KR950026023A - 선형 고체영상소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토다이오드영역을 HCCD 영역쪽의 폭이 반대쪽보다 더 큰 사다리꼴 구조로 형성하고 HCCD 영역을 포토다이오의영역쪽으로 길게 연장하여 형성함으로써 전하 전송효율을 극대화시킬수 있는 선형 고체영상소자로서, 제1도전형의 실리콘기판과, 상기 기판의 일측에 형성되고, 일정 접합 깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰과, 상기 기판의 타측에 형성되고, 제1웰보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰과, 상기 제1웰상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리꼴 구조를 갖으며, 제1도전형을 갖는 신호 전하발생용 복수개의 포토다이오드영역과, 포토다이오드영역의 양측 제2웰상에 형성되고 상기 포토다이오드영역쪽으로 연장된 돌출영역을 갖는 제1도전형의 전하전송용 HCCD 영역과, 상기 포토다이오드영역과 HCCD 영역사이의 제1웰상에 형성되고, 시프트 게이트 하부에서 육각형 구조를 갖는복수개의 제2도전형의 시프트 게이트 채널영역과, 각 포토다이오드영역의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층과, 포토다이오드영역과 HCCD 영역사이의 기판상에 형성되고, 포토다이오드영역에서 축적된 전하를 HCCD 영역으로 전송하기 위한 시프트 게이트와, 상기 HCCD 영역 상부의 기판상에 형성되고, 포토다이오드영역에서 전송된 전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트와, 시프트 게이트와 폴리게이트 사이의 기판상에 형성되고, 이들을 절연시켜 주기위한 절연층과, 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역을 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 제1실시예에 따른 선형 고체영상소자의 평면도,
제6도는 제5도의 B-B' 선에 따른 고체영상 소자의 단면도.
Claims (14)
- 제1도전형의 실리콘기판(21)과, 상기 기판(21)의 일측에 형성되고, 일정 접합 깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰(22)과, 상기 기판(21)의 타측에 형성되고, 제1웰(22)보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰(23)과, 상기 제1웰(22)상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리꼴 구조를 갖으며, 제1도전형을 갖는 신호 전하발생용 복수개의 포토다이오드영역(24)과, 포토다이오드영역(24)의 양측 제2웰(23)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)으로 부터의 신호전하를 출력증폭기로 전송하기 위한 제1도전형의 2개 HCCD 영역(25)과, 포토다이오드영역(24)과 HCCD 영역(25)사이의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에 축적된 전하를 HCCD 영역(25)으로 전송하기 위한 시프트 게이트(28)와, 포토다이오드영역(24)과 HCCD 영역(25)사이의 제1웰(22)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28) 하부에서 육각형 구조를 갖는 제2도전형의 시프트 게이트 채널 영역(26)과, 각 포토다이오드영역(24)의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층(27)과, 상기 HCCD 영역(25)상부의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에서 전송된 전하를 출력 증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트(29)와, 시프트 게이트(28)과 폴리게이트(29) 사이의 기판(21)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29)를 절연시켜 주기위한 절연층(30)과, 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역(31)을 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제1항에 있어서, 포토다이오드영역(24)은 시프트 게이트 채널영역(26)과 접하고 있는 측면의 폭이 대응하는 측면의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제1항에 있어서, HCCD 영역(25)은 포토다이오드 배열방향과 동일방향으로 길게 연장된 장방형구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제1항에 있어서, 시프트 게이트(28)의 하부에서 시프트 게이트 채널영역(26)은 일측면이 상기 포토다이오드영역(24)과 접하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)와 인접하는 육각형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제4항에 있어서, 시프트 게이트 채널영역(26)은 상기 포토다이오드영역(24)에 인접한 측면은 상기 포토다이오드영역(24)의 일측면의 폭과 동일하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제1도전형의 실리콘기판(21)과, 상기 기판(21)의 일측에 형성되고, 일정 접합 깊이를 갖는 제2도전형의 제1웰(22)과, 상기 기판(21)의 타측에 형성되고, 제1웰(22)보다 큰 접합깊이를 갖는 제2도전형의 제2웰(23)과, 상기 제1웰(22)상에 선형으로 배열 형성되고, 양측면의 폭이 서로 다르고 길게 연장된 사다리 구조를 갖으며, 제1도전형을 갖는 신호 전하발생용 복수개의 포토다이오드영역(24)과, 포토다이오드영역(24)의 양측 제2웰(23)상에 형성되고, 장방형의 주 HCCD 영역(25-1)과 돌출영역(25-2)을 갖으며, 포토다이오드영역(24)으로 부터의 신호 전하를 출력증폭기로 출력하기 위한 제1도전형의 2개 HCCD 영역(25)과, 포토다이오드영역(24)과 HCCD 영역(25)사이의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에 축적된 전하를 HCCD 영역(25)으로 전송하기 위한 시프트 게이트(28)와, 포토다이오드영역(24)과 HCCD 영역(25)사이의 제1웰(22)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28) 하부에서 육각형 구조를 갖는 제2도전형의 시프트 게이트 채널영역(26)과, 각 포토다이오드영역(24)의 표면상에 형성된 제2도전형의 복수개의 전위장벽 형성층(27)과, 상기 HCCD 영역(25)상부의 기판(21)상에 형성되고, 포토다이오드영역(24)에서 전송된 전하를 출력 증폭기로 전송하기 위한 복수개의 폴리게이트(29)와, 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29)사이의 기판(21)상에 형성되고, 상기 시프트 게이트(28)와 폴리게이트(29)를 절연시켜 주기위한 절연층(30)과, 전위장벽을 형성하여 셀간을 격리시켜 주는 제2도전형의 채널스톱영역(31)을 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제6항에 있어서, 각 HCCD 영역(25)의 주 HCCD 영역(25-1)은 포토다이오드 배열방향과 동일방향으로 길게 연장 형성되고, 돌출영역(25-2)은 주 HCCD 영역(25-1)으로부터 상기 시프트 게이트 채널영역(26)까지 연장 형성된 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제6항에 있어서, HCCD 영역(25)의 돌출영역은 시프트 게이트 채널영역(26)의 폭이 가장 큰 부분까지만 연장된 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제8항에 있어서, HCCD 영역(25)의 돌출영역(25-2)은 시프트 게이트(28)쪽 측면의 폭이 주영역쪽의 측면의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제9항에 있어서, HCCD 영역(25)의 돌출영역(25-2)은 사다리꼴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제10항에 있어서, HCCD 영역(25)의 돌출영역(25-2)은 폴리게이트(29)의 폭보다는 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제11항에 있어서, 시프트 게이트(28)의 하부에서 시프트 게이트 채널영역(26)은 일측면이 상기 포토다이오드영역(24)가 접하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)와 인접하는 육각형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제12항에 있어서, 시프트 게이트 채널영역(26)은 상기 포토다이오드영역(24)에 인접한 측면은 상기 포토다이오드영역(24)의 일측면의 폭과 동일하고, 대응하는 측면은 폴리게이트(29)의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.
- 제6항에 있어서,각 폴리게이트(29)는 HCCD 영역(25)의 돌출영역(25-2) 상부의 기판상에 형성된 제1폴리게이트전극(29-1)과, 상기 HCCD 영역(25)의 주 HCCD 영역(25-1) 상부의 기판상에 형성된 제2폴리게이트 전극(29-2)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 선형 고체영상소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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