KR100475733B1 - 전하결합형고체촬상소자및그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전하 결합형 고체 촬상소자의 수광 장치에 있어서, 특히 N형 반도체 기판 내의 소정 영역에 홀을 가지면서 P형 불순물이 고농도로 주입된 P형 웰과, 상기 P형 웰 상부의 기판 내에 N형 불순물이 주입된 수광 영역과, 상기 수광 영역 상부면의 기판 표면 근방에 P형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 전하 결합형 고체 촬상소자에 관한 것으로서, 특히 기판 전압 조정에 의한 기판 방향으로의 공핍층 확산을 최소화하여 디바이스 특성을 개선할 수 있는 전하 결합형 고체 촬상소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 CCD(Charge Couple Device)라 불리는 전하 결합형 고체 촬상소자는 과거에 사용했던 촬상관에 비하여 화소수의 증가, 감도의 개선, 저 잡음 등의 우세한 이점을 갖고 있기 때문에 가정용 비디오 카메라를 필두로 방송용, 의료용, 산업용 등에 폭넓게 사용되고 있다.
이러한 전하 결합형 고체 촬상소자는 도 1에 나타난 바와 같이 N형 실리콘 기판(2) 상부에 형성된 P형 웰(4), 상기 P형 웰(4) 상부의 소정 영역에 P형 불순물이 주입된 채널방지 영역(6)과, 상기 채널방지 영역(6) 상부에 N형 불순물이 주입된 수직전송 CCD 영역(8)과, 상기 채널방지 영역(6) 및 수직전송 CCD 영역(8) 측부에 P형 불순물이 주입된 전송게이트 영역(10)과, 상기 수직전송 CCD 영역(8) 및 전송게이트 영역(10) 상부면에 게이트 산화막(12)을 내재하여 형성된 게이트 전극(14)과, 상기 게이트 전극(14)의 에지에 셀프얼라인하도록 P형 웰(4) 상부에 N형 불순물이 주입된 수광 영역(16)과, 상기 수광 영역(16) 상부면에 P형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역(18)과, 상기 게이트 전극(14) 표면을 둘러싸면서 기판(2) 전면에 형성된 층간 절연막(20)과, 상기 게이트 전극(14)을 둘러싸면서 층간 절연막(20) 상부면에 형성된 광차단층(22)으로 구성된다.
도 2는 도 1의 P형 웰과 수광 영역을 비교 도시한 평면도로서, 4는 P형 웰 을 나타내며, 16은 수광 영역을 나타낸다.
이와 같은 구조를 가지는 전하 결합형 고체 촬상소자는 감도 및 전하 수용 능력을 개선하기 위하여 상기 수광 영역(16)의 크기를 증가시키고 있으며, 이와 동시에 축적된 전하를 전송하는데 걸리는 시간 지연을 개선하기 위해서 P형 웰(4)의 문턱전압이 작도록 불순물 주입량을 조정하고 있다.
그러나, 상기 고체 촬상소자는 상기와 같은 조건을 만족하기 위해 제조 공정시 P형 웰(4)을 고에너지(MeV)와 적은 도우즈(E11)로 형성하면 균일한 이온 주입 영역을 확보하는데 어렵게 된다. 이렇게 형성된 P형 웰(4)은 상기 고체 촬상소자의 각 픽셀 수광 영역마다 출력신호 차가 크게 되는 원인으로 작용한다. 더구나 기판 전압은 가장 적은 출력신호를 가지는 수광 영역을 기준으로 하여 공급 전압의 크기를 결정하기 때문에 이로 인해 블루밍이 발생하게 된다. 또한, 상기 고체 촬상소자는 기판에 고전압을 인가하여 상기 수광 영역(16)에서 발생한 잉여 전하를 드레인시키는 OFD(over flow drain) 역할을 수행하는데 있어서 확장된 수광 영역(16)의 크기에 의해 상기 수광 영역(16)에서 기판(2) 방향으로의 전류 경로가 넓어지게 된다. 이때, 상기 P형 웰(4)은 대부분 공핍되기 때문에 기판 전압에 따라 전위가 결정되며 결국 작은 기판 전압의 변화에도 출력 신호는 크게 변화하게 된다.
그러므로, 상기 고체 촬상소자는 기판 전압을 가변적으로 조정하는데 있어서 민감한 출력 신호의 변화에 따라 조금만 낮게 조정하면 출력 증가에 따른 블루밍이 발생되며, 조금만 높게 조정하면 화면에 얼룩이 나타나게 되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 기판 전압의 변화에 각 픽셀의 출력 신호 차를 최소화할 수 있는 전하 결합형 고체 촬상소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 전하 결합형 고체 촬상소자의 수광부 구조에 있어서, 제 1 도전형 반도체 기판 내에 수광 영역이 형성될 예정 영역의 중앙 부위에 소정 영역의 홀을 가지면서 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 제 2 도전형 웰; 상기 제 2 도전형 웰 상부의 기판 내에 제 1 도전형 불순물이 주입된 수광 영역; 상기 수광 영역 상부면의 기판 표면 근방에 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전하 결합형 고체 촬상소자의 제조 방법은 제 1 도전형 반도체 기판 내에 수광 영역이 형성될 예정 영역의 중앙 부위에 소정 영역의 홀을 가지면서 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 웰을 형성하는 단계; 상기 웰 상부의 소정 영역에 제 2 도전형 불순물이 주입된 채널방지 영역을 형성하는 단계; 상기 채널방지 영역 상부에 제 1 도전형 불순물이 주입된 수직전송 CCD 영역을 형성하는 단계; 상기 채널방지 영역 및 수직전송 CCD 영역 측부에 제 2 도전형 불순물이 주입된 전송게이트 영역을 형성하는 단계; 상기 수직전송 CCD 영역 및 전송게이트 영역 상부면에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 에지에 셀프얼라인하도록 상기 웰 상부에 제 1 도전형 불순물이 주입된 수광 영역을 형성하는 단계; 및 상기 수광 영역 상부면의 기판 표면 근방에 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명에 따른 전하 결합형 고체 촬상소자의 수직 단면도로서, N형 실리콘 기판(100) 상부에 형성된 P형 웰(102), 상기 P형 웰(102) 상부의 소정 영역에 P형 불순물이 주입된 채널방지 영역(104)과, 상기 채널방지 영역(104) 상부에 N형 불순물이 주입된 수직전송 CCD 영역(106)과, 상기 채널방지 영역(104) 및 수직전송CCD 영역(106) 측부에 P형 불순물이 주입된 전송게이트 영역(108)과, 상기 수직전송 CCD 영역(106) 및 전송게이트 영역(108) 상부면에 게이트 산화막(110)을 내재하여 형성된 게이트 전극(112)과, 상기 게이트 전극(112)의 에지에 셀프얼라인하도록 P형 웰(102) 상부에 N형 불순물이 주입된 수광 영역(114)과, 상기 수광 영역(114) 상부면에 P형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역(116)과, 상기 게이트 전극(112) 표면을 둘러싸면서 기판(100) 전면에 형성된 층간 절연막(118)과, 상기 게이트 전극(112)을 둘러싸면서 층간 절연막(118) 상부면에 형성된 광차단층(120)으로 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 P형 웰(102)은 고농도의 불순물이 균일하게 주입되어 있으며, 특히 수광 영역(114)의 중앙 하부에는 도 4에 나타난 바와 같이 P형 불순물이 주입되지 않기 때문에 상기 P형 웰(102)은 OFD 수행시 전위 장벽으로서의 역할을 수행한다. 이때, 접지에 연결된 상기 P형 웰(102)은 기판(100)에 고전압이 인가되더라도 대부분 공핍되지 않기 때문에 기판(100)으로부터 상기 수광 영역(114)에 이르는 DC 바이어스가 기판 전압의 변화에 큰 영향을 받지 않게 된다. 그러므로, 본 발명은 사용자가 제품 구현시 기판 전압을 일정 범위 내에서 조정하더라도 안정된 출력 신호의 확보가 가능하다.
한편, 상기 본 발명에 따른 P형 웰(102)을 가지는 고체 촬상소자의 형성 공정은 다음과 같다. 우선, N형 실리콘 기판(100) 내에 수광 영역이 형성될 예정 영역의 중앙 부위에 마스크 패턴(도시하지 않음)을 형성한 후에 종래 기술보다 붕소의 도우즈양을 크게 조정하여 고에너지로 이온 주입한다. 그리고, 1150℃정도의 고온 열처리를 실시하여 기판(100) 위에 P형 웰(102)을 형성한다. 다음 사진 공정을 실시한 후에 개방된 영역의 P형 웰(102) 상부에 P형 불순물이 주입된 채널방지 영역(104)을 형성한다. 그리고, 다음 사진 공정을 진행하여 상기 채널방지 영역(104) 상부에 N형 불순물이 주입된 수직전송 CCD 영역(106)을 형성한다. 이어서 다음 사진 공정을 실시한 후에 상기 채널방지 영역(104) 및 수직전송 CCD 영역(106) 측부에 P형 불순물이 주입된 전송게이트 영역(108)을 형성한다. 그 다음 상기 기판(100) 전면에 게이트 산화막(110)을 형성하고, 그 위에 도전층으로서 폴리실리콘을 도포한다. 사진 및 식각 공정으로 상기 폴리실리콘층을 식각해서 상기 수직전송 CCD 영역(106) 및 전송게이트 영역(108) 상부면에 게이트 전극(112)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 전극(112)의 에지에 셀프얼라인하도록 N형 불순물을 이온 주입해서 상기 P형 웰(102) 상부에 수광 영역(114)을 형성한다. 이후, 일련의 공정을 거쳐 도 3에 도시된 고체 촬상소자를 완성하도록 한다.
도 5는 종래 기술과 본 발명의 기판 전압 변화에 따른 출력 신호를 비교한 도면으로서, T는 종래 기술에 의한 기판 전압과 출력 신호에 따른 변화 그래프이며, P는 본 발명에 의한 변화 그래프이다. 여기서, T 선의 기울기는 P 선의 기울기보다 크다. 이것은 종래의 경우 기판 전압이 변화되면 출력 전압의 변화폭은 크지만 본 발명의 경우 기판 전압이 변화되더라도 출력 신호의 변화폭은 작다는 것을 나타낸다.
본 발명은 기판 전압을 가변적으로 조정하는데 있어서 출력 신호의 변화가 작기 때문에 블루밍 내지 화면에 얼룩이 발생시키는 기판 전압 차가 커지게 된다. 이로 인해 본 발명은 일정 범위의 기판 전압 변화에 따라 항상 안정된 출력 신호를 확보할 수 있으므로 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 전하 결합형 고체 촬상소자의 수직 단면도
도 2는 도 1의 P웰 영역과 수광 영역을 비교 도시한 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 전하 결합형 고체 촬상소자의 수직 단면도
도 4는 도 3의 P웰 영역과 수광 영역을 비교 도시한 평면도.
도 5는 종래 기술과 본 발명의 기판 전압 변화에 따른 출력 신호를 비교한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 실리콘 기판 102: P형 웰
104: 채널방지 영역 106: 수직전송 CCD 영역
108: 전송게이트 영역 110: 게이트 산화막
112: 게이트 전극 114: 수광 영역
116: 정공축적 영역 118: 층간 절연막
Claims (2)
- 전하 결합형 고체 촬상소자의 수광 장치에 있어서,제 1 도전형 반도체 기판 내에 수광 영역이 형성될 예정 영역의 중앙 부위에 소정 영역에 홀을 가지면서 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 제 2 도전형 웰;상기 제 2 도전형 웰 상부의 기판 내에 제 1 도전형 불순물이 주입된 수광 영역;상기 수광 영역 상부면의 기판 표면 근방에 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 전하 결합형 고체 촬상소자.
- 전하 결합형 고체 촬상소자의 제조 방법에 있어서,제 1 도전형 반도체 기판 내에 수광 영역이 형성될 예정 영역의 중앙 부위에 소정 영역의 홀을 가지면서 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 웰을 형성하는 단계;상기 웰 상부의 소정 영역에 제 2 도전형 불순물이 주입된 채널방지 영역을 형성하는 단계;상기 채널방지 영역 상부에 제 1 도전형 불순물이 주입된 수직전송 CCD 영역을 형성하는 단계;상기 채널방지 영역 및 수직전송 CCD 영역 측부에 제 2 도전형 불순물이 주입된 전송게이트 영역을 형성하는 단계;상기 수직전송 CCD 영역 및 전송게이트 영역 상부면에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 에지에 셀프얼라인하도록 상기 웰 상부에 제 1 도전형 불순물이 주입된 수광 영역을 형성하는 단계; 및상기 수광 영역 상부면의 기판 표면 근방에 제 2 도전형 불순물이 고농도로 주입된 정공축적 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 결합형 고체 촬상소자의 제조 방법.
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH02302047A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-14 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR880001065A (ko) * | 1986-06-12 | 1988-03-31 | 미따 가쯔시게 | 고체촬상소자 |
| JPH02302047A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-14 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
| KR930009136A (ko) * | 1991-10-14 | 1993-05-22 | 문정환 | 고체 촬상 소자 |
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