DE4116694C2 - Mit einer Fotodiode versehene Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Mit einer Fotodiode versehene Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einer Fotodiode nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung.
Zur Erhöhung der Empfindlichkeit einer Halbleitervorrich­ tung, die mit einer Fotodiode mit einem pn-Übergang verse­ hen ist, muß die Sperrschichtkapazität der Fotodiode ver­ ringert werden. Für diesen Zweck sind verschiedene Maßnah­ men bekannt.
Zunächst soll jedoch der Zusammenhang zwischen der von dem Fotodiodenaufbau abhängenden Sperrschichtkapazität und der Empfindlichkeit erläutert werden. Als Beispiel diene eine Lichtenergie-Detektorschaltung in einem ladungsspeichernden Lichtsensor, bei dem eine Fotodiode als Lichtempfangsteil verwendet wird. Bekannte Lichtenergie-Detektorschaltungen in ladungsspeichernden Lichtsensoren können grob in die beiden folgenden Typen unterteilt werden:
Der eine Typ, der einen Schaltungsaufbau gemäß Fig. 4(a) hat, speichert eine Ladung für eine gewisse Zeitspanne und erfaßt die Landungsmenge als Spannung. Schaltungen dieser Art werden bei Festkörper MOS Bildsensoren verwendet.
Der andere Typ, der einen Schaltungsaufbau gemäß Fig. 5(a) hat, mißt die Zeitspanne, die bis zum Erreichen einer be­ stimmten Spannung vergeht.
Der erstere Typ mit dem Schaltungsaufbau gemäß Fig. 4(a), arbeitet gemäß dem in Fig. 4(b) gezeigten Zeitdiagram. Vor einem Zeitpunkt t1 ist ein Transistor 16 leitend. Zu dieser Zeit ist die Sperrschichtkapazität in einer Fotodiode 15 einer Sperrspannung ausgesetzt, und Ladung wird gespei­ chert. Der Transistor 16 wird dann zum Zeitpunkt t1 ge­ sperrt und zum Zeitpunkt t2 wieder leitend geschaltet. In der Fotodiode 15 wird eine Ladung erzeugt, die der in der Zeit T = t2 - t1 empfangenen Lichtenergie entspricht, und ein entsprechender Teil der in der Sperrschichtkapazität 18 der Fotodiode 15 gespeicherten Ladung wird entladen.
Wenn der Transistor 16 zum Zeitpunkt t2 leitend geschaltet wird, fließt über einen Ladewiderstand 17 ein Strom, der die Sperrschichtkapazität 18 der Fotodiode 15 auflädt. Eine Ausgangsspannung V erreicht in dieser Zeit einen Maximal­ wert V0, wie es in Fig. 4(b) dargestellt ist. Der Maximal­ wert V0 der Ausgangsspannung ist durch folgende Gleichung gegeben:
V0 = i × T/(C1 + C2) (1)
wobei i der der Lichtenergie entsprechende fotoelektrische Strom, C1 die Sperrschichtkapazität 18 in der Fotodiode 15 und C2 eine parasitäre Kapazität 19 der Schaltung sind.
Der zweite, in Fig. 5(a) gezeigte Schaltungstyp arbeitet nach dem Zeitdiagram von Fig. 5(b). Bei dieser Schaltung kehrt sich das Ausgangssignal V2 eines Vergleichers 20 um, wenn eine Spannung V1 an seinem einen Eingang gleich einer Bezugsspannung Vref am anderen Eingang des Vergleichers 20 wird. Die Zeit T = (t2 - t1) zwischen dem Startzeitpunkt t1 und dem Zeitpunkt t2, zu dem sich das Ausgangssignal des Vergleichers 20 umkehrt, wird gemessen. Diese Zeit T kann durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:
T = (C1 + C2) × Vref/i (2)
Durch Messen der Spannung V0 im ersteren Fall und der Zeit T im letzteren Fall erhält man den der Lichtenergie ent­ sprechenden fotoelektrischen Strom i und kann so die Licht­ energie erfassen. Die Empfindlichkeit eines solchen Licht­ sensors kann durch Anheben des Wertes V0 relativ zu einer gegebenen Lichtenergie in Gleichung (1) bzw. durch Kürzen der Zeit T relativ zu einer gegebenen Lichtenergie in Glei­ chung (2) erhöht werden.
In beiden Fällen kann der fotoelektrische Strom i relativ zu einer gegebenen Lichtenergie erhöht werden, und C1 + C2 kann vermindert werden. Die parasitäre Kapazität C2, die von dem Schaltungsaufbau abhängt, läßt sich jedoch nicht unter einen minimalen Grenzwert verringern. Zum Erhöhen des fotoelektrischen Stroms i ist eine Ausdehnung der Lichtemp­ fangsfläche die effektivste Maßnahme, jedoch verringert sie die Auflösung des Lichtsensors und ist deshalb unerwünscht. Zur Erhöhung der Empfindlichkeit des Lichtsensors muß daher die Sperrschichtkapazität C1 der Fotodiode verringert wer­ den.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 3(a), (b) und (c) soll nun der herkömmliche Aufbau einer Fotodiode mit einem pn-Über­ gang erläutert werden. Fig. 3(a) ist eine schematische Draufsicht, Fig. 3(b) ein Querschnitt längs der Linie A-A' in Fig. 3(a) und Fig. 3(c) ein vergrößerter Ausschnitt von Fig. 3(b). Wenn als eine Schicht 9 eines ersten Leitungs­ typs mit geringer Konzentration ein n-leitendes Siliziumsubstrat verwendet wird, dann wird ein Dotierstoff wie P (Phosphor) in einen nicht-aktiven Bereich der Oberfläche des Substrats diffundiert, um eine Zone 8 des ersten Lei­ tungstyps zu bilden. Dabei handelt es sich um eine n-lei­ tende Halbleiterzone hoher Konzentration, die dazu dient, die einzelnen Sensoren voneinander zu isolieren, die in ak­ tiven Zonen in Form isolierter Inseln angeordnet sind. In die aktiven Zonen wird B (Bor) als Dotierstoff diffundiert, was zur Bildung von Zonen 13 des zweiten Leitungstyps, also p-leitenden Halbleiterzonen führt. Die Zone 8 des ersten Leitungstyps mit hoher Konzentration und die Schicht 9 des ersten Leitungstyps mit niedriger Konzentration umgeben die Zonen 13 des zweiten Leitungstyps, die jeweils einen Sensor darstellen. Während in diesem Fall die Zone 8 und die Schicht 9 beide vom ersten Leitungstyp sind, wird die Zone 8 normalerweise auf eine hohe Konzentration gesetzt, um die Sensoren zu isolieren, und die Schicht 9 auf eine niedrige Konzentration.
Wenn an eine Fotodiode eine Sperrvorspannung angelegt wird, bilden sich an den pn-Übergangsflächen Verarmungszonen 14 aus. Bei herkömmlichen Fotodioden nehmen die Zonen 13 den gesamten Bereich der Lichtempfangsteile mit Ausnahme der zur Isolierung verwendeten Zonen ein, während die Fotodiode unter Ausnutzung des pn-Übergangs zwischen der Zone 13 des zweiten Leitungstyps und der Zone 8 bzw. der Schicht 9 des ersten Leitungstyps gebildet wird.
Daher ist bei herkömmlichen Fotodioden die Sperrschichtka­ pazität C1 proportional dieser Fläche des pn-Übergangs und damit abhängig von der Größe des Lichtempfangsteils. Zur Verringerung von C1 ist ein anderer, in Fig. 6 gezeigter Aufbau bekannt. Bei diesem Aufbau ist zur Verminderung der Fläche des pn-Übergangs und damit zur Reduzierung von C1 eine Zone 21 des zweiten Leitungstyps in Ringform ausgebildet.
Dieser Aufbau hat jedoch dimensionsmäßige Beschränkungen, da es sehr schwierig ist, die Breite d kleiner als 1 µm zu machen. Außerdem sind zur Ausbildung der Zone 21 wie bei dem bekannten Aufbau von Fig. 3 ein Maskierungsschritt und ein Schritt zum Einbringen des Dotierstoffs erforderlich.
Wie die vorangegangene Erläuterung des Standes der Technik zeigt, ist zur Erhöhung der Empfindlichkeit bei einem Lichtsensor die Verringerung der Sperrschichtkapazität C1 einer Fotodiode erforderlich. Bei herkömmlichen Fotodioden führt jedoch die Verringerung der Fläche des pn-Übergangs zur Verminderung der Sperrschichtkapazität C1 zu einer reduzierten Lichtempfangsfläche, was schließlich den fotoelektrischen Strom i verringert. Daher kann auf diese Weise eine Verbesserung der Empfindlichkeit eines Lichtsensors nicht erwartet werden.
Das Anordnen der Zonen des zweiten Leitungstyps in Ringform führt auch zu einer beschränkten Reduzierung der Fläche des pn-Übergangs. Die in diesem Fall erforderlichen Herstel­ lungsschritte können mehr sein als wenn keine Ringform ein­ gesetzt wird, aber niemals weniger.
Aus der EP 0 075 924 A ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Fotodiode bekannt, bei der auf einem p-leitenden Substrat eine n-leitende Schicht ausgebildet ist. Auf dieser befindet sich eine Isolierschicht, von der die untereinander beabstandeten lokalen Oxidfilme in die n-leitende Schicht reichen. Unter jedem dieser Oxidfilme, an seine Unterseite angrenzend, befindet sich eine p+-leitende Zone als Kanalstopper. Die pn-Übergänge der Fotodioden liegen zwischen dem p-leitenden Substrat und der n-leitenden Schicht, die sich über die gesamte Strecke jeweils zwischen zwei benachbarten lokalen Oxidfilmen erstrecken. Hinsichtlich der Sperrschichtkapazität gilt daher für diesen Stand der Technik nichts anderes als für den eingangs erläuterten Stand der Technik.
Aufgabe der Erfindung ist es, unter Vermeidung der vorge­ nannten Probleme des Standes der Technik eine Halbleiter­ vorrichtung mit einer Fotodiode zu schaffen, die eine ver­ ringerte Sperrschichtkapazität aufweist, ohne daß der foto­ elektrische Strom verringert wird, um die Empfindlichkeit zu erhöhen. Aufgabe der Erfindung ist ferner die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleitervorrichtung gemäß Patentanspruch 1 bzw. ein Verfahren gemäß Patentanspruch 3 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un­ teransprüchen gekennzeichnet.
Da bei dieser Lösung die Zone des zweiten Leitungstyps, die angrenzend an die unteren geneigten Teile der Kanten loka­ ler Oxidfilme für die Elementisolation in der Zone oder Schicht des ersten Leitungstyps ausgebildet ist, eine nied­ rige Konzentration und eine sehr geringe Größe aufweist, ist die Fläche des pn-Übergangs zwischen der Zone des zwei­ ten Leitungstyps und der Zone bzw. Schicht des ersten Lei­ tungstyps minimal. Aufgrund des genannten Aufbaus ist zwar die Größe der Zone des zweiten Leitungstyps gering, die Lichtempfangsfläche ist jedoch nicht verringert, da die Zone oder Schicht des ersten Leitungstyps den Lichtemp­ fangsteil bildet. Das Verhältnis von pn-Übergangsfläche zu Lichtempfangsfläche kann daher kleiner gemacht werden, wo­ durch die Sperrschichtkapazität verringert wird, ohne den fotoelektrischen Strom zu verringern. Dies ermöglicht die Herstellung einer Fotodiode mit einem empfindlicheren Lichtsensor.
Bei der Halbleitervorrichtung mit einer Fotodiode gemäß der Erfindung werden die Ladungsträger, die durch in die Ver­ armungsschicht der pn-Übergangsfläche gestrahltes Licht bei Vorspannung in Sperrichtung erzeugt werden, nahezu zu 100% in einen fotoelektrischen Strom umgesetzt, weil in der Ver­ armungszone ein starkes elektrisches Feld herrscht. Die in anderen Bereichen als der Verarmungsschicht erzeugten La­ dungsträger werden aufgrund von Diffusion zu einem foto­ elektrischen Strom. Bei diesem Fotodiodenaufbau nimmt daher der Umwandlungswirkungsgrad des fotoelektrischen Stroms ab, weil die Fläche der Verarmungsschicht geringer ist als bei herkömmlichen Fotodioden. Da jedoch die Diffusionslänge der Ladungsträger in der Zone oder Schicht des ersten Leitungs­ typs geringer Konzentration (eine Störstellenkonzentration von annähernd 1 × 1015 cm-3) bei mehr als 500 µm gehalten wird, kann aufgrund der Diffusion ein ausreichender foto­ elektrischer Strom fließen, wenn die Größe des Lichtsensors annähernd 100 µm beträgt. Daher nimmt der fotoelektrische Strom nicht merkbar ab. Auf diese Weise kann also, weil die Sperrschichtkapazität verringert wurde, die Empfindlichkeit des Lichtsensors bei einer Halbleitervorrichtung mit einer Fotodiode gemäß der Erfindung verbessert werden.
Wenn die Zone des zweiten Leitungstyps in Ringform längs den Siliziumoxidfilmen für die Elementisolierung ausgebil­ det wird, diffundieren die in der Zone oder Schicht des er­ sten Leitungstyps mit geringer Konzentration erzeugten La­ dungsträger in andere Zonen, wodurch Leckströme verhindert werden.
Bei Zonen jeden Leitungstyps in herkömmlichen Fotodioden wird die Zone des zweiten Leitungstyps über dem gesamten Lichtempfangsteil ausgebildet, und der pn-Übergang entsteht an der Grenzfläche zwischen der Zone oder Schicht des er­ sten Leitungstyps und dem unteren Teil der Zone des zweiten Leitungstyps, was eine Reduzierung der pn-Übergangsfläche begrenzt und die Anzahl erforderlicher Herstellungsschritte erhöht. Da andererseits das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung einen Schritt der Maskierung von Bereichen der Oberfläche der Schicht des er­ sten Leitungstyps mit Ausnahme der vorbestimmten Bereiche, die zur Ausbildung von lokalen Oxidfilmen zur Elementiso­ lierung gedacht sind, einen Schritt zur Ioneninjektion von Dotierstoff des zweiten Leitungstyps in die vorbestimmten Bereiche und einen Wärmebehandlungsschritt zur Ausbildung der lokalen Oxidfilme umfaßt, kann eine Halbleitervorrichtung mit einer Fotodiode, die eine deutlich verringerte Sperrschichtkapazität aufweist, mit weniger Herstellungs­ schritten gefertigt werden.
Zunächst wird ein Dotierstoff des zweiten Leitungstyps durch Ioneninjektion lediglich in die vorbestimmten Zonen eingebracht, an denen lokale Oxidfilme für die Element­ isolation ausgebildet werden sollen. Diese lokalen Oxid­ filme werden in den Zonen durch Wärmeoxidation hergestellt. Der Dotierstoff des zweiten Leitungstyps diffundiert dabei in großer Menge in die lokalen Oxidfilme, und der Bereich direkt unterhalb der lokalen Oxidfilme wird zu einem Be­ reich des ersten Leitungstyps. Da jedoch die Ränder der lokalen Oxidfilme sich seitlich mit einer Neigung er­ strecken, wird die Diffusion des Dotierstoffs des zweiten Leitungstyps an den Rändern unterdrückt, wo die Filme dünner sind. Auch nach Abschluß der Ausbildung der lokalen Oxid­ filme und Abschluß der Umwandlung der Bereiche direkt un­ terhalb der lokalen Oxidfilme in Zonen des ersten Leitungs­ typs verbleibt der Dotierstoff des zweiten Leitungstyps an den unteren geneigten Teilen der Ränder der lokalen Oxid­ filme und bildet sehr kleine Zonen des zweiten Leitungstyps mit niedriger Konzentration.
Bei der vorliegenden Erfindung können der Maskierungs­ schritt, der Schritt der Ioneninjetion und der Schritt zur Ausbildung der lokalen Oxidfilme für die Elementisolation, die zur Ausbildung von Zonen der verschiedenen Leitungsty­ pen eingesetzt werden, unter Verwendung desselben Verfah­ rens ausgeführt werden, mit dem andere Elementisolierzonen in der Halbleitervorrichtung ausgebildet werden. Es sind also keine zusätzlichen Schritte erforderlich. Dieses Her­ stellungsverfahren erfordert daher keine speziellen Tech­ niken zur Erzeugung feinerer Strukturen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend an­ hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1(a) schematisch eine Draufsicht auf die Fotodiode ge­ mäß einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 1(b) eine Schnittansicht längs der Linie A-A' in Fig. 1(a),
Fig. 1(c) eine vergrößerte Ansicht eines Teiles der Dar­ stellung von Fig. 1(b),
Fig. 2(a) bis (d) Querschnittsansichten zur Erläuterung der einzelnen Schritte des Herstellungsverfahrens gemäß der Erfindung,
Fig. 3(a) schematisch eine Draufsicht auf den Aufbau einer herkömmlichen Fotodiode,
Fig. 3(b) einer Querschnittsansicht längs der Linie A-A' in Fig. 3(a),
Fig. 3(c) eine vergrößerte Darstellung eines Teiles von Fig. 3(b),
Fig. 4(a) ein Schaltbild des Beispiels einer Lichtenergie- Detektorschaltung in einem ladungsspeichernden Lichtsensor,
Fig. 4(b) ein Zeitdiagram zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung von Fig. 4(a),
Fig. 5(a) eine Schaltbild eines anderen Beispiels einer Lichtenergie-Detektorschaltung in einem ladungs­ speichernden Lichtsensor,
Fig. 5(b) ein Zeitdiagram zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung von Fig. 5(a),
Fig. 6(a) schematisch eine Draufsicht auf eine andere her­ kömmliche Fotodiode,
Fig. 6(b) einen Querschnitt längs der Linie A-A' in Figur (a) und
Fig. 6(c) eine vergrößerte Darstellung eines Teiles von Fig. 6(b).
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung für eine Lichtsensoranordnung, die von einer gemäß der Erfindung ausgebildeten Fotodiode Gebrauch macht.
In den Figuren ist mit 8 eine Zone des ersten Leitungstyps (im vorliegenden Beispiel n-leitend) mit hoher Störstellen­ konzentration bezeichnet. 9 ist eine Schicht des ersten Leitungstyps mit geringer Störstellenkonzentration. 10 ist ein Siliziumoxidfilm, der zur Elementisolierung dient. 11 ist eine Zone des zweiten Leitungstyps (also p-leitend bei diesem Beispiel), die eine geringe Störstellenkonzentration aufweist. 12 ist eine Verarmungsschicht, die entsteht, wenn an die Fotodiode eine Sperrvorspannung angelegt wird. Bei der Schicht 9 handelt es sich um ein n-leitendes Silizium­ substrat. Nachdem in dieses ein p-Dotierstoff durch Ionen­ injektion an vorbestimmten Stellen eingebracht wurde, wird an diesen vorbestimmten Stellen der Siliziumoxidfilm 10 für die Elementisolierung durch Wärmeoxidation ausgebildet. Bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform sind die sehr klei­ nen Zonen 11, deren horizontale Breite weniger als 0,5 µm beträgt, in einer Ringform an den unteren geneigten Teilen der Ränder der Siliziumoxidfilme 10 längs diesen ausgebildet. Nachfolgend wird ein n-Dotierstoff mit hoher Konzen­ tration zur Bildung der Zonen 8 eindiffundiert.
Da die Sperrschichtkapazität proportional der Sperrschicht­ fläche zwischen der Zone 11 und der Schicht 9 ist, wird bei dieser Ausführungsform die Sperrschichtkapazität um so viel reduziert, wie diese Fläche im Vergleich zur Sperrschicht­ fläche zwischen der Zone 13 und der Schicht 9 sowie der Zone 8 bei den herkömmlichen Fotodioden von Fig. 3 geringer ist.
Da die gering dotierte Zone 11 des zweiten Leitungstyps an­ grenzend an die unteren geneigten Teile der Ränder der Si­ liziumoxidfilme 10 innerhalb der gering dotierten Schicht 9 des ersten Leitungstyps ausgebildet ist, nimmt die Licht­ empfangsfläche nicht ab, selbst wenn die Größe der Zone 11 verringert ist, da die Schicht 9 den Lichtempfangsteil bil­ det. Daher führt die Halbleitervorrichtung mit einer Foto­ diode, wie sie in diesem Ausführungsbeispiel beschrieben wird, zu einer Verbesserung der Empfindlichkeit des Licht­ sensors. Da ferner die Zone 11 sich in Form eines Ringes um die Siliziumoxidfilme 10 erstreckt, diffundieren die in der Schicht 9 erzeugten Ladungsträger nicht in andere Zonen, so daß Lecks verhindert werden.
Unter Bezug auf die Fig. 2(a) bis (d) sollen nun die einzelnen Schritte einer Ausführungsform des Herstellungs­ verfahrens beschrieben werden.
Wie in Fig. 2(a) gezeigt, wird ein thermischer Oxidfilm 2 mit einer Dicke von 40 nm (400 Å) auf einem n-leitenden Si­ liziumsubstrat 1 mit einer Phosphorkonzentration von 2 × 1015 cm-3 ausgebildet. Dieser Oxidfilm dient dazu, die Spannung zu entlasten, die durch einen Siliziumnitridfilm 3, der in einem nachfolgenden Schritt zur Herstellung eines Nitridoxidfilms ausgebildet wird, und von dem n-leitenden Siliziumsubstrat 1 herrührt. Der Siliziumnitridfilm 3 wird auf dem Oxidfilm 2 mit einer Dicke von 100 nm (1000 Å) un­ ter Verwendung eines CVD Prozesses ausgebildet. Unter Ver­ wendung einer bekannten Fotoätztechnik mit einem Fotoresist 4 wird der Siliziumnitridfilm 3 nur an den Stellen entfernt, die zur Ausbildung des Siliziumoxidfilms für die Elementi­ solierung vorgesehen sind. In den übrigen Bereichen bleiben der Fotoresist 4 und darunter der Siliziumnitridfilm 3 ste­ hen. Dann werden in den so freigelegten Bereichen durch den thermischen Oxidfilm 2 Ionen injiziert, wenn eine Io­ neninjektion für die Elementisolierung ausgeführt wird, beispielsweise BF2+ bei 1 × 1013 cm-2, 70 KeV, wie dies in Fig. 2(b) gezeigt ist. Dabei entsteht eine Ioneninjektions­ schicht 5 mit einer mittleren Konzentration von 8 × 1017 cm-3. Diese Borkonzentration beträgt das Vierhundertfache der Phosphorkonzentration im n-leitenden Siliziumsubstrat 1.
Wenn in diesem Zustand eine thermische Oxidation ausgeführt wird und ein Siliziumoxidfilm 6 für die Elementsisolierung mit einer Dicke von 860 nm (8600 Å) ausgebildet wird, wie in den Fig. 2(c) und 2(d) gezeigt, dann diffundiert das vorher durch die Ioneninjektion eingebrachte Bor in großer Menge in den Siliziumoxidfilm 6 und wird n-leitend. Da sich jedoch der Siliziumoxidfilm zur Seite ausdehnt, beginnen sich seine Ränder zu neigen. An den Stellen dieser geneigten Ränder oder Kanten ist die Filmdicke geringer. Deshalb wird dort die Diffusion von Bor in den Siliziumoxidfilm unter­ drückt und das Bor bleibt nach Abschluß des Verfahrens­ schritts zur Ausbildung des Siliziumoxidfilms 6 in dem Be­ reich, wo die unteren geneigten Teile der Ränder des Sili­ ziumoxidfilms 6 von dem n-leitenden Siliziumsubstrat 1 ein­ gegrenzt sind. Das Bor bildet an diesen Stellen schließlich sehr kleine p-leitende Zonen 7 mit geringer Konzentration, die den unteren geneigten Teil des Siliziumoxidfilms 6 ein­ grenzen. Da die Breite der p-leitenden Zone 7 in horizonta­ ler Richtung weniger als 0,5 µm beträgt, wird eine Verar­ mungszone 12 sehr klein sein, wenn sie an der pn-Sperr­ schichtfläche zwischen der p-leitenden Zone 7 und dem n- leitenden Siliziumsubstrat 1 entsteht.
Wie schon erwähnt, können bei diesem Verfahren gemäß der Erfindung der Maskierungsschritt zur Ausbildung der Zonen jeden Leitungstyps, der Schritt der Ioneninjektion und der Schritt zur Ausbildung der lokalen Oxidfilme für die Ele­ mentisolierung nach Maßgabe desselben Prozesses ausgeführt werden, der zur Ausbildung anderer Elementisolierzonen in der Halbleitervorrichtung verwendet wird. Es sind also keine zusätzlichen Verfahrensschritte erforderlich. Wenn eine Zone des Leitungstyps ausgebildet wird, deren Konzen­ tration anders als die anderer Elemente auf einem Substrat ist, wie dies bei der Zone 11 des zweiten Leitungstyps mit geringer Konzentration in ringförmiger Gestallt gemäß Dar­ stellung in Fig. 1 der Fall ist, dann kann ein Ioneninjek­ tionsschritt, der eine höhere Konzentration als sie beim CMOS Herstellungsverfahren verwendet wird, gleichzeitig eingesetzt werden, weil nämlich diese Zone durch einen In­ jektionsschritt unter Verwendung einer höheren Konzentra­ tion in Verbindung mit einem Schritt zur Ausbildung des Si­ liziumoxidfilms für die Elementisolierung ausgebildet werden kann. Daher sind keine zusätzlichen Verfahrensschritte er­ forderlich. Die Breite der p-leitenden Zone niedriger Kon­ zentration ist so gering (weniger als 0,5 µm) daß es einer Technologie sehr hohen Niveaus bedürfte, sollte sie durch einen fotolitografischen Prozess hergestellt werden. Mit den heutigen Möglichkeiten ist dies immer noch schwierig.
Wie voranstehend beschrieben, zeichnet sich die vorliegende Erfindung dadurch aus, daß eine Zone oder Schicht eines ersten Leitungstyps und eine Zone eines zweiten Leitungstyps, die angrenzend an die unteren geneigten Teile der Ränder von lokalen Oxidfilmen für die Elementisolierung in der Zone oder Schicht des ersten Leitungstyps ausgebildet ist, einen pn-Übergang bilden. Dies führt zu den folgenden Wir­ kungen:
  • 1. Da die Fläche des pn-Übergangs, die von der Zone des zweiten Leitungstyps, die geringe Konzentration aufweist, und der Zone oder Schicht des ersten Leitungstyps gebildet wird, extrem klein ist, und da die Schicht oder Zone des ersten Leitungstyps direkt als Lichtempfangsteil dient, wird die Lichtempfangsfläche nicht verringert, so daß es möglich wird, allein die Sperrschichtkapazität zu verrin­ gern, ohne den fotoelektrischen Strom zu reduzieren. Aus diesem Grund kann die Empfindlichkeit eines Lichtsensors in einer Halbleitervorrichtung mit einer Fotodiode verbessert werden.
  • 2. Da die Zone des zweiten Leitungstyps, die in einer Ringform längs dem lokalen Oxidfilm für die Elementisolierung ausge­ bildet ist, die Zone des ersten Leitungstyps als Lichtemp­ fangsteil umgibt, diffundieren Ladungsträger, die durch Lichtstrahlung innerhalb der Zone des ersten Leitungstyps erzeugt wurden, nicht in andere Bereiche, so daß Lecks verhindert werden.
  • 3. Da ferner gemäß dem erfindungsgemäßen Herstellungsver­ fahren die durch Ioneninjektion eingebrachten Störstellen des zweiten Leitungstyps bei der Ausbildung des lokalen Oxidfilms diffundieren, bildet der von ihnen nach der Dif­ fusion verbleibende Teil eine sehr kleine Zone des zweiten Leitungstyps, so daß eine Halbleitervorrichtung mit einer sehr empfindlichen Fotodiode hergestellt werden kann, ohne daß eine Spitzentechnologie zur Erzeugung feinerer Strukturen erforderlich wäre.
  • 4. Obwohl ein Maskierungsschritt, ein Ioneninjektions­ schritt und ein Schritt zur Ausbildung der lokalen Oxid­ filme für die Elementisolierung verwendet werden, können diese Schritte gleichzeitig und parallel mit der Herstel­ lung anderer Elementisolierzonen auf einem Substrat ausge­ führt werden. Wenn eine Zone eines Leitungstyps mit einer Konzentration gebildet wird, die sich von der anderer Elemente auf einem Substrat unterscheidet (wie es bei der Zone mit dem zweiten Leitungstyp niedriger Konzentration der Fall ist), dann kann ein Ioneninjektionsschritt unter Verwendung einer hö­ heren Konzentration als beim CMOS-Herstellungsverfahren gleichzeitig verwendet werden, da diese Zone durch einen Ioneninjektionsschritt unter Verwendung einer höheren Kon­ zentration in Verbindung mit dem Schritt zur Ausbildung des Siliziumoxidfilms für Elementisolierung ausgeführt werden kann, so daß keine zusätzlichen Verfahrensschritte erfor­ derlich sind.

Claims (4)

1. Halbleitervorrichtung mit einer einen Lichtempfangsteil umfassenden Fotodiode, deren pn- Übergang zwischen einer ersten Zone (9) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Zone (11) eines zweiten Leitungstyps gebildet ist, sowie mit lokalen Oxidfilmen (10) für eine Elementisolierung, welche in der Zone (9) des ersten Leitungstyps einen Rand mit geneigten Randteilen aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Zone (11) innerhalb der ersten Zone (9) in einem beschränkten, an die geneigten Randteile eines lokalen Oxidfilms (10) angrenzenden Bereich ausgebildet ist und
die Dotierstoffkonzentration in der ersten Zone (9) so gering ist, daß die Diffusionslänge größer ist als der Lichtempfangsteil, derart, daß das Fließen eines ausreichenden fotoelektrischen Stromes ermöglicht wird.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone (11) des zweiten Leitungstyps in Ringform längs den lokalen Oxidfilmen (11) zur Elementisolierung ausgebildet ist.
3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • a) Maskieren der Oberfläche einer Schicht (1) eines ersten Leitungstyps, mit Ausnahme vorbestimmter Bereiche, in denen fokale Oxidfilme (6) zur Elementisolierung ausgebildet werden sollen,
  • b) Ausbilden einer Zone des zweiten Leitungstyps (5) durch Ionenimplantation eines Dotierstoffs des zweiten Leitungstyps an den vorbestimmten Stellen und
  • c) Wärmebehandlung zur Ausbildung der lokalen Oxidfilme (6) für die Elementisolierung derart, daß die im Schritt (b) gebildete Zone (5) des zweiten Leitungstyps nur an den geneigten Randteilen der lokalen Oxidfilme zurückbleibt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (1) des ersten Leitungstyps n-leitend ist, daß der durch Ioneninjektion eingebrachte Dotierstoff vom p-Typ ist und die Injektion mit einer durchschnittlichen Konzentration von mehr als dem Zweihundertfachen und weniger als dem Fünfhundertfachen der Konzentration des Dotierstoffs in der Schicht (1) des ersten Leitungstyps ausgeführt wird.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69321822T2 (de) * 1993-05-19 1999-04-01 Hewlett Packard Gmbh Photodiodenstruktur
US5593902A (en) * 1994-05-23 1997-01-14 Texas Instruments Incorporated Method of making photodiodes for low dark current operation having geometric enhancement
USD378020S (en) * 1995-01-19 1997-02-18 Hatt Jody D Combined remote control cover and protector
US5882984A (en) * 1996-10-09 1999-03-16 Mosel Vitelic Inc. Method for increasing the refresh time of the DRAM
US6040592A (en) * 1997-06-12 2000-03-21 Intel Corporation Well to substrate photodiode for use in a CMOS sensor on a salicide process
US7173656B1 (en) 1997-12-03 2007-02-06 Intel Corporation Method and apparatus for processing digital pixel output signals
US6198118B1 (en) * 1998-03-09 2001-03-06 Integration Associates, Inc. Distributed photodiode structure
US6548878B1 (en) 1998-02-05 2003-04-15 Integration Associates, Inc. Method for producing a thin distributed photodiode structure
KR100263473B1 (ko) * 1998-02-16 2000-08-01 김영환 고체촬상소자 및 그의 제조방법
US6753586B1 (en) 1998-03-09 2004-06-22 Integration Associates Inc. Distributed photodiode structure having majority dopant gradient and method for making same
US6198148B1 (en) * 1998-12-08 2001-03-06 United Microelectronics Corp. Photodiode
US6402328B1 (en) 1999-01-25 2002-06-11 Gentex Corporation Automatic dimming mirror using semiconductor light sensor with integral charge collection
US6359274B1 (en) * 1999-01-25 2002-03-19 Gentex Corporation Photodiode light sensor
US6313457B1 (en) 1999-01-25 2001-11-06 Gentex Corporation Moisture detecting system using semiconductor light sensor with integral charge collection
AU2628800A (en) 1999-01-25 2000-08-07 Gentex Corporation Vehicle equipment control with semiconductor light sensors
US7543946B2 (en) * 2002-01-10 2009-06-09 Gentex Corporation Dimmable rearview assembly having a glare sensor
KR20030090867A (ko) * 2002-05-22 2003-12-01 동부전자 주식회사 시모스 이미지 센서
US7370982B2 (en) 2002-10-02 2008-05-13 Gentex Corporation Environmentally improved rearview mirror assemblies
US6794219B1 (en) * 2003-07-28 2004-09-21 Eastman Kodak Company Method for creating a lateral overflow drain, anti-blooming structure in a charge coupled device
JP4902362B2 (ja) * 2005-01-12 2012-03-21 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
WO2006106515A2 (en) * 2005-04-05 2006-10-12 Alphamirror Inc. Automatic dimming liquid crystal mirror system
US8620523B2 (en) 2011-06-24 2013-12-31 Gentex Corporation Rearview assembly with multiple ambient light sensors
US9224889B2 (en) 2011-08-05 2015-12-29 Gentex Corporation Optical assembly for a light sensor, light sensor assembly using the optical assembly, and vehicle rearview assembly using the light sensor assembly
JP2015511329A (ja) 2012-01-31 2015-04-16 アルファマイクロン インコーポレイテッド 電子的調光可能光学装置
US9870753B2 (en) 2013-02-12 2018-01-16 Gentex Corporation Light sensor having partially opaque optic
US9207116B2 (en) 2013-02-12 2015-12-08 Gentex Corporation Light sensor
CN116598367A (zh) * 2023-03-30 2023-08-15 成都阜时科技有限公司 光电器件、光传感器和电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0075924A2 (de) * 1981-09-28 1983-04-06 Nec Corporation Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung mit hoher Auflösung und hoher Empfindlichkeit
US4835587A (en) * 1984-09-19 1989-05-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device for detecting radiation
US4837607A (en) * 1984-04-25 1989-06-06 Josef Kemmer Large-area, low capacitance semiconductor arrangement

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4450464A (en) * 1980-07-23 1984-05-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state area imaging apparatus having a charge transfer arrangement
JPS60233851A (ja) * 1984-04-17 1985-11-20 Olympus Optical Co Ltd 固体イメ−ジセンサ
JPS61141175A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JPS63153A (ja) * 1986-05-26 1988-01-05 Fujitsu Ltd 電荷転送装置
US4743563A (en) * 1987-05-26 1988-05-10 Motorola, Inc. Process of controlling surface doping
US4728619A (en) * 1987-06-19 1988-03-01 Motorola, Inc. Field implant process for CMOS using germanium
JPH0775243B2 (ja) * 1989-02-22 1995-08-09 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH02294078A (ja) * 1989-05-08 1990-12-05 Fuji Electric Co Ltd 光センサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0075924A2 (de) * 1981-09-28 1983-04-06 Nec Corporation Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung mit hoher Auflösung und hoher Empfindlichkeit
US4837607A (en) * 1984-04-25 1989-06-06 Josef Kemmer Large-area, low capacitance semiconductor arrangement
US4835587A (en) * 1984-09-19 1989-05-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device for detecting radiation

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FRAZIER, Dean P.: Radiation Hardening Technique. In: Motorola, Technical Developments, Vol.8, Oct. 1988, S. 12-13 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4116694A1 (de) 1991-12-05
US5243215A (en) 1993-09-07
US5338691A (en) 1994-08-16

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