KR960006065A - 인터라인 전달 ccd 이미지 센서의 화소배열구조를 가진 고체촬상장치 - Google Patents

인터라인 전달 ccd 이미지 센서의 화소배열구조를 가진 고체촬상장치 Download PDF

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KR960006065A
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Abstract

고체촬상장치는, 제2전도형 축적영역(3) 및 제1전도형 표면층(4)을 가지는 포토다이오드부(30)와, 제2전도형의 매입층(6) 및 복수개의 전달전극(10)을 가지는 수직 CCD 레지스터(32)와, 전달 게이트 전극(20)을 가지는 전달 게이트(31)을 구비한다. 제2전도형 채널 제어 영역(13)은 전달 게이트(31)에 의해 덮혀진 반도체 기판영역의 표면에 제공된다, 전달 게이트의 반도체 기판 영역의 표면 부분에 제2전도형의 채널 제어 영역을 제공함으로서, 축적영역으로부터 매입층으로 전하를 독출하는 전하 독출 채널이 쉽게 형성될 수 있다. 따라서, 독출전압을 감소시키거나 전달 게이트의 게이트 길이를 감소시킬 수 있다.

Description

인터라인 전달 CCD 이미지 센서의 화소배열구조를 가진 고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 실시예의 고체 이미징 장치의 주요부분을 나타내는 단면도.

Claims (3)

  1. 고체촬상장치에 있어서, 반도체 기판(1)의 제1전도형 영역의 표면부에 제공된 제1전도형의 축적영역(3)과 상기 축적영역(3)의 표면에 형성된 제1전도형의 표면층(4)을 포함하는 포토다이오드부(30)와, 상기 제1전도형 영역(2)의 표면부분에 상기 축적영역(3)과 소정의 거리만큼 떨어져서 형성된 제2전도형의 매입층(6)과 상기 매입층(6)과 교차하는 복수개의 전달 전극(10)을 포함하는 수작 CCD 레지스터(32)와, 상기 축적영역(3)과 상기 매입층(6) 사이의 반도체 기판 영역의 표면을 사이에 끼워진 게이트 절연막(9)과 함게 덮고 전달 게이트 전극(20)을 포함하는 전달 게이트(31)와, 상기 전달 게이트(31)에 의해 덮혀진 반도체 기판 영역의 표면에 제공된 제2전도형의 채널 제어 영역(13)을 구비하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전도형은 P형이고 상기 제2전도형은 N형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 축적영역(3)의 저부가 매입층(6)의 저부보다 반도체 기판의 표면에서 더 크에 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019950021950A 1994-07-28 1995-07-24 인터라인 전달 ccd 이미지 센서의 화소배열구조를 가진 고체촬상장치 KR100233185B1 (ko)

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