KR20000023235A - 고체 촬상 센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 각각 전하를 수직으로 이송시키기 위한 다수의 제1 전하 이송부(2); (b) 전하 장벽 영역(14) 및 전하 축적 영역(13)을 포함하며, 전하를 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송부(3); (c) 제2 전하 이송부(3)에 인접하게 위치하는 제1 전위 장벽부(15); 및 (d) 제1 전위 장벽부(15)에 인접하게 위치하는 과잉 전하 배출부(16)를 포함하되; (e) 다수의 제2 전위 장벽부(18)가 제1 전위 장벽부(15)에 위치하고, 제2 전위 장벽부(18)가 인접한 전위 장벽부들로부터 거리를 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 센서를 제공한다. 고체 촬상 센서는 신호 전하가 과잉 전하 배출부로 누전되는 것을 방지할 수 있으므로, 전하 이송 효율의 향상을 보장한다.

Description

고체 촬상 센서{SOLID-STATE IMAGE SENSOR}
본 발명은 고체 촬상 센서에 관한 것으로, 특히 전하를 수평으로 이송시키기 위한 전하 이송부에 인접하게 위치한 과잉 전하 배출부를 포함하는 고체 촬상 센서에 관한 것이다.
종래에는, 고체 촬상 센서가 카메라를 구비한 비디오-테이프 녹화 장치(VTR)의 입력 장치로서 사용되어 왔다. 그러나, 최근 매우 많은 수의 픽셀이 요구됨에 따라, 고체 촬상 센서는, 필름을 현상하는 대신에 광학 데이터가 전기 신호로 전환되고, 그 전기 신호가 메모리에 저장되어, 인쇄되거나 모니터 화면상의 화상으로서 표시되는 전자 스틸 카메라용 입력 장치로서 사용되기 시작했다.
상기 언급된 바와 같은 고체 촬상 센서가 광전 이송부와, 광전 이송부에서 축적된 신호 전하를 수평 및 수직으로 이송시키기 위한 전하 이송부를 포함하므로, 불필요한 주기 시간에 수행된 광전 변환에 의해 생성되어 축적된 전하, 및 필수적인 화상 신호를 구성하는 신호 전하뿐만 아니라 실리콘 및 산화물 필름간의 접촉면에서 생성된 전류에 의해 유발된 전하와 같은 불필요한 신호 전하가 있을 수 있다.
고체 촬상 센서가 카메라를 구비한 비디오-테이프 녹화 장치의 입력 장치로서 이용되는 경우, 상기의 불필요한 신호 전하는 한 쌍의 화면에 대응하는 신호 전하가 표시된 후에 안정한 레벨까지 내려간다. 그러므로, 심각한 문제가 발생하지 않는다.
한편, 고체 촬상 센서가 전자 스틸 카메라의 입력 장치로서 사용되는 경우, 상기 언급된 바와 같은 불필요한 신호 전하는 화상 신호를 구성하는 신호 전하와 결합되어, 화질을 저하시키는 문제를 발생시킨다.
게다가, 만일 상기의 불필요한 신호 전하를 제거하는 데 많은 시간이 걸리는 경우에 셔터 버튼으로 트리거를 수행하면, 셔터는 트리거의 수행 시간으로부터 실제로 열리거나 닫힐 때까지 시간이 지연되어, 셔터 기회를 놓칠 수 있다.
그러므로, 고체 촬상 센서가 카메라를 구비한 비디오-테이프 녹화 장치의 입력 장치로서 사용되는 경우와는 달리, 전자 스틸 카메라의 입력 장치로서 사용될 때, 셔터에 의해 트리거가 수행되는 때와 동시에 광전 이송부 및 전하 이송부 모두에 존재하는 불필요한 신호 전하를 순간적으로 제거하는 것이 필요하다.
상기 불필요한 신호 전하를 제거하기 위한 많은 시도가 제안되었다.
예를 들어, 상기 시도들 중 하나는 1983년 10월, Television Institute Brochure, Vol.37, No.10의 782(16)-787(21)면에 Ishihara 등의 "CCD Image Sensor having Vertical Overflow Structure"에 제안되었다. 상기 발표문에 따르면, 광전 이송부에 존재하는 불필요한 전하는 블루밍(blooming) 제어 및 수직 오버플로우 드레인 구조의 형성을 수행함으로써 제거된다. 블루밍 제어에서는, 광전 이송 영역을 구성하는 n형 반도체 영역 바로 아래에 p- 반도체 영역을 형성하고, 역-바이어스 전압을 n3-반도체 기판에 인가함으로써, 과잉 전하를 n3-반도체 기판으로 이송시킨다. 수직 오버플로우 드레인 구조를 형성함으로써, n형 반도체 영역이 공핍하게 되고, 모든 신호 전하들이 n3-반도체 기판으로 몰리게 하는 것이 가능하다.
전하들을 수평으로 이송시키기 위한 전하 이송부가 고속으로 동작할 수 있으므로, 전하 이송부에 존재하는 불필요한 전하들은 보통의 동작에서 수평 전하 이송부에 인접하게 위치한 리셋 드레인으로 이동하게 된다.
한편, 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 전하 이송부에 존재하는 불필요한 전하들을 제거하기 위해서 적어도 한 쌍의 화면에 대응하는 거리만큼 불필요한 전하들을 이송시키는 것이 필요하다.
일본 미심사 특허 공보 제8-256429호는 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 전하 이송부에 존재하는 상기 불필요한 전하들을 제거하기 위한 방법을 제안하였다. 그 제안 방법에서, 과잉 전하 배출부는 전하 이송부에 인접하게 형성된다. 전하 이송부에 존재하는 불필요한 전하들이 스스로 이송되어, 과잉 전하 배출부로 이동된다.
도 1은 일본 미심사 특허 공보 제8-256429호에서 제안된 고체 촬상 센서의 블럭도이다. 도시되어 있는 고체 촬상 센서는, 다수의 라인들이 배치된 광전 이송부(1); 광전 이송부(1)들 각각에 인접하게 위치하고, 전하를 수직으로 이송시키기 위한 다수의 제1 전하 이송부(2); 광전 이송부(1) 및 제1 전하 이송부(2) 모두의 한 단부 쪽에서 연장되고, 수평으로 전하를 이송시키기 위한 제2 전하 이송부(3); 제2 전하 이송부(3)에 전기적으로 연결된 출력 회로(4); 제2 전하 이송부(3)에 인접하게 위치한 전위 장벽부(5); 전위 장벽부(5)에 인접하게 위치한 과잉 전하 배출부(6); 및 과잉 전하 배출부(6)의 한 단부에 위치하고, 전원 전압 VDD에 전기적으로 연결된 n++반도체 영역(7)을 포함한다.
도 2는 도 1의 파선으로 둘러싸인 영역, 즉 제2 전하 이송부(3)에 인접하게 위치하고, 전위 장벽부(5) 및 과잉 전하 배출부(6)를 포함하는 영역의 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 이 영역은 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 제1 전하 이송 채널(11); 제1 전하 이송 채널(11)에 인접하게 위치하고, 전하 축적 영역(13) 및 전하 장벽 영역(14)을 포함하며, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송부(12); 제2 전하 이송부(12)에 인접하게 위치한 전위 장벽부(15); 전위 장벽부(15)에 인접하게 위치한 과잉 전하 배출부(16); 소자 격리 영역의 역할을 하고 제1 전기 전도성을 가진 반도체 영역(17); 각각 제1 폴리실리콘층으로 구성되고, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제1 전하 이송 전극(19); 각각 제2 폴리실리콘층으로 구성되고, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송 전극(20); 및 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 최종 전하 이송 전극(21)을 포함한다.
도 3은 도 2의 선분 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절취한 단면도이며, 이 단면에서의 각 영역의 전위를 도시한다. 도 4는 도 2의 선분 Ⅳ-Ⅳ을 따라 절취한 단면도이며, 이 단면에서의 각 영역의 전위를 도시한다.
도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 고체 촬상 센서는 불순물 농도가 약 2.0E14cm-3인 n3-반도체 기판(31); n3-반도체 기판(31)의 표면에 형성되며, 불순물 농도가 약 1.0E16cm-3인 p형 웰(well)층(32); 제1 및 제2 전하 이송부(2 및 3)의 전하 축적 영역(13)의 매립 채널을 구성하며, 불순물 농도가 약 1.3E17cm-3인 n형 반도체 영역(33); 제1 및 제2 전하 이송부(2 및 3)의 전하 장벽 영역(13)의 매립 채널을 구성하며, 불순물 농도가 약 1.0E17cm-3인 n형 반도체 영역(34); 과잉 전하 배출 영역(16)을 구성하며, 불순물 농도가 약 1.0E18cm-3인 n+ 반도체 영역(36); 소자 격리 영역을 구성하며, 불순물 농도가 약 1.0E18cm-3인 p++ 반도체 영역(39); 각각 제1 폴리실리콘층(40)으로 구성되며, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제1 전하 이송 전극(19); 각각 제2 폴리실리콘층(41)으로 구성되며, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송 전극(20); 제1 폴리실리콘층(40) 및 제2 폴리실리콘층(41)을 서로 전기적으로 절연시키기 위한 절연층(42); 및 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 최종 전하 이송 전극(21)을 포함한다.
과잉 전하 배출부(6)의 한 단부에서 형성되고 불순물 농도가 약 1.0E20cm-3인 n++ 반도체 영역(7)을 통하여, 과잉 전하 배출부(16)를 구성하는 n+ 반도체 영역(36)에 약 15V의 전원 전압 VDD이 인가된다.
상기 언급된 구조의 고체 촬상 센서의 동작을 이하 설명한다.
이미 언급한 바와 같이, 광전 이송부(1)를 구성하는 n형 반도체 영역의 바로 아래에 p- 반도체 영역을 형성하고, 전원 전압 VDD보다 더 큰 약 15V의 역-바이어스 전압을 n3-반도체 기판(31)에 인가함으로써 광전 이송부(1)에 존재하는 불필요한 전하가 제거된다. 반도체 기판(31)에 역-바이어스 전압을 인가함으로써, 광전 이송 영역(1)을 구성하는 n형 반도체 영역이 공핍되어, 신호 전하들 모두가 반도체 기판(31)으로 이동하게 된다.
제1 전하 이송부(2)에 존재하는 불필요한 전하는, 예를 들어 4-위상 클럭 펄스를 인가함으로써 제2 전하 전송부(3)에 이송된다. 4-위상 클럭 펄스를 인가하는 경우, 제1 및 제2 전하 이송 전극(19 및 20)에서, 고 레벨 전압(VH)은 단자(ΦH1)에 인가되고, 저 레벨 전압(VL)은 단자(ΦH2)에 인가된다.
따라서, 제1 전하 이송부(2)의 전위는 제1 및 제2 전하 전송부(2 및 3)의 접합에서 발생한 전위 ψVH보다 더 깊게 되어, 제2 전하 이송 영역(3)의 전하 축적 영역(13)에서 축적될 수 없는 과잉 전하들은 제1 전하 이송부(2)로 복귀한다. 그 결과, 제1 전하 이송부(2)에 존재하는 불필요한 전하들은, 전하 장벽 영역(14)과 동일한 전위의 전위 장벽부(5)의 전위(ψB) (ψB = ψHB)를 이동시키고, 과잉 전하 배출부(6)를 구성하는 n+ 반도체 영역에 흡수된다.
그 후에, 제2 전하 이송부(3)에 남아 있는 불필요한 전하들은, 제2 전하 이송부(3)의 보통의 동작에서 2-위상 클럭 펄스에 의하여, 리셋 드레인을 구성하고 제2 전하 이송부(3)의 한 단부에 형성된 n++ 반도체 영역에 흡수된다.
그 다음, 임의의 시간 주기에서 광전 이송부(1)에 입사된 광의 양에 의해 광전 이송부(1)에 축적된 신호 전하들은 연관된 제1 전하 이송부(2)에서 판독되며, 매 수평 라인마다 제1 전하 이송부(2)를 통해서 제2 전하 이송부(3)로 이송된다. 그 다음, 신호 전하들은 제2 전하 이송부(3)를 통해 수평으로 이송되고, 출력 회로(4)를 통해 출력된다.
그러나 상기 언급된 종래의 고체 촬상 센서들에서는, 도 4의 파선 B로 도시된 바와 같이, 전하 장벽 영역(14)에 인접하게 위치하는 전위 장벽 영역(5)을 구성하는 반도체 영역의 전위가, 과잉 전하 배출부(6)를 구성하는 반도체 영역에 인가된 전위에 의해 조정된다.
결과적으로, 상기 언급된 종래의 고체 촬상 센서들은, 신호 전하들이 단자(ΦH1)로부터 단자(ΦH2)로, 즉 도 2의 "a"에서 "b"로, 그리고 "b"에서 "c"로의 방향으로 이송될 때, 신호 전하들의 일부가 과잉 전하 배출부(16)를 구성하는 반도체 영역으로 누전되어, 전하 이송 효율을 저하시키는 문제점을 수반한다.
일본 미심사 특허 공보 제58-137249호는, 제1 전기 도전성의 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 절연막, 절연막 상에 형성된 다수의 하측 전극, 및 하측 전극들이 배치된 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 서로 전기적으로 절연되어 있는 하측 전극 상에 형성된 다수의 상측 전극을 포함하는 고체 촬상 센서를 제안하였다. 하측 및 상측 전극들 내에 한정된 갭(gap)은 광수신부 또는 입사하는 광이 통과하는 윈도우로서 역할한다. 하측 및 상측 전극들 중 하나를 따라 채널 스톱퍼 영역을 구비한 반도체 기판이 형성된다. 채널 스톱퍼 영역은 반도체 기판과 동일한 전기 도전성의 불순물로 대량 도핑된다. 채널 스톱퍼 영역은, 지그재그형으로 형성되고 채널 스톱퍼 영역의 전기 도전성과 반대인 오버플로우 드레인을 포함한다. 하측 및 상측 전극들 중 하나는 오버플로우 제어 게이트로서 이용된다.
일본 미심사 특허 공보 제59-19480호는, n+ 확산 영역으로 구성된 광수신부가, n+ 기판 상에 형성된 광 도핑 p형 에피택셜(epitaxial)층 상에 형성되고, 제어 게이트가 n+ 확산 영역 및 p형 에피택셜층 간의 전위 장벽을 제어하기 위해 형성된 수직 오버플로우 드레인형 고체 촬상 센서를 제안하였다. 신호 전하들은 제어 게이트에 인가될 전압, 및 n+ 기판과 p형 에피택셜층에 인가될 전압 모두를 제어함으로써 광수신부에 축적되거나 광수신부로부터 소인된다.
일본 미심사 특허 공보 제62-156859호는 (a) 제1 전기 도전성의 반도체 기판에 형성된 제2 전기 도전성의 도핑된 웰층으로 구성된 유닛 셀, 입사광을 광전 변환함으로써 생성된 신호 전하들을 일시적으로 축적하는 신호 축적층, 신호 축적층에 축적된 신호 전하들을 판독하는 판독 채널, 및 전하 축적층에 축적된 과잉 전하들을 소인하기 위한 수단을 포함하되, 상기 유닛 셀은 2차원 평면에 개재된 장벽층을 구비한 2차원 평면상에 배치되고, 상기 제1 이송 채널은 판독 채널로부터 판독되었던 전하들을 단일의 제1 방향으로 이송시키는 제1 이송 채널, 및 (b) 제1 이송 채널로부터 이송되었던 전하들을 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 이송시키는 제2 이송 채널을 포함하는 고체 촬상 센서를 제안하였다. 장벽층, 및 도핑된 웰층에 임의의 전압을 인가하기 위한 수단은 저-저항 소자를 통해 서로 전기적으로 연결된다.
일본 미심사 특허 공보 제62-157479호는, (a) 입사광을 광전 변환함으로써 신호 전하를 생성하고, 이와 같이 생성된 신호 전하를 축적하기 위한 전하 축적층들을 포함하는 다수의 광전 변환부, (b) 광전 변환부에 축적된 신호 전하들을 판독하기 위한 제1 수단, 및 (c) 광전 변환부에서 생성된 과잉 전하들을 소인시키기 위한 제2 수단을 포함하는 고체 촬상 센서를 구동하는 방법을 제안하였다. 이 방법에서는, 전하를 판독하기 위한 시간 주기를 정의하는 펄스 폭 - 상기 펄스는 제1 수단에 인가됨 - 은 입사광의 세기에 따라 다양하며, 제2 수단의 장벽 전위는 제1 수단의 장벽 전위보다 더 낮게 설정된다.
일본 미심사 특허 공보 제63-228747호는, 촬영부의 상층 게이트 전극 및 하층 게이트 전극 사이에 형성된 개방(opening) 윈도우, 및 오버플로우 드레인 영역에 근접하면서 개방 윈도우 아래에 위치하며 다른 부분보다도 높은 농도의 불순물을 함유하도록 형성된 개방 영역의 일부를 포함하는 프레임 이송형 고체 촬상 센서가 제안되었다.
그러나, 상기 언급한 바와 같은 문제점이 상기 언급된 특허 공보들에 여전히 해결되지 못한 채 남아 있다.
종래의 고체 촬상 센서에서의 상기 언급된 문제점에 비추어, 본 발명의 목적은 상기 언급한 바와 같이 수평 오버플로우 드레인을 구비한 고체 촬상 센서를 제공하여 신호 전하가 과잉 전하 배출 영역에 누전되는 것을 방지하여 전하 이송의 효율을 향상시키는 것이다.
(a) 반도체층의 표면에 형성되고, 각각 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 다수의 제1 전하 이송부, (b) 전하 장벽 영역 및 전하 축적 영역을 포함하고, 제1 전하 이송부들의 한 단부에 인접하게 형성되며, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송부, (c) 제2 전하 이송부에 인접하게 위치하는 제1 전위 장벽부, 및 (d) 제1 전위 장벽부에 인접하게 위치하는 과잉 전하 배출부를 포함하며, (e) 다수의 제2 전위 장벽부가 제1 전위 장벽부에 위치하고, 근접한 전위 장벽부로부터 거리를 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 센서를 제공한다.
또한, (a) 제1 전기 도전성의 반도체층의 표면에 형성되고, 전하들을 수직으로 이송시키기 위한 다수의 제1 전하 이송부 - 제1 전하 이송부 각각은 제2 전기 도전성의 반도체층으로 형성됨 -, (b) 제2 전기 도전성의 제2 반도체 영역으로 형성된 전하 장벽 영역, 및 제2 반도체 영역보다 불순물 농도가 높은 제2 전기 도전성의 제3 반도체 영역으로 형성된 전하 축적 영역을 포함하며, 제1 전하 이송부들의 한 단부에 인접하게 형성되고, 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송부, (c) 제2 전하 이송부에 인접하게 위치하며, 제2 전기 도전성의 제4 반도체 영역으로 형성된 제1 전위 장벽부, 및 (d) 제1 전위 장벽부에 인접하게 위치하며, 제1 반도체 영역보다 불순물 농도가 높은 제2 전기 도전성의 제5 반도체 영역으로 형성된 과잉 전하 배출부를 포함하고, (e) 다수의 제2 전위 장벽부가 제4 반도체 영역에 위치하며, (e1) 제1 전기 도전성의 반도체 영역과, (e2) 제4 반도체 영역보다 불순물 농도가 낮은 제2 전기 도전성의 제6 반도체 영역 중 하나로 형성되고, 상기 제2 전위 장벽부들은 인접한 전위 장벽부들로부터 간격을 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 센서를 제공하는 것이다.
상기 언급된 본 발명에 의해 얻을 수 있는 장점들을 이하 설명한다.
본 발명에 따른 고체 촬상 센서에 있어서, 제2 전위 장벽부를 구성하는 p+ 반도체 영역, p++ 반도체 영역, 또는 n2-반도체 영역은, 전하 장벽 영역에 인접하게 위치하는 전위 장벽부를 구성하는 n- 반도체 영역 내에 형성된다. 여기서, 전위 장벽부의 전위가, 전위 장벽부에 인접하게 위치한 과잉 전하 배출부를 구성하는 n+ 반도체 영역에 인가된 전위에 의해 영향받지 않도록 하는 것이 가능하다. 결과적으로, 신호 전하가 단자(ΦH1)로부터 단자(ΦH2)로, 즉 도 5, 7, 및 9에서 "a"에서 "b"로, 그리고 "b"에서 "c"로의 방향으로 이송될 때, 신호 전하의 일부가 과잉 전하 배출부를 구성하는 n+ 반도체 영역으로 누전되는 것을 방지하여, 전하 이송 효율을 향상시키는 것을 보장할 수 있다.
게다가, 이후 언급될 제2 실시예에 있어서, 만일 제2 전위 장벽부를 구성하는 p++ 반도체 영역이 소자 격리 영역의 일부로서 소자 격리 영역과 동시에 형성되면, 제조 단계의 수를 감소시키는 것이 가능하게 된다.
도 1은 전하들을 수평으로 이송시키는 전하 이송부에 인접한 전하 배출부를 포함하는 종래의 고체 촬상 센서의 블럭도.
도 2는 도 1의 파선 A로 둘러싸인 영역의 확대 평면도.
도 3은 도 2에서 선분 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절취한 단면도이고, 절취된 각 영역의 전위를 도시하는 도면.
도 4는 도 2에서 선분 Ⅳ-Ⅳ을 따라 절취한 단면도이고, 절취된 각 영역의 전위를 도시하는 도면.
도 5는 제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서에 있어서, 전하들을 수평으로 이송시키는 전하 이송부에 인접하게 위치한 전하 배출부를 포함하는 영역의 평면도.
도 6은 도 5에서 선분 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절취한 단면도이고, 절취된 각 영역의 전위를 도시하는 도면.
도 7은 제2 실시예에 따른 고체 촬상 센서에 있어서, 전하들을 수평으로 이송시키는 전하 이송부에 인접하게 위치한 전하 배출부를 포함하는 영역의 평면도.
도 8은 도 7에서 선분 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절취한 단면도이고, 절취된 각 영역의 전위를 도시하는 도면.
도 9는 제3 실시예에 따른 고체 촬상 센서에 있어서, 전하들을 수평으로 이송시키는 전하 이송부에 인접하게 위치한 전하 배출부를 포함하는 영역의 평면도.
도 10은 도 9에서 선분 Ⅹ-Ⅹ을 따라 절취한 단면도이고, 절취된 영역 각각의 전위를 도시하는 도면.
도 11은 제1 내지 제3 실시예에 따른 고체 촬상 센서의 변형을 도시하는 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 제1 전하 이송 채널
12 : 제2 전하 이송부
13 : 전하 축적 영역
14 : 전하 장벽 영역
15 : 전위 장벽부
16 : 과잉 전하 배출부
17 : 반도체 영역
18 : 제2 전위 장벽부
19 : 제1 전하 이송 전극
20 : 제2 전하 이송 전극
34 : n형 반도체 영역
36 : n+ 반도체 영역
38 : p+ 반도체 영역
39 : p++ 반도체 영역
도 5는 제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서에서 도 1의 파선 A로 둘러싸인 영역에 대응한 영역의 확대 평면도이다. 즉, 도 5는 제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서에 있어서 전하들을 수평으로 이송시키는 제2 전하 이송부(3)에 인접한 전위 장벽부(5) 및 과잉 전하 배출부(6)를 포함한 영역의 평면도이다. 도 5에서, 도 2에 도시된 종래의 고체 촬상 센서의 일부에 대응하는 부분 또는 요소에는 동일한 참조 번호가 제공되었다.
제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전하 이송부(3)를 구성하는 전하 장벽 영역(14)에 인접하게 위치한 제1 전하 이송 전극(19)의 아래에 위치하는 전위 장벽부(15)에 다수의 제2 전위 장벽부(18)가 형성된다는 점에서, 도 2에 도시된 종래의 고체 촬상 센서와는 구조적으로 다르다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전위 장벽부(18)는 인접한 전위 장벽부들로부터 소정의 거리를 두고 떨어져 있다.
도 6은 도 5에서 선분 Ⅵ-Ⅵ를 따라 절취한 단면도이며, 절취된 각 영역의 전위를 도시한다. 도 5에서 선분 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절취한 단면도 및 절취된 각 영역의 전위는 도 3의 단면도 및 전위와 동일하므로, 설명하지 않겠다. 도 6에서, 도 4에 도시된 종래의 고체 촬상 센서의 부분 또는 요소에 대응하는 부분 또는 요소에는 동일한 참조 번호가 제공되었다.
제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 전하 이송 전극(19)을 구성하는 제1 폴리실리콘층(40) 아래에 위치한 전하 장벽 영역(14)에 인접하게 위치하는 전위 장벽부(15)에 다수의 제2 전위 장벽부(18)를 형성한다는 점에서, 도 4에 도시된 종래의 고체 촬상 센서와는 구조적으로 다르다. 제2 전위 장벽부(18)는 인접한 전위 장벽부들과 소정의 거리, 예를 들면 약 1㎛의 거리를 두고 떨어져 있다.
전위 장벽부(15)는 불순물 농도가 약 1.0E17㎝-3인 n- 반도체 영역(34)을 포함하고, 제2 전위 장벽부(18)는 불순물 농도가 약 1.0E17㎝-3인 p+ 반도체 영역(38)을 포함한다.
제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서는 상기 구조를 구비하며, 종래의 고체 촬상 센서와 동일한 방식으로 동작한다.
게다가, 제1 실시예에 따른 고체 촬상 센서가, 전위 장벽부(15)를 구성하는 n- 반도체 영역(34)에서 제2 전위 장벽부(18)를 구성하는 p+ 반도체 영역(38)을 포함하도록 설계되었으므로, 전위 장벽부(15)의 전위가 전위 장벽부(15)에 인접하게 형성된 과잉 전하 배출부(16)를 구성하는 n+ 반도체 영역(36)에 인가된 전위에 의해 변화되는 것을 방지하는 것이 가능하다. 따라서, 신호 전하가 단자(ΦH1)로부터 단자(ΦH2)로, 즉 도 5에서 "a"에서 "b"로, 그리고 "b"에서 "c"로의 방향으로 이송되면, 신호 전하들 중 일부가 과잉 전하 배출부(16)를 구성하는 n+ 반도체 영역(36)으로 누전되는 것을 방지하는 것이 가능하여, 전하 이송 효율을 향상시키는 것이 보장된다.
도 7 및 8은 제2 실시예에 따른 고체 촬상 센서를 도시한다.
제2 실시예에 따른 고체 촬상 센서는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 전하 이송부(3)를 구성하는 전하 장벽 영역(14)에 인접하게 위치한 제1 전하 이송 전극(19) 아래에 위치하는 전위 장벽부(15)에 다수의 제2 전위 장벽부(17a)가 형성된다는 점에서, 도 2에 도시된 종래의 고체 촬상 센서와는 구조적으로 다르다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 전위 장벽부(17a)는 인접한 전위 장벽부들과 소정의 거리를 두고 떨어져 있다. 제2 전위 장벽부(17a)는, 한 영역을 둘러싸므로써 소자가 제조될 영역을 정의하는 소자 격리 영역(17)과 동일한 구조를 가지며, 소자 격리 영역(17) 또한 형성되는 단차에 형성된다.
제2 전위 장벽부(17a) 각각은 소자 격리 영역(17)의 구조와 동일한 구조를 갖는다. 전위 장벽부(15)는 불순물 농도가 약 1.0E17㎝-3인 n- 반도체 영역을 포함하며, 제2 전위 장벽부(17a) 각각은 불순물 농도가 약 1.0E18㎝-3인 p++ 반도체 영역(39)을 포함한다.
제2 실시예에 따른 고체 촬상 센서는 제1 실시예에 의해 얻을 수 있는 상기 언급된 장점과 동일한 장점을 제공한다.
게다가, 제2 전위 장벽부(17a)를 구성하는 p++ 반도체 영역(39)은 소자 격리 영역(17)의 일부로서 소자 격리 영역(17)과 동시에 형성되므로, 제1 실시예의 동일 단계에 대하여 제조 단계의 수를 감소시킬 수 있다.
도 9 및 10은 제3 실시예에 따른 고체 촬상 센서를 도시한다.
제3 실시예에 따른 고체 촬상 센서는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 전하 이송부(3)를 구성하는 전하 장벽 영역(14)에 인접하게 위치한 제1 전하 이송 전극(19) 아래에 위치한 전위 장벽부(15)에 다수의 제2 전위 장벽부(18a)가 형성된다는 점에서, 도 2에 도시된 종래의 고체 촬상 센서와는 구조적으로 다르다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 전위 장벽부(18)는 인접한 전위 장벽부들과 소정의 거리를 두고 떨어져 있다.
전위 장벽부(15)는 불순물 농도가 약 1.0E17㎝-3인 n- 반도체 영역(34)을 포함하고, 제2 전위 장벽부(18a) 각각은 불순물 농도가 약 5.0E16㎝-3인 n2-반도체 영역(35)을 포함한다.
제3 실시예에 따른 고체 촬상 센서는 제1 실시예에 의해 얻을 수 있는 상기 언급된 장점과 동일한 장점을 제공한다.
상기 언급된 제1 내지 제3 실시예에 있어서, 2층식 전극, 및 전하들을 수평으로 이송시키기 위한 2-위상 구동형 전하 이송부를 포함하는 고체 촬상 센서들을 설명하였다. 그러나, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 실시예에 따른 고체 촬상 센서는 단층식 전극, 및 전하를 수평으로 이송시키기 위한 단일 전하 이송 전극(22)으로서 형성될 수 있는 2-위상 구동형 전하 이송부를 구비하도록 설계될 수 있다. 여기서, 전하 이송 전극(22)은, 둘 모두 동상(in-phase)인 제1 전하 이송 전극(19) 및 제2 전하 이송 전극(20)을 포함한다.
도 11에 도시된 전하 이송 전극(22)이 서로 접촉된 것 같지만, 전하 이송 전극(22)은 실제로, 인접한 전극들로부터 약 0.1㎛ 내지 약 0.3㎛의 거리를 두고 떨어져 있다.
제1 내지 제3 실시예에 언급된 전기 도전성은 상기 언급된 전기 도전성에 한정되지 않는다. 제1 전기 도전성, 즉 p형 도전성은 제2 전기 도전성, 즉 n형 도전성으로 변경될 수 있고, 또 그 반대도 가능하다.
수평 오버플로우 드레인을 구비한 고체 촬상 센서를 제공하여 신호 전하가 과잉 전하 배출 영역에 누전되는 것을 방지하여 전하 이송의 효율을 향상시키고, 제2 전위 장벽부를 구성하는 p+ 반도체 영역이 소자 격리 영역의 일부로서 소자 격리 영역과 동시에 형성함으로써 제조 단계의 수가 감소된다.

Claims (14)

  1. 고체 촬상 센서에 있어서,
    (a) 반도체층(32)의 표면에 형성되고, 각각 전하를 수직으로 이송시키기 위한 다수의 제1 전하 이송부(2);
    (b) 상기 제1 전하 이송부(2)들의 한 단부에 인접하게 형성되고, 전하 장벽 영역(14) 및 전하 축적 영역(13)을 포함하며, 전하를 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송부(3);
    (c) 상기 제2 전하 이송부(3)에 인접하게 위치하는 제1 전위 장벽부(15); 및
    (d) 상기 제1 전위 장벽부(15)에 인접하게 위치하는 과잉 전하 배출부(16)
    를 포함하며,
    (e) 다수의 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a)가 상기 제1 전위 장벽부(15)에 위치하며, 상기 다수의 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a)가 인접한 전위 장벽부로부터 거리를 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부들(18) 각각은 제1 전기 도전성의 반도체 영역(38)으로 구성되고, 상기 제1 전위 장벽부(15)는 제2 전기 도전성의 반도체 영역(34)으로 구성된 고체 촬상 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부들(18)은 상기 반도체층(32)의 전기 도전성과 동일한 고체 촬상 센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부들(18)은 상기 반도체층(32)보다 불순물 농도가 높은 고체 촬상 센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부들(18a)은 상기 제1 전위 장벽부(15)의 전기 도전성과 동일한 고체 촬상 센서.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부들(18a)은 상기 제1 전위 장벽부(15)보다 불순물 농도가 낮은 고체 촬상 센서.
  7. 고체 촬상 센서에 있어서,
    (a) 제1 전기 도전성의 반도체층(32)의 표면에 형성되고, 각각 전하를 수직으로 이송시키기 위한 다수의 제1 전하 이송부(2) - 상기 제1 전하 이송부(2) 각각은 제2 전기 도전성의 제1 반도체 영역(33)으로 형성됨 - ;
    (b) 상기 제1 전하 이송부(2)들의 한 단부에 인접하게 형성되고, 전하를 수평으로 이송시키기 위한 제2 전하 이송부(3) - 제2 전기 도전성의 제2 반도체 영역(34)으로 형성된 전하 장벽 영역(14), 및 상기 제2 반도체 영역(34)보다 불순물 농도가 높은 제2 전기 도전성의 제3 반도체 영역(33)으로 형성된 전하 축적 영역(13)을 포함함 - ;
    (c) 상기 제2 전하 이송부(3)에 인접하게 위치하며, 제2 전기 도전성의 제4 반도체 영역(34)으로 형성된 제1 전위 장벽부(15); 및
    (d) 상기 제1 전위 장벽부(15)에 인접하게 위치하며, 상기 제1 반도체 영역(33)보다 불순물 농도가 높은 제2 전기 도전성의 제5 반도체 영역(36)으로 형성된 과잉 전하 배출부(16)
    를 포함하며,
    (e) 다수의 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a)가 상기 제4 반도체 영역(34)에 위치하고, (e1) 제1 전기 도전성의 반도체 영역(38, 39)과, (e2) 상기 제4 반도체 영역(34)보다 불순물 농도가 낮은 제2 전기 도전성의 제6 반도체 영역(35) 중 하나로 형성되며, 상기 다수의 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a)가 인접한 전위 장벽부로부터 거리를 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 센서.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 반도체 영역(34)은 상기 제4 반도체 영역(34)과 동일한 고체 촬상 센서.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a)는, 인접한 영역들을 전기적으로 격리시키는 소자 격리 영역(39)과 동일한 조성을 갖고, 상기 소자 격리 영역(39) 또한 형성되는 단차에 형성되는 고체 촬상 센서.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 장벽 영역(14)에 인접하게 위치하고, 상기 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a) 상에서 연장하면서 형성되며, 각각 전하를 수평으로 이송시키기 위한 다수의 전하 이송 전극(19)을 더 포함하는 고체 촬상 센서.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전위 장벽부(18, 17a, 18a)는 인접한 전위 장벽부들로부터 약 1㎛만큼 떨어져 있는 고체 촬상 센서.
  12. 제10항에 있어서, 상기 전하 이송 전극들(19)은 절연막(42)이 사이에 개재된 상기 제1 전위 장벽 영역(15)과 상기 과잉 전하 배출부(16) 모두 위에서 연장하는 고체 촬상 센서.
  13. 제10항에 있어서, 상기 전하 이송 전극들(19)은 2층식 전극 및 2-위상 구동 시스템인 고체 촬상 센서.
  14. 제10항에 있어서, 상기 전하 이송 전극들(19)은 단층식 전극 및 2-위상 구동 시스템인 고체 촬상 센서.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5000057B2 (ja) 2001-07-17 2012-08-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2005167598A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、固体撮像装置を駆動する駆動装置、駆動方法、及び、固体撮像システム
US7002231B2 (en) * 2004-02-02 2006-02-21 Micron Technology, Inc. Barrier regions for image sensors
US7902624B2 (en) * 2004-02-02 2011-03-08 Aptina Imaging Corporation Barrier regions for image sensors
JP4782989B2 (ja) * 2004-05-10 2011-09-28 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US7920185B2 (en) * 2004-06-30 2011-04-05 Micron Technology, Inc. Shielding black reference pixels in image sensors
US7153719B2 (en) 2004-08-24 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a storage gate pixel design
JP2009076746A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Fujifilm Corp 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法
US8605187B2 (en) * 2009-06-01 2013-12-10 Truesense Imaging, Inc. CCD image sensors having multiple lateral overflow drain regions for a horizontal shift register
FR3047112B1 (fr) * 2016-01-22 2018-01-19 Teledyne E2V Semiconductors Sas Capteur d'image multilineaire a transfert de charges a reglage de temps d'integration
CN115361512B (zh) * 2022-08-18 2024-04-16 中国电子科技集团公司第四十四研究所 低残留电荷ccd结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58137249A (ja) 1982-02-08 1983-08-15 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子
JPS5919480A (ja) 1982-07-26 1984-01-31 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP2554621B2 (ja) 1985-12-26 1996-11-13 日本電気株式会社 固体撮像装置
JPS62156859A (ja) 1985-12-28 1987-07-11 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS62157479A (ja) 1985-12-28 1987-07-13 Toshiba Corp 固体撮像装置の駆動方法
JP2698072B2 (ja) 1987-03-18 1998-01-19 三洋電機株式会社 固体撮像素子
JP2920476B2 (ja) 1995-03-15 1999-07-19 株式会社中電工 高圧バイパスケーブル用終端接続部または末端処理部構造体
JP2856182B2 (ja) 1995-12-15 1999-02-10 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP2910671B2 (ja) 1996-05-15 1999-06-23 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP2812310B2 (ja) * 1996-07-30 1998-10-22 日本電気株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2845216B2 (ja) * 1996-09-27 1999-01-13 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JPH10107354A (ja) 1996-09-30 1998-04-24 Ando Electric Co Ltd 半導体レーザ光源のスペクトル線幅制御装置
JP2914496B2 (ja) * 1996-12-05 1999-06-28 日本電気株式会社 固体撮像素子
JP3033524B2 (ja) 1997-05-23 2000-04-17 日本電気株式会社 固体撮像装置

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Publication number Publication date
JP2000101059A (ja) 2000-04-07
JP3317248B2 (ja) 2002-08-26
KR100320890B1 (ko) 2002-02-06
US6760073B1 (en) 2004-07-06
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