KR880001065A - 고체촬상소자 - Google Patents

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도시후미 오자끼
히데유끼 오노
심야 오오바
마사아끼 나까이
노리오 고이께
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미따 가쯔시게
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Abstract

내용 없음

Description

고체촬상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 고체촬상소자에 있어서의 수광부의 제1실시예를 도시한 단면도. 제4도는 본 발명에 의한 수광부의 제2실예를 도시한 단면도. 제5도는 본 발명에 의한 수광부의 제3실시예를 도시한 단면도.

Claims (14)

  1. 촬상소자가 제1도전형의 반도체기판(6)과, 상기 반도체기판내의 일표면상에 형성된 제2의 도전형의 제1반도체층(13)과, 상기 제1반도체층내의 상기 표면상에 2차원 형상으로 형성된 복수개의 제1도전형의 제2반도체층(1)과, 상기 제2반도체층과 상기 제1반도체층으로 광전변환소자를 구성하고, 상기 제2반도체층의 적어도 1개에 대응해서, 상기 제1반도체층(13)내의 상기 표면상에 형성된 복수개의 제1도전형의 제3반도체층(3´)과, 상기 제2반도체층과 상기 제3반도체층과의 사이의 상기 반도체기판 표면상에 절연체를 개재해서 배설되고, 십사광에 따라서 상기 광전변환소자에 축적한 전하를 상기 제3반도체층에 전송GK는 복수개의 선택게이트(2)와, 상기 반도체층에 전송된 상기 전하를 외부로 읽어내는 수단(3),(11),(12)으로 이루어지고, 상기 제2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 상기 제3반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이보다 깊은것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 상기 제3반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이보다 깊은 것을 특징으로 하는 고체 촬상소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체층에 접하는 상기 제1반도체층의 불순물 농도는, 상기 제3반도체층에 접하는 상기 제1반도체층의 불순물 농도보다 적은 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체층 하면DP 대항하는 상기 제1반도체층의 아래에 접하여, 제1도전형의 제4반도체층(14)을 가진것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 읽어내기 수단은, 상기 전하를 전송하는 상기 제2반도체층의 각 열(列) 마다에 형성된 상기 제3반도체층을 채널부로하는 복수개의 제1의 CCD 레지스터(3)와, 상기 제1 CCD 레지스터의 일단부에 착설되고, 상기 제1 CCD 레지스터를 전송되어온 상기 전하를 병렬적으로 받아내는 제2 CCD 레지스터(11)와, 상기 제2 CCD 레지스터의 일단부에 착설된 출력증폭기로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체촬성소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 읽어내기 수단은, 상기 제2반도체층의 각각에 대응해서 형성된 복수개의 상기 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 각각에 접속된 신호선(18-1)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체촬성소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층 하면의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 그 일부분에 있어서 얕게되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬성소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층 하면의 상기반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 그 제1반도체층 하면의 주변부의 적어도 일부분에 있어서 얕게되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬성소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층 하면의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 그 제1반도체층 하면의 주변부 전체에 걸쳐서 얕게되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬성소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체층과 상기 제3반도체층으로 이루어진 화소간을 분리하는 수단으로 피일드·플레이트·게이트를 사용한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 피일드·플레이트·게이트를 상기 반도체기판내에 인서어트하여, 상기 제2반도체층을 소오스, 상기 피일드·플레이트·게이트를 게이트, 상기 반도체기판을 드레인으로 하는 MOS 전계효과 트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  12. 촬상소자가 제1도전형의 반도체기판(6)과, 상기 반도체기판내의 일표면상에 형성된 제2도전형의 제1반도체층(13)과, 상기 제1반도체층내의 상기 표면상에 형성된 제1도전형의 제2반도체층(15)과, 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층으로 광전변환 소자를 구성하고, 상기 제2반도체층내의 상기 표면상에 형성된 복수개의 제2도전형의 제3반도체층(5)과, 상기 제3반도체층내의 상기 표면상에 형성된 복수개의 제1도전형의 제4반도체층(3´)과, 상기 제2반도체층과 상기 제4반도체층과의 사이의 상기 반도체기판 표면상에 절연체를 개재하여 배설되고, 입사광에 따라서 상기 광전변환소자에 축적한 전하를 상기 제4반도체층으로 전송하는 복수개의 선택 게이트와, 상기 제4반도체층에 전송된 상기 전하를 외부로 읽어내는 수단(3), (11), (12)으로 이루어진 고체촬상소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 상기 제3반도체층 사이에서 얕게 되어있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2반도체층은 상기 제1반도체층내의 상기 표면상에 2차원형상으로 복수개 형성되어있고, 서로, 상기 제1반도체층으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005876A 1986-06-12 1987-06-10 고체 촬상소자 KR900007304B1 (ko)

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JP134915 1986-06-12
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