003199A KR0136934B1 KR 0136934 B1 KR0136934 B1 KR 0136934B1 KR 1019940003199 A KR1019940003199 A KR 1019940003199A KR 19940003199 A KR19940003199 A KR 19940003199A KR 0136934 B1 KR0136934 B1 KR 0136934B1
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shift gate
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이경수
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문정환
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Abstract

본 발명은 포토다이오드영역을 HCCD영역쪽의 폭이 반대쪽보다 더 큰 사다리꼴 구조로 형성하고 HCCD영역을 포토다이오드영역쪽으로 길게 연장하여 형성함으로써 전하전송효율을 극대화시킬 수 있는 선형 고체영상소자로서, 제1도전형의 실리콘 기판과 상기 기판의 일측에 형성되고, 일정 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰과 상기 기판의 타측에 형성되고, 제1웰보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰과 상기 제1웰상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리 구조를 갖으며, 제1도전형을 갖는 신호전하발생용 복수개의 포토다이오드영역과 포토다이오드영역의 양측 제2웰상에 형성되고 상기 포토다이오드영역쪽으로 연장된 돌출영역을 갖는 제1도전형의 전하전송용 HCCD영역과 상기 포토다이오드영역과 HCCD영역 사이의 제1웰상에 형성되고, 시프트 게이트 하부에서 육각형 구조를 갖는 복수개의 제2도전형의 시프트 게이트 채널영역과 각 포토다이오드영역의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층과 포토다이오드영역과 HCCD영역 사이의 기판상에 형성되고, 포토다이오드영역에 축적된 전하를 HCCD영역으로 전송하기 위한 시프트 게이트와 상기 HCCD영역 상부의 기판상에 형성되고, 포토다이오드영역에서 전송된 전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트와 시프트 게이트와 폴리게이트 사이의 기판상에 형성되고, 이들을 절연시켜 주기 위한 절연층과 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역을 포함한다.

Description

선형 고체영상소자
제1도는 종래의 선형 고체영상소자의 평면도.
제2도는 제1도의 A-A'선에 따른 고체영상소자의 단면도.
제3도(A)와 (B)는 제2도의 각 부분에 따른 최대 전위분포도(maximum potential distribution).
제4도는 제3도의 최대 전위분포에 대한 컴퓨터 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 도면.
제5도는 본 발명의 제1실시예에 따른 선형 고체영상소자의 평면도.
제6도는 제5도의 B-B'선에 따른 고체영상소자의 단면도.
제7도(A)와 (B)는 제6도의 각 부분에 따른 최대 전위분포도.
제8도는 제7도(B)의 최대 전위분포에 대한 컴퓨터 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
21 : 기판22,23 : p형 웰
24 : 포토다이오드 영역25 : HCCD영역
26 : 시프트 게이트 채널영역27 : p++층
28 : 시프트 게이트29 : 폴리게이트
30 : 절연층31 : 채널스톱영역
본 발명은 고체영상소자에 관한 것으로서, 폭이 좁고 길이가 긴 포토다이오드를 갖는 팩시밀리용 선형 고체영상소자에 관한 것이다.
팩시밀리 또는 바코드 리더(Bar code reader) 등에 선형 CCD형 고체영상소자(linear CCD solid image sensor)가 사용된다.
듀얼 CCD 채널구조를 갖는 선형 고체영상소자는 포토다이오드 어레이가 선형으로 배열되고 포토다이오드의 양측에 수평 HCCD가 배열된 구조를 갖는다.
각 포토다이오드에서 발생된 신호전하는 주기적으로 2개의 수평 HCCD중 하나에 병렬로 인가되고, 이 신호들은 출력증폭기를 통해 직렬로 독출된다.
제1도는 종래의 선형 고체영상소자의 평면도를 도시한 것이고, 제2도는 제1도의 A-A'선에 따른 단면도를 도시한 것이다.
제1도 및 제2도를 참조하면, 종래의 선형 고체영상소자는 n형 기판(11)과 n형 기판(11)의 일측상에 형성된 제1p형 웰(12)과 제1p형 웰(12)보다 큰 접합깊이를 갖는 n형 기판(12)의 타측상에 형성된 제2p형 웰(13)과 폭이 작고 길이가 긴 장방형이고, 상기 제1p형 웰(12)상에 형성된 입사된 광에 따라 발생하는 전하를 축적하는 복수개의 n-형 포토다이오드영역(14)과 포토다이오드영역(14) 상부 표면상에 형성된 p++전위장벽형성층(17)과 포토다이오드 영역(14)으로부터 전송된 전하를 출력증폭기(도면상에는 도시되지 않음)로 출력하기 위한 상기 제2p형 웰(13)상에 형성된 한쌍의 n-형 HCCD영역(15)과 상기 포토다이오드영역(14)과 HCCD영역(15) 사이의 제1p형 웰(12)내에 형성된 시프트 게이트 채널영역(16)과 상기 시프트 게이트 채널영역(16)과 HCCD영역(15)에 걸쳐 형성된 복수개의 폴리게이트(19)와 각 폴리게이트(19)와 오버랩되어 상기 시프트 게이트 채널영역(16)상에 형성되고, 포토다이오드영역(14)으로부터의 전하를 HCCD영역(15)으로 전송하기 위한 시프트 게이트(18)와 배리어(barrier)를 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 채널스톱영역(20)을 포함한다.
시프트 게이트(18)와 각 폴리게이트(19)는 도우핑된 폴리실리콘막으로 되어 있다.
각 폴리게이트(19)는 시프트 게이트 채널영역(16)을 통해 포토다이오드영역(14)으로부터 HCCD영역(15)으로 전송된 전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 것으로서, 상기 시프트 게이트(18)와 오버랩되어 형성된 제1폴리게이트전극(19-1)과 상기 제1폴리게이트전극(19-1)과 오버랩되어 형성된 제2폴리게이트전극(19-2)이 HCCD영역(15) 상부에 교대로 연속 배열되어 있다.
상기 구조를 갖는 고체영상소자의 동작은 축적모드와 전송모드로 크게 나눌 수 있다.
제3도는 제2도의 선형 고체영상소자의 각 부분에 따른 최대 전위분포도를 도시한 것이다.
제3도(A)는 축적모드시의 최대 전위분포도이고 제3도(B)는 전송모드시의 최대 전위분포도이다.
고체영상소자는 시프트 게이트(18)과 제1폴리게이트전극(19-1)에 최저전압인 0V를 인가하고, HCCD영역(15)에서는 리세트 드레인 단자(RD)를 통해 최고 전압인 15V를 인가하면 제3도(A)와 같은 최대 전위분포를 갖는다.
그러므로 고체영상소자는 축적모드시 p++채널스톱영역(20)가 P형 시프트 게이트 채널영역(16)에 의해 높은 전위장벽이 형성되므로 입사된 광에 포토다이오드영역(14)에서 발생된 전하는 포토다이오드영역(14)에 그대로 축적되게 된다.
한편, 시프트 게이트(18)과 제1폴리게이트전극(19-1)에 10∼15V 정도의 큰 전압을 인가하고, HCCD영역(15)에 15V의 최고전압을 인가하면 고체영상소자는 제3도(B)와 같은 최대 전위분포를 갖는다.
따라서, 고체영상소자는 전송모드시 시프트 게이트 채널영역(16)의 전위장벽이 제3도(B)와 같이 낮아져 각 포토다이오드영역(14)에 축적되어 있던 전하는 시프트 게이트 채널영역(16)을 통해 HCCD영역(15)으로 병렬 전송된다.
그러므로 제1폴리게이트전극(19-1)와 제2폴리게이트전극(19-2)에 인가되는 신호에 따라 HCCD영역(15)으로 전송된 전하는 출력증폭기(도면상에는 도시되지 않음)로 직렬로 출력되게 된다.
그러나, 종래의 고체영상소자는 제1도를 참조하면 각 포토다이오드영역(14) 폭이 좁고 길이가 긴 정방형 구조이고, 시프트 게이트(18) 하부의 시프트 게이트 채널영역(16)이 상기 포토다이오드영역(14)보다 폭이 작은 사각형 구조를 갖는다.
그러므로, 포토다이오드(14)에서 축적된 전하가 HCCD영역(15)으로 전송되는 통로인 시프트 게이트 채널영역(16)과 포토다이오드영역(14)이 인접하는 X영역(22)에서의 채널폭 효과로 인하여 전위장벽이 생기므로 전하전송효율이 저하된다.
즉, 전송모드시 제3도(B)에 도시된 바와 같이 p++형 채널스톱영역(20)의 농도로 인하여 시프트 게이트 채널영역(16)과 포토다이오드영역(14)이 인접하는 X영역(9)에서의 전위가 포토다이오드영역(14)의 다른 부분보다 약간 높아서 전위장벽이 형성되게 된다.
그러므로, 상기 형성된 전위장벽으로 인하여 포토다이오드영역(14)에 축적된 전하가 전송모드시 HCCD영역(15)으로 충분하게 전송시키지 못하므로 고체영상소자의 전압포화레벨이 작아지게 된다.
또한, 시프트 게이트 채널영역(16)의 채널길이가 길어 포토다이오드영역(14)과 HCCD영역(15)이 멀리 떨어져 형성되므로 전하전송이 용이하지 못한 문제점이 있다.
제4도는 축적모드시 제2도의 고체영상소자의 전위분포를 컴퓨터로 시뮬레이션한 결과치이다.
상기에서 설명한 바와 같이 X영역(9)에서 전위가 포토다이오드영역(14)의 다른 부분보다 높아져 전위장벽이 형성됨을 제4도의 시뮬레이션 결과에 의해 확인할 수 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토다이오드영역을 양측면의 폭이 서로 다른 큰 사다리 구조로 형성하고, HCCD영역을 포토다이오드영역 근처까지 길게 연장하여 형성함으로써, 전하전송효율을 극대화시킬 수 있는 선형 고체영상소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 제1도전형의 실리콘기판과 상기 기판의 일측에 형성되고, 일정 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰과 상기 기판의 타측에 형성되고, 제1웰보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰과 상기 제1웰상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리 구조를 갖으며, 제1도전형을 갖는 신호전하발생용 복수개의 포토다이오드영역과 포토다이오드영역(24)의 양측 제2웰상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)으로부터의 신호전하를 출력증폭기로 출력하기 위한 2개의 제1도전형의 전하전송용 HCCD영역(25)과 상기 포토다이오드영역과 HCCD영역 사이의 제1웰상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28)의 하부에서 육각형 구조를 갖는 복수개의 제2도전형의 시프트 게이트 채널영역과 각 포토다이오드영역의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층과, 상기 HCCD영역 상부의 기판상에 형성되고, 포토다이오드영역에서 전송된 전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트와(29), 시프트 게이트와 폴리게이트 사이의 기판상에 형성되고, 상기 시프트 게이트와 폴리게이트를 절연시켜 주기 위한 절연층과 전위장벽을 형성하여 포토다이오드 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역을 포함하는 선형 고체영상소자를 제공한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 선형 고체영상소자의 평면도이고, 제6도는 제5도의 B-B'선에 따른 선형 고체영상소자의 단면도를 도시한 것이다.
제5도와 제6도를 참조하면, 본 발명의 선형 고체영상소자는 n형 기판(21)과 n형 기판(21)의 일측상에 형성된 제1p웰(22)과 n형 기판(21)의 타측상에 형성된 제1웰(22)보다는 큰 접합깊이를 갖는 제2p웰(23)과 선형으로 배열되어 상기 제1웰(22)에 형성된 신호전하발생용 복수개의 n-형 포토다이오드영역(24)과 포토다이오드영역(24)의 양측 제2웰(23)상에 형성되고 포토다이오드영역(24)에서 전송된 신호전하를 출력증폭기(도면상에 도시되지 않음)로 출력하기 위한 n-형 HCCD영역(25)과 상기 포토다이오드영역(24)과 HCCD영역(25) 사이의 기판에 형성되고 포토다이오드영역(24)에 축적된 신호전하를 HCCD영역(25)으로 전송하기 위한 시프트 게이트(28)와 상기 포토다이오드영역(24)과 HCCD영역(25) 사이의 제1웰(22)상에 형성되고 상기 시프트 게이트(28) 하부에서 육각형 구조를 갖는 시프트 게이트 채널영역(26)과 상기 포토다이오드영역(24)의 표면에 형성된 전위장벽형성용 p++층(27)과 포토다이오드영역(24)으로부터 전송되어온 전하를 출력증폭기(도면상에는 도시되지 않음)로 전송하기 위한, 상기 HCCD영역(25) 상부의 기판(21)상에 형성된 복수개의 폴리게이트(29)와 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29) 사이의 기판(21)상에 형성되어 이들을 절연시켜 주기 위한 절연층(30)과 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주기 위한 채널스톱영역(31)을 포함한다.
각 포토다이오드영역(24)은 상기 시프트 게이트 채널영역(26)과 접한 측면은 그 대응하는 측면보다 폭이 넓으며, 길이로 길게 연장된 사다리 구조를 갖으며, 선형적으로 배열된다.
시프트 게이트 채널영역(26)은 포토다이오드영역(24)과 제1폴리게이트전극(29) 사이의 상기 시프트 게이트(28) 하부에서는 육각형 구조를 갖으며, 포토다이오드영역(24)과 접하고 있는 측면의 폭은 서로 동일하다.
HCCD영역(25)은 포토다이오드영역(24)을 중심으로 그의 양측에 각각 배열되는데, 각 HCCD영역(25)은 제1도 및 제2도에 도시된 바와 같이 포토다이오드영역(24)의 배열방향과 동일한 방향으로 길게 연장된 사각형 구조를 가질 수도 있으며, 제2웰(23)상에 포토다이오드영역(24)과 나란하게 연장 형성된 주HCCD영역(25-2)과 시프트 게이트(28) 하부의 상기 시프트 게이트 채널영역(26)까지 길게 연장 형성된 사다리꼴 구조의 돌출영역(25-1)을 갖는 제5도 및 제6도의 구조를 가질 수도 있다.
각 폴리게이트(29)는 HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1) 상부의 기판(21)상에 형성된 제1폴리게이트전극(29-1)과 상기 HCCD영역(25)의 주HCCD영역(25-2) 상부의 기판(21)상에 형성된 제2폴리게이트전극(29-2)으로 이루어졌다.
복수개의 제1폴리게이트전극(29-1)과 복수개의 제2폴리게이트전극(29-2)이 서로 오버랩되어 교대로 배열되었다.
상기 HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1)은 폭이 상기 제1폴리게이트전극(29-1)의 폭보다는 작도록 형성되고, 시프트 게이트(28) 하부에 형성된 육각구조의 시프트 게이트 채널영역(26)의 폭이 증가하다가 감소하기 시작하는 부분까지만 연장 형성된 구조를 갖는다.
본 발명의 고체영상소자는 사다리꼴 구조의 포토다이오드영역과 시프트 게이트 하부에 육각형 구조의 시프트 채널게이트 영역을 형성하여 주므로써, Z영역(32)에서 Y영역에서 보다 폭이 크게 되어 전하를 시프트 게이트에 인접한 포토다이오드영역에 모아주는 구조를 갖는다.
제7도는 제6도의 고체영상소자의 각 부분의 최대 전위분포도를 도시한 것으로서, 제7도(A)는 축적모드시의 최대 전위분포도이고, 제7도(B)는 전송모드시의 최대 전위분포도이다.
축적모드시에는 시프트 게이트(28)와 제1폴리게이트전극(29-1)에 0V의 최저전압을 인가하고, 리세트 드레인단자(RD)를 통해 15V의 최고전압을 HCCD영역(25)에 인가하면, 제7도(A)와 같이 전위가 분포한다.
채널스톱영역(31)과 시프트 게이트 채널영역(26)에 의해 전위장벽이 형성되고, 입사된 광에 의해 각 포토다이오드영역(24)에서 생성된 전하는 전위장벽에 의해 HCCD영역(25)으로 전송되지 못하고 포토다이오드영역(24)에 축적된다.
한편, 동작모드시에는 시프트 게이트(28)와 제1폴리게이트전극(29-1)에 12-15V 정도의 큰 전압을 인가하고 리세트 드레인단자(RD)를 통해 15V의 최고전압을 HCCD영역(25)에 인가하면, p형 시프트 게이트 채널영역(26)과 n형 HCCD영역(25)의 pn접합에 역바이어스가 인가되어 완전히 공핍영역만이 존재하게 된다.
즉, 리세트 드레인단자(RD)에 인가되는 최고전압에 의해 역바이어스가 걸려 고체영상소자의 모든 부분이 완전 공핍상태(fully-depleted state)가 된다.
따라서, 제7도(B)와 같이 전위가 분포하게 되어 HCCD영역의 깊이 방향으로 최대전위 혹은 핀치오프전압이 형성되는 부분에 전하가 머무르게 된다.
즉, 전하는 축적모드시에 포토다이오드영역(24)의 최대전압이 형성되는 부분에 축적되었다가 전송 모드시 HCCD영역(25)의 최대 전압이 형성되는 부분으로 전송된다. 이때, 최대 전압은 포토다이오드영역과 HCCD영역이 n형인 경우 이들 영역의 폭이 클수록 커지고 도우핑 농도가 높을수록 커진다.
그러므로, 본 발명에서는 폭에 의한 효과를 이용하고 있는데, 포토다이오드영역(24)이 Z부분(32)보다 Y부분에서 폭이 넓으므로 포토다이오드영역(24)은 Z부분의 최대 전압이 Y부분에서 보다 크고, HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1)이 주HCCD영역(25-2)쪽으로 갈수록 폭이 넓어지므로 HCCD영역(25)은 주HCCD영역(25-2)으로 갈수록 최대 전압이 점점 커지므로 제7도(B)와 같이 경사진 전위분포를 갖는다.
그러므로 전송 모드시 포토다이오드영역(24)과 시프트 게이트 채널영역(26)이 인접한 Z부분(32)에서 종래처럼 전위장벽이 형성되지 않고 반대로 전위가 경사지게 분포한다.
전송 모드시 본 발명에서는 포토다이오드영역(24)에 축적된 전하가 완전히 HCCD영역(25)으로 전송되게 된다.
제8도는 제7도(B)의 최대 전위분포를 컴퓨터로 시뮬레이션한 결과를 도시한 도면으로서, 상기에서 설명한 바와 같이 경사진 전위분포가 형성됨을 확인할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명에 의하면 포토다이오드영역과 HCCD영역에서 경사진 전위분포를 얻을 수 있으므로 전하전송측면에서 전송효율을 개선시키고 제1폴리게이트전극 및 제2폴리게이트전극에 인가되는 클럭 주파수가 높아져도 전송효율을 유지할 수 있다.

Claims (14)

  1. 제1도전형의 실리콘기판(21)과 상기 기판(21)의 일측에 형성되고, 일정 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰(22)과 상기 기판(21)의 타측에 형성되고, 제1웰(22)보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰(23)과 상기 제1웰(22)상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리꼴 구조를 가지며, 제1도전형을 갖는 신호전하발생용 복수개의 포토다이오드영역(24)과 포토다이오드영역(24)의 양측 제2웰(23)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)으로부터의 신호전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 제1도전형의 2개의 HCCD영역(25)과, 포토다이오드영역(24)과 HCCD영역(25) 사이의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에 축적된 전하를 HCCD영역(25)으로 전송하기 위한 시프트 게이트(28)와 포토다이오드영역(24)과 HCCD영역(25) 사이의 제1웰(22)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28) 하부에서 육각형 구조를 갖는 제2도전형의 시프트 게이트 채널영역(26)과, 각 포토다이오드영역(24)의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층(27)과, 상기 HCCD영역(25) 상부의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에서 전송된 전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트(29)와, 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29) 사이의 기판(21)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29)를 절연시켜 주기 위한 절연층(30)과 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역(31)을 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  2. 제1항에 있어서, 포토다이오드영역(24)은 시프트 게이트 채널영역(26)과 접하고 있는 측면의 폭이 대응하는 측면의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  3. 제1항에 있어서, HCCD영역(25)은 포토다이오드 배열방향과 동일방향으로 길게 연장된 장방형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  4. 제1항에 있어서, 시프트 게이트(28)의 하부에서 시프트 게이트 채널영역(26)은 일측면이 상기 포토다이오드영역(24)과 접하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)와 인접하는 육각형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  5. 제4항에 있어서, 시프트 게이트 채널영역(26)은 상기 포토다이오드영역(24)에 인접한 측면은 상기 포토다이오드영역(24)의 일측면의 폭과 동일하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  6. 제1도전형의 실리콘기판(21)과, 상기 기판(21)의 일측에 형성되고, 일정 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰(22)과, 상기 기판(21)의 타측에 형성되고, 제1웰(22)보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰(23)과, 상기 제1웰(22)상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리꼴 구조를 갖으며, 제1도전형을 갖는 신호전하발생용 복수개의 포토다이오드영역(24)과, 포토다이오드영역(24)의 양측 제2웰(23)상에 형성되고, 장방형의 주HCCD영역(25-2)과 돌출영역(25-1)을 갖으며, 포토다이오드영역(24)으로부터의 신호전하를 출력증폭기로 출력하기 위한 제1도전형의 2개 HCCD영역(25)과, 포토다이오드영역(24)과 HCCD영역(25) 사이의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에 축적된 전하를 HCCD영역(25)으로 전송하기 위한 시프트 게이트(28)와, 포토다이오드영역(24)과 HCCD영역(25) 사이의 제1웰(22)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28) 하부에서 육각형 구조를 갖는 제2도전형의 시피트 게이트 채널영역(26)과, 각 포토다이오드영역(24)의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층(27)과, 상기 HCCD영역(25) 상부의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에서 전송된 전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트(29)와, 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29) 사이의 기판(21)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29)를 절연시켜 주기 위한 절연층(30)과, 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역(31)을 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  7. 제6항에 있어서, 각 HCCD영역(25)의 주HCCD영역(25-2)은 포토다이오드 배열방향과 동일방향으로 길게 연장 형성되고, 돌출영역(25-1)은 주HCCD영역(25-2)으로부터 상기 시프트 게이트 채널영역(26)까지 연장 형성된 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  8. 제6항에 있어서, HCCD영역(25)의 돌출영역은 시프트 게이트 채널영역(26)의 폭이 가장 큰 부분까지만 연장된 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  9. 제8항에 있어서, HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1)은 시프트 게이트(28)쪽 측면의 폭이 주영역쪽의 측면의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  10. 제9항에 있어서, HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1)은 사다리꼴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  11. 제10항에 있어서, HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1)의 폭은 폴리게이트(29)의 폭보다는 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  12. 제11항에 있어서, 시프트 게이트(28)의 하부에서 시프트 게이트 채널영역(26)은 일측면이 상기 포토다이오드영역(24)과 접하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)와 인접하는 육각형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  13. 제12항에 있어서, 시프트 게이트 채널영역(26)은 상기 포토다이오드영역(24)에 인접한 측면은 상기 포토다이오드영역(24)의 일측면의 폭과 동일하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
  14. 제6항에 있어서, 각 폴리게이트(29)는 HCCD영역(25)의 돌출영역(25-1) 상부의 기판상에 형성된 제1폴리게이트전극(29-1)과, 상기 HCCD영역(25)의 주HCCD영역(25-2) 상부의 기판상에 형성된 제2폴리게이트전극(29-2)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
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