JP2560984B2 - 電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方法 - Google Patents
電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷転送型固体撮像装
置、特に電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方
法に関する。
置、特に電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電荷転送型固体撮像装置には、フ
レーム転送型とインターライン転送型とがある。図５は
典型的な電荷転送型撮像装置の撮像部の垂直レジスタの
断面構造と電子に対する静電電位を示す。
レーム転送型とインターライン転送型とがある。図５は
典型的な電荷転送型撮像装置の撮像部の垂直レジスタの
断面構造と電子に対する静電電位を示す。
【０００３】この撮像部は、Ｎ型半導体基板（シリコン
基板）５０１、この半導体基板５０１よりややドナー濃
度の高い領域５０２、絶縁膜５０３、絶縁膜中に等間隔
に形成された電極５０４、電極５０４の間に形成された
電極５０５、電極５０４を駆動する配線５０６、電極５
０５を駆動する配線５０７よりなる。また電極５０４下
の絶縁膜５０３の一部は他の部分より厚くなっている。
また点線５０８は、配線５０７に配線５０６より大きな
電圧が印加されている場合の絶縁膜直下の電位分布を示
している。
基板）５０１、この半導体基板５０１よりややドナー濃
度の高い領域５０２、絶縁膜５０３、絶縁膜中に等間隔
に形成された電極５０４、電極５０４の間に形成された
電極５０５、電極５０４を駆動する配線５０６、電極５
０５を駆動する配線５０７よりなる。また電極５０４下
の絶縁膜５０３の一部は他の部分より厚くなっている。
また点線５０８は、配線５０７に配線５０６より大きな
電圧が印加されている場合の絶縁膜直下の電位分布を示
している。
【０００４】次に、この撮像部の動作について説明す
る。今、電極５０４，５０５に前記のような電圧が与え
られ、点線５０８で示すような界面電位が発生している
と考える。そして一定期間（約１／６０秒）、この素子
の表面より光が入射するとする。この時、入射光によっ
てシリコン基板中で電子，正孔対が発生する。そして、
電子は最も電位の高いＡ部に蓄えられ、正孔は基板５０
１を通って外部回路に逃げる。このようにして蓄えられ
た電子は、配線５０６，５０７に与えられた電圧を反転
することによって半ビット下方に移動する。従って、こ
の反転を繰り返せば、更に下方に移動することができ
る。
る。今、電極５０４，５０５に前記のような電圧が与え
られ、点線５０８で示すような界面電位が発生している
と考える。そして一定期間（約１／６０秒）、この素子
の表面より光が入射するとする。この時、入射光によっ
てシリコン基板中で電子，正孔対が発生する。そして、
電子は最も電位の高いＡ部に蓄えられ、正孔は基板５０
１を通って外部回路に逃げる。このようにして蓄えられ
た電子は、配線５０６，５０７に与えられた電圧を反転
することによって半ビット下方に移動する。従って、こ
の反転を繰り返せば、更に下方に移動することができ
る。
【０００５】典型的なフレーム転送型電荷撮像装置にお
いては（ここでは図示しないが）、今説明したような撮
像部の下にフレームメモリを持ち、更にこの下には電荷
検出部に電荷を転送するための電荷転送型水平シフトレ
ジスタを持っている。
いては（ここでは図示しないが）、今説明したような撮
像部の下にフレームメモリを持ち、更にこの下には電荷
検出部に電荷を転送するための電荷転送型水平シフトレ
ジスタを持っている。
【０００６】撮像部でＡ点に蓄積されたすべての電荷
は、上述したような方法でフレームメモリに移される。
この移動は、通常、テレビジョンの垂直ブランキング期
間に行われる。このようにしてフレームメモリに移され
た電荷は、次のフレームの信号読み出し期間に一水平ラ
インずつ電荷転送型の水平シフトレジスタの電荷検出部
から読み出される。
は、上述したような方法でフレームメモリに移される。
この移動は、通常、テレビジョンの垂直ブランキング期
間に行われる。このようにしてフレームメモリに移され
た電荷は、次のフレームの信号読み出し期間に一水平ラ
インずつ電荷転送型の水平シフトレジスタの電荷検出部
から読み出される。
【０００７】上の説明からも解る通り、配線５０６，５
０７は撮像部からフレームメモリへの転送に用いられ、
かつこの電荷転送は短い垂直ブランキング期間に行われ
なければならない。従って配線５０６，５０７に与えら
れるシフトパルスは非常に高速になる。
０７は撮像部からフレームメモリへの転送に用いられ、
かつこの電荷転送は短い垂直ブランキング期間に行われ
なければならない。従って配線５０６，５０７に与えら
れるシフトパルスは非常に高速になる。
【０００８】一方、配線５０６，５０７は、装置の水平
方向と同じ長さを持ち、その抵抗が大きい場合には、配
線５０６，５０７に与えられるパルスには伝播遅延が発
生する。従って十分抵抗を低くする必要がある。しか
し、抵抗を低くすると電極での光の吸収が大きくなると
いう欠点を生ずる。一般に、光の吸収は短波長光に対し
て著しく、色再現に対して問題を生ずる。
方向と同じ長さを持ち、その抵抗が大きい場合には、配
線５０６，５０７に与えられるパルスには伝播遅延が発
生する。従って十分抵抗を低くする必要がある。しか
し、抵抗を低くすると電極での光の吸収が大きくなると
いう欠点を生ずる。一般に、光の吸収は短波長光に対し
て著しく、色再現に対して問題を生ずる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
フレーム転送型固体撮像装置の撮像部においては、それ
を駆動するための電極によって光の吸収が起こり、光電
変換効率が低下するという欠点がある。この欠点は短波
長光に対して著しい。
フレーム転送型固体撮像装置の撮像部においては、それ
を駆動するための電極によって光の吸収が起こり、光電
変換効率が低下するという欠点がある。この欠点は短波
長光に対して著しい。
【００１０】本発明の目的は、このような電極による光
吸収が全くないフレーム転送型固体撮像装置の撮像部と
その駆動方法を提供することにある。
吸収が全くないフレーム転送型固体撮像装置の撮像部と
その駆動方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の電荷転送型固体
撮像装置の撮像部は、第１導電型半導体基板の表面に高
濃度の第２導電型半導体よりなる制御電極を形成し、更
にその表面に高濃度の第１導電型半導体よりなる第１の
バリアと低濃度の第１導電型半導体よりなる第２のバリ
アとを電荷の転送方向に交互に繰り返し形成し、前記第
１のバリアの上に電荷の転送方向に順に低濃度の第２導
電型層よりなる第１の蓄積領域と、これよりやや濃度の
高い低濃度の第２導電型層よりなる第２の蓄積領域を形
成し、更に前記第２のバリア上に電荷の転送方向に順に
高濃度の第２導電型層よりなる第３の蓄積領域と、これ
より更に濃度の高い高濃度の第２導電型層よりなる第４
の蓄積領域を形成し、前記蓄積領域上に第１導電型表面
層を形成し、かつ、前記第１導電型表面層から前記基板
へかけて等間隔に高濃度の第１の導電型層よりなる分離
領域をスリット状に設けたことを特徴とする。
撮像装置の撮像部は、第１導電型半導体基板の表面に高
濃度の第２導電型半導体よりなる制御電極を形成し、更
にその表面に高濃度の第１導電型半導体よりなる第１の
バリアと低濃度の第１導電型半導体よりなる第２のバリ
アとを電荷の転送方向に交互に繰り返し形成し、前記第
１のバリアの上に電荷の転送方向に順に低濃度の第２導
電型層よりなる第１の蓄積領域と、これよりやや濃度の
高い低濃度の第２導電型層よりなる第２の蓄積領域を形
成し、更に前記第２のバリア上に電荷の転送方向に順に
高濃度の第２導電型層よりなる第３の蓄積領域と、これ
より更に濃度の高い高濃度の第２導電型層よりなる第４
の蓄積領域を形成し、前記蓄積領域上に第１導電型表面
層を形成し、かつ、前記第１導電型表面層から前記基板
へかけて等間隔に高濃度の第１の導電型層よりなる分離
領域をスリット状に設けたことを特徴とする。
【００１２】また本発明の電荷転送型固体撮像装置の撮
像部の駆動方法は、前記表面層に基準電位を与え、前記
表面層がＮ型の場合、負の電圧を一定期間前記制御電極
に与えて固体撮像装置に光を入射し、発生した正孔を前
記蓄積領域に蓄え、蓄積期間が終わったら、前記制御電
極に前記負の電圧よりやや高い負の電圧と、基準電位よ
り約１ボルト低い電圧を交互に与えることを特徴とす
る。
像部の駆動方法は、前記表面層に基準電位を与え、前記
表面層がＮ型の場合、負の電圧を一定期間前記制御電極
に与えて固体撮像装置に光を入射し、発生した正孔を前
記蓄積領域に蓄え、蓄積期間が終わったら、前記制御電
極に前記負の電圧よりやや高い負の電圧と、基準電位よ
り約１ボルト低い電圧を交互に与えることを特徴とす
る。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて説
明する。
明する。
【００１４】図１は本発明によるフレーム転送型固体撮
像装置の撮像部の構造を示す（便宜上、２行，２列のセ
ンサアレイを示す）。図１（ａ）は上面図、図１
（ｂ），（ｃ）は各々図１（ａ）のＡ−Ａ′ラインおよ
びＢ−Ｂ′ラインに沿った断面図である。
像装置の撮像部の構造を示す（便宜上、２行，２列のセ
ンサアレイを示す）。図１（ａ）は上面図、図１
（ｂ），（ｃ）は各々図１（ａ）のＡ−Ａ′ラインおよ
びＢ−Ｂ′ラインに沿った断面図である。
【００１５】図１において、１０１はＮ層、１０２，１
０３，１０４，１０５はＰ層で１０４，１０５，１０
２，１０３の順で濃度が高くなっている。１０７はＮ+
領域，１０８はＮ領域である。１０９はＰ領域，１１０
はＮ+ 領域，１１１はＮ基板である。
０３，１０４，１０５はＰ層で１０４，１０５，１０
２，１０３の順で濃度が高くなっている。１０７はＮ+
領域，１０８はＮ領域である。１０９はＰ領域，１１０
はＮ+ 領域，１１１はＮ基板である。
【００１６】さらに詳しく説明する。Ｎ基板１１１の上
に、撮像部の動作を制御する電極（制御電極）１０９が
形成されており、その上には光電変換によって電荷を発
生または蓄積する領域（蓄積領域）１０２，１０３，１
０４，１０５と制御電極１０９との間の電荷の移動のバ
リアとなる領域（バリア領域）１０７，１０８が形成さ
れている。
に、撮像部の動作を制御する電極（制御電極）１０９が
形成されており、その上には光電変換によって電荷を発
生または蓄積する領域（蓄積領域）１０２，１０３，１
０４，１０５と制御電極１０９との間の電荷の移動のバ
リアとなる領域（バリア領域）１０７，１０８が形成さ
れている。
【００１７】Ｎ+ 領域１０７は、その上に形成された蓄
積領域１０２，１０３の電荷量や電位分布を制御電極１
０９から制御できないようにする領域である。一方、Ｎ
領域１０８は、その上に形成された蓄積領域１０４，１
０５の電位分布や電荷量を制御できる領域である。
積領域１０２，１０３の電荷量や電位分布を制御電極１
０９から制御できないようにする領域である。一方、Ｎ
領域１０８は、その上に形成された蓄積領域１０４，１
０５の電位分布や電荷量を制御できる領域である。
【００１８】Ｎ層１０１は、蓄積領域１０２，１０３，
１０４，１０５の上に一面に形成された領域で、動作の
基準となる電圧を与えるためのものである。またＮ+ 領
域１１０は分離領域で蓄積領域１０２，１０３，１０
４，１０５、バリア領域１０７，１０８、制御電極１０
９を縦方向に基板１１１まで分断している。従って、独
立した制御電極１０９の上に図１（ｃ）の構造が作られ
たものが水平方向に多数配列されていることになる。
１０４，１０５の上に一面に形成された領域で、動作の
基準となる電圧を与えるためのものである。またＮ+ 領
域１１０は分離領域で蓄積領域１０２，１０３，１０
４，１０５、バリア領域１０７，１０８、制御電極１０
９を縦方向に基板１１１まで分断している。従って、独
立した制御電極１０９の上に図１（ｃ）の構造が作られ
たものが水平方向に多数配列されていることになる。
【００１９】次に、図１の撮像部で光電変換および信号
蓄積を行う場合の駆動方法を説明する。
蓄積を行う場合の駆動方法を説明する。
【００２０】図２（ａ）は電荷蓄積中のセルの深さ方向
の電位分布であり、図２（ｂ）は電荷蓄積を行うための
駆動パルス波形である。図３（ａ）は撮像部で電荷転送
を行うときのセルの深さ方向の電位分布であり、図３
（ｂ）は電荷電送を行うための駆動波形を示す。図４は
図３に示した電位分布によって信号電荷が、蓄積領域を
シフトしていく様子を示したものである。
の電位分布であり、図２（ｂ）は電荷蓄積を行うための
駆動パルス波形である。図３（ａ）は撮像部で電荷転送
を行うときのセルの深さ方向の電位分布であり、図３
（ｂ）は電荷電送を行うための駆動波形を示す。図４は
図３に示した電位分布によって信号電荷が、蓄積領域を
シフトしていく様子を示したものである。
【００２１】今、蓄積領域１０２〜１０５は完全に空乏
化しているとする。図２（ｂ）に示すように制御電極１
０９には、パルスφC が与えられＶSTR のレベル（負で
絶対値大）が与えられるとする。この時のセル内の電位
分布は図２（ａ）のようになる。
化しているとする。図２（ｂ）に示すように制御電極１
０９には、パルスφC が与えられＶSTR のレベル（負で
絶対値大）が与えられるとする。この時のセル内の電位
分布は図２（ａ）のようになる。
【００２２】図２（ａ）において２０３，２０４は領域
１０３，１０２に対応した電位分布を示し、２０５，２
０６は領域１０５，１０４に対応する電位分布を示す。
このとき領域１０２〜１０５付近で発生した電子，正孔
対のうち正孔は，最も電位の低い領域１０４に蓄積さ
れ、ある一定量以上蓄積すると、制御ゲートに流出し
て、ブルーミングが起こらないようになっている。一
方、電子はＮ領域１０１或は分離領域１１０、バリア１
０７，１０８、或は基板１１１を通って外部回路へ抜け
る。このような蓄積動作が図２（ｂ）の蓄積期間の間行
われる。
１０３，１０２に対応した電位分布を示し、２０５，２
０６は領域１０５，１０４に対応する電位分布を示す。
このとき領域１０２〜１０５付近で発生した電子，正孔
対のうち正孔は，最も電位の低い領域１０４に蓄積さ
れ、ある一定量以上蓄積すると、制御ゲートに流出し
て、ブルーミングが起こらないようになっている。一
方、電子はＮ領域１０１或は分離領域１１０、バリア１
０７，１０８、或は基板１１１を通って外部回路へ抜け
る。このような蓄積動作が図２（ｂ）の蓄積期間の間行
われる。
【００２３】図３は、このようにして蓄積した正孔を図
１の下方に転送する方法を示す。図３（ａ）は電荷転送
の際のセル内の電位分布である。図３（ａ）における曲
線３０３〜３０６はそれぞれ図２の曲線２０３〜２０６
に対応している。この場合、制御電極１０９に電圧Ｖ
LOW を与え、信号電荷は未だ移動せず領域１０４にある
と考えている。しかし制御電極１０９の電圧ＶLOW はＶ
STR よりやや高い（負で絶対値を小さくする）電圧にし
ている（ＶSTR ＜ＶLOW ）。
１の下方に転送する方法を示す。図３（ａ）は電荷転送
の際のセル内の電位分布である。図３（ａ）における曲
線３０３〜３０６はそれぞれ図２の曲線２０３〜２０６
に対応している。この場合、制御電極１０９に電圧Ｖ
LOW を与え、信号電荷は未だ移動せず領域１０４にある
と考えている。しかし制御電極１０９の電圧ＶLOW はＶ
STR よりやや高い（負で絶対値を小さくする）電圧にし
ている（ＶSTR ＜ＶLOW ）。
【００２４】今、制御電極１０９の電圧を図３（ｂ）の
ＶHIGHにすると電位分布２０３，２０４の形状は変わら
ず、電位分布２０５，２０６は電位分布３０１，３０２
になる。制御ゲート電圧の変化に対して、電位分布２０
３，２０４が不変なのはバリア部の濃度を高く設定した
ため、ＶLOW でもＶHIGHでもバリア領域には中性領域が
残るからである。また電位分布２０５，２０６が電位分
布３０１，３０２になるのは、電位分布２０５，２０６
では蓄積領域の電位がＶLOW によって引き下げられてい
たのに対し、電位分布３０１，３０２では制御電極の電
位が上昇したため、中性領域が残るからである。
ＶHIGHにすると電位分布２０３，２０４の形状は変わら
ず、電位分布２０５，２０６は電位分布３０１，３０２
になる。制御ゲート電圧の変化に対して、電位分布２０
３，２０４が不変なのはバリア部の濃度を高く設定した
ため、ＶLOW でもＶHIGHでもバリア領域には中性領域が
残るからである。また電位分布２０５，２０６が電位分
布３０１，３０２になるのは、電位分布２０５，２０６
では蓄積領域の電位がＶLOW によって引き下げられてい
たのに対し、電位分布３０１，３０２では制御電極の電
位が上昇したため、中性領域が残るからである。
【００２５】この時の電荷転送の様子を示したものが図
４である。すなわち制御電極１０９の電圧をＶLOW から
ＶHIGHにすると蓄積領域１０４に存在した電荷が１／２
転送段だけ下方の蓄積領域１０２に移る。
４である。すなわち制御電極１０９の電圧をＶLOW から
ＶHIGHにすると蓄積領域１０４に存在した電荷が１／２
転送段だけ下方の蓄積領域１０２に移る。
【００２６】図３（ｂ）に示したようなパルスを制御電
極１０９に印加すると、パルスがＶLOW ，ＶHIGHの間で
変化する度に信号電荷は半ビットずつ下方に移動する。
なおＶHIGHの電位は基準電位より約１ボルト低くする。
極１０９に印加すると、パルスがＶLOW ，ＶHIGHの間で
変化する度に信号電荷は半ビットずつ下方に移動する。
なおＶHIGHの電位は基準電位より約１ボルト低くする。
【００２７】もし、この撮像部の下にフレームメモリ
部、さらに電荷検出部を持った水平レジスタが設けられ
ているならば、従来技術の項で説明したように、撮像部
に蓄積した電荷をフレームメモリに移し、更に一水平ラ
インずつ読み出すことができる。
部、さらに電荷検出部を持った水平レジスタが設けられ
ているならば、従来技術の項で説明したように、撮像部
に蓄積した電荷をフレームメモリに移し、更に一水平ラ
インずつ読み出すことができる。
【００２８】なお、撮像部とフレームメモリ部の接続は
撮像部に存在する信号電荷を通常の電荷電送装置で受け
取るようにすればよい。このことは公知の技術で容易に
実行できる。
撮像部に存在する信号電荷を通常の電荷電送装置で受け
取るようにすればよい。このことは公知の技術で容易に
実行できる。
【００２９】上述した駆動方法では簡単のため、蓄積領
域１０２〜１０５付近で発生した正孔が１０４に蓄積す
ると述べた。これをさらに正確に表現すれば、Ｎ領域１
０１の中性領域で発生した正孔の一部は拡散によって領
域１０４に蓄積され、Ｎ領域１０１の空乏層と蓄積領域
１０２〜１０５で発生したものはすべて領域１０４に蓄
積され、バリア領域のうち蓄積領域に接して空乏化して
いる領域で発生した正孔はすべて領域１０４に蓄積され
る。
域１０２〜１０５付近で発生した正孔が１０４に蓄積す
ると述べた。これをさらに正確に表現すれば、Ｎ領域１
０１の中性領域で発生した正孔の一部は拡散によって領
域１０４に蓄積され、Ｎ領域１０１の空乏層と蓄積領域
１０２〜１０５で発生したものはすべて領域１０４に蓄
積され、バリア領域のうち蓄積領域に接して空乏化して
いる領域で発生した正孔はすべて領域１０４に蓄積され
る。
【００３０】従って光電変換時の損失は中性Ｎ領域１０
１で発生した正孔のうち、このＮ領域中で再結合するも
のと、表面で再結合するものであり、これらは非常に小
さくすることができる。従って表面に電極が存在する場
合に比べてきわめて高い光電変換高率が得られる。この
効果は特に短波長光で著しい。
１で発生した正孔のうち、このＮ領域中で再結合するも
のと、表面で再結合するものであり、これらは非常に小
さくすることができる。従って表面に電極が存在する場
合に比べてきわめて高い光電変換高率が得られる。この
効果は特に短波長光で著しい。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、電極による光吸収が全
くないフレーム転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動
方法を実現できる。
くないフレーム転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動
方法を実現できる。
【図１】本発明による固体撮像装置の撮像部を示す図で
あり、（ａ）は上面図、（ｂ），（ｃ）はそれぞれ
（ａ）のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図である。
あり、（ａ）は上面図、（ｂ），（ｃ）はそれぞれ
（ａ）のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図である。
【図２】（ａ）は電荷蓄積中のセルの深さ方向の電位分
布を示す図であり、（ｂ）は電荷蓄積を行うための駆動
パルス波形である。
布を示す図であり、（ｂ）は電荷蓄積を行うための駆動
パルス波形である。
【図３】（ａ）は撮像部で電荷転送を行う時のセルの深
さ方向の電位分布を示す図であり、（ｂ）は電荷転送を
行うための駆動波形である。
さ方向の電位分布を示す図であり、（ｂ）は電荷転送を
行うための駆動波形である。
【図４】図３に示した電位分布によって信号電荷が、蓄
積領域をシフトしていく様子を示した図である。
積領域をシフトしていく様子を示した図である。
【図５】従来例を説明するための図である。
１０１ Ｎ型表面層 １０２，１０３，１０４，１０５ Ｐ型蓄積領域 １０７，１０８ Ｎ型バリア層 １０９ Ｐ型制御電極 １１０ Ｎ型分離領域 １１１ Ｎ型基板 ２０３，２０４，２０５，２０６ 電荷蓄積時の電位分
布３０１，３０２ ，３０３，３０４，３０５，３０６ 電
荷転送時の電位分布
布３０１，３０２ ，３０３，３０４，３０５，３０６ 電
荷転送時の電位分布
Claims (3)
- 【請求項１】入射光量に応じた光電変換と光電変換によ
り発生した信号電荷の転送とを行う手段を有する電荷転
送型固体撮像装置において、第１導電型半導体基板の表
面に高濃度の第２導電型半導体を形成し、更にその表面
に高濃度の第１導電型半導体と低濃度の第１導電型半導
体とを電荷の転送方向に交互に繰り返し形成し、前記の
高濃度の第１導電型半導体上に電荷の転送方向に順に低
濃度の第２導電型層と、これよりやや濃度の高い低濃度
の第２導電型層を形成し、更に前記の低濃度の第１導電
型半導体上に電荷の転送方向に順に高濃度の第２導電型
層と、これより更に濃度の高い高濃度の第２導電型層を
形成し、前記低濃度の第２導電型層および前記高濃度の
第２導電型層上に第１導電型表面層を形成し、かつ、前
記第１導電型表面層から前記基板へかけて等間隔に高濃
度の第１の導電型層をスリット状に設けたことを特徴と
する電荷転送型固体撮像装置の撮像部。 - 【請求項２】入射光量に応じた光電変換と光電変換によ
り発生した信号電荷の転送とを行う手段を有する電荷転
送型固体撮像装置において、第１導電型半導体基板の表
面に高濃度の第２導電型半導体よりなる制御電極を形成
し、更にその表面に高濃度の第１導電型半導体よりなる
第１のバリアと低濃度の第１導電型半導体よりなる第２
のバリアとを電荷の転送方向に交互に繰り返し形成し、
前記第１のバリアの上に電荷の転送方向に順に低濃度の
第２導電型層よりなる第１の蓄積領域と、これよりやや
濃度の高い低濃度の第２導電型層よりなる第２の蓄積領
域を形成し、更に前記第２のバリア上に電荷の転送方向
に順に高濃度の第２導電型層よりなる第３の蓄積領域
と、これより更に濃度の高い高濃度の第２導電型層より
なる第４の蓄積領域を形成し、前記蓄積領域上に第１導
電型表面層を形成し、かつ、前記第１導電型表面層から
前記基板へかけて等間隔に高濃度の第１の導電型層より
なる分離領域をスリット状に設けたことを特徴とする電
荷転送型固体撮像装置の撮像部。 - 【請求項３】請求項２記載の電荷転送型固体撮像装置の
駆動方法であって、前記表面層に基準電位を与え、前記
表面層がＮ型の場合、負の電圧を一定期間前記制御電極
に与えて固体撮像装置に光を入射し、発生した正孔を前
記蓄積領域に蓄え、蓄積期間が終わったら、前記制御電
極に前記負の電圧よりやや高い負の電圧と、基準電位よ
り約１ボルト低い電圧を交互に与えることを特徴とする
電荷転送型固体撮像装置の撮像部の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172813A JP2560984B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172813A JP2560984B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730087A JPH0730087A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2560984B2 true JP2560984B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=15948853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5172813A Expired - Lifetime JP2560984B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 電荷転送型固体撮像装置の撮像部とその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560984B2 (ja) |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5172813A patent/JP2560984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730087A (ja) | 1995-01-31 |
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