JPS5833373A - 半導体撮像装置 - Google Patents
半導体撮像装置Info
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- JPS5833373A JPS5833373A JP56132364A JP13236481A JPS5833373A JP S5833373 A JPS5833373 A JP S5833373A JP 56132364 A JP56132364 A JP 56132364A JP 13236481 A JP13236481 A JP 13236481A JP S5833373 A JPS5833373 A JP S5833373A
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- Japan
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- semiconductor
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体撮像装置の改良に関するものである。
第１図はｐｎ接合フォトダイオードアレイから表る従来
の半一体撮傷装置を示す断面図で、＋’ｌ）はｐ形シリ
コン基板、（２）はその上に形成され所望領域以外を除
去したヱ酸化シリコン（Ｓｉ’０２）膜、（３ａ）。
の半一体撮傷装置を示す断面図で、＋’ｌ）はｐ形シリ
コン基板、（２）はその上に形成され所望領域以外を除
去したヱ酸化シリコン（Ｓｉ’０２）膜、（３ａ）。
（３ｂ）はこのｓｔｏ、’ Ｒ（２１をマスクとしてｎ
形不純物を熱拡散またばイオン注入し電形成したｎ影領
域、（４）はｎ影領域（３ａ）、 （３ｂ）からｐ形シ
リコン基板（１）側へ広がる゛空乏層である。
形不純物を熱拡散またばイオン注入し電形成したｎ影領
域、（４）はｎ影領域（３ａ）、 （３ｂ）からｐ形シ
リコン基板（１）側へ広がる゛空乏層である。
−との装置では周知のように、その一部、例えばｎ影領
域（３ａ）に光が照射されると、その部分のみのｐ・接
合が導通し、像・１抵信号の一換ができるのである。
域（３ａ）に光が照射されると、その部分のみのｐ・接
合が導通し、像・１抵信号の一換ができるのである。
ところが、この従来装置の構造では、その一部のｎ影領
域（３ａ）に、図示実線矢印りのように強い光が入射し
たときその部分の受光素子で過剰の担体Ｑが発生し、図
示一点鎖線矢印のように隣接するｎ影領域（３ｂ Ｘｈ
らなる受光素子に注入されるようになる０その結果、実
際には光の入射しない受光素子もあたかも光が入射した
かのような電気信号を発生し、いわゆるプルーミング現
象を生じ、画質の低下をきたす。また、これを補償する
ために外部回路的な対策が検討されているが、満足な効
果を得ることは困難である。
域（３ａ）に、図示実線矢印りのように強い光が入射し
たときその部分の受光素子で過剰の担体Ｑが発生し、図
示一点鎖線矢印のように隣接するｎ影領域（３ｂ Ｘｈ
らなる受光素子に注入されるようになる０その結果、実
際には光の入射しない受光素子もあたかも光が入射した
かのような電気信号を発生し、いわゆるプルーミング現
象を生じ、画質の低下をきたす。また、これを補償する
ために外部回路的な対策が検討されているが、満足な効
果を得ることは困難である。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもることに
よってプルーミング現象の少ない半導体撮像装置を提供
することを目的としている。
よってプルーミング現象の少ない半導体撮像装置を提供
することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例を示す断面図で、以下第１
図の従来例と同等部分は同一符号で示し、その説明は省
略する。図において、（５）はｐ形シリコン基板（１）
の表面の所要部分に選択熱拡散またはイオン注入で形成
されたｎ形埋込み層、（６）はこの埋込み層（６）の上
を含めてｐ形シリコン基板（１）の上に２〜２０μｍの
厚さに形成されたｐ形エピタキシャル成長層、（７）は
ｐ形エピタキシャル成長層（６）の表面から選択熱拡散
によってｎ形埋込み層（６）に到達するようく形成され
たｎ＋形コンタクト領域である。以下、Ｓ１０□膜（２
）およびｎ影領域（３１Ｌ）、 （３ｂ）はこの実施例
の場合はｐ形エピタキシャル成長層（６）の表面部に形
成される。
図の従来例と同等部分は同一符号で示し、その説明は省
略する。図において、（５）はｐ形シリコン基板（１）
の表面の所要部分に選択熱拡散またはイオン注入で形成
されたｎ形埋込み層、（６）はこの埋込み層（６）の上
を含めてｐ形シリコン基板（１）の上に２〜２０μｍの
厚さに形成されたｐ形エピタキシャル成長層、（７）は
ｐ形エピタキシャル成長層（６）の表面から選択熱拡散
によってｎ形埋込み層（６）に到達するようく形成され
たｎ＋形コンタクト領域である。以下、Ｓ１０□膜（２
）およびｎ影領域（３１Ｌ）、 （３ｂ）はこの実施例
の場合はｐ形エピタキシャル成長層（６）の表面部に形
成される。
この実施例装置の動作は従来装置と同様に、儂・電気信
号の変換が可能である。そして、この実施例ではｐ形エ
ピタキシャル成長層（６）とｎ形埋込み層（５）との間
のｐｎ接合に逆方向電圧を印加しておくと、第２図に示
したように強い光りが入射したｎ影領域（３ａ）で構成
される受光素子で発生した過剰担体Ｑはｎ形埋込み層（
６）に吸収され、隣接する受光素子への注入量を著しく
減少させることができる。
号の変換が可能である。そして、この実施例ではｐ形エ
ピタキシャル成長層（６）とｎ形埋込み層（５）との間
のｐｎ接合に逆方向電圧を印加しておくと、第２図に示
したように強い光りが入射したｎ影領域（３ａ）で構成
される受光素子で発生した過剰担体Ｑはｎ形埋込み層（
６）に吸収され、隣接する受光素子への注入量を著しく
減少させることができる。
第３図はこの発明の他の実施例を示す断面図で、第２図
の実施例におけるｐ形シリコン基板１０およびｎ形埋込
み層（６）の代りに、ｎ形シリコン基板（８）を用いた
もので、ｐ形エピタキシャル成長層（８１とｎ形シリコ
ン基板（８）との間のｐｎ接合を逆バイアスさせておく
ことによって、第２図の実施例と全く同様の効果が得ら
れる。ただし、第３図の実施例では上記逆バイアスｐｎ
接合の逆耐圧を確保するためにその端面（図では一方の
端面のみを示しである。）をフッ酸などでメサエッチン
グを施しである。
の実施例におけるｐ形シリコン基板１０およびｎ形埋込
み層（６）の代りに、ｎ形シリコン基板（８）を用いた
もので、ｐ形エピタキシャル成長層（８１とｎ形シリコ
ン基板（８）との間のｐｎ接合を逆バイアスさせておく
ことによって、第２図の実施例と全く同様の効果が得ら
れる。ただし、第３図の実施例では上記逆バイアスｐｎ
接合の逆耐圧を確保するためにその端面（図では一方の
端面のみを示しである。）をフッ酸などでメサエッチン
グを施しである。
以上詳述したように、この発明になる半導体撮像装置で
は、第１伝導形半導体層とその表面部に形成された複数
個の第２伝導形領域のそれぞれとで構成されるフォトダ
イオードを絵素受光素子とするとともに、上記各第２伝
導形領域に共通に近接して別個の第２伝導形層を設け、
上記第１伝導形半導体層との間Ｋｐｎ接合を形成させ、
このｐｎ接合に逆方向電圧を印加することによって、光
入力を受けた絵素受光素子からの過剰担体を吸収して、
隣接する絵素受光素子へ注入されるのを防止するように
したので、プルーミング現象のない半導体撮像装置が実
現できる。
は、第１伝導形半導体層とその表面部に形成された複数
個の第２伝導形領域のそれぞれとで構成されるフォトダ
イオードを絵素受光素子とするとともに、上記各第２伝
導形領域に共通に近接して別個の第２伝導形層を設け、
上記第１伝導形半導体層との間Ｋｐｎ接合を形成させ、
このｐｎ接合に逆方向電圧を印加することによって、光
入力を受けた絵素受光素子からの過剰担体を吸収して、
隣接する絵素受光素子へ注入されるのを防止するように
したので、プルーミング現象のない半導体撮像装置が実
現できる。
第１図は従来の半導体撮像装置を示す断面図、第２図は
この発明の一実施例を示す断面図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す断面図である。 図において、（１）はｐ形シリコン基板（第１伝導形の
半導体層）、（３ａ）、 （３ｂ）はｎ影領域（第２伝
導形領域） 、＋５１はｎ形埋込み層（第２伝導形埋込
み層）、（６）はｐ形エピタキシャル成長層（第１伝導
形の半導体層） 、＋８１はｎ形シリコン基板（第２伝
導形半導体基板）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０
この発明の一実施例を示す断面図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す断面図である。 図において、（１）はｐ形シリコン基板（第１伝導形の
半導体層）、（３ａ）、 （３ｂ）はｎ影領域（第２伝
導形領域） 、＋５１はｎ形埋込み層（第２伝導形埋込
み層）、（６）はｐ形エピタキシャル成長層（第１伝導
形の半導体層） 、＋８１はｎ形シリコン基板（第２伝
導形半導体基板）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ 第１伝導形の半導体層の表面部に複数個の第
２伝゛導形領域を形成し、それぞれの上記糖２伝導形領
域と上記第１伝導形の半導体層とで構成されるフオ”ト
ダイオードを絵素受光素子゛とするも“のにおいて、上
記複数個の第２伝導形領域に共通してこ゛れらに近接し
て設けられ上記第１伝導形の半導体層との間にｐｎ接合
を形成する第２伝導形層を備え、上記ｐｎ接合に逆方向
電圧を印加することによって、光入力を受けた上記絵素
受光素子からの過剰担体が隣接する上記絵素受光素子へ
注入されるのを防止するようにしたことを特徴とする半
導体撮像装置。 （２）第２伝導形層が第１伝導形の半導体層内部に形成
された埋込み層であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体撮像装置。 （３）第２伝導形層が半導体基板を構成し第１伝導形の
半導体層は上記半導体基板上にエピタキシャル成長させ
られたものであることを特徴とする特許請求の゛範囲第
１項記載の半導体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132364A JPS5833373A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 半導体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132364A JPS5833373A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 半導体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833373A true JPS5833373A (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=15079634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56132364A Pending JPS5833373A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 半導体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833373A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139061A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS61141175A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS61141176A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS61141177A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS6439658U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-09 |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP56132364A patent/JPS5833373A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139061A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS61141175A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS61141176A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPS61141177A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
| JPH0570946B2 (ja) * | 1984-12-14 | 1993-10-06 | Hamamatsu Photonics Kk | |
| JPH0570945B2 (ja) * | 1984-12-14 | 1993-10-06 | Hamamatsu Photonics Kk | |
| JPS6439658U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-09 |
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