KR830008400A - 고체촬상 장치 - Google Patents

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KR830008400A
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이와오 다께모도
신야 오오바
마사가즈 아오끼
하루히사 안도오
마사아끼 나까이
도시부미 오자끼
마사오 다무라
마사노부 미야오
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미다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

고체 촬상 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본원 발명 고체촬상 장치의 화소부의 구조의 실시예를 나타낸 단면도.
제4A도~제4도 D는 본원 발명 고체촬상 장치의 화소부의 제조방법의 일래를 공정순으로 나타낸 단면도.

Claims (10)

  1. 광전변환소자와 스위치소자로 이루어짖 화소의 복수를, 반도체기체상에 매트릭스상으로 배설하고, 이 화소를 순차 주사하여, 광전변환신호를 순차취출하는 주사수단이 상기 반도체기체상에 배설된 고체촬상 장치에 있어서, 상기 스위치소자의 최소한 출력측단자로 되는 반도체영역이, 상기 반도체기체상에 설치된 절연막상에 배설되어서 이루어진 고체촬상 장치.
  2. 상기 스위치소자는 제1, 제2의 반도체여역과, 이 제1, 제2의 반도체영역간의 제3의 반도체영역상에 게이트 절연막을 통해서 설치된 게이트전극을 갖는 절연게이트형 전계호과트랜지스터로 이루어진 특허청구의 범위 1기재의 고체촬상장치.
  3. 상기 반도체기체는 제1도전형을 가지며, 상기 제1, 제2의 반도체영역은 제1도전형과 반대인 제2도전형얼 가지며, 상기 제1의 반도체영역과 상기 반도체기체로 광다이오우드가 형성되며, 상기 제2의 반도체영역이 상기 졀연막상에 배설되어그래서 이루어진 특허청구의 범위 2기재의 고체촬상 장치.
  4. 상기 제3의 반도체영역도 절연막상에 배설되어서 이루어진 특허청구의 범위 3기재의 고체촬상장치.
  5. 상기 반도체기체상에서 상기 절연막상에 걸쳐서 단결정 반도체층이 형성되어서 이루어지며, 상기 제2의 반도체영역의 적어도 일부는 절연막상의 단결정 반도체층으로 이루어진 특허청구의 범위 3 또는 4기재의 고체촬상 장치.
  6. 상기 반도체기체상에서 절연막상에 걸쳐서 형성된 단결정 반도체층과, 이 단결정 반도체층과 연결하여 절연막상에 형성된 다결정 또는 무정형 반도체층이 설치되어서 이루어지며, 제2의 반도체영역은 절연막상의 단결성 반도체층 및 다결정 또는 무정형 반도체층으로 이루어진 특허청구의 범위 3또는 4기체의 고체촬상 장치.
  7. 상기 절연막은 화소간 분리용의 절연막인 특허청구의 범위 3,4,5또는 6기재의 고체촬상 장치.
  8. 상기 광전변환소자는 포토트랜지스터로 이루어지며, 상기 절연게이트형 전개효과 트랜지스터의 적어도 제2의 영역이 절연막상에 설치된 반도체층상에 형성되어서 이루어진 특허청구의 범위 3기재 고체촬상 장치.
  9. 상기 반도체층은 반도체기체에서 절연막상에 걸쳐서 설치된 단결정층으로 이루어진 특허청구의 범위 8기재의 도체촬상 장치.
  10. 상기 반도체층은 반도체기체에서 절연막상에 걸쳐서 실치된 단결정층과, 이 단결정층과 연결하여 절연막상에 설치된 다결정 또는 무정형층으로 이루어진 특허청구의 범위 8기재의 고체촬상 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019810004903A 1980-12-24 1981-12-14 고체 촬상 장치 KR890000586B1 (ko)

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