KR870011699A - 이미지 센서 - Google Patents

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KR870011699A
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아끼라 다께이
데쓰오 니시까와
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼 가이샤
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    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract

내용 없음

Description

이미지 센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도는 본 발명에 따른 실시에의 모식적 평면도.
제1(b)도는 제1(a)도의 라인 a-a'에서 도시되어 있는 모식적 횡단면도.
제1(c)도는 제1(a)도의 라인 b-b에서 도시되어 있는 모식적 횡단면도

Claims (7)

  1. 반도체 기판상에 형성된 이미지 센서에 있어서, 주사된 광의 세기에 따라 전기신호 전하를 생성하는, 상기 반도체 기판상에 형성된 다수의 반도체광검출소자들, 상기 반도체 기판상에 형성되어 있고, 상기 광검출 소자들에서 생성된 전기 신호 전하들을 전송하고, 출력하기 위한 상기 광검출 소자들에 연결되어 있는 전하전송장치, 상기 반도체 기판상으로부터 상기 전하전송장치의 주변부의 패턴화된 배선을 고립하기 위하여 상기 반도체 기판상에 형성된 첫 번째 절연층, 상기 광검출 소자들의 각 인접소자를 고립하기 위하여 상기 반도체 기판에서 형성되고, 상기 첫 번째 절연층의 두께보다 기본적으로 더얇은 두 번째 절연층을 포함하는 이미지 센서.
  2. 청구번위 제1항에 있어서, 상기 첫 번째 절연층의 두께가 주변부의 상기 패턴화된 배선에 인가된 전압에 견디어내기에 적당할 뿐만아니라 상기 두 번째 절연층의 두께가 상기 광 검출소자들에 인가된 접압에 견디어내기에 적당한 이미지 센서.
  3. 반도체 기판상에 형성된 이미지 센서를 제작하는 방법에 있어서, 이미지 센서의 광검출소자와 함께 수반된 전하전송장치의 주변부의 패턴화된 배선을 고립하기 위한 것인 이산화실리콘으로 만들어진 첫 번째 절연층을 형성하고, 상기 첫 번째 절연층 이외의 표면에 마스킹필름으로 마스크를 하는 상기 첫 번째 절연층 및 상기 마스킹필름의 모든 표면을 커버하는 포토레지스트막을 형성하는 상기광검출 소자들에 대한 피일드 고립이 형성되어져 있는 위치에서, 상기 포토레지스트 막뿐만아니라 상기 마스킹필름에서 개구를 형성하는상기 개구를 통하여 상기 기판안으로 불순물을 도우핑하고, 그것에 의하여 채널커트가 준비되어지는 상기 기판의 상기 개구에서와 상기 도우핑된 영역상에서 이산화실리콘으로 만들어지고, 상기 첫 번째 절연층보다 기본적으로 더 얇게 하는 두번째 절연층을 형성하는 상기 포토레지스트막을 제거하는 과정을 포함하는 제작방법.
  4. 반도체 기판상에 형성되 이미지 센서를 제작하는 방법에 있어서, 이미지 센서의 광검출소자와 결합된 전하전송장치의 주변부에 패턴화된 배선이 이산화실리콘으로 만들어진 두 번째 절연층과 마찬가지로 제작되어지는 곳위에서 이산화실리콘으로 만들어진 첫 번째 절연층을 형성하는 이미지센스의 상기 광검출 소자들은 이산화실리콘으로 만들어진 절연층에 의하여 고립되는 것이며, 상기 첫 번째 및 상기 두 번째 절연층 이외의 표면들은 첫 번째 마스킹필름으로 마스크를 하는 상기 두 번째 절연층의 표면을 커버하는 두 번째 마스킹필름을 형성하는 부수적으로 상기 첫번째 절연층상에 절연층을 형성하는 그것에 의하여 상기 첫 번째 절연층의 두께는 기본적으로 상기 두번째 절연층의 두께보다 더 두꺼운 상기 첫번째 및 두번째 절연층 전역에 형성된 마스킹 필름들을 제거하는 과정을 포함하는 제작방법.
  5. 청구범위 제3항에 있어서, 불순물의 상기 도우핑이 이온주입방법에 의하여 수행되는 방법.
  6. 청구범위 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 첫 번째 및 두 번째 절연층의 상기 형성은 선택적인 열적 산화방법에 의하여 수행되는 방법.
  7. 청구범위 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 마스킹막이 실리콘 질화물로 만들어진 방법.
    ※ 참고사항 : 최최출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005053A 1986-05-26 1987-05-21 이매지 센서 KR900008650B1 (ko)

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