JPH04335573A - Ｃｃｄ固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像素子Info
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- JPH04335573A JPH04335573A JP3105597A JP10559791A JPH04335573A JP H04335573 A JPH04335573 A JP H04335573A JP 3105597 A JP3105597 A JP 3105597A JP 10559791 A JP10559791 A JP 10559791A JP H04335573 A JPH04335573 A JP H04335573A
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- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＣＣＤ固体撮像素子
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、撮像領域に対して蓄積領域が垂
直方向に並べて配されたＦＩＴ（フレームインタートラ
ンスファー）方式のＣＣＤ固体撮像素子の構成を示すも
のである。
直方向に並べて配されたＦＩＴ（フレームインタートラ
ンスファー）方式のＣＣＤ固体撮像素子の構成を示すも
のである。
【０００３】同図において、１は撮像領域であり、ＳＥ
はフォトダイオードからなるセンサー、１２は垂直シフ
トレジスタである。垂直シフトレジスタ１２は、垂直方
向のセンサー列の各々に対応して１個配されている。
はフォトダイオードからなるセンサー、１２は垂直シフ
トレジスタである。垂直シフトレジスタ１２は、垂直方
向のセンサー列の各々に対応して１個配されている。
【０００４】各センサーＳＥに蓄積された信号電荷は、
垂直ブランキング期間に一斉に垂直シフトレジスタ１２
に読み出され、高速で遮光された蓄積領域２の垂直シフ
トレジスタ２２に転送される。
垂直ブランキング期間に一斉に垂直シフトレジスタ１２
に読み出され、高速で遮光された蓄積領域２の垂直シフ
トレジスタ２２に転送される。
【０００５】その後、各水平ブランキング期間に１ライ
ン分ずつ水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂに転送される。 この場合、水平方向のセンサー列の奇数番目のセンサー
ＳＥからの信号電荷は水平シフトレジスタ３Ａに供給さ
れ（実線矢印図示）、一方偶数番目のセンサーＳＥから
の信号電荷は水平トランスファーゲート４を介して水平
シフトレジスタ３Ｂに供給される（破線矢印図示）。
ン分ずつ水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂに転送される。 この場合、水平方向のセンサー列の奇数番目のセンサー
ＳＥからの信号電荷は水平シフトレジスタ３Ａに供給さ
れ（実線矢印図示）、一方偶数番目のセンサーＳＥから
の信号電荷は水平トランスファーゲート４を介して水平
シフトレジスタ３Ｂに供給される（破線矢印図示）。
【０００６】各水平ブランキング期間に水平シフトレジ
スタ３Ａ，３Ｂに供給される奇数番目、偶数番目のセン
サーＳＥからの信号電荷は、続く水平期間に水平走査速
度に合わせて信号検出部５Ａ，５Ｂに順次転送される。 そして、信号検出部５Ａ，５Ｂより、それぞれ奇数番目
、偶数番目のセンサーＳＥに係る撮像信号が平行して取
り出される。
スタ３Ａ，３Ｂに供給される奇数番目、偶数番目のセン
サーＳＥからの信号電荷は、続く水平期間に水平走査速
度に合わせて信号検出部５Ａ，５Ｂに順次転送される。 そして、信号検出部５Ａ，５Ｂより、それぞれ奇数番目
、偶数番目のセンサーＳＥに係る撮像信号が平行して取
り出される。
【０００７】なお、上述したようにセンサーＳＥからの
信号電荷を蓄積領域２の垂直シフトレジスタ２２に転送
する直前に、撮像領域１の垂直シフトレジスタ１２およ
び蓄積領域２の垂直シフトレジスタ２２に蓄積されてい
る電荷（スミア電荷）は垂直方向に高速で転送され、こ
の電荷は水平シフトレジスタ３Ａ、水平トランスファー
ゲート４、水平シフトレジスタ３Ｂおよびスミアゲート
６を介してスミアドレイン７に掃き出される。これによ
り、スミアの抑圧が行なわれる。
信号電荷を蓄積領域２の垂直シフトレジスタ２２に転送
する直前に、撮像領域１の垂直シフトレジスタ１２およ
び蓄積領域２の垂直シフトレジスタ２２に蓄積されてい
る電荷（スミア電荷）は垂直方向に高速で転送され、こ
の電荷は水平シフトレジスタ３Ａ、水平トランスファー
ゲート４、水平シフトレジスタ３Ｂおよびスミアゲート
６を介してスミアドレイン７に掃き出される。これによ
り、スミアの抑圧が行なわれる。
【０００８】図５は、図４のＩ−Ｉに対応する電極構造
を示す断面図である。垂直シフトレジスタ２２側から、
水平シフトレジスタ３Ａ、水平トランスファーゲート４
、水平シフトレジスタ３Ｂ、スミアゲート６、スミアド
レイン７、チャネルストップ８の順に配され、これらは
Ｎ形基板（Ｎ−Ｓｕｂ）上に形成される。
を示す断面図である。垂直シフトレジスタ２２側から、
水平シフトレジスタ３Ａ、水平トランスファーゲート４
、水平シフトレジスタ３Ｂ、スミアゲート６、スミアド
レイン７、チャネルストップ８の順に配され、これらは
Ｎ形基板（Ｎ−Ｓｕｂ）上に形成される。
【０００９】１０１は垂直シフトレジスタ２２を構成す
るゲート電極（転送電極）であり、このゲート電極１０
１には垂直転送パルスφＶＨが供給される。１０２，１
０４は水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂを構成するゲート
電極（転送電極）であり、このゲート電極１０２，１０
４には水平転送パルスφＨ が供給される。１０３は水
平トランスファーゲート４を構成するゲート電極であり
、このゲート電極１０３には水平トランスファーゲート
パルスφＨＨＧ が供給される。１０５はスミアゲート
電極であり、このスミアゲート電極１０５にはスミアゲ
ートパルスφＳＭＧ が供給される。
るゲート電極（転送電極）であり、このゲート電極１０
１には垂直転送パルスφＶＨが供給される。１０２，１
０４は水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂを構成するゲート
電極（転送電極）であり、このゲート電極１０２，１０
４には水平転送パルスφＨ が供給される。１０３は水
平トランスファーゲート４を構成するゲート電極であり
、このゲート電極１０３には水平トランスファーゲート
パルスφＨＨＧ が供給される。１０５はスミアゲート
電極であり、このスミアゲート電極１０５にはスミアゲ
ートパルスφＳＭＧ が供給される。
【００１０】スミアドレイン７には電圧ＳＭＤが印加さ
れ、チャネルストップ８は接地され、Ｎ形基板には電圧
Ｖｓｕｂ が供給される。図６は、図５のＡ−Ａにおけ
る深さ方向のポテンシャルを示している。
れ、チャネルストップ８は接地され、Ｎ形基板には電圧
Ｖｓｕｂ が供給される。図６は、図５のＡ−Ａにおけ
る深さ方向のポテンシャルを示している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、水平シフト
レジスタ３Ａ，３Ｂに対応するＰウエル（Ｐ−Ｗｅｌｌ
）は、水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂの動作バイアスで
空乏化するように設計されている。その結果、スミアゲ
ート６、スミアドレイン７や水平トランスファーゲート
４が、水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂに対応するＰウエ
ルの電位を接地電位（ＧＮＤ）から分離するため、バイ
アス条件や不純物濃度によりホール蓄積部分が発生する
。
レジスタ３Ａ，３Ｂに対応するＰウエル（Ｐ−Ｗｅｌｌ
）は、水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂの動作バイアスで
空乏化するように設計されている。その結果、スミアゲ
ート６、スミアドレイン７や水平トランスファーゲート
４が、水平シフトレジスタ３Ａ，３Ｂに対応するＰウエ
ルの電位を接地電位（ＧＮＤ）から分離するため、バイ
アス条件や不純物濃度によりホール蓄積部分が発生する
。
【００１２】すなわち、ゲート電極１０３からのホール
の放出や熱的励起により発生したホールがゲート電極１
０３とゲート電極１０５の下のＰウエルのポテンシャル
障壁によって集まり、ゲート電極１０４に対応すＰウエ
ルに局所的に蓄積される（図７Ｂに図示）。このように
ホールが蓄積される部分は電位的に不安定となり、転送
に悪影響を与えるため、転送劣化が生じる。
の放出や熱的励起により発生したホールがゲート電極１
０３とゲート電極１０５の下のＰウエルのポテンシャル
障壁によって集まり、ゲート電極１０４に対応すＰウエ
ルに局所的に蓄積される（図７Ｂに図示）。このように
ホールが蓄積される部分は電位的に不安定となり、転送
に悪影響を与えるため、転送劣化が生じる。
【００１３】また逆に、ホール不足部分も発生する。ホ
ール不足部分では、ゲート電極１０３が正にバイアスさ
れたとき、ゲート電極１０３の下のホールが放出され（
図７Ａに破線図示）、ゲート電極１０３のバイアスが負
に戻ったとき、Ｐウエルのポテンシャルが負電位に変化
する現象を引き起こすことになる（図７Ａに実線図示）
。これにより、ゲート電極１０２、１０４との間の電位
差が大きくなり、アバランシェによる暗電流が発生する
。
ール不足部分では、ゲート電極１０３が正にバイアスさ
れたとき、ゲート電極１０３の下のホールが放出され（
図７Ａに破線図示）、ゲート電極１０３のバイアスが負
に戻ったとき、Ｐウエルのポテンシャルが負電位に変化
する現象を引き起こすことになる（図７Ａに実線図示）
。これにより、ゲート電極１０２、１０４との間の電位
差が大きくなり、アバランシェによる暗電流が発生する
。
【００１４】そこで、この発明では、Ｐウエルの電位を
安定にして転送劣化を防止すると共に、アバランシェの
発生を防止して暗電流の発生を防止するものである。
安定にして転送劣化を防止すると共に、アバランシェの
発生を防止して暗電流の発生を防止するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１の水平
シフトレジスタ、水平トランスファーゲート、第２の水
平シフトレジスタ、スミアゲート、スミアドレインおよ
びチャネルストップがこの順に配され、これらの下部の
Ｐウエルの濃度を高くし、このＰウエルの電位をチャネ
ルストップと同電位にするものである。
シフトレジスタ、水平トランスファーゲート、第２の水
平シフトレジスタ、スミアゲート、スミアドレインおよ
びチャネルストップがこの順に配され、これらの下部の
Ｐウエルの濃度を高くし、このＰウエルの電位をチャネ
ルストップと同電位にするものである。
【００１６】
【作用】Ｐウエルの電位がチャネルストップの電位（Ｇ
ＮＤ）に固定されるため、ホール蓄積部分やホール不足
部分が発生することがなく、アバランシェによる暗電流
の発生が防止される。また、Ｐウエル電位が安定となり
、転送劣化も防止される。
ＮＤ）に固定されるため、ホール蓄積部分やホール不足
部分が発生することがなく、アバランシェによる暗電流
の発生が防止される。また、Ｐウエル電位が安定となり
、転送劣化も防止される。
【００１７】
【実施例】以下、図１を参照しながら、この発明の一実
施例について説明する。図１において、図５と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
施例について説明する。図１において、図５と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００１８】本例においては、水平シフトレジスタ３Ａ
，３Ｂ、水平トランスファーゲート４、スミアゲート６
、スミアドレイン７およびチャネルストップ８の下部の
Ｐウエルの濃度が高くされる（Ｈ−Ｐ−Ｗｅｌｌで示し
た斜線図示領域）。その他は、図５の例と同様に構成さ
れる。
，３Ｂ、水平トランスファーゲート４、スミアゲート６
、スミアドレイン７およびチャネルストップ８の下部の
Ｐウエルの濃度が高くされる（Ｈ−Ｐ−Ｗｅｌｌで示し
た斜線図示領域）。その他は、図５の例と同様に構成さ
れる。
【００１９】図２は図１のＡ−Ａのポテンシャルを示す
図である。上述したようにＰウエルの濃度が高くされる
ので、Ｐウエルの電位はニュートラル（ＧＮＤ電位に固
定）になる。
図である。上述したようにＰウエルの濃度が高くされる
ので、Ｐウエルの電位はニュートラル（ＧＮＤ電位に固
定）になる。
【００２０】図３は図１のＢ−Ｂのポテンシャルを示す
図である。上述したように水平シフトレジスタ３Ａ，３
Ｂ、水平トランスファーゲート４、スミアゲート６およ
びスミアドレイン７の下部のＰウエルの濃度が高くされ
るので、これら各電極の下部のＰウエルの電位もニュー
トラルになる。つまり、チャネルストップ８のＧＮＤ電
位と同電位となる。
図である。上述したように水平シフトレジスタ３Ａ，３
Ｂ、水平トランスファーゲート４、スミアゲート６およ
びスミアドレイン７の下部のＰウエルの濃度が高くされ
るので、これら各電極の下部のＰウエルの電位もニュー
トラルになる。つまり、チャネルストップ８のＧＮＤ電
位と同電位となる。
【００２１】このように本例によれば、Ｐウエルの電位
がニュートラルとなって安定となるため、ゲート電極１
０３とゲート電極１０５の下のＰウエルにポテンシャル
障壁ができず、水平シフトレジスタ３Ｂのゲート電極１
０４に対応するＰウエルにホール蓄積部分が発生するこ
とがなく、転送劣化を防止することができる。
がニュートラルとなって安定となるため、ゲート電極１
０３とゲート電極１０５の下のＰウエルにポテンシャル
障壁ができず、水平シフトレジスタ３Ｂのゲート電極１
０４に対応するＰウエルにホール蓄積部分が発生するこ
とがなく、転送劣化を防止することができる。
【００２２】また、Ｐウエルの電位がニュートラルとな
るため、ホール不足部分が発生することがなくなる。そ
のため、ゲート電極１０３に対応するＰウエルのポテン
シャルが負電位に変化する現象を引き起こすこともなく
、ゲート電極１０２、１０４との間の電位差が大きくな
ることによるアバランシェによる暗電流の発生を防止す
ることができる。
るため、ホール不足部分が発生することがなくなる。そ
のため、ゲート電極１０３に対応するＰウエルのポテン
シャルが負電位に変化する現象を引き起こすこともなく
、ゲート電極１０２、１０４との間の電位差が大きくな
ることによるアバランシェによる暗電流の発生を防止す
ることができる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、Ｐウエルの電位がチ
ャネルストップの電位に固定されるため、ホール蓄積部
分やホール不足部分が発生することがなくアバランシェ
による暗電流の発生を防止でき、また、Ｐウエル電位が
安定となるため転送劣化も防止できる。
ャネルストップの電位に固定されるため、ホール蓄積部
分やホール不足部分が発生することがなくアバランシェ
による暗電流の発生を防止でき、また、Ｐウエル電位が
安定となるため転送劣化も防止できる。
【図１】実施例の構成を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａのポテンシャルを示す図である。
【図３】図１のＢ−Ｂのポテンシャルを示す図である。
【図４】ＦＩＴ（フレームインタートランスファー）方
式ＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す図である。
式ＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す図である。
【図５】図４のＩ−Ｉの断面を示す図である。
【図６】図５のＡ−Ａのポテンシャルを示す図である。
【図７】図５のＢ−Ｂのポテンシャルを示す図である。
１ 撮像領域
２ 蓄積領域
３Ａ，３Ｂ 水平シフトレジスタ
４ 水平トランスファーゲート
５Ａ，５Ｂ 信号検出部
６ スミアゲート
７ スミアドレイン
８ チャネルストップ
１２，２２ 垂直シフトレジスタ
１０１〜１０５ ゲート電極
ＳＥ センサー
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の水平シフトレジスタ、水平トラ
ンスファーゲート、第２の水平シフトレジスタ、スミア
ゲート、スミアドレインおよびチャネルストップがこの
順に配され、上記第１の水平シフトレジスタ、水平トラ
ンスファーゲート、第２の水平シフトレジスタ、スミア
ゲート、スミアドレインおよびチャネルストップの下部
のＰウエルの濃度を高くし、このＰウエルの電位を上記
チャネルストップと同電位にすることを特徴とするＣＣ
Ｄ固体撮像素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105597A JPH04335573A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| KR1019920007505A KR920022540A (ko) | 1991-05-10 | 1992-05-02 | Ccd 고체촬상소자 |
| EP92107797A EP0513683B1 (en) | 1991-05-10 | 1992-05-08 | CCD image sensing device |
| DE69217708T DE69217708T2 (de) | 1991-05-10 | 1992-05-08 | CCD-Bildsensorvorrichtung |
| US07/880,904 US5293237A (en) | 1991-05-10 | 1992-05-08 | CCD image sensing device having a p-well region with a high impurity concentration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105597A JPH04335573A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335573A true JPH04335573A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14411911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105597A Pending JPH04335573A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5293237A (ja) |
| EP (1) | EP0513683B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04335573A (ja) |
| KR (1) | KR920022540A (ja) |
| DE (1) | DE69217708T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177588A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍機能内蔵型の固体撮像素子 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614225B1 (en) * | 1993-03-03 | 1998-05-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Charge coupled device |
| JP3370249B2 (ja) | 1996-12-27 | 2003-01-27 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法および製造方法 |
| US6721005B1 (en) * | 1998-12-03 | 2004-04-13 | Sony Corporation | Solid state image sensor having different structures for effective pixel area and optical black area |
| US6147366A (en) * | 1999-02-08 | 2000-11-14 | Intel Corporation | On chip CMOS optical element |
| US6445014B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-09-03 | Micron Technology Inc. | Retrograde well structure for a CMOS imager |
| US6310366B1 (en) | 1999-06-16 | 2001-10-30 | Micron Technology, Inc. | Retrograde well structure for a CMOS imager |
| JP3980302B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2007-09-26 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138187A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| NL8304035A (nl) * | 1983-11-24 | 1985-06-17 | Philips Nv | Blooming ongevoelige beeldopneeminrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| JPS61144874A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
| GB8517081D0 (en) * | 1985-07-05 | 1985-08-14 | Gen Electric Co Plc | Image sensors |
| JPS62124771A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| US4814848A (en) * | 1986-06-12 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Solid-state imaging device |
| KR100276971B1 (ko) * | 1989-06-20 | 2001-01-15 | 다카노 야스아키 | 고체촬상소자의 구동방법 |
| US5115458A (en) * | 1989-09-05 | 1992-05-19 | Eastman Kodak Company | Reducing dark current in charge coupled devices |
| US5130774A (en) * | 1990-07-12 | 1992-07-14 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for solid-state image sensor |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP3105597A patent/JPH04335573A/ja active Pending
-
1992
- 1992-05-02 KR KR1019920007505A patent/KR920022540A/ko not_active Application Discontinuation
- 1992-05-08 US US07/880,904 patent/US5293237A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-08 EP EP92107797A patent/EP0513683B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-08 DE DE69217708T patent/DE69217708T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177588A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍機能内蔵型の固体撮像素子 |
| US9048164B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-06-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state image sensing device containing electron multiplication function having N-type floating diffusion (FD) region formed within a P-type well region |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0513683B1 (en) | 1997-03-05 |
| DE69217708T2 (de) | 1997-09-25 |
| US5293237A (en) | 1994-03-08 |
| KR920022540A (ko) | 1992-12-19 |
| DE69217708D1 (de) | 1997-04-10 |
| EP0513683A1 (en) | 1992-11-19 |
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