JPS63152166A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS63152166A JPS63152166A JP61298942A JP29894286A JPS63152166A JP S63152166 A JPS63152166 A JP S63152166A JP 61298942 A JP61298942 A JP 61298942A JP 29894286 A JP29894286 A JP 29894286A JP S63152166 A JPS63152166 A JP S63152166A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/148—Charge coupled imagers
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子に係り、特に、光利用率を向上
し、ブルーミング現象を抑圧し得る固体撮像素子に関す
る。
し、ブルーミング現象を抑圧し得る固体撮像素子に関す
る。
第３図は、従来のインターライン型ＣＣＤ （チャージ
・カブルド・デヴアイス（Ｃｈａｒｙｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ） ）固体撮像素子の一例を示す構成回
路図である。
・カブルド・デヴアイス（Ｃｈａｒｙｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ） ）固体撮像素子の一例を示す構成回
路図である。
図において、１はｐｎｆｆ２合ダイオードなどからなる
ホトダイオード（光電変換素子）、３は電荷を垂直方向
に転送するための垂直ＣＣＤレジスタ。
ホトダイオード（光電変換素子）、３は電荷を垂直方向
に転送するための垂直ＣＣＤレジスタ。
２はホトダイオード１から爪面ＣＣＤレジスタ３への信
号の流れを制御する選択ゲート、５は出力アンプ、４は
垂直ＣＣＤレジスタ３からの信号を出力アンプ５へ転送
する水平ＣＣＤレジスタである。通常、垂直ＣＣＤレジ
スタは、４相クロツクにより駆動される。また、６〜９
は垂直ＣＣＤレジスタ３の４相クロツク配線であり、６
および８は選択ゲート２のゲート配線を兼ねている。ホ
トダイオード１に蓄積された電荷は１選択ゲート２、垂
直ＣＣＤレジスタ３、水平ＣＣＤレジスタ４および出力
アンプ５からなる読み出し手段を介して読み出される。
号の流れを制御する選択ゲート、５は出力アンプ、４は
垂直ＣＣＤレジスタ３からの信号を出力アンプ５へ転送
する水平ＣＣＤレジスタである。通常、垂直ＣＣＤレジ
スタは、４相クロツクにより駆動される。また、６〜９
は垂直ＣＣＤレジスタ３の４相クロツク配線であり、６
および８は選択ゲート２のゲート配線を兼ねている。ホ
トダイオード１に蓄積された電荷は１選択ゲート２、垂
直ＣＣＤレジスタ３、水平ＣＣＤレジスタ４および出力
アンプ５からなる読み出し手段を介して読み出される。
第２図は、第３図に示した従来のインターライン型ＣＣ
Ｄ固体撮像素子のホトダイオード部の溝造を示す概略断
面図である。
Ｄ固体撮像素子のホトダイオード部の溝造を示す概略断
面図である。
図において、１２はｎ型Ｓｉ（シリコン）基板。
１３はｎ型Ｓｉ基板１２内に形成されたＰ型不純物層、
１１はｎ型不純物層１３の中に形成されたｎ型不純物層
であり、ｐ型不純物層】３とｎ型不純物層１１によりｐ
ｎ接合ホトダイオード（第３図のホトダイオード１）が
構成される。入射光によって発生した電荷は、ｎ型不純
物層１１に蓄積される。１４は垂直ＣＣＤレジスタ３の
転送電極を兼ねた選択ゲート２．１５は垂直ＣＣＤレジ
スタ３のチャネル部を構成するｎ型不純物層で、ｎ型不
純物層１１に蓄積された光信号電荷は、選択ゲート１４
によって垂直ＣＣＤレジスタ３のｎ型不純物層１５に転
送される。
１１はｎ型不純物層１３の中に形成されたｎ型不純物層
であり、ｐ型不純物層】３とｎ型不純物層１１によりｐ
ｎ接合ホトダイオード（第３図のホトダイオード１）が
構成される。入射光によって発生した電荷は、ｎ型不純
物層１１に蓄積される。１４は垂直ＣＣＤレジスタ３の
転送電極を兼ねた選択ゲート２．１５は垂直ＣＣＤレジ
スタ３のチャネル部を構成するｎ型不純物層で、ｎ型不
純物層１１に蓄積された光信号電荷は、選択ゲート１４
によって垂直ＣＣＤレジスタ３のｎ型不純物層１５に転
送される。
また、１６は素子分離用絶縁膜、１７は層間絶縁膜であ
り、これらはＳｉＯ２等の絶縁物からなる。１８はチャ
ネルストップ用のｐ型不純物層、１９は層間絶縁膜１７
の上面に設けられ、垂直ＣＯＤレジスタ３への光入射を
防止するための遮光膜であり、例えば晟からなる。なお
、２４．２５．２６．２８．２９は隣のホトダイオード
部（第３図においては、横隣のホトダイオード）の各要
素であり、それぞれ１４．１５．１６．１８．１９と対
応する。
り、これらはＳｉＯ２等の絶縁物からなる。１８はチャ
ネルストップ用のｐ型不純物層、１９は層間絶縁膜１７
の上面に設けられ、垂直ＣＯＤレジスタ３への光入射を
防止するための遮光膜であり、例えば晟からなる。なお
、２４．２５．２６．２８．２９は隣のホトダイオード
部（第３図においては、横隣のホトダイオード）の各要
素であり、それぞれ１４．１５．１６．１８．１９と対
応する。
このような構成の固体撮像素子では、ブルーミング現象
、（すなわち、ホトダイオードに強い光が入射した時、
ホトゲートが非選択時でも垂直ＣＯＤレジスタに不用な
過剰電荷があふれ出し、混入する現象）を抑圧するため
に、ｎ型不純物層１１、ｎ型不純物層１３、ｎ型基板１
２からなるｎｐｎトランジスタのパンチスルー現象を利
用したオーバーフロー・ドレイン構造が採られている。
、（すなわち、ホトダイオードに強い光が入射した時、
ホトゲートが非選択時でも垂直ＣＯＤレジスタに不用な
過剰電荷があふれ出し、混入する現象）を抑圧するため
に、ｎ型不純物層１１、ｎ型不純物層１３、ｎ型基板１
２からなるｎｐｎトランジスタのパンチスルー現象を利
用したオーバーフロー・ドレイン構造が採られている。
オーバーフロー構造の動作原理については、１９８３年
テレビジョン学会全国大会予稿集第６３〜６４頁「縦型
オーバーフロー構造ＣＣＤイメージセンサのブルーミン
グ抑制機構」に記載されている。すなわち。
テレビジョン学会全国大会予稿集第６３〜６４頁「縦型
オーバーフロー構造ＣＣＤイメージセンサのブルーミン
グ抑制機構」に記載されている。すなわち。
ホトダイオード１に強い光が入射したときに、過剰電荷
を基板１２側に流し、垂直ＣＣＤレジスタ３の方へあふ
れ出すのを防止するものである。
を基板１２側に流し、垂直ＣＣＤレジスタ３の方へあふ
れ出すのを防止するものである。
このオーバーフロー・ドレイン構造を効率良く動作させ
るには、ホトダイオード１を構成するｎ型不純物層１１
の下部のｎ型不純物層１３を完全に空乏化させることが
必要である。したがって、従来の素子では、ｎ型不純物
層１１の下部のｎ型不純物層１３の深さを浅くすること
により、ｎ型不純物層１３を空乏化し易くしていた。す
なわち、ホトダイオード１に強い光が入射しても、ｎ型
不純物層１３の深さが浅くなっているので、パンチスル
ー現象により過剰電荷は基板１２側に流れ、垂直ＣＯＤ
レジスタ３の方へあふれ出すブルーミング現象を防止す
る構造である。なお、この従来の固体撮像素子へおける
ホトダイオード部に生じる空乏層をｄ。
るには、ホトダイオード１を構成するｎ型不純物層１１
の下部のｎ型不純物層１３を完全に空乏化させることが
必要である。したがって、従来の素子では、ｎ型不純物
層１１の下部のｎ型不純物層１３の深さを浅くすること
により、ｎ型不純物層１３を空乏化し易くしていた。す
なわち、ホトダイオード１に強い光が入射しても、ｎ型
不純物層１３の深さが浅くなっているので、パンチスル
ー現象により過剰電荷は基板１２側に流れ、垂直ＣＯＤ
レジスタ３の方へあふれ出すブルーミング現象を防止す
る構造である。なお、この従来の固体撮像素子へおける
ホトダイオード部に生じる空乏層をｄ。
ｄ′で示す。ｄはｎ型不純物層１１とｎ型不純物層１３
とのｐｎ接合によって生じる空乏層、ｄ′はｐ型不純物
ｆｆ１３とｎ型基板１２とのｐｎ接合によって生じる空
乏層である。
とのｐｎ接合によって生じる空乏層、ｄ′はｐ型不純物
ｆｆ１３とｎ型基板１２とのｐｎ接合によって生じる空
乏層である。
しかし、ホトダイオード１の、下部のｎ型不純物層１３
の深さを浅くすると、ホトダイオード１の空乏層が減少
するので光感度の低下をもたらしていた。
の深さを浅くすると、ホトダイオード１の空乏層が減少
するので光感度の低下をもたらしていた。
このように、従来技術においては、ブルーミング現象の
抑圧についてはかなり効果があるが、光感度の点につい
て配慮がされておらず、光感度が低下する問題があった
。
抑圧についてはかなり効果があるが、光感度の点につい
て配慮がされておらず、光感度が低下する問題があった
。
本発明の目的は、光感度が高く、かつブルーミング現象
を十分抑圧できる固体撮像素子を提供することにある。
を十分抑圧できる固体撮像素子を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、第１導電型半導
体基板上に形成された第２導電型の不純物層内に、二次
元状に配列された光電変換素子と、上記光電変換素子に
蓄積した電荷を読み出す手段とを有する固体撮像索子に
おいて、上記光電変換素子の下部の上記不純物層の深さ
が、上記光電変換素子の周辺部の少なくとも一部におい
て上記光電変換素子の中央部よりも浅くなっていること
を特徴とする。
体基板上に形成された第２導電型の不純物層内に、二次
元状に配列された光電変換素子と、上記光電変換素子に
蓄積した電荷を読み出す手段とを有する固体撮像索子に
おいて、上記光電変換素子の下部の上記不純物層の深さ
が、上記光電変換素子の周辺部の少なくとも一部におい
て上記光電変換素子の中央部よりも浅くなっていること
を特徴とする。
なお、上記不純物層を浅くする箇所は、光電変換素子の
周辺部全体にわたってもよいし、該周辺部の一部だけで
もよい。
周辺部全体にわたってもよいし、該周辺部の一部だけで
もよい。
このように、光電変換素子の中央部の下部の不純物層の
深さを深くすることにより、光電変換素子の中央部にお
ける空乏層の深さを深くすることができるので、光電変
換素子の光感度を大きくすることができる。
深さを深くすることにより、光電変換素子の中央部にお
ける空乏層の深さを深くすることができるので、光電変
換素子の光感度を大きくすることができる。
一方、光電変換素子の周辺部の少なくとも一部の下部の
不純物層を浅くすることにより、光電変換素子に強い光
が入射しても、完全に空乏化され得る上記光電変換素子
の周辺部の下部の深さの浅い不純物層部分を経由して、
過剰電荷が基板側に流れるので、ブルーミング現象を防
止することができる。
不純物層を浅くすることにより、光電変換素子に強い光
が入射しても、完全に空乏化され得る上記光電変換素子
の周辺部の下部の深さの浅い不純物層部分を経由して、
過剰電荷が基板側に流れるので、ブルーミング現象を防
止することができる。
実施例 １
第１図は、本発明の第１の実施例のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の断面構造を示す
概略図である。なお、固体撮像素子の回路図は、第３図
に示したものと同様である。
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の断面構造を示す
概略図である。なお、固体撮像素子の回路図は、第３図
に示したものと同様である。
第１図において、第２図と同一の符号のものは、同一の
部分を示す。すなわち、符号１１〜２９は第２図におけ
る１１〜２９と同じものであるが、Ｐ型不純物Ｆ！Ｊ１
３の深さの浅くなった位置が第２図の従来の素子と異な
る。また、第２図と同様に、第１図中、ｄはｎ型不純物
層１１とｐ型不純物層１３とのｐｎ接合によって生じる
空乏層、ｄ′はｐ型不純物層１３とｎ型基板１２とのｐ
ｎ接合によって生じる空乏層を示す。
部分を示す。すなわち、符号１１〜２９は第２図におけ
る１１〜２９と同じものであるが、Ｐ型不純物Ｆ！Ｊ１
３の深さの浅くなった位置が第２図の従来の素子と異な
る。また、第２図と同様に、第１図中、ｄはｎ型不純物
層１１とｐ型不純物層１３とのｐｎ接合によって生じる
空乏層、ｄ′はｐ型不純物層１３とｎ型基板１２とのｐ
ｎ接合によって生じる空乏層を示す。
本実施例の固体撮像索子においては、ホトダイオードを
構成するｎ型不純物層１１の下部のｐ型不純物層１３の
深さが、図示のごとくホトダイオード１の周辺部の一部
においてホトダイオード１のｎ型不純物ＷＪ１１の中央
部よりも浅くなっている。
構成するｎ型不純物層１１の下部のｐ型不純物層１３の
深さが、図示のごとくホトダイオード１の周辺部の一部
においてホトダイオード１のｎ型不純物ＷＪ１１の中央
部よりも浅くなっている。
この構成により、光電変換に寄与するホトダイオード１
の中央部の空乏層深さを深くすることができ、光感度を
向上を図ることができる。すなわち、本図中に示した本
実施例の光利用率Ｐ、の方が、第２図に示した従来の光
利用率Ｐ２よりも大きいことは、両者を比較することに
より明らかである。また、それと同時に、ホトダイオー
ド１の周辺部において、ｎ型不純物層１１、Ｐ型不純物
層１３、ｎ型基板１２から構成されるｎｐｎトランジス
タのパンチスルー現象を利用して、完全に空乏化される
ｐ型不純物層１３の上記深さの浅い部分を介して過剰電
荷を基板１２側へ流し、垂直ＣＯＤレジスタ３へ混入す
るのを防止できるので、ブルーミング現象を十分抑圧す
ることができる。
の中央部の空乏層深さを深くすることができ、光感度を
向上を図ることができる。すなわち、本図中に示した本
実施例の光利用率Ｐ、の方が、第２図に示した従来の光
利用率Ｐ２よりも大きいことは、両者を比較することに
より明らかである。また、それと同時に、ホトダイオー
ド１の周辺部において、ｎ型不純物層１１、Ｐ型不純物
層１３、ｎ型基板１２から構成されるｎｐｎトランジス
タのパンチスルー現象を利用して、完全に空乏化される
ｐ型不純物層１３の上記深さの浅い部分を介して過剰電
荷を基板１２側へ流し、垂直ＣＯＤレジスタ３へ混入す
るのを防止できるので、ブルーミング現象を十分抑圧す
ることができる。
実施例 ２
第４図は、本発明の第２の実施例のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
図において、１０および２０は１３と同様のｐ型不純物
層であり、その他の要素は第１図の要素と同様である。
層であり、その他の要素は第１図の要素と同様である。
これらのｐ型不純物層１０．２０はｐ型不純物層１３と
同様に、それぞれマスクを用いたｐ型不純物ドープによ
って形成する。
同様に、それぞれマスクを用いたｐ型不純物ドープによ
って形成する。
一般に、垂直ＣＣＤレジスタ３のチャネル部を構成する
ｎ型不純物層１５．２５の電位は、ホトダイオード１の
ｎ型不純物層１１の電位より高くなる。
ｎ型不純物層１５．２５の電位は、ホトダイオード１の
ｎ型不純物層１１の電位より高くなる。
そこで、垂直ＣＣＤレジスタ３からの空乏層の拡がりを
防止するために、ｎ型不純物層１５あるいは２５を取り
囲むｐ型不純物層１０．２０の不純物濃度をｐ型不純物
層１３の不純物濃度より大きくするとよい。これにより
、ホトダイオード１の周辺部に漏れ込んだ光によって発
生する不用な過剰電荷が、垂直ＣＣＤレジスタ３のｎ型
不純物層１５．２５へ拡散するのをより効果的に抑圧で
きる。
防止するために、ｎ型不純物層１５あるいは２５を取り
囲むｐ型不純物層１０．２０の不純物濃度をｐ型不純物
層１３の不純物濃度より大きくするとよい。これにより
、ホトダイオード１の周辺部に漏れ込んだ光によって発
生する不用な過剰電荷が、垂直ＣＣＤレジスタ３のｎ型
不純物層１５．２５へ拡散するのをより効果的に抑圧で
きる。
なお、本実施例においても、ホトダイオード１の中央部
の下部のｐ型不純物層１３の深さを深くでき、中央部に
おける空乏層の深さを深くできるので、ホトダイオード
１の光感度を大きくすることができると同時に、ホトダ
イスート１の周辺部の一部の下部のｐ型不純物層１３が
浅くなっているので、ブルーミング現象を十分抑圧でき
る。
の下部のｐ型不純物層１３の深さを深くでき、中央部に
おける空乏層の深さを深くできるので、ホトダイオード
１の光感度を大きくすることができると同時に、ホトダ
イスート１の周辺部の一部の下部のｐ型不純物層１３が
浅くなっているので、ブルーミング現象を十分抑圧でき
る。
実施例 ３
第５図は、本発明の第３の実施例のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
本実施例は、基本的には第４図に示した実施例のものと
同じであるが、第４図における素子分離用絶１１Ｑ１６
．２６、およびチャネルストップ用Ｐ型不純物層１８．
２８から構成されるチャネルストップ領域を除いて、垂
直ＣＣＤレジスタ３の選択ゲート１４．２４をその代用
としたものである。
同じであるが、第４図における素子分離用絶１１Ｑ１６
．２６、およびチャネルストップ用Ｐ型不純物層１８．
２８から構成されるチャネルストップ領域を除いて、垂
直ＣＣＤレジスタ３の選択ゲート１４．２４をその代用
としたものである。
また、本実施例では、ｎ型不純物層１１の周辺部の下部
の全体にわたってｐ型不純物層１３が、その中央部下部
より浅く形成されているが、上記第１、第２の実施例と
同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
の全体にわたってｐ型不純物層１３が、その中央部下部
より浅く形成されているが、上記第１、第２の実施例と
同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
実施例 ４
第６図は、本発明の第４の実施例のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
本実施例は、第５図の実施例における垂直ＣＯＤレジス
タ３の選択ゲート１４．２４を、垂直クロックゲート１
４′、２４′と選択ゲート３４ならびにフィールド・プ
レート・ゲート４４．５４に分離して形成したものであ
る。
タ３の選択ゲート１４．２４を、垂直クロックゲート１
４′、２４′と選択ゲート３４ならびにフィールド・プ
レート・ゲート４４．５４に分離して形成したものであ
る。
本実施例においても、上記のすべての実施例と同様の効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
実施例 ５
第７図は、本発明の第５の実施例のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。
本実施例は、第６図の実施例におけるフィールド・プレ
ート・ゲート４４．５４を、図示のごとく、埋め込み型
ゲート６４．７４とすることにより、縦型ＭＯ５電界効
果トランジスタを構成している。すなわち、ｎ型不純物
層１１をソース、埋め込み型ゲート６４．７４をゲート
、ｎ型基板１２をドレインとする縦型ＭＯ８電界効果ト
ランジスタを構成することができる。第１図、第４図〜
第６図に示した実施例では、縦型パンチスルー・トラン
ジスタを利用してブルーミング現象の抑圧を図っている
が、本実施例では縦型ＭＯ３電界効果トランジスタを用
いてブルーミング現象の抑圧を可能としている。
ート・ゲート４４．５４を、図示のごとく、埋め込み型
ゲート６４．７４とすることにより、縦型ＭＯ５電界効
果トランジスタを構成している。すなわち、ｎ型不純物
層１１をソース、埋め込み型ゲート６４．７４をゲート
、ｎ型基板１２をドレインとする縦型ＭＯ８電界効果ト
ランジスタを構成することができる。第１図、第４図〜
第６図に示した実施例では、縦型パンチスルー・トラン
ジスタを利用してブルーミング現象の抑圧を図っている
が、本実施例では縦型ＭＯ３電界効果トランジスタを用
いてブルーミング現象の抑圧を可能としている。
本実施例も、ホトダイオード１の下部のｐ型不純物層１
３の深さを深くできるので、光感度を向上できる。
３の深さを深くできるので、光感度を向上できる。
実施例 ６
第８図は、本発明の第６の実施例のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。第１図、第４図〜第７図は、第３図の回路図におい
て横方向に隣接するホトダイオード部を示したが、第８
図は、第３図の回路図において上下方向に隣接するホト
ダイオード部を示したものである。
ＣＤ固体撮像素子のホトダイオード部の概略断面図であ
る。第１図、第４図〜第７図は、第３図の回路図におい
て横方向に隣接するホトダイオード部を示したが、第８
図は、第３図の回路図において上下方向に隣接するホト
ダイオード部を示したものである。
図において、符号１２．１３．１７は第１図の同符号の
ものと同じである。各ホトダイオードのｎ型不純物層１
１ａ、ｌｌｂに過剰に溜った電子は、垂直ＣＣＤレジス
タ３のクロック配線１４ａ〜１４ｄ （第３図の符号６
〜８に対応する）の下部の半導体躯板表面（ｐ型不純物
層１３の表面）に集められ、一旦集められた電子は、ホ
トダイオード部の下部の周辺部のｐ型不純物Ｗ１１３の
浅い部分からｎ型基板１２に効率よく吸い出される。
ものと同じである。各ホトダイオードのｎ型不純物層１
１ａ、ｌｌｂに過剰に溜った電子は、垂直ＣＣＤレジス
タ３のクロック配線１４ａ〜１４ｄ （第３図の符号６
〜８に対応する）の下部の半導体躯板表面（ｐ型不純物
層１３の表面）に集められ、一旦集められた電子は、ホ
トダイオード部の下部の周辺部のｐ型不純物Ｗ１１３の
浅い部分からｎ型基板１２に効率よく吸い出される。
なお、以上の第１〜６の実施例においては、ｎチャネル
素子を例に挙げて説明したが、ｐチャネル素子に適用し
てもよいことは言うまでもない。
素子を例に挙げて説明したが、ｐチャネル素子に適用し
てもよいことは言うまでもない。
また、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で１ＭＯ８型固
体撮像素子等、ＣＣＤ固体撮像素子以外への適用も可能
である。
体撮像素子等、ＣＣＤ固体撮像素子以外への適用も可能
である。
以上説明したように、本発明は、光電変換素子の下部の
上記不純物層の深さを、光電変換素子の周辺部の少なく
とも一部において上記光電変換素子の中央部よりも浅く
することにより、光感度が優れ、かつブルーミング現象
を十分抑圧可能な固体撮像素子を実現できる。
上記不純物層の深さを、光電変換素子の周辺部の少なく
とも一部において上記光電変換素子の中央部よりも浅く
することにより、光感度が優れ、かつブルーミング現象
を十分抑圧可能な固体撮像素子を実現できる。
第１図は本発明の一実施例のインターライン型ＣＣＤ固
体撮像素子のホトダイオード部の断面図、第２図は従来
例のインターライン型ＣＣＤ固体撮像素子のホトダイオ
ード部の断面図、第３図はインターライン型ＣＣＤ固体
撮像素子の回路構成図、第４図〜第８図は、それぞれ本
発明の別の実施例のインターライン型ＣＣＤ固体撮像素
子のホトダイオード部の断面図である。 １・・・ホトダイオード ２・・・選択ゲート ３・・・爪直ＣＣＤレジスタ ４・・・水平ＣＣＤレジスタ ５・・・出力アンプ ６〜９．１４ａ〜１４ｄ・・・４相クロツク配線１０．
２０・・・ｐ型不純物層 １１、ｌｌａ、１ｌｂ−ｎ型不純物層 １２・・・ｎ型Ｓｉ基板 １３・・・Ｐ型不純物層 １４．２４．３４・・・垂直ＣＣＤレジスタの選択ゲー
ト１４′、２４′・・・垂直クロックゲート１５．２５
・・・ｎ型不純物層（垂直ＣＣＤレジスタのチャネル部
） １６．２６・・・素子分離用絶８膜 １７・・・層間絶縁膜 １８．２８・・・チャネルストップ用ｐ型不純物層１９
、２９・・・遮光膜 ４４．５４・・・フィールド・プレート・ゲート６４．
７４・・・埋め込み型ゲート 代理人弁理士 中 村 純之助 才１図 １’２図 １９足尤脹 ３ ｔ’Ｊ！ ＣＣＤＬ’ｙ’ズ７ ４７Ｉ＜すｃｃｏｂし“ズタ ５出力アレフ。 第４ 図 １Ｐ５図（ 矛６図 す７図 １ソ ｉｔ膠 十８昧１ １１ａ、ｂ ｎ型圧、ｉｔｔ’ｙｔｔ３１２ ンし
唱ＺＳノ°基１１才 ＋３ ｒｖ杉は帽
体撮像素子のホトダイオード部の断面図、第２図は従来
例のインターライン型ＣＣＤ固体撮像素子のホトダイオ
ード部の断面図、第３図はインターライン型ＣＣＤ固体
撮像素子の回路構成図、第４図〜第８図は、それぞれ本
発明の別の実施例のインターライン型ＣＣＤ固体撮像素
子のホトダイオード部の断面図である。 １・・・ホトダイオード ２・・・選択ゲート ３・・・爪直ＣＣＤレジスタ ４・・・水平ＣＣＤレジスタ ５・・・出力アンプ ６〜９．１４ａ〜１４ｄ・・・４相クロツク配線１０．
２０・・・ｐ型不純物層 １１、ｌｌａ、１ｌｂ−ｎ型不純物層 １２・・・ｎ型Ｓｉ基板 １３・・・Ｐ型不純物層 １４．２４．３４・・・垂直ＣＣＤレジスタの選択ゲー
ト１４′、２４′・・・垂直クロックゲート１５．２５
・・・ｎ型不純物層（垂直ＣＣＤレジスタのチャネル部
） １６．２６・・・素子分離用絶８膜 １７・・・層間絶縁膜 １８．２８・・・チャネルストップ用ｐ型不純物層１９
、２９・・・遮光膜 ４４．５４・・・フィールド・プレート・ゲート６４．
７４・・・埋め込み型ゲート 代理人弁理士 中 村 純之助 才１図 １’２図 １９足尤脹 ３ ｔ’Ｊ！ ＣＣＤＬ’ｙ’ズ７ ４７Ｉ＜すｃｃｏｂし“ズタ ５出力アレフ。 第４ 図 １Ｐ５図（ 矛６図 す７図 １ソ ｉｔ膠 十８昧１ １１ａ、ｂ ｎ型圧、ｉｔｔ’ｙｔｔ３１２ ンし
唱ＺＳノ°基１１才 ＋３ ｒｖ杉は帽
Claims (1)
- １、第１導電型半導体基板上に形成された第２導電型の
不純物層内に、二次元状に配列された光電変換素子と、
上記光電変換素子に蓄積した電荷を読み出す手段とを有
する固体撮像素子において、上記光電変換素子の下部の
上記不純物層の深さが、上記光電変換素子の周辺部の少
なくとも一部において上記光電変換素子の中央部よりも
浅くなっていることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298942A JPS63152166A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 固体撮像素子 |
| US07/058,825 US4814848A (en) | 1986-06-12 | 1987-06-05 | Solid-state imaging device |
| KR1019870005876A KR900007304B1 (ko) | 1986-06-12 | 1987-06-10 | 고체 촬상소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298942A JPS63152166A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152166A true JPS63152166A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17866179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298942A Pending JPS63152166A (ja) | 1986-06-12 | 1986-12-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63152166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022677A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0272597U (ja) * | 1988-11-22 | 1990-06-01 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298942A patent/JPS63152166A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022677A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0272597U (ja) * | 1988-11-22 | 1990-06-01 |
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