WO2010046994A1 - 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 128
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 128
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 6
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016344 CuSi Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu] Chemical compound [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu] JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021360 copper silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
読み出しチャネルの面積を低減し、一画素の面積に対する受光部の表面積の割合が大きいＣＣＤ固体撮像素子を提供すること。 第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層と、 前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔と、 前記孔の底部に形成された第１導電型の高濃度不純物領域と、 前記孔の側壁の一部に形成され、前記第１導電型の高濃度不純物領域と接続された第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域と、 前記孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記孔の底部の側壁の他の一部に形成された受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域と、 前記孔の側壁にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極と、 前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記孔の上部の側壁の他の一部に形成された第２導電型ＣＣＤチャネル領域と、 前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に形成された読み出しチャネルを有することを特徴とする固体撮像素子を提供する。
Description
本発明は、固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特にＣＣＤ固体撮像素子、ＣＣＤ固体撮像装置及びその製造方法に関するものである。
ビデオカメラ等に用いられる従来の固体撮像素子では、光検出素子がマトリックス状に配列され、光検出素子列の間に、この光検出素子列で発生した信号電荷を読み出す垂直電荷結合素子（垂直ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）を有している。
次に、上記従来の固体撮像素子の構造を示す（例えば、特許文献１参照）。図１は、従来の固体撮像素子の単位画素を示す断面図である。フォトダイオード（ＰＤ）は、ｎ型基板１１上に形成されたｐ型ウェル領域１２内に形成され、電荷蓄積層として機能するn型光電変換領域１３、及びn型光電変換領域１３上に形成されたp+型領域１４から構成されている。
また、ｎ型ＣＣＤチャネル領域１６は、ｐ型ウェル領域１２内にn型不純物添加領域として形成されている。ｎ型ＣＣＤチャネル領域１６と、このｎ型ＣＣＤチャネル領域１６に信号電荷を読み出す側のフォトダイオードとの間には、p型不純物添加領域で形成された読み出しチャネルが設けられている。そして、フォトダイオードで発生した信号電荷は、n型光電変換領域１３に一時的に蓄積された後、読み出しチャネルを介して読み出される。
一方、ｎ型ＣＣＤチャネル領域１６と他のフォトダイオードとの間には、ｐ+型素子分離領域１５が設けられている。このｐ+型素子分離領域１５により、フォトダイオードとｎ型ＣＣＤチャネル領域１６とが電気的に分離されると共に、ｎ型ＣＣＤチャネル領域１６同士も相互に接触しないように分離される。
半導体基板の表面には、Ｓｉ酸化膜１７を介して、フォトダイオード間を通過するように水平方向に延びた転送電極１８が形成されている。なお、転送電極１８のうち、読み出し信号が印加される電極の下方にある読み出しチャネルを介して、フォトダイオードで発生した信号電荷がｎ型ＣＣＤチャネル領域１６に読み出される。
転送電極１８が形成された半導体基板の表面は、金属遮蔽膜２０が形成されている。金属遮蔽膜２０は、各フォトダイオード毎に、受光部であるp+型領域１４に受光される光を透過させる光透過部として金属遮蔽膜開口部２４を有している。
このように、従来の固体撮像素子においては、フォトダイオード（ＰＤ）、読み出しチャネル、ｎ型ＣＣＤチャネル領域、ｐ+型素子分離領域が、平面に形成されており、一画素の面積に対する受光部（フォトダイオード）の表面積の割合を大きくすることには限界があった。そこで、本発明は、読み出しチャネルの面積を低減し、一画素の面積に対する受光部（フォトダイオード）の表面積の割合が大きいＣＣＤ固体撮像素子を提供することを目的とする。
本発明の１態様では、
第２導電型平面状半導体層と、
前記第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成された第１導電型の高濃度不純物領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に形成され、前記第１導電型の高濃度不純物領域と接続された第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部の側壁の他の一部に形成された受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極と、
前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の上部の側壁の他の一部に形成された第２導電型ＣＣＤチャネル領域と、
前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に形成された読み出しチャネルを有することを特徴とする固体撮像素子を提供するものである。
第２導電型平面状半導体層と、
前記第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成された第１導電型の高濃度不純物領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に形成され、前記第１導電型の高濃度不純物領域と接続された第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部の側壁の他の一部に形成された受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極と、
前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の上部の側壁の他の一部に形成された第２導電型ＣＣＤチャネル領域と、
前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に形成された読み出しチャネルを有することを特徴とする固体撮像素子を提供するものである。
また、本発明の好ましい態様では、前記記載の固体撮像素子が行列状に複数配列された固体撮像装置が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域は、少なくとも隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔列の間の各々において、列方向に延びる第２導電型不純物領域で構成され、
前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域が設けられていることを特徴とする前記記載の固体撮像装置が提供される。
前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域が設けられていることを特徴とする前記記載の固体撮像装置が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極を含む複数の転送電極は、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔行の間の各々において行方向に延び、前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に沿って前記固体撮像素子で発生した信号電荷を転送するように所定間隔離間して配列されたことを特徴とする前記記載の固体撮像装置が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、前記記載の固体撮像素子が第１の間隔で第１の方向に複数配列された第１の固体撮像素子列と、前記記載の固体撮像素子が前記第１の間隔で前記第１の方向に複数配列され、且つ前記第１の固体撮像素子列に対して前記第１の方向に所定量ずらして配置された第２の固体撮像素子列とが、第２の間隔をおいて配列された素子列の組が、前記第１の方向に所定量ずらして前記第２の間隔をおいて複数組配列された固体撮像装置が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域は、少なくとも隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔列の間の各々において、該隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔列の各前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の間を通過して列方向に延びる第２導電型不純物領域で構成され、
前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域が設けられていることを特徴とする前記記載の固体撮像装置が提供される。
前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域が設けられていることを特徴とする前記記載の固体撮像装置が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、前記転送電極は、隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔行の間の各々において、該隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔行の各前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の間を通過して行方向に延び、前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に沿って前記固体撮像素子で発生した信号電荷を転送するように所定間隔離間して配列されたことを特徴とする前記記載の固体撮像装置が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、固体撮像素子の製造方法であって、
第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層に、孔を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部の側壁の他の一部に、受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して転送電極を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の上部の側壁の他の一部に第２導電型ＣＣＤチャネル領域を形成する工程と、
前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に読み出しチャネルを形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法が提供される。
第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層に、孔を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部の側壁の他の一部に、受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して転送電極を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の上部の側壁の他の一部に第２導電型ＣＣＤチャネル領域を形成する工程と、
前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に読み出しチャネルを形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層に、マスクを形成し、シリコンをエッチングし、孔を形成する工程を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する際のマスク材を、第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁に形成する工程と、
第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程と
を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程と
を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程の後に、第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程の後に、第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁に形成したマスク材の一部をエッチングにより除去し、
その後、イオン注入により、
第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、
第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域を形成する工程を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
その後、イオン注入により、
第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、
第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域を形成する工程を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、第２導電型ＣＣＤチャネル領域をイオン注入により形成する際のマスク材を、第１導電型平面状半導体層に形成された孔に形成する工程と、
第２導電型ＣＣＤチャネル領域をイオン注入により形成する工程と
を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
第２導電型ＣＣＤチャネル領域をイオン注入により形成する工程と
を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に形成された第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域に接続するよう
第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域をイオン注入により形成する際のマスク材を形成する工程と、
第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域をイオン注入により形成する工程と
を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域をイオン注入により形成する際のマスク材を形成する工程と、
第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域をイオン注入により形成する工程と
を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
また、本発明の好ましい態様では、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極材を堆積し、平坦化を行い、エッチングを行うことにより、転送電極を形成する工程を含む前記記載の固体撮像素子の製造方法が提供される。
従来のＣＣＤ固体撮像素子では、フォトダイオード（ＰＤ）、読み出しチャネル、ｎ型ＣＣＤチャネル領域、ｐ+型素子分離領域が、平面に形成されており、一画素の面積に対する受光部（フォトダイオード）の表面積の割合を大きくすることに限界があったが、本発明によれば、読み出しチャネルを非水平に配置することにより、読み出しチャネルの占有面積を大幅に低減し、一画素の面積に対する受光部（フォトダイオード）の表面積の割合が大きいＣＣＤ固体撮像素子を提供することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子を一行二列に配置した固体撮像装置の平面図及び鳥瞰図をそれぞれ、図２及び図３に示す。また、図４は図２のＸ1－Ｘ1’断面図、図５は図２のＹ1－Ｙ1’断面図である。
本発明の第１の実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子を一行二列に配置した固体撮像装置の平面図及び鳥瞰図をそれぞれ、図２及び図３に示す。また、図４は図２のＸ1－Ｘ1’断面図、図５は図２のＹ1－Ｙ1’断面図である。
ｎ型基板１１５上に、ｐ型ウェル領域１１４が形成され、
ｐ型ウェル１１４にシリコン孔２０３が形成され、
シリコン孔２０３の底部にｐ＋型領域１０４が形成され、
シリコン孔２０３の側壁の一部に、ｐ＋型領域１０４と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域１０１が形成され、
ｐ＋型領域１０４の下部と、シリコン孔２０３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域１１０が形成され、
シリコン孔２０３の側壁にゲート絶縁膜１１７を介して転送電極１０６、１０７が形成され、
ｐ型ウェル１１４表面とシリコン孔２０３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル１０３が形成され、
ｎ型光電変換領域１１０とｎ型ＣＣＤチャネル１０３に挟まれた領域に読み出しチャネル１１２が形成される。
また、
ｎ型基板１１５上に、ｐ型ウェル領域１１４が形成され、
ｐ型ウェル１１４にシリコン孔２０４が形成され、
シリコン孔２０４の底部にｐ＋型領域１０５が形成され、
シリコン孔２０４の側壁の一部に、ｐ＋型領域１０５と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域１０２が形成され、
ｐ＋型領域１０５の下部と、シリコン孔２０４の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域１１１が形成され、
シリコン孔２０４の側壁にゲート絶縁膜１１７を介して転送電極１０６、１０７が形成され、
ｐ型ウェル１１４表面とシリコン孔２０４の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル領域１０９が形成され、
ｎ型光電変換領域１１１とｎ型ＣＣＤチャネル領域１０９に挟まれた領域に読み出しチャネル１１３が形成される。
ｐ型ウェル１１４にシリコン孔２０３が形成され、
シリコン孔２０３の底部にｐ＋型領域１０４が形成され、
シリコン孔２０３の側壁の一部に、ｐ＋型領域１０４と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域１０１が形成され、
ｐ＋型領域１０４の下部と、シリコン孔２０３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域１１０が形成され、
シリコン孔２０３の側壁にゲート絶縁膜１１７を介して転送電極１０６、１０７が形成され、
ｐ型ウェル１１４表面とシリコン孔２０３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル１０３が形成され、
ｎ型光電変換領域１１０とｎ型ＣＣＤチャネル１０３に挟まれた領域に読み出しチャネル１１２が形成される。
また、
ｎ型基板１１５上に、ｐ型ウェル領域１１４が形成され、
ｐ型ウェル１１４にシリコン孔２０４が形成され、
シリコン孔２０４の底部にｐ＋型領域１０５が形成され、
シリコン孔２０４の側壁の一部に、ｐ＋型領域１０５と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域１０２が形成され、
ｐ＋型領域１０５の下部と、シリコン孔２０４の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域１１１が形成され、
シリコン孔２０４の側壁にゲート絶縁膜１１７を介して転送電極１０６、１０７が形成され、
ｐ型ウェル１１４表面とシリコン孔２０４の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル領域１０９が形成され、
ｎ型光電変換領域１１１とｎ型ＣＣＤチャネル領域１０９に挟まれた領域に読み出しチャネル１１３が形成される。
ｎ型ＣＣＤチャネル領域１０８、１０３の間には、チャネル領域が相互に接触しないように、ｐ＋型素子分離領域１０１が形成される。
また、ｎ型ＣＣＤチャネル領域１０３、１０９の間には、チャネル領域が相互に接触しないように、ｐ＋型素子分離領域１０２が形成される。
また、ｎ型ＣＣＤチャネル領域１０３、１０９の間には、チャネル領域が相互に接触しないように、ｐ＋型素子分離領域１０２が形成される。
また、転送電極１０６、１０７上、シリコン孔２０３、２０４側壁には、絶縁膜１１９を介して金属遮蔽膜１１６が形成される。
転送電極１０６又は１０７に読み出し信号が印加されると、電荷蓄積層としてのｎ型光電変換領域１１０に蓄積された信号電荷が読み出しチャネル１１２を介してｎ型ＣＣＤチャネル領域１０３に読み出される。また、読み出された信号電荷は、転送電極１０６、１０７によって垂直（Ｙ1－Ｙ1’）方向に転送される。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態である、第１の実施形態のＣＣＤ固体撮像素子が行列状に複数配置された固体撮像装置の一部分の平面図及び鳥瞰図をそれぞれ、図２６及び図２７に示す。また、図２８は、図２６のＸ3－Ｘ3’断面図であり、図２９は、図２６のＹ3－Ｙ3’断面図である。
次に、本発明の第２の実施形態である、第１の実施形態のＣＣＤ固体撮像素子が行列状に複数配置された固体撮像装置の一部分の平面図及び鳥瞰図をそれぞれ、図２６及び図２７に示す。また、図２８は、図２６のＸ3－Ｘ3’断面図であり、図２９は、図２６のＹ3－Ｙ3’断面図である。
図２６及び図２７において、半導体基板上に、ｐ＋型領域５０１、５０２を有する固体撮像素子が所定間隔(垂直画素ピッチＶＰ)で垂直（Ｙ3－Ｙ3’）方向（列方向）に配列されている（第１の固体撮像素子列）。第１の固体撮像素子列の固体撮像素子の各々と垂直方向の位置を同じくして隣接して、ｐ＋型領域５０３、５０４を有する固体撮像素子が第１の固体撮像素子列と同じ所定間隔(垂直画素ピッチＶＰ)で垂直方向に配列されている（第２の固体撮像素子列）。第１の固体撮像素子列及び第２の固体撮像素子列は、垂直画素ピッチと同じ間隔（水平画素ピッチＨＰ）で配置される。このように、ｐ＋型領域５０１、５０２、５０３、５０４を有する固体撮像素子は、いわゆる行列状に配列されている。
隣接して配列された第１の固体撮像素子列のシリコン孔５３０、５３２と第２の固体撮像素子列のシリコン孔５３１、５３３との間には、ｐ＋型領域５０１、５０２を有するフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域５０８が設けられている。同様に、他のフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するため、ｎ型ＣＣＤチャネル領域５０７、５０９が設けられている。
ｎ型ＣＣＤチャネル領域は、行列状に配列されたシリコン孔の間を垂直方向に延びている。そして、ｎ型ＣＣＤチャネル領域同士が相互に分離して接触しないように、p＋型素子分離領域５０５、５０６が設けられている。
また、ｐ＋型領域５０１、５０２に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域５０５はシリコン孔５３０、５３２の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域５０１、５０２に接続される。
また、ｐ＋型領域５０３、５０４に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域５０６はシリコン孔５３１、５３３の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域５０３、５０４に接続される。
本実施形態においては、p＋型素子分離領域５０５、５０６は、第１及び第２の固体撮像素子列の軸、並びにシリコン孔の外縁に沿って設けられているが、
p＋型素子分離領域は、隣接するｎ型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように設けられ且つシリコン孔の側壁の一部に形成され、シリコン孔底部のｐ＋型領域に接続されていればよく、例えば、p＋型素子分離領域５０５、５０６を図２５の配置からＸ3方向にずらして配置することもできる。
ｎ型ＣＣＤチャネル領域は、行列状に配列されたシリコン孔の間を垂直方向に延びている。そして、ｎ型ＣＣＤチャネル領域同士が相互に分離して接触しないように、p＋型素子分離領域５０５、５０６が設けられている。
また、ｐ＋型領域５０１、５０２に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域５０５はシリコン孔５３０、５３２の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域５０１、５０２に接続される。
また、ｐ＋型領域５０３、５０４に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域５０６はシリコン孔５３１、５３３の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域５０３、５０４に接続される。
本実施形態においては、p＋型素子分離領域５０５、５０６は、第１及び第２の固体撮像素子列の軸、並びにシリコン孔の外縁に沿って設けられているが、
p＋型素子分離領域は、隣接するｎ型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように設けられ且つシリコン孔の側壁の一部に形成され、シリコン孔底部のｐ＋型領域に接続されていればよく、例えば、p＋型素子分離領域５０５、５０６を図２５の配置からＸ3方向にずらして配置することもできる。
ｐ＋型領域５０１、５０３を有する固体撮像素子を水平（Ｘ2－Ｘ2’）方向（行方向）に配列した第１の固体撮像素子行のシリコン孔５３０、５３１と、ｐ＋型領域５０２、５０４を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第２の固体撮像素子行のシリコン孔５３２、５３３との間には、フォトダイオードからｎ型ＣＣＤチャネル領域５０７、５０８、５０９に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する転送電極５１２、５１３、５１４が設けられている。
また、フォトダイオードからｎ型ＣＣＤチャネル領域５０７、５０８、５０９に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する転送電極５１０、５１１、５１５、５１６が設けられている。転送電極５１４に読み出し信号が印加されると、フォトダイオード５０２、５０４に蓄積された信号電荷が読み出しチャネルを介してｎ型ＣＣＤチャネル領域５０８、５０９に読み出される。転送電極は、行列状に配列されたシリコン孔の間を水平方向に延びている。
また、フォトダイオードからｎ型ＣＣＤチャネル領域５０７、５０８、５０９に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する転送電極５１０、５１１、５１５、５１６が設けられている。転送電極５１４に読み出し信号が印加されると、フォトダイオード５０２、５０４に蓄積された信号電荷が読み出しチャネルを介してｎ型ＣＣＤチャネル領域５０８、５０９に読み出される。転送電極は、行列状に配列されたシリコン孔の間を水平方向に延びている。
ｐ＋領域５０１を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３０が形成され、
シリコン孔５３０の底部にｐ＋型領域５０１が形成され、
シリコン孔５３０の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０１と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０５が形成され、
ｐ＋型領域５０１の下部と、シリコン孔５３０の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５１７が形成され、
シリコン孔５３０の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１１、５１２が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３０の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０８が形成され、
ｎ型光電変換領域５１７とｎ型ＣＣＤチャネル５０８に挟まれた領域に読み出しチャネル５２１が形成される。
また、ｐ＋領域５０２を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３２が形成され、
シリコン孔５３２の底部にｐ＋型領域５０２が形成され、
シリコン孔５３２の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０２と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０５が形成され、
ｐ＋型領域５０２の下部と、シリコン孔５３２の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５１８が形成され、
シリコン孔５３２の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１４、５１５が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３２の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０８が形成され、
ｎ型光電変換領域５１８とｎ型ＣＣＤチャネル５０８に挟まれた領域に読み出しチャネル５２２が形成される。
また、ｐ＋領域５０３を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３１が形成され、
シリコン孔５３１の底部にｐ＋型領域５０３が形成され、
シリコン孔５３１の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０３と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０６が形成され、
ｐ＋型領域５０３の下部と、シリコン孔５３１の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５１９が形成され、
シリコン孔５３１の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１１、５１２が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３１の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０９が形成され、
ｎ型光電変換領域５１９とｎ型ＣＣＤチャネル５０９に挟まれた領域に読み出しチャネル５２３が形成される。
また、ｐ＋領域５０４を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３３が形成され、
シリコン孔５３３の底部にｐ＋型領域５０４が形成され、
シリコン孔５３３の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０４と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０６が形成され、
ｐ＋型領域５０４の下部と、シリコン孔５３３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５２０が形成され、
シリコン孔５３３の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１４、５１５が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０９が形成され、
ｎ型光電変換領域５２０とｎ型ＣＣＤチャネル５０９に挟まれた領域に読み出しチャネル５２４が形成される。
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３０が形成され、
シリコン孔５３０の底部にｐ＋型領域５０１が形成され、
シリコン孔５３０の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０１と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０５が形成され、
ｐ＋型領域５０１の下部と、シリコン孔５３０の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５１７が形成され、
シリコン孔５３０の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１１、５１２が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３０の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０８が形成され、
ｎ型光電変換領域５１７とｎ型ＣＣＤチャネル５０８に挟まれた領域に読み出しチャネル５２１が形成される。
また、ｐ＋領域５０２を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３２が形成され、
シリコン孔５３２の底部にｐ＋型領域５０２が形成され、
シリコン孔５３２の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０２と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０５が形成され、
ｐ＋型領域５０２の下部と、シリコン孔５３２の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５１８が形成され、
シリコン孔５３２の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１４、５１５が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３２の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０８が形成され、
ｎ型光電変換領域５１８とｎ型ＣＣＤチャネル５０８に挟まれた領域に読み出しチャネル５２２が形成される。
また、ｐ＋領域５０３を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３１が形成され、
シリコン孔５３１の底部にｐ＋型領域５０３が形成され、
シリコン孔５３１の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０３と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０６が形成され、
ｐ＋型領域５０３の下部と、シリコン孔５３１の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５１９が形成され、
シリコン孔５３１の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１１、５１２が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３１の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０９が形成され、
ｎ型光電変換領域５１９とｎ型ＣＣＤチャネル５０９に挟まれた領域に読み出しチャネル５２３が形成される。
また、ｐ＋領域５０４を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板５２６上に、ｐ型ウェル領域５２５が形成され、
ｐ型ウェル５２５にシリコン孔５３３が形成され、
シリコン孔５３３の底部にｐ＋型領域５０４が形成され、
シリコン孔５３３の側壁の一部に、ｐ＋型領域５０４と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域５０６が形成され、
ｐ＋型領域５０４の下部と、シリコン孔５３３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域５２０が形成され、
シリコン孔５３３の側壁にゲート絶縁膜５２７を介して転送電極５１４、５１５が形成され、
ｐ型ウェル５２５表面とシリコン孔５３３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル５０９が形成され、
ｎ型光電変換領域５２０とｎ型ＣＣＤチャネル５０９に挟まれた領域に読み出しチャネル５２４が形成される。
また、転送電極５１０、５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６上、シリコン孔５０１、５０２、５０３、５０４側壁には、絶縁膜５２８を介して金属遮蔽膜５２９が形成される。
上述のように、隣り合う固体撮像素子行のシリコン孔の間には、隣り合う固体撮像素子行のシリコン孔の間を通過するように行方向に延びた転送電極５１０、５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６が設けられ、それらは所定間隔離間して配置されている。シリコン孔に隣接する転送電極５１１、５１２、５１４、５１５、ゲート絶縁膜を介してシリコン孔の側面に形成されている。転送電極５１０、５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６は、ｎ型ＣＣＤチャネル領域と共に、フォトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送装置（ＶＣＣＤ）を構成している。ＶＣＣＤは３相駆動（φ１～φ３）とされ、各フォトダイオードに対して異なる位相で駆動される３つの転送電極によりフォトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転送する。本実施形態では、ＶＣＣＤは３相駆動であるが、ＶＣＣＤを適切な任意の数の相で駆動する構成とすることができることも、当業者に明らかであろう。
（第３の実施形態）
第２の実施形態において、ＣＣＤ固体撮像素子が行列状に配列された固体撮像装置を示したが、図２２、図２３、図２４、図２５に示すように、ＣＣＤ固体撮像素子をハニカム状に配置してもよい。そこで、本発明の第３の実施形態として、第１の実施形態のＣＣＤ固体撮像素子がハニカム状に配置された固体撮像装置について説明する。ＣＣＤ固体撮像素子がハニカム状に配置された固体撮像装置の一部分の平面図及び鳥瞰図をそれぞれ図２２及び図２３に示す。また、図２４は、図２２のＸ2－Ｘ2’断面図であり、図２５は、図２２のＹ2－Ｙ2’断面図である。
第２の実施形態において、ＣＣＤ固体撮像素子が行列状に配列された固体撮像装置を示したが、図２２、図２３、図２４、図２５に示すように、ＣＣＤ固体撮像素子をハニカム状に配置してもよい。そこで、本発明の第３の実施形態として、第１の実施形態のＣＣＤ固体撮像素子がハニカム状に配置された固体撮像装置について説明する。ＣＣＤ固体撮像素子がハニカム状に配置された固体撮像装置の一部分の平面図及び鳥瞰図をそれぞれ図２２及び図２３に示す。また、図２４は、図２２のＸ2－Ｘ2’断面図であり、図２５は、図２２のＹ2－Ｙ2’断面図である。
図２２及び図２３において、半導体基板上に、ｐ＋型領域３０１、３０２を有する固体撮像素子が所定間隔(垂直画素ピッチＶＰ)で垂直（Ｙ2－Ｙ2’）方向（列方向）に配列される（第１の固体撮像素子列）。
第１の固体撮像素子列と垂直画素ピッチと同じ間隔（水平画素ピッチＨＰ）の１／２を置いて、ｐ＋型領域３０３、３０４を有する固体撮像素子が第１の固体撮像素子列と同じ所定間隔で垂直方向に配列され、且つ第１の固体撮像素子列に対して垂直方向に垂直画素ピッチＶＰに対して１／２ずらして配置される（第２の固体撮像素子列）。
さらに、第２の固体撮像素子列と垂直画素ピッチと同じ間隔（水平画素ピッチＨＰ）の１／２を置いて、ｐ＋型領域３０５、３０６を有する固体撮像素子が第１の固体撮像素子列と同じ所定間隔で垂直方向に配列され、且つ第２の固体撮像素子列に対して垂直方向に垂直画素ピッチＶＰに対して１／２ずらして配置される（第３の固体撮像素子列）。
すなわち、ｐ＋領域３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、３０６を有する固体撮像素子は、いわゆるハニカム状に配列されている。
第１の固体撮像素子列と垂直画素ピッチと同じ間隔（水平画素ピッチＨＰ）の１／２を置いて、ｐ＋型領域３０３、３０４を有する固体撮像素子が第１の固体撮像素子列と同じ所定間隔で垂直方向に配列され、且つ第１の固体撮像素子列に対して垂直方向に垂直画素ピッチＶＰに対して１／２ずらして配置される（第２の固体撮像素子列）。
さらに、第２の固体撮像素子列と垂直画素ピッチと同じ間隔（水平画素ピッチＨＰ）の１／２を置いて、ｐ＋型領域３０５、３０６を有する固体撮像素子が第１の固体撮像素子列と同じ所定間隔で垂直方向に配列され、且つ第２の固体撮像素子列に対して垂直方向に垂直画素ピッチＶＰに対して１／２ずらして配置される（第３の固体撮像素子列）。
すなわち、ｐ＋領域３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、３０６を有する固体撮像素子は、いわゆるハニカム状に配列されている。
隣接して配列された第１の固体撮像素子列のシリコン孔３３９、３３１と第２の固体撮像素子列のシリコン孔３３４、３３３との間には、ｐ＋領域３０１、３０２を有するフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３３１が設けられている。
同様に、第２の固体撮像素子列のシリコン孔３３４、３３３と第３の固体撮像素子列のシリコン孔３０５、３０６との間には、ｐ＋領域３０３、３０４を有するフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３１２が設けられている。
また、ｐ＋領域３０５、３０６を有するフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３１３が設けられている。
また、フォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３１０が設けられている。
これらのｎ型ＣＣＤチャネル領域は、ハニカム状に配列したシリコン孔の間を蛇行しながら垂直方向に延びている。また、ｎ型ＣＣＤチャネル領域同士が相互に分離して接触しないように、p＋型素子分離領域３０７、３０８、３０９が設けられている。
また、ｐ＋型領域３０１、３０２に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域３０７はシリコン孔３３９、３３１の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域３０１、３０２に接続される。
また、ｐ＋型領域３０３、３０４に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域３０８はシリコン孔３３４、３３３の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域３０３、３０４に接続される。
また、ｐ＋型領域３０５、３０６に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域３０９はシリコン孔３４３、３３２の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域３０５、３０６に接続される。
本実施形態においては、p＋型素子分離領域３０７、３０８、３０９は、第１、第２及び第３の固体撮像素子列の軸、並びにシリコン孔の外縁に沿って設けられているが、p＋型素子分離領域は、隣接するｎ型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように設けられ且つシリコン孔の側壁の一部に形成され、シリコン孔底部のｐ＋型領域に接続されていればよく、例えば、p＋型素子分離領域３０７、３０８、３０９を図２１の配置からＸ2方向にずらして配置することもできる。
同様に、第２の固体撮像素子列のシリコン孔３３４、３３３と第３の固体撮像素子列のシリコン孔３０５、３０６との間には、ｐ＋領域３０３、３０４を有するフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３１２が設けられている。
また、ｐ＋領域３０５、３０６を有するフォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３１３が設けられている。
また、フォトダイオードで発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送するｎ型ＣＣＤチャネル領域３１０が設けられている。
これらのｎ型ＣＣＤチャネル領域は、ハニカム状に配列したシリコン孔の間を蛇行しながら垂直方向に延びている。また、ｎ型ＣＣＤチャネル領域同士が相互に分離して接触しないように、p＋型素子分離領域３０７、３０８、３０９が設けられている。
また、ｐ＋型領域３０１、３０２に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域３０７はシリコン孔３３９、３３１の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域３０１、３０２に接続される。
また、ｐ＋型領域３０３、３０４に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域３０８はシリコン孔３３４、３３３の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域３０３、３０４に接続される。
また、ｐ＋型領域３０５、３０６に電圧を印加するため、ｐ＋型素子分離領域３０９はシリコン孔３４３、３３２の側壁の一部にも形成され、ｐ＋型領域３０５、３０６に接続される。
本実施形態においては、p＋型素子分離領域３０７、３０８、３０９は、第１、第２及び第３の固体撮像素子列の軸、並びにシリコン孔の外縁に沿って設けられているが、p＋型素子分離領域は、隣接するｎ型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように設けられ且つシリコン孔の側壁の一部に形成され、シリコン孔底部のｐ＋型領域に接続されていればよく、例えば、p＋型素子分離領域３０７、３０８、３０９を図２１の配置からＸ2方向にずらして配置することもできる。
ｐ＋領域３０１、３０５を有する固体撮像素子を水平（Ｘ2－Ｘ2’）方向（行方向）に配列した第１の固体撮像素子行のシリコン孔３３９、３４３と
ｐ＋領域３０３を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第２の固体撮像素子行のシリコン孔３３４との間には、転送電極３１４、３１５が設けられている。
同様に、ｐ＋領域３０３を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第２の固体撮像素子行のシリコン孔３３４と
ｐ＋領域３０２、３０６を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第３の固体撮像素子行のシリコン孔３３１、３３２との間、
及びｐ＋領域３０２、３０６を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第３の固体撮像素子行のシリコン孔３３１、３３２と
ｐ＋領域３０４を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第４の固体撮像素子行のシリコン孔３３３との間にはそれぞれ、
転送電極３１６、３１７、及び転送電極３１８、３１９が設けられている。これらの転送電極は、ハニカム状に配列したシリコン孔の間を蛇行しながら水平方向に延びている。
ｐ＋領域３０３を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第２の固体撮像素子行のシリコン孔３３４との間には、転送電極３１４、３１５が設けられている。
同様に、ｐ＋領域３０３を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第２の固体撮像素子行のシリコン孔３３４と
ｐ＋領域３０２、３０６を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第３の固体撮像素子行のシリコン孔３３１、３３２との間、
及びｐ＋領域３０２、３０６を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第３の固体撮像素子行のシリコン孔３３１、３３２と
ｐ＋領域３０４を有する固体撮像素子を水平方向に配列した第４の固体撮像素子行のシリコン孔３３３との間にはそれぞれ、
転送電極３１６、３１７、及び転送電極３１８、３１９が設けられている。これらの転送電極は、ハニカム状に配列したシリコン孔の間を蛇行しながら水平方向に延びている。
ｐ＋領域３０１を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３９が形成され、
シリコン孔３３９の底部にｐ＋型領域３０１が形成され、
シリコン孔３３９の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０１と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０７が形成され、
ｐ＋型領域３０１の下部と、シリコン孔３３９の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２２が形成され、
シリコン孔３３９の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１４が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３９の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１１が形成され、
ｎ型光電変換領域３２２とｎ型ＣＣＤチャネル３１１に挟まれた領域に読み出しチャネル３４０が形成される。
ｐ＋領域３０２を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３１が形成され、
シリコン孔３３１の底部にｐ＋型領域３０２が形成され、
シリコン孔３３１の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０２と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０７が形成され、
ｐ＋型領域３０２の下部と、シリコン孔３３１の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２３が形成され、
シリコン孔３３１の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１７、３１８が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３１の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１１が形成され、
ｎ型光電変換領域３２３とｎ型ＣＣＤチャネル３１１に挟まれた領域に読み出しチャネル３３５が形成される。
ｐ＋領域３０３を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３４が形成され、
シリコン孔３３４の底部にｐ＋型領域３０３が形成され、
シリコン孔３３４の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０３と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０８が形成され、
ｐ＋型領域３０３の下部と、シリコン孔３３４の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２４が形成され、
シリコン孔３３４の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１５、３１６が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３４の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１２が形成され、
ｎ型光電変換領域３２４とｎ型ＣＣＤチャネル３１２に挟まれた領域に読み出しチャネル３３８が形成される。
ｐ＋領域３０４を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３３が形成され、
シリコン孔３３３の底部にｐ＋型領域３０４が形成され、
シリコン孔３３３の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０４と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０８が形成され、
ｐ＋型領域３０４の下部と、シリコン孔３３３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２５が形成され、
シリコン孔３３３の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１９が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１２が形成され、
ｎ型光電変換領域３２５とｎ型ＣＣＤチャネル３１２に挟まれた領域に読み出しチャネル３３７が形成される。
ｐ＋領域３０５を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３４３が形成され、
シリコン孔３４３の底部にｐ＋型領域３０５が形成され、
シリコン孔３４３の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０５と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０９が形成され、
ｐ＋型領域３０５の下部と、シリコン孔３４３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２６が形成され、
シリコン孔３４３の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１４が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３４３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１３が形成され、
ｎ型光電変換領域３２６とｎ型ＣＣＤチャネル３１３に挟まれた領域に読み出しチャネル３４１が形成される。
ｐ＋領域３０６を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３２が形成され、
シリコン孔３３２の底部にｐ＋型領域３０６が形成され、
シリコン孔３３２の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０６と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０９が形成され、
ｐ＋型領域３０６の下部と、シリコン孔３３２の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２７が形成され、
シリコン孔３３２の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１７、３１８が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３２の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１３が形成され、
ｎ型光電変換領域３２７とｎ型ＣＣＤチャネル３１３に挟まれた領域に読み出しチャネル３３６が形成される。
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３９が形成され、
シリコン孔３３９の底部にｐ＋型領域３０１が形成され、
シリコン孔３３９の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０１と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０７が形成され、
ｐ＋型領域３０１の下部と、シリコン孔３３９の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２２が形成され、
シリコン孔３３９の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１４が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３９の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１１が形成され、
ｎ型光電変換領域３２２とｎ型ＣＣＤチャネル３１１に挟まれた領域に読み出しチャネル３４０が形成される。
ｐ＋領域３０２を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３１が形成され、
シリコン孔３３１の底部にｐ＋型領域３０２が形成され、
シリコン孔３３１の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０２と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０７が形成され、
ｐ＋型領域３０２の下部と、シリコン孔３３１の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２３が形成され、
シリコン孔３３１の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１７、３１８が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３１の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１１が形成され、
ｎ型光電変換領域３２３とｎ型ＣＣＤチャネル３１１に挟まれた領域に読み出しチャネル３３５が形成される。
ｐ＋領域３０３を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３４が形成され、
シリコン孔３３４の底部にｐ＋型領域３０３が形成され、
シリコン孔３３４の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０３と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０８が形成され、
ｐ＋型領域３０３の下部と、シリコン孔３３４の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２４が形成され、
シリコン孔３３４の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１５、３１６が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３４の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１２が形成され、
ｎ型光電変換領域３２４とｎ型ＣＣＤチャネル３１２に挟まれた領域に読み出しチャネル３３８が形成される。
ｐ＋領域３０４を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３３が形成され、
シリコン孔３３３の底部にｐ＋型領域３０４が形成され、
シリコン孔３３３の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０４と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０８が形成され、
ｐ＋型領域３０４の下部と、シリコン孔３３３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２５が形成され、
シリコン孔３３３の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１９が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１２が形成され、
ｎ型光電変換領域３２５とｎ型ＣＣＤチャネル３１２に挟まれた領域に読み出しチャネル３３７が形成される。
ｐ＋領域３０５を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３４３が形成され、
シリコン孔３４３の底部にｐ＋型領域３０５が形成され、
シリコン孔３４３の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０５と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０９が形成され、
ｐ＋型領域３０５の下部と、シリコン孔３４３の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２６が形成され、
シリコン孔３４３の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１４が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３４３の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１３が形成され、
ｎ型光電変換領域３２６とｎ型ＣＣＤチャネル３１３に挟まれた領域に読み出しチャネル３４１が形成される。
ｐ＋領域３０６を有する固体撮像素子は、
ｎ型基板３２１上に、ｐ型ウェル領域３２０が形成され、
ｐ型ウェル３２０にシリコン孔３３２が形成され、
シリコン孔３３２の底部にｐ＋型領域３０６が形成され、
シリコン孔３３２の側壁の一部に、ｐ＋型領域３０６と接続するよう形成されたｐ＋型素子分離領域３０９が形成され、
ｐ＋型領域３０６の下部と、シリコン孔３３２の底部の側壁の他の一部にｎ型光電変換領域３２７が形成され、
シリコン孔３３２の側壁にゲート絶縁膜３２８を介して転送電極３１７、３１８が形成され、
ｐ型ウェル３２０表面とシリコン孔３３２の上部の側壁の他の一部にｎ型ＣＣＤチャネル３１３が形成され、
ｎ型光電変換領域３２７とｎ型ＣＣＤチャネル３１３に挟まれた領域に読み出しチャネル３３６が形成される。
また、転送電極３１４、３１５、３１６、３１７、３１８、３１９上、シリコン孔３３９、３３１、３３４、３３３、３４３、３３２側壁には、絶縁膜３２９を介して金属遮蔽膜３３０が形成される。
上述のように、隣り合う固体撮像素子行のシリコン孔の間には、隣り合う固体撮像素子行のシリコン孔の間を通過するように行方向に延びた転送電極３１４、３１５、３１６、３１７、３１８、３１９が設けられている。転送電極３１４、３１５、３１６、３１７、３１８、３１９は、ゲート絶縁膜３２８を介してシリコン孔の側面に形成され、所定間隔離間して配置されている。転送電極３１４、３１５、３１６、３１７、３１８、３１９は、ｎ型ＣＣＤチャネル領域と共に、フォトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送装置（ＶＣＣＤ）を構成している。ＶＣＣＤは４相駆動（φ１～φ４）とされ、各フォトダイオードに対して異なる位相で駆動される４つの転送電極によりフォトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転送する。本実施形態では、ＶＣＣＤは４相駆動であるが、ＶＣＣＤを適切な任意の数の相で駆動する構成とすることができることも、当業者に明らかであろう。
なお、図示は省略するが、上記金属遮蔽膜上には、通常のＣＣＤイメージセンサと同様に、保護膜や平坦化膜を介して、カラーフィルタ、マイクロレンズ等が形成されている。
次に、本発明の実施形態に係る固体撮像素子、固体撮像装置を形成するための製造工程の一例を図６～図２１を参照して説明する。
図６～図２１は、その（ａ）、（ｂ）がそれぞれ図２のＸ1－Ｘ1’、Ｙ1－Ｙ1’断面に対応する。
ｎ型基板１１５上にp型ウェル領域１１４を形成し、その上部に酸化膜２０１を形成する（図６（ａ）、（ｂ））。
酸化膜をエッチングし、酸化膜マスク２０２を形成する（図７（ａ）、（ｂ））。
シリコンをエッチングし、シリコン孔２０３、２０４を形成する（図８（ａ）、（ｂ））。
イオン注入時のイオンチャネリング防止のため、酸化を行い、酸化膜２０５、２０６を形成し、イオン注入時のマスクとするため、ポリシリコンを堆積し、エッチングし、サイドウォール２０７、２０８状に形成する（図９（ａ）、（ｂ））。
リン、もしくは砒素をインプラントし、アニールし、n型光電変換領域１１０、１１１を形成する（図１０（ａ）、（ｂ））。
シリコン側壁のｐ＋素子分離領域を形成するために、レジスト２０９、２１０を形成し、ポリシリコンをエッチングする（図１１（ａ）、（ｂ））。
レジストを剥離し、ボロンをインプラントし、ｐ＋領域１０４、１０５を形成する（図１２（ａ）、（ｂ））。
ポリシリコン、酸化膜を剥離する（図１３（ａ）、（ｂ））。
イオン注入時のマスクとするため、酸化膜を堆積し、平坦化しエッチバックし、酸化膜２１１、２１２を形成する（図１４（ａ）、（ｂ））。
イオン注入時のイオンチャネリング防止のため、酸化膜２１３を堆積する（図１５（ａ）、（ｂ））。
リンや砒素をインプラし、n型ＣＣＤチャネル領域１０３、１０８、１０９を形成する（図１６（ａ）、（ｂ））。
ｐ＋型素子分離領域を形成するためのレジスト２１４、２１５、２１６を形成し、ボロンをインプラントし、ｐ＋型素子分離領域１０１、１０２を形成する（図１７（ａ）、（ｂ））。
レジストを剥離し、酸化膜を剥離する（図１８（ａ）、（ｂ））。
ゲート絶縁膜１１７を形成し、ポリシリコン２１７を堆積し、平坦化する（図１９（ａ）、（ｂ））。
ポリシリコンをエッチングし、転送電極１０６、１０７を形成する（図２０（ａ）、（ｂ））。
絶縁膜１１９を堆積し、金属遮蔽膜１１６を堆積し、エッチングする（図２１（ａ）、（ｂ））。
また、以上の実施形態において、転送電極は、半導体プロセスあるいは固体デバイスで一般に使用される電極材料を用いて構成することができる。例えば、低抵抗ポリシリコン、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、及び銅シリサイド（ＣｕＳｉ）を挙げることができる。また、転送電極は、これらの電極材料を、絶縁膜を介在させることなく複数積層して形成されていてもよい。
また、金属遮蔽膜は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜や、これらの金属の２種以上からなる合金膜、あるいは、前記の金属膜と前記の合金膜とを含む群から選択された２種以上を組み合わせた多層金属膜等によって形成されることができる。
以上、本発明について、例示のためにいくつかの実施形態に関して説明してきたが、本発明はこれに限定されるものでなく、本発明の範囲及び精神から逸脱することなく、形態及び詳細について、様々な変形及び修正を行うことができることは、当業者に明らかであろう。
１１．ｎ型基板
１２．ｐ型ウェル領域
１３．ｎ型光電変換領域
１４．ｐ型領域
１５．ｐ＋型素子分離領域
１６．ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１７．Ｓｉ酸化膜
１８．転送電極
２０．金属遮蔽膜
２４．金属遮蔽膜開口部
１０１． ｐ＋素子分離領域
１０２． ｐ＋素子分離領域
１０３． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１０４． ｐ＋型領域
１０５． ｐ＋型領域
１０６． 転送電極
１０７． 転送電極
１０８． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１０９． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１１０． ｎ型光電変換領域
１１１． ｎ型光電変換領域
１１２． 読み出しチャネル
１１３． 読み出しチャネル
１１４． ｐ型ウェル領域
１１５． ｎ型基板
１１６． 金属遮蔽膜
１１７． ゲート絶縁膜
１１９． 絶縁膜
２０１． 酸化膜
２０２． 酸化膜マスク
２０３． シリコン孔
２０４． シリコン孔
２０５． 酸化膜
２０６． 酸化膜
２０７． ポリシリコンサイドウォール
２０８． ポリシリコンサイドウォール
２０９． レジスト
２１０． レジスト
２１１． 酸化膜
２１２． 酸化膜
２１３． 酸化膜
２１４． レジスト
２１５． レジスト
２１６． レジスト
２１７． ポリシリコン
３０１． ｐ＋型領域
３０２． ｐ＋型領域
３０３． ｐ＋型領域
３０４． ｐ＋型領域
３０５． ｐ＋型領域
３０６． ｐ＋型領域
３０７． ｐ＋素子分離領域
３０８． ｐ＋素子分離領域
３０９． ｐ＋素子分離領域
３１０． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１１． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１２． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１３． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１４． 転送電極
３１５． 転送電極
３１６． 転送電極
３１７． 転送電極
３１８． 転送電極
３１９． 転送電極
３２０． ｐ型ウェル領域
３２１． ｎ型基板
３２２． ｎ型光電変換領域
３２３． ｎ型光電変換領域
３２４． ｎ型光電変換領域
３２５． ｎ型光電変換領域
３２６． ｎ型光電変換領域
３２７． ｎ型光電変換領域
３２８． ゲート絶縁膜
３２９． 絶縁膜
３３０． 金属遮蔽膜
３３１． シリコン孔
３３２． シリコン孔
３３３． シリコン孔
３３４． シリコン孔
３３５． 読み出しチャネル
３３６． 読み出しチャネル
３３７． 読み出しチャネル
３３８． 読み出しチャネル
３３９． シリコン孔
３４０． 読み出しチャネル
３４１． 読み出しチャネル
３４３． シリコン孔
５０１． ｐ＋型領域
５０２． ｐ＋型領域
５０３． ｐ＋型領域
５０４． ｐ＋型領域
５０５． ｐ＋素子分離領域
５０６． ｐ＋素子分離領域
５０７． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
５０８． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
５０９． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
５１０． 転送電極
５１１． 転送電極
５１２． 転送電極
５１３． 転送電極
５１４． 転送電極
５１５． 転送電極
５１６． 転送電極
５１７． ｎ型光電変換領域
５１８． ｎ型光電変換領域
５１９． ｎ型光電変換領域
５２０． ｎ型光電変換領域
５２１． 読み出しチャネル
５２２． 読み出しチャネル
５２３． 読み出しチャネル
５２４． 読み出しチャネル
５２５． ｐ型ウェル領域
５２６． ｎ型基板
５２７． ゲート絶縁膜
５２８． 絶縁膜
５２９． 金属遮蔽膜
５３０． シリコン孔
５３１． シリコン孔
５３２． シリコン孔
５３３． シリコン孔
１２．ｐ型ウェル領域
１３．ｎ型光電変換領域
１４．ｐ型領域
１５．ｐ＋型素子分離領域
１６．ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１７．Ｓｉ酸化膜
１８．転送電極
２０．金属遮蔽膜
２４．金属遮蔽膜開口部
１０１． ｐ＋素子分離領域
１０２． ｐ＋素子分離領域
１０３． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１０４． ｐ＋型領域
１０５． ｐ＋型領域
１０６． 転送電極
１０７． 転送電極
１０８． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１０９． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
１１０． ｎ型光電変換領域
１１１． ｎ型光電変換領域
１１２． 読み出しチャネル
１１３． 読み出しチャネル
１１４． ｐ型ウェル領域
１１５． ｎ型基板
１１６． 金属遮蔽膜
１１７． ゲート絶縁膜
１１９． 絶縁膜
２０１． 酸化膜
２０２． 酸化膜マスク
２０３． シリコン孔
２０４． シリコン孔
２０５． 酸化膜
２０６． 酸化膜
２０７． ポリシリコンサイドウォール
２０８． ポリシリコンサイドウォール
２０９． レジスト
２１０． レジスト
２１１． 酸化膜
２１２． 酸化膜
２１３． 酸化膜
２１４． レジスト
２１５． レジスト
２１６． レジスト
２１７． ポリシリコン
３０１． ｐ＋型領域
３０２． ｐ＋型領域
３０３． ｐ＋型領域
３０４． ｐ＋型領域
３０５． ｐ＋型領域
３０６． ｐ＋型領域
３０７． ｐ＋素子分離領域
３０８． ｐ＋素子分離領域
３０９． ｐ＋素子分離領域
３１０． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１１． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１２． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１３． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
３１４． 転送電極
３１５． 転送電極
３１６． 転送電極
３１７． 転送電極
３１８． 転送電極
３１９． 転送電極
３２０． ｐ型ウェル領域
３２１． ｎ型基板
３２２． ｎ型光電変換領域
３２３． ｎ型光電変換領域
３２４． ｎ型光電変換領域
３２５． ｎ型光電変換領域
３２６． ｎ型光電変換領域
３２７． ｎ型光電変換領域
３２８． ゲート絶縁膜
３２９． 絶縁膜
３３０． 金属遮蔽膜
３３１． シリコン孔
３３２． シリコン孔
３３３． シリコン孔
３３４． シリコン孔
３３５． 読み出しチャネル
３３６． 読み出しチャネル
３３７． 読み出しチャネル
３３８． 読み出しチャネル
３３９． シリコン孔
３４０． 読み出しチャネル
３４１． 読み出しチャネル
３４３． シリコン孔
５０１． ｐ＋型領域
５０２． ｐ＋型領域
５０３． ｐ＋型領域
５０４． ｐ＋型領域
５０５． ｐ＋素子分離領域
５０６． ｐ＋素子分離領域
５０７． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
５０８． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
５０９． ｎ型ＣＣＤチャネル領域
５１０． 転送電極
５１１． 転送電極
５１２． 転送電極
５１３． 転送電極
５１４． 転送電極
５１５． 転送電極
５１６． 転送電極
５１７． ｎ型光電変換領域
５１８． ｎ型光電変換領域
５１９． ｎ型光電変換領域
５２０． ｎ型光電変換領域
５２１． 読み出しチャネル
５２２． 読み出しチャネル
５２３． 読み出しチャネル
５２４． 読み出しチャネル
５２５． ｐ型ウェル領域
５２６． ｎ型基板
５２７． ゲート絶縁膜
５２８． 絶縁膜
５２９． 金属遮蔽膜
５３０． シリコン孔
５３１． シリコン孔
５３２． シリコン孔
５３３． シリコン孔
Claims (15)
- 第２導電型平面状半導体層と、
前記第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成された第１導電型の高濃度不純物領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に形成され、前記第１導電型の高濃度不純物領域と接続された第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部の側壁の他の一部に形成された受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極と、
前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の上部の側壁の他の一部に形成された第２導電型ＣＣＤチャネル領域と、
前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に形成された読み出しチャネルを有することを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項１に記載の固体撮像素子が行列状に複数配列された固体撮像装置。
- 前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域は、少なくとも隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔列の間の各々において、列方向に延びる第２導電型不純物領域で構成され、
前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。 - 前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極を含む複数の転送電極は、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔行の間の各々において行方向に延び、前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に沿って前記固体撮像素子で発生した信号電荷を転送するように所定間隔離間して配列されたことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
- 請求項１に記載の固体撮像素子が第１の間隔で第１の方向に複数配列された第１の固体撮像素子列と、請求項１に記載の固体撮像素子が前記第１の間隔で前記第１の方向に複数配列され、且つ前記第１の固体撮像素子列に対して前記第１の方向に所定量ずらして配置された第２の固体撮像素子列とが、第２の間隔をおいて配列された素子列の組が、前記第１の方向に所定量ずらして前記第２の間隔をおいて複数組配列された固体撮像装置。
- 前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域は、少なくとも隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔列の間の各々において、該隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔列の各前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の間を通過して列方向に延びる第２導電型不純物領域で構成され、
前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域が相互に接触しないように、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。 - 前記転送電極は、隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔行の間の各々において、該隣り合う前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔行の各前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の間を通過して行方向に延び、前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に沿って前記固体撮像素子で発生した信号電荷を転送するように所定間隔離間して配列されたことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
- 固体撮像素子の製造方法であって、
第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層に、孔を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に形成した前記第１導電型の高濃度不純物領域の下部と、前記第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部の側壁の他の一部に、受光により電荷量が変化する第２導電型光電変換領域を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁にゲート絶縁膜を介して転送電極を形成する工程と、
前記第１導電型平面状半導体層表面と、前記第１導電型平面状半導体層に形成された孔の上部の側壁の他の一部に第２導電型ＣＣＤチャネル領域を形成する工程と、
前記第２導電型光電変換領域と前記第２導電型ＣＣＤチャネル領域に挟まれた領域に読み出しチャネルを形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 第２導電型平面状半導体層上に形成された第１導電型平面状半導体層に、マスクを形成し、シリコンをエッチングし、孔を形成する工程を含む請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する際のマスク材を、第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁に形成する工程と、
第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程と
を含む請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程の後に、第１導電型平面状半導体層に形成された孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程を含む請求項１０に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 第２導電型光電変換領域をイオン注入により形成する工程の後に、第１導電型平面状半導体層に形成された孔の側壁に形成したマスク材の一部をエッチングにより除去し、
その後、イオン注入により、
第１導電型平面状半導体層に形成した孔の底部に第１導電型の高濃度不純物領域を形成する工程と、
第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に、第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域を形成する工程を含む請求項１１に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 第２導電型ＣＣＤチャネル領域をイオン注入により形成する際のマスク材を、第１導電型平面状半導体層に形成された孔に形成する工程と、
第２導電型ＣＣＤチャネル領域をイオン注入により形成する工程と
を含む請求項９から請求項１２のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 第１導電型平面状半導体層に形成した孔の側壁の一部に形成された第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域に接続するよう
第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域をイオン注入により形成する際のマスク材を形成する工程と、
第１導電型の高濃度不純物からなる素子分離領域をイオン注入により形成する工程と
を含む請求項１３に記載の固体撮像素子の製造方法。 - ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極材を堆積し、平坦化を行い、エッチングを行うことにより、転送電極を形成する工程を含む請求項９から請求項１４のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/069321 WO2010046994A1 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| SG200906919-6A SG161176A1 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-16 | Solid-state image pickup element, solid-state image pickup device and production method therefor |
| TW098135560A TWI538182B (zh) | 2008-10-24 | 2009-10-21 | 固體攝像元件、固體攝像裝置以及其製造方法 |
| US12/603,001 US7956388B2 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-21 | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device |
| JP2009244179A JP5311666B2 (ja) | 2008-10-24 | 2009-10-23 | 固体撮像素子の製造方法 |
| KR1020090101455A KR101274794B1 (ko) | 2008-10-24 | 2009-10-23 | 고체촬상소자, 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| EP09173948.2A EP2180516A3 (en) | 2008-10-24 | 2009-10-23 | Solid-state image pickup element, solid-state image pickup device and production method therefor |
| CN2009101806404A CN101728410B (zh) | 2008-10-24 | 2009-10-26 | 固态摄像元件、固态摄像装置及其制造方法 |
| PCT/JP2009/068320 WO2010047412A1 (ja) | 2008-10-24 | 2009-10-26 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| US12/970,272 US8114695B2 (en) | 2008-10-24 | 2010-12-16 | Solid-state image pickup element, solid-state image pickup device and production method therefor |
| US13/115,715 US8115237B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-05-25 | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device having a transfer electrode formed on the entire sidewall of a hole |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/069321 WO2010046994A1 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2010046994A1 true WO2010046994A1 (ja) | 2010-04-29 |
Family
ID=41506530
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/069321 WO2010046994A1 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
| PCT/JP2009/068320 WO2010047412A1 (ja) | 2008-10-24 | 2009-10-26 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2009/068320 WO2010047412A1 (ja) | 2008-10-24 | 2009-10-26 | 固体撮像素子、固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2180516A3 (ja) |
| KR (1) | KR101274794B1 (ja) |
| CN (1) | CN101728410B (ja) |
| SG (1) | SG161176A1 (ja) |
| TW (1) | TWI538182B (ja) |
| WO (2) | WO2010046994A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202010016472U1 (de) | 2009-12-15 | 2011-03-24 | Isensee, Gerrit Ragnar Ulrich Friedrich, Maspalomas | Modul zur Simulation einer belegten Sitzkontaktmatte in Fahrzeugen |
| US20240055448A1 (en) * | 2021-03-17 | 2024-02-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Photoelectric conversion element and imaging device |
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| JP2001308309A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10189936A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR100475733B1 (ko) * | 1997-10-07 | 2005-07-07 | 삼성전자주식회사 | 전하결합형고체촬상소자및그제조방법 |
| JP3152300B2 (ja) | 1998-09-17 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2000196060A (ja) | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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| KR100690884B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP2008112831A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びこれを備えた撮像装置 |
| JP5114968B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-01-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-10-24 WO PCT/JP2008/069321 patent/WO2010046994A1/ja active Application Filing
-
2009
- 2009-10-16 SG SG200906919-6A patent/SG161176A1/en unknown
- 2009-10-21 TW TW098135560A patent/TWI538182B/zh active
- 2009-10-23 KR KR1020090101455A patent/KR101274794B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-23 EP EP09173948.2A patent/EP2180516A3/en not_active Withdrawn
- 2009-10-26 CN CN2009101806404A patent/CN101728410B/zh active Active
- 2009-10-26 WO PCT/JP2009/068320 patent/WO2010047412A1/ja active Application Filing
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| JP2001308309A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101274794B1 (ko) | 2013-06-13 |
| TW201017875A (en) | 2010-05-01 |
| CN101728410A (zh) | 2010-06-09 |
| KR20100045944A (ko) | 2010-05-04 |
| CN101728410B (zh) | 2013-10-30 |
| SG161176A1 (en) | 2010-05-27 |
| WO2010047412A1 (ja) | 2010-04-29 |
| EP2180516A3 (en) | 2013-10-23 |
| EP2180516A2 (en) | 2010-04-28 |
| TWI538182B (zh) | 2016-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 08877560 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 08877560 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |