JP2686914B2 - 線形固体撮像素子 - Google Patents
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- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関し、
幅が狭くかつ長さの長いフォトダイオードを有するファ
クシミリ用線形固体撮像素子に関するものである。
幅が狭くかつ長さの長いフォトダイオードを有するファ
クシミリ用線形固体撮像素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリまたはバーコードリ
ーダーなどに線形ＣＣＤ型固体撮像素子が用いられる。
ーダーなどに線形ＣＣＤ型固体撮像素子が用いられる。
【０００３】デュアルＣＣＤチャンネル構造を有する線
形固体撮像素子は、フォトダイオードアレイが直線状に
並列に配列され、フォトダイオードの両側に水平ＨＣＣ
Ｄが配列された構造を有する。各フォトダイオードから
発生された信号電荷は、周期的に２つの水平ＨＣＣＤの
うちの１つに並列に印加され、この信号は出力増幅器を
介して直列に読み出される
形固体撮像素子は、フォトダイオードアレイが直線状に
並列に配列され、フォトダイオードの両側に水平ＨＣＣ
Ｄが配列された構造を有する。各フォトダイオードから
発生された信号電荷は、周期的に２つの水平ＨＣＣＤの
うちの１つに並列に印加され、この信号は出力増幅器を
介して直列に読み出される
【０００４】図１は、従来の線形固体撮像素子の平面図
を示すものであり、図２は、図１のＡ−Ａ′線に沿う断
面図を示すものである。
を示すものであり、図２は、図１のＡ−Ａ′線に沿う断
面図を示すものである。
【０００５】図１および図２を参照すれば、従来の線形
固体撮像素子は、ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１の一側
上に形成された第１ｐ型ウェル１２と、上記第１ｐ型ウ
ェル１２よりも大きい接合深さを有するｎ型基板１１の
他側上に形成された第２ｐ型ウェル１３と、幅が狭く長
さが長い長方形で、上記第１ｐ型ウェル１２上に形成さ
れている、入射光により発生する電荷を蓄積する複数の
ｎ- 型フォトダイオード領域１４と、フォトダイオード
領域１４上部の表面上に形成されたｐ++ポテンシャル障
壁形成層１７と、フォトダイオード領域１４から転送さ
れた電荷を出力増幅器（図示せず）に出力するための上
記第２ｐ型ウェル１３上に形成された一対のｎ- 型ＨＣ
ＣＤ領域１５と、上記フォトダイオード領域１４と上記
ＨＣＣＤ領域１５との間の第１ｐ型ウェル１２内に形成
されたシフトゲートチャンネル領域１６と、上記シフト
ゲートチャンネル領域１６と上記ＨＣＣＤ領域１５とに
わたって形成された複数のポリゲート１９と、各ポリゲ
ート１９とオーバーラップされて上記シフトゲートチャ
ンネル領域１６上に形成され、フォトダイオード領域１
４からの電荷を上記ＨＣＣＤ領域１５へ転送するための
シフトゲート１８と、障壁を形成してセル間を隔離させ
るチャンネルストップ領域１０とを含んでいる。
固体撮像素子は、ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１の一側
上に形成された第１ｐ型ウェル１２と、上記第１ｐ型ウ
ェル１２よりも大きい接合深さを有するｎ型基板１１の
他側上に形成された第２ｐ型ウェル１３と、幅が狭く長
さが長い長方形で、上記第１ｐ型ウェル１２上に形成さ
れている、入射光により発生する電荷を蓄積する複数の
ｎ- 型フォトダイオード領域１４と、フォトダイオード
領域１４上部の表面上に形成されたｐ++ポテンシャル障
壁形成層１７と、フォトダイオード領域１４から転送さ
れた電荷を出力増幅器（図示せず）に出力するための上
記第２ｐ型ウェル１３上に形成された一対のｎ- 型ＨＣ
ＣＤ領域１５と、上記フォトダイオード領域１４と上記
ＨＣＣＤ領域１５との間の第１ｐ型ウェル１２内に形成
されたシフトゲートチャンネル領域１６と、上記シフト
ゲートチャンネル領域１６と上記ＨＣＣＤ領域１５とに
わたって形成された複数のポリゲート１９と、各ポリゲ
ート１９とオーバーラップされて上記シフトゲートチャ
ンネル領域１６上に形成され、フォトダイオード領域１
４からの電荷を上記ＨＣＣＤ領域１５へ転送するための
シフトゲート１８と、障壁を形成してセル間を隔離させ
るチャンネルストップ領域１０とを含んでいる。
【０００６】シフトゲート１８及び各ポリゲート１９
は、ドーピングされたポリシリコン膜からなっている。
各ポリゲート１９は、シフトゲートチャンネル領域１６
を介してフォトダイオード領域１４からＨＣＣＤ領域１
５に転送された電荷を出力増幅器へ転送するためのもの
であり、上記シフトゲート１８とオーバーラップされて
形成された第１ポリゲート電極１９−１と、上記第１ポ
リゲート電極１９−１とオーバーラップされて形成され
た第２ポリゲート電極１９−２とが、ＨＣＣＤ領域１５
上部に交互に連続配列されている。
は、ドーピングされたポリシリコン膜からなっている。
各ポリゲート１９は、シフトゲートチャンネル領域１６
を介してフォトダイオード領域１４からＨＣＣＤ領域１
５に転送された電荷を出力増幅器へ転送するためのもの
であり、上記シフトゲート１８とオーバーラップされて
形成された第１ポリゲート電極１９−１と、上記第１ポ
リゲート電極１９−１とオーバーラップされて形成され
た第２ポリゲート電極１９−２とが、ＨＣＣＤ領域１５
上部に交互に連続配列されている。
【０００７】上記のような構造を有する固体撮像素子の
動作は、蓄積モードと転送モードとに大きく分けられ
る。
動作は、蓄積モードと転送モードとに大きく分けられ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３は、図２の線形固
体撮像素子の各部分に従う最大電位分布図を示すもので
ある。
体撮像素子の各部分に従う最大電位分布図を示すもので
ある。
【０００９】図３ａは、蓄積モード時の最大電位分布図
であり、図３ｂは、転送モード時の最大電位分布図であ
る。
であり、図３ｂは、転送モード時の最大電位分布図であ
る。
【００１０】固体撮像素子は、シフトゲート１８と第１
ポリゲート電極１９−１とに最低電圧である０Ｖを印加
し、ＨＣＣＤ領域１５ではリセットドレイン端子ＲＤを
介して最高電圧である１５Ｖを印加すれば、図３ａのよ
うな最大電位分布を有する。そのため、固体撮像素子
は、蓄積モード時にｐ++チャンネルストップ領域１０と
ｐ型シフトゲートチャンネル領域１６とによって、高い
ボテンシャル障壁が形成されるので、入射光によりフォ
トダイオード領域１４から発生された電荷は、フォトダ
イオード領域１４にそのまま蓄積されることになる。
ポリゲート電極１９−１とに最低電圧である０Ｖを印加
し、ＨＣＣＤ領域１５ではリセットドレイン端子ＲＤを
介して最高電圧である１５Ｖを印加すれば、図３ａのよ
うな最大電位分布を有する。そのため、固体撮像素子
は、蓄積モード時にｐ++チャンネルストップ領域１０と
ｐ型シフトゲートチャンネル領域１６とによって、高い
ボテンシャル障壁が形成されるので、入射光によりフォ
トダイオード領域１４から発生された電荷は、フォトダ
イオード領域１４にそのまま蓄積されることになる。
【００１１】一方、シフトゲート１８と第１ポリゲート
電極１９−１とに１０〜１５Ｖ程度の大電圧を印加し、
ＨＣＣＤ領域１５には１５Ｖの最高電圧を印加すれば、
固体撮像素子は、図３ｂのような最大電位分布を有す
る。
電極１９−１とに１０〜１５Ｖ程度の大電圧を印加し、
ＨＣＣＤ領域１５には１５Ｖの最高電圧を印加すれば、
固体撮像素子は、図３ｂのような最大電位分布を有す
る。
【００１２】これにより、固体撮像素子は、転送モード
時にシフトゲートチャンネル領域１６のポテンシャル障
壁が図３ｂのように低くなって、各フォトダイオード領
域１４に蓄積されていた電荷はシフトゲートチャンネル
領域１６を通じてＨＣＣＤ領域１５へ並列転送される。
時にシフトゲートチャンネル領域１６のポテンシャル障
壁が図３ｂのように低くなって、各フォトダイオード領
域１４に蓄積されていた電荷はシフトゲートチャンネル
領域１６を通じてＨＣＣＤ領域１５へ並列転送される。
【００１３】そのため、第１ポリゲート電極１９−１と
第２ポリゲート電極１９−２とに印加される信号に従っ
て、ＨＣＣＤ領域１５に転送された電荷は、出力増幅器
（図示せず）へ直列出力されることになる。
第２ポリゲート電極１９−２とに印加される信号に従っ
て、ＨＣＣＤ領域１５に転送された電荷は、出力増幅器
（図示せず）へ直列出力されることになる。
【００１４】しかし、従来の固体撮像素子は、図１を参
照すれば、各フォトダイオード領域１４は幅が狭く、長
さが長い長方形構造であり、シフトゲート１８下部のシ
フトゲートチャンネル領域１６は上記フォトダイオード
領域１４よりも幅の小さい四角形構造を有する。それに
より、フォトダイオード領域１４において、蓄積された
電荷がＨＣＣＤ領域１５へ転送される通路である、シフ
トゲートチャンネル領域１６とフォトダイオード領域１
４とが、隣接するＸ領域９でのチャンネル幅効果により
ポテンシャル障壁が生じるため、電荷転送効率が低下さ
れる。
照すれば、各フォトダイオード領域１４は幅が狭く、長
さが長い長方形構造であり、シフトゲート１８下部のシ
フトゲートチャンネル領域１６は上記フォトダイオード
領域１４よりも幅の小さい四角形構造を有する。それに
より、フォトダイオード領域１４において、蓄積された
電荷がＨＣＣＤ領域１５へ転送される通路である、シフ
トゲートチャンネル領域１６とフォトダイオード領域１
４とが、隣接するＸ領域９でのチャンネル幅効果により
ポテンシャル障壁が生じるため、電荷転送効率が低下さ
れる。
【００１５】すなわち、転送モード時、図３ｂに示すよ
うに、ｐ++型チャンネルストップ領域２０の濃度によっ
て、シフトゲートチャンネル領域１６とフォトダイオー
ド領域１４とに隣接するＸ領域での電位が、フォトダイ
オード領域１４の他の部分よりも少し高くてポテンシャ
ル障壁が形成されることになる。
うに、ｐ++型チャンネルストップ領域２０の濃度によっ
て、シフトゲートチャンネル領域１６とフォトダイオー
ド領域１４とに隣接するＸ領域での電位が、フォトダイ
オード領域１４の他の部分よりも少し高くてポテンシャ
ル障壁が形成されることになる。
【００１６】そのため、上記形成されたポテンシャル障
壁によって、フォトダイオード領域１４に蓄積された電
荷が、転送モード時にＨＣＣＤ領域１５へ十分転送させ
られないので、固体撮像素子の電圧飽和レベルが小さく
なるようになる。
壁によって、フォトダイオード領域１４に蓄積された電
荷が、転送モード時にＨＣＣＤ領域１５へ十分転送させ
られないので、固体撮像素子の電圧飽和レベルが小さく
なるようになる。
【００１７】また、シフトゲートチャンネル領域１６の
チャンネル長さが長くてフォトダイオード領域１４とＨ
ＣＣＤ領域１５とが遠く離れて形成されるので、電荷転
送が容易でないという問題点がある。
チャンネル長さが長くてフォトダイオード領域１４とＨ
ＣＣＤ領域１５とが遠く離れて形成されるので、電荷転
送が容易でないという問題点がある。
【００１８】図４は、蓄積モード時図２の固体撮像素子
の電位分布をコンピュータでシミュレーションした結果
値である。
の電位分布をコンピュータでシミュレーションした結果
値である。
【００１９】上記で説明したように、Ｘ領域９において
電位がフォトダイオード領域１４の他の部分よりも高く
なってポテンシャル障壁が形成されることを、図４のシ
ミュレーション結果により確認することができる。
電位がフォトダイオード領域１４の他の部分よりも高く
なってポテンシャル障壁が形成されることを、図４のシ
ミュレーション結果により確認することができる。
【００２０】本発明の目的は、上記したような従来の問
題点を解決するためになされたもので、フォトダイオー
ド領域を両側面の幅が相互に異なる台形構造に形成し、
ＨＣＣＤ領域をフォトダイオード領域の近くまで長く延
長して形成することにより、電荷転送効率を極大化させ
ることのできる線形固体撮像素子を提供することにあ
る。
題点を解決するためになされたもので、フォトダイオー
ド領域を両側面の幅が相互に異なる台形構造に形成し、
ＨＣＣＤ領域をフォトダイオード領域の近くまで長く延
長して形成することにより、電荷転送効率を極大化させ
ることのできる線形固体撮像素子を提供することにあ
る。
【００２１】上記の目的を達成するために、第１導電型
のシリコン基板（２１）と、上記基板（２１）の一側に
形成され、一定の接合深さを有する第２導電型の第１ウ
ェル（２２）と、上記基板（２１）の他側に形成され、
第１ウェル（２２）よりも大きい接合深さを有する第２
導電型の第２ウェル（２３）と、上記第１ウェル（２
２）上に、全体として細長い形状であり、その長手方向
と直角方向の両端部の幅が異なる台形構造とされ、その
長手方向を互いに平行に、かつ上記幅の異なる端部を隣
接するもの同士が互い違いになる向きにして複数並列に
並べられる第１導電型を有する信号電荷発生用のフォト
ダイオード領域（２４）と、上記細長い台形構造のフォ
トダイオード領域（２４）の長手方向の両側の第２ウェ
ル（２３）上に形成され、上記フォトダイオード領域
（２４）からの信号電荷を出力増幅器へ転送するための
第１導電型の２つのＨＣＣＤ領域（２５）と、上記フォ
トダイオード領域（２４）とＨＣＣＤ領域（２５）との
間の基板（２１）上に形成され、上記フォトダイオード
領域（２４）に蓄積された電荷をＨＣＣＤ領域（２５）
へ転送するためのシフトゲート（２８）と、上記フォト
ダイオード領域（２４）の前記両端部中の幅広端部とＨ
ＣＣＤ領域（２５）との間の第１ウェル（２２）上に形
成され、上記シフトゲート（２８）の下部で六角形構造
を有する第２導電型のシフトゲートチャンネル領域（２
６）と、各フォトダイオード領域（２４）の表面上に形
成された第２導電型の複数のポテンシャル障壁形成層
（２７）と、上記ＨＣＣＤ領域（２５）上部の基板（２
１）上に形成され、上記フォトダイオード領域（２４）
から転送された電荷を出力増幅器に転送するための複数
のポリゲート（２９）と、上記シフトゲート（２８）と
上記ポリゲート（２９）との間の基板（２１）上に形成
され、上記シフトゲート（２８）とポリゲート（２９）
とを絶縁させるための絶縁層（３０）と、ポテンシャル
障壁を形成してセル間を隔離させる第２導電型のチャン
ネルストップ領域（３１）とを含むことを特徴とする。
のシリコン基板（２１）と、上記基板（２１）の一側に
形成され、一定の接合深さを有する第２導電型の第１ウ
ェル（２２）と、上記基板（２１）の他側に形成され、
第１ウェル（２２）よりも大きい接合深さを有する第２
導電型の第２ウェル（２３）と、上記第１ウェル（２
２）上に、全体として細長い形状であり、その長手方向
と直角方向の両端部の幅が異なる台形構造とされ、その
長手方向を互いに平行に、かつ上記幅の異なる端部を隣
接するもの同士が互い違いになる向きにして複数並列に
並べられる第１導電型を有する信号電荷発生用のフォト
ダイオード領域（２４）と、上記細長い台形構造のフォ
トダイオード領域（２４）の長手方向の両側の第２ウェ
ル（２３）上に形成され、上記フォトダイオード領域
（２４）からの信号電荷を出力増幅器へ転送するための
第１導電型の２つのＨＣＣＤ領域（２５）と、上記フォ
トダイオード領域（２４）とＨＣＣＤ領域（２５）との
間の基板（２１）上に形成され、上記フォトダイオード
領域（２４）に蓄積された電荷をＨＣＣＤ領域（２５）
へ転送するためのシフトゲート（２８）と、上記フォト
ダイオード領域（２４）の前記両端部中の幅広端部とＨ
ＣＣＤ領域（２５）との間の第１ウェル（２２）上に形
成され、上記シフトゲート（２８）の下部で六角形構造
を有する第２導電型のシフトゲートチャンネル領域（２
６）と、各フォトダイオード領域（２４）の表面上に形
成された第２導電型の複数のポテンシャル障壁形成層
（２７）と、上記ＨＣＣＤ領域（２５）上部の基板（２
１）上に形成され、上記フォトダイオード領域（２４）
から転送された電荷を出力増幅器に転送するための複数
のポリゲート（２９）と、上記シフトゲート（２８）と
上記ポリゲート（２９）との間の基板（２１）上に形成
され、上記シフトゲート（２８）とポリゲート（２９）
とを絶縁させるための絶縁層（３０）と、ポテンシャル
障壁を形成してセル間を隔離させる第２導電型のチャン
ネルストップ領域（３１）とを含むことを特徴とする。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】図５は、本発明の実施例による線形固体撮
像素子の平面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ′線に沿
う線形固体撮像素子の断面図を示すものである。
像素子の平面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ′線に沿
う線形固体撮像素子の断面図を示すものである。
【００２４】図５及び図６を参照すれば、本発明による
線形固体撮像素子は、ｎ型基板２１と、ｎ型基板２１の
一方の側の上に形成された第１ｐ型ウェル２２と、ｎ型
基板２１の他方の側の上に形成され、第１ウェル２２よ
りも大きい接合深さを有する第２ｐ型ウェル２３と、第
１ウェル２２上に線形に配列形成された信号電荷発生用
の複数のｎ- 型フォトダイオード領域２４と、フォトダ
イオード領域２４の両側の第２ウェル２３上に形成さ
れ、フォトダイオード領域２４から転送された信号電荷
を出力増幅器（図示せず）へ出力するためのｎ- 型ＨＣ
ＣＤ領域２５と、上記フォトダイオード領域２４とＨＣ
ＣＤ領域２５との間の基板上に形成され、フォトダイオ
ード領域２４に蓄積された信号電荷をＨＣＣＤ領域２５
へ転送するためのシフトゲート２８と、上記フォトダイ
オード領域２４とＨＣＣＤ領域２５との間の第１ウェル
２２上に形成され、上記シフトゲート２８の下側の六角
形構造を有するシフトゲートチャンネル領域２６と、上
記フォトダイオード領域２４の表面上に形成されたポテ
ンシャル障壁形成用ｐ++層２７と、フォトダイオード領
域２４から転送されてきた電荷を出力増幅器（図示せ
ず）に転送するための、上記ＨＣＣＤ領域２５上部の基
板２１上に形成された複数のポリゲート２９と、シフト
ゲート２８とポリゲート２９との間の基板２１上に形成
され、これらを絶縁させるための絶縁層３０と、ポテン
シャル障壁を形成してセル間を隔離させるチャンネルス
トップ領域３１とを含む。
線形固体撮像素子は、ｎ型基板２１と、ｎ型基板２１の
一方の側の上に形成された第１ｐ型ウェル２２と、ｎ型
基板２１の他方の側の上に形成され、第１ウェル２２よ
りも大きい接合深さを有する第２ｐ型ウェル２３と、第
１ウェル２２上に線形に配列形成された信号電荷発生用
の複数のｎ- 型フォトダイオード領域２４と、フォトダ
イオード領域２４の両側の第２ウェル２３上に形成さ
れ、フォトダイオード領域２４から転送された信号電荷
を出力増幅器（図示せず）へ出力するためのｎ- 型ＨＣ
ＣＤ領域２５と、上記フォトダイオード領域２４とＨＣ
ＣＤ領域２５との間の基板上に形成され、フォトダイオ
ード領域２４に蓄積された信号電荷をＨＣＣＤ領域２５
へ転送するためのシフトゲート２８と、上記フォトダイ
オード領域２４とＨＣＣＤ領域２５との間の第１ウェル
２２上に形成され、上記シフトゲート２８の下側の六角
形構造を有するシフトゲートチャンネル領域２６と、上
記フォトダイオード領域２４の表面上に形成されたポテ
ンシャル障壁形成用ｐ++層２７と、フォトダイオード領
域２４から転送されてきた電荷を出力増幅器（図示せ
ず）に転送するための、上記ＨＣＣＤ領域２５上部の基
板２１上に形成された複数のポリゲート２９と、シフト
ゲート２８とポリゲート２９との間の基板２１上に形成
され、これらを絶縁させるための絶縁層３０と、ポテン
シャル障壁を形成してセル間を隔離させるチャンネルス
トップ領域３１とを含む。
【００２５】各フォトダイオード領域２４は、上記シフ
トゲートチャンネル領域２６と接した端部はその相対す
る端部よりも幅が広く、長手方向に長い細長の台形構造
を有し、それが両端部の向きを互い違いにして間隔をお
いて多数並行に並べてある。
トゲートチャンネル領域２６と接した端部はその相対す
る端部よりも幅が広く、長手方向に長い細長の台形構造
を有し、それが両端部の向きを互い違いにして間隔をお
いて多数並行に並べてある。
【００２６】シフトゲートチャンネル領域２６は、フォ
トダイオード領域２４と第１ポリゲート電極２９との間
の上記シフトゲート２８下部では六角形構造を有し、フ
ォトダイオード領域２４と接している側面の幅は、相互
に同一である。この六角形は台形のフォトダイオードの
幅広端部からそのまま斜めに延長するようにわずかに延
びその先端から互いに近づくように折れ、その先端をポ
リゲートの縁で結んだ形状である。
トダイオード領域２４と第１ポリゲート電極２９との間
の上記シフトゲート２８下部では六角形構造を有し、フ
ォトダイオード領域２４と接している側面の幅は、相互
に同一である。この六角形は台形のフォトダイオードの
幅広端部からそのまま斜めに延長するようにわずかに延
びその先端から互いに近づくように折れ、その先端をポ
リゲートの縁で結んだ形状である。
【００２７】ＨＣＣＤ領域２５は、フォトダイオード領
域２４の両側にそれぞれ配列されている。上記ＨＣＣＤ
領域２５は図１及び図２に示したように、フォトダイオ
ード領域２４の配列方向と同一方向に長い四角形構造と
することも可能である。本実施例においては第２ウェル
２３上にフォトダイオード領域２４に並んで長方形に形
成された主ＨＣＣＤ領域２５−１と、その主領域２５−
１からシフトゲート２８下部の上記シフトゲートチャン
ネル領域２６まで先端が延びるように突出した台形構造
の読み出し領域２５−２とを有する形状とされている。
域２４の両側にそれぞれ配列されている。上記ＨＣＣＤ
領域２５は図１及び図２に示したように、フォトダイオ
ード領域２４の配列方向と同一方向に長い四角形構造と
することも可能である。本実施例においては第２ウェル
２３上にフォトダイオード領域２４に並んで長方形に形
成された主ＨＣＣＤ領域２５−１と、その主領域２５−
１からシフトゲート２８下部の上記シフトゲートチャン
ネル領域２６まで先端が延びるように突出した台形構造
の読み出し領域２５−２とを有する形状とされている。
【００２８】各ポリゲート２９は、ＨＣＣＤ領域２５の
突出領域２５−２上部の基板２１上に形成された第１ポ
リゲート電極２９−１と、上記ＨＣＣＤ領域２５の主Ｈ
ＣＣＤ領域２５−１の上部に形成された第２ポリゲート
電極２９−２とからなる。複数の第１ポリゲート電極２
９−１と、複数の第２ポリゲート電極２９−２とが互い
にオーバーラップされて、交互に配列されている。
突出領域２５−２上部の基板２１上に形成された第１ポ
リゲート電極２９−１と、上記ＨＣＣＤ領域２５の主Ｈ
ＣＣＤ領域２５−１の上部に形成された第２ポリゲート
電極２９−２とからなる。複数の第１ポリゲート電極２
９−１と、複数の第２ポリゲート電極２９−２とが互い
にオーバーラップされて、交互に配列されている。
【００２９】上記ＨＣＣＤ領域２５の突出領域２５−２
は、その幅が上記第１ポリゲート電極２９−１の幅より
も小さいく形成され、シフトゲート２８下部に形成され
六角形構造のシフトゲートチャンネル領域２６の幅が増
加してから減少し始める部分まで突出している形状とさ
れている。
は、その幅が上記第１ポリゲート電極２９−１の幅より
も小さいく形成され、シフトゲート２８下部に形成され
六角形構造のシフトゲートチャンネル領域２６の幅が増
加してから減少し始める部分まで突出している形状とさ
れている。
【００３０】本発明の固体撮像素子は、フォトダイオー
ド領域を台形構造とし、シフトゲートの下部に六角形構
造のシフトゲートチャンネル領域を形成し、Ｚ部分３２
の幅をＹ部分の幅よりも大きくし、電荷をシフトゲート
に隣接したフォトダイオード領域に収束する構造とし
た。
ド領域を台形構造とし、シフトゲートの下部に六角形構
造のシフトゲートチャンネル領域を形成し、Ｚ部分３２
の幅をＹ部分の幅よりも大きくし、電荷をシフトゲート
に隣接したフォトダイオード領域に収束する構造とし
た。
【００３１】図７は、図６の固体撮像素子の各部分の最
大電位分布図を示すもので、図７ａは蓄積モード時の最
大電位分布図であり、図７ｂは転送モード時の最大電位
分布図である。
大電位分布図を示すもので、図７ａは蓄積モード時の最
大電位分布図であり、図７ｂは転送モード時の最大電位
分布図である。
【００３２】蓄積モード時には、シフトゲート２８と第
１ポリゲート電極２９−１とに０Ｖの最低電圧を印加
し、リセットドレイン端子ＲＤを通じて１５Ｖの最高電
圧をＨＣＣＤ領域２５に印加すると、図７ａのように電
位が分布する。
１ポリゲート電極２９−１とに０Ｖの最低電圧を印加
し、リセットドレイン端子ＲＤを通じて１５Ｖの最高電
圧をＨＣＣＤ領域２５に印加すると、図７ａのように電
位が分布する。
【００３３】チャンネルストップ領域３１とシフトゲー
トチャンネル領域２６とによってポテンシャル障壁が形
成され、入射光によって、各フォトダイオード領域２４
で生成された電荷はポテンシャル層障壁によりＨＣＣＤ
領域２５へ転送されずに、フォトダイオード領域２４に
蓄積される。
トチャンネル領域２６とによってポテンシャル障壁が形
成され、入射光によって、各フォトダイオード領域２４
で生成された電荷はポテンシャル層障壁によりＨＣＣＤ
領域２５へ転送されずに、フォトダイオード領域２４に
蓄積される。
【００３４】一方、動作モード時には、シフトゲート２
８と第１ポリゲート電極２９−１とに１２〜１５Ｖ程度
の大電圧を印加し、リセットドレイン端子ＲＤを通じて
１５Ｖ程度の最高電圧をＨＣＣＤ領域２５に印加する
と、ｐ型シフトゲートチャンネル領域２６とｎ型ＨＣＣ
Ｄ領域２５とのｐｎ接合に逆バイアスが印加され、完全
に空乏領域のみが存在することになる。すなわち、リセ
ットドレイン端子ＲＤに印加される最高電圧によって逆
バイアスが掛かり、固体撮像素子の全部分が完全空乏状
態（fully-depleted state）になる。
８と第１ポリゲート電極２９−１とに１２〜１５Ｖ程度
の大電圧を印加し、リセットドレイン端子ＲＤを通じて
１５Ｖ程度の最高電圧をＨＣＣＤ領域２５に印加する
と、ｐ型シフトゲートチャンネル領域２６とｎ型ＨＣＣ
Ｄ領域２５とのｐｎ接合に逆バイアスが印加され、完全
に空乏領域のみが存在することになる。すなわち、リセ
ットドレイン端子ＲＤに印加される最高電圧によって逆
バイアスが掛かり、固体撮像素子の全部分が完全空乏状
態（fully-depleted state）になる。
【００３５】これにより、図７ｂのように、電位が分布
することになり、ＨＣＣＤ領域の深さ方向に最大電位、
またはピンチオフ電圧が形成される部分に電荷が溜るこ
とになる。すなわち、電荷は蓄積モード時にフォトダイ
オード領域２４の最大電圧が形成される部分に蓄積され
てから、転送モード時にＨＣＣＤ領域２５の最大電圧の
形成される部分に転送される。そのとき、最大電圧は、
フォトダイオード領域とＨＣＣＤ領域とがｎ型である場
合、これらの領域の幅が大きいければ大きいほど大きく
なり、ドーピング濃度が高いほど大きくなる。
することになり、ＨＣＣＤ領域の深さ方向に最大電位、
またはピンチオフ電圧が形成される部分に電荷が溜るこ
とになる。すなわち、電荷は蓄積モード時にフォトダイ
オード領域２４の最大電圧が形成される部分に蓄積され
てから、転送モード時にＨＣＣＤ領域２５の最大電圧の
形成される部分に転送される。そのとき、最大電圧は、
フォトダイオード領域とＨＣＣＤ領域とがｎ型である場
合、これらの領域の幅が大きいければ大きいほど大きく
なり、ドーピング濃度が高いほど大きくなる。
【００３６】そのため、本発明では、幅による効果を用
いているが、フォトダイオード領域２４はＹ部分よりも
Ｚ部分３２で幅が広いので、フォトダイオード領域２４
はＺ部分の最大電圧がＹ部分でより大きく、ＨＣＣＤ領
域２５の突出領域２５−２は主ＨＣＣＤ領域２５−１の
方へ行くほど幅が広くなるので、ＨＣＣＤ領域２５は主
ＨＣＣＤ領域２５−１へ行くほど最大電圧が次第に大き
くなるので、図７ｂのように傾斜した電位分布を有す
る。
いているが、フォトダイオード領域２４はＹ部分よりも
Ｚ部分３２で幅が広いので、フォトダイオード領域２４
はＺ部分の最大電圧がＹ部分でより大きく、ＨＣＣＤ領
域２５の突出領域２５−２は主ＨＣＣＤ領域２５−１の
方へ行くほど幅が広くなるので、ＨＣＣＤ領域２５は主
ＨＣＣＤ領域２５−１へ行くほど最大電圧が次第に大き
くなるので、図７ｂのように傾斜した電位分布を有す
る。
【００３７】これにより、転送モード時フォトダイオー
ド領域２４とシフトゲートチャンネル領域２６とが、隣
接したＺ部分３２において従来のようにポテンシャル障
壁が形成されなく、逆に、電位が斜めに分布する。
ド領域２４とシフトゲートチャンネル領域２６とが、隣
接したＺ部分３２において従来のようにポテンシャル障
壁が形成されなく、逆に、電位が斜めに分布する。
【００３８】転送モード時、本発明では、フォトダイオ
ード領域２４に蓄積された電荷が完全にＨＣＣＤ領域２
５へ転送されることになる。
ード領域２４に蓄積された電荷が完全にＨＣＣＤ領域２
５へ転送されることになる。
【００３９】図８は、図７ｂの最大電位分布をコンピュ
ータでシミュレーションした結果を示す図であり、上記
で説明したように、傾斜した電位分布が形成されるのを
確認することができる。
ータでシミュレーションした結果を示す図であり、上記
で説明したように、傾斜した電位分布が形成されるのを
確認することができる。
【００４０】
【発明の効果】上記したような本発明によれば、フォト
ダイオード領域とＨＣＣＤ領域とで傾斜した電位分布が
得られるので、電荷転送側面では転送効率を改善させ、
第１ポリゲート電極及び第２ポリゲート電極に印加され
るクロック周波数が高くなっても転送効率を保持するこ
とが可能である。
ダイオード領域とＨＣＣＤ領域とで傾斜した電位分布が
得られるので、電荷転送側面では転送効率を改善させ、
第１ポリゲート電極及び第２ポリゲート電極に印加され
るクロック周波数が高くなっても転送効率を保持するこ
とが可能である。
【図１】 従来の線形固体撮像素子の平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ′線に沿う固体撮像素子の断面
図である。
図である。
【図３】 ａおよびｂは、図２の各部分による最大電位
分布図である。
分布図である。
【図４】 図３の最大電位分布に対するコンピュータシ
ミュレーションの結果を示す図である。
ミュレーションの結果を示す図である。
【図５】 本発明の第１実施例による線形固体撮像素子
の平面図である。
の平面図である。
【図６】 図５のＢ−Ｂ′線に沿う固体撮像素子の断面
図である。
図である。
【図７】 ａ及びｂは、図６の各部分による最大電位分
布図である。
布図である。
【図８】 図７ｂの最大電位分布に対するコンピュータ
シミュレーションの結果を示す図である。
シミュレーションの結果を示す図である。
２１…基板、２２，２３…ｐ型ウェル、２４…フォトダ
イオード領域、２５…ＨＣＣＤ領域、２６…シフトゲー
トチャンネル領域、２７…ｐ++層、２８…シフトゲー
ト、２９…ポリゲート、３０…絶縁層、３１…チャンネ
ルストップ領域。
イオード領域、２５…ＨＣＣＤ領域、２６…シフトゲー
トチャンネル領域、２７…ｐ++層、２８…シフトゲー
ト、２９…ポリゲート、３０…絶縁層、３１…チャンネ
ルストップ領域。
Claims (13)
- 【請求項１】 第１導電型のシリコン基板（２１）と、 上記基板（２１）の一側に形成され、一定の接合深さを
有する第２導電型の第１ウェル（２２）と、 上記基板（２１）の他側に形成され、第１ウェル（２
２）よりも大きい接合深さを有する第２導電型の第２ウ
ェル（２３）と、 上記第１ウェル（２２）上に、全体として細長い形状で
あり、その長手方向と 直角な両端部の輻が異なる台形構
造とされ、その長手方向を互いに平行に かつ上記幅の
異なる端部を隣接するもの同士が互い違いになる向きに
配置して、並列に並べられる第１導電型を有する信号電
荷発生用のフォトダイオード領域（２４）と、 上記細長い台形構造のフォトダイオード領域（２４）の
長手方向の両側の第２ウェル（２３）上に形成され、上
記フォトダイオード領域（２４）からの信号電荷を出力
増幅器へ転送するための第１導電型の２つのＨＣＣＤ領
域（２５）と、上記フォトダイオード領域（２４）とＨ
ＣＣＤ領域（２５）との間の基板（２１）上に形成さ
れ、上記フォトダイオード領域（２４）に蓄積された電
荷をＨＣＣＤ領域（２５）へ転送するためのシフトゲー
ト（２８）と、 上記フォトダイオード領域（２４）の前記両端部中の幅
広端部とＨＣＣＤ領域（２５）との間の第１ウェル（２
２）上に形成され、上記シフトゲート（２８）の下部で
六角形構造を有する第２導電型のシフトゲートチャンネ
ル領域（２６）と、 各フォトダイオード領域（２４）の表面上に形成された
第２導電型の複数のポテンシャル障壁形成層（２７）
と、 上記ＨＣＣＤ領域（２５）上部の基板（２１）上に形成
され、上記フォトダイオード領域（２４）から転送され
た電荷を出力増幅器に転送するための複数のポリゲート
（２９）と、 上記シフトゲート（２８）と上記ポリゲート（２９）と
の間の基板（２１）上に形成され、上記シフトゲート
（２８）とポリゲート（２９）とを絶縁させるための絶
縁層（３０）と、ポテンシャル障壁を形成してセル間を
隔離させる第２導電型のチャンネルストップ領域（３
１）とを含むことを特徴とする線形固体撮像素子。 - 【請求項２】 上記ＨＣＣＤ領域（２５）は、複数並べ
たフォトダイオード領域の配列方向と同じ方向に長く延
長された長方形構造を有することを特徴とする請求項１
に記載の線形固体撮像素子。 - 【請求項３】 上記シフトゲート（２８）の下部におい
て上記シフトゲートチャンネル領域（２６）は、一側面
が上記フォトダイオード領域（２４）の幅広端部に接し
ており、相対する側面は上記ポリゲート（２９）に隣接
する六角形構造を有することを特徴とする請求項１に記
載の線形固体撮像素子。 - 【請求項４】 上記シフトゲートチャンネル領域（２
６）は、上記フォトダイオード領域（２４）に隣接した
側面が上記フォトダイオード領域（２４）の幅広端部の
幅と同一であり、相対する側面は上記ポリゲート（２
９）の幅よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載
の線形固体撮像素子。 - 【請求項５】 第１導電型のシリコン基板（２１）と、 上記基板（２１）の一側に形成され、一定の接合深さを
有する第２導電型の第１ウェル（２２）と、 上記基板（２１）の他側に形成され、第１ウェル（２
２）よりも大きい接合深さを有する第２導電型の第２ウ
ェル（２３）と、 上記第１ウェル（２２）上に、全体として細長い形状で
あり、その長手方向と直角な両端部の幅が異なる台形構
造とされ、その長手方向を互いに平行に、かつ上記幅の
異なる端部を隣接するもの同士が互い違いになる向きに
配置して、並列に並べられる第１導電型を有する信号電
荷発生用の複数のフォトダイオード領域（２４）と、 上記フォトダイオード領域（２４）の前記両端部中の幅
広端部の第２ウェル（２３）上に形成され、長方形の主
ＨＣＣＤ領域（２５−１）と突出領域（２５−２）とを
有し、上記フォトダイオード領域（２４）からの信号電
荷を出力増幅器へ出力するための第１導電型の２つのＨ
ＣＣＤ領域（２５）と、 上記フォトダイオード領域（２４）とＨＣＣＤ領域（２
５）との間の基板（２１）上に形成され、上記フォトダ
イオード領域（２４）に蓄積された電荷をＨＣＣＤ領域
（２５）へ転送するためのシフトゲート（２８）と、 上記フォトダイオード領域（２４）とＨＣＣＤ領域（２
５）との間の第１ウェル（２２）上に形成され、上記シ
フトゲート（２８）の下部で六角形構造を有る第２導電
型のシフトゲートチャンネル領域（２６）と、 各フォトダイオード領域（２４）の表面上に形成された
第２導電型の複数のボテンシャル障壁形成層（２７）
と、 上記ＨＣＣＤ領域（２５）上部の基板（２１）上に形成
され、上記フォトダイオード領域（２４）から転送され
た電荷を出力増幅器に転送するための複数のポリゲート
（２９）と、 上記シフトゲート（２８）と上記ポリゲート（２９）と
の間の基板（２１）上に形成され、上記シフトゲート
（２８）とポリゲート（２９）とを絶縁させるための絶
縁層（３０）と、 ポテンシャル障壁を形成してセル間を隔離させる第２導
電型のチャンネルストップ領域（３１）とを含むことを
特徴とする線形固体撮像素子。 - 【請求項６】 各ＨＣＣＤ領域（２５）の主ＨＣＣＤ領
域（２５−１）は、フォトダイオード領域が並列に並べ
た配列方向と同じ方向に長く延長形成され、上記突出領
域（２５−２）は、上記主ＨＣＣＤ領域（２５−１）か
ら上記シフトゲートチャンネル領域（２６）までに延長
形成されたことを特徴とする請求項５に記載の線形固体
撮像素子。 - 【請求項７】 上記ＨＣＣＤ領域（２５）の突出領域
（２５−２）は、上記シフトゲートチャンネル領域（２
６）の幅の最大部分まで延長されていることを特徴とす
る請求項５に記載の線形固体撮像素子。 - 【請求項８】 上記ＨＣＣＤ領域（２５）の突出領域
（２５−２）は、上記シフトゲート（２８）の方の側面
の幅が、上記主ＨＣＣＤ領域の方の側面の幅よりも小さ
いことを特徴とする請求項７に記載の線形固体撮像素
子。 - 【請求項９】 上記ＨＣＣＤ領域（２５）の突出領域
（２５−２）は、台形を有することを特徴とする請求項
８に記載の線形固体撮像素子。 - 【請求項１０】 上記ＨＣＣＤ領域（２５）の突出領域
（２５−２）の幅は、上記ポリゲート（２９）の幅より
も小さいことを特徴とする請求項９に記載の線形固体撮
像素子。 - 【請求項１１】 上記シフトゲート（２８）の下部にお
いて上記シフトゲートチャンネル領域（２６）は、一側
面が上記フォトダイオード領域（２４）に接しており、
対応する側面は上記ポリゲート（２９）に隣接する六角
形構造を有することを特徴とする請求項１０に記載の線
形固体撮像素子。 - 【請求項１２】 上記シフトゲートチャンネル領域（２
６）は、上記フォトダイオード領域（２４）に隣接した
側面は上記フォトダイオード領域（２４）の一側面の幅
と同一であり、対応する側面は上記ポリゲート（２９）
の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１１に記載の
線形固体撮像素子。 - 【請求項１３】 各ポリゲート（２９）は、上記ＨＣＣ
Ｄ領域（２５）の突出領域（２５−２）上部の基板上に
形成された第１ポリゲート電極（２９−１）と、 上記ＨＣＣＤ領域（２５）の主ＨＣＣＤ領域（２５−
１）上部の基板上に形成された第２ポリゲート電極（２
９−２）とからなることを特徴とする請求項５に記載の
線形固体撮像素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003199A KR0136934B1 (ko) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 선형 고체영상소자 |
| KR3199/1994 | 1994-02-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240505A JPH07240505A (ja) | 1995-09-12 |
| JP2686914B2 true JP2686914B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=19377605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248370A Expired - Fee Related JP2686914B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-09-19 | 線形固体撮像素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5675158A (ja) |
| JP (1) | JP2686914B2 (ja) |
| KR (1) | KR0136934B1 (ja) |
| DE (1) | DE4413824C2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903021A (en) * | 1997-01-17 | 1999-05-11 | Eastman Kodak Company | Partially pinned photodiode for solid state image sensors |
| US6815791B1 (en) * | 1997-02-10 | 2004-11-09 | Fillfactory | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| US7199410B2 (en) * | 1999-12-14 | 2007-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Pixel structure with improved charge transfer |
| KR19990023221A (ko) | 1997-08-20 | 1999-03-25 | 포만 제프리 엘 | 감광성 소자, 능동 픽셀 센서 소자, 능동 픽셀 센서 감광성 소자 및 능동 픽셀 센서 장치 |
| US6127697A (en) * | 1997-11-14 | 2000-10-03 | Eastman Kodak Company | CMOS image sensor |
| JPH11274454A (ja) | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
| US6690423B1 (en) * | 1998-03-19 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pickup apparatus |
| US6686963B1 (en) | 1999-04-08 | 2004-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for driving solid-state image device |
| US6476426B1 (en) | 1999-07-06 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | Electronic component and method for improving pixel charge transfer in the electronic component |
| EP1109229A3 (en) * | 1999-12-14 | 2008-03-26 | Fillfactory N.V. | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| JP3688980B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | Ｍｏｓ型固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3977285B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| KR100529670B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2005-11-17 | 동부아남반도체 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2005039219A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-02-10 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
| US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
| JP5243100B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2013-07-24 | ブレインビジョン株式会社 | 固体撮像素子の画素構造 |
| JP5274118B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2013-08-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
| KR101031006B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2011-04-25 | 클레어픽셀 주식회사 | 이미지 센서 |
| JP2011054596A (ja) | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Renesas Electronics Corp | Ｃｃｄイメージセンサ |
| KR101021094B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2011-03-14 | 클레어픽셀 주식회사 | 이미지 센서 |
| FR3053529B1 (fr) | 2016-06-30 | 2022-11-04 | E2V Semiconductors | Capteur lineaire pour appareil d'imagerie de tomographie par coherence optique a spectrometre |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983573A (en) * | 1974-03-12 | 1976-09-28 | Nippon Electric Company, Ltd. | Charge-coupled linear image sensing device |
| US4527182A (en) * | 1980-09-19 | 1985-07-02 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor photoelectric converter making excessive charges flow vertically |
| DE3261248D1 (en) * | 1981-01-14 | 1985-01-03 | Morton Nadler | Image scanning method and device |
| JPH0712079B2 (ja) * | 1985-08-13 | 1995-02-08 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
| FR2597647B1 (fr) * | 1986-04-18 | 1992-06-12 | Thomson Csf | Registre a decalage a transfert de charge muni d'un dispositif de lecture en tension sur diode flottante |
| US5196719A (en) * | 1990-05-14 | 1993-03-23 | Nec Corporation | Solid-state image pick-up device having electric field for accelerating electric charges from photoelectric converting region to shift register |
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| JP3146526B2 (ja) * | 1991-07-09 | 2001-03-19 | ソニー株式会社 | Ｃｃｄ撮像素子 |
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