CN116598367A - 光电器件、光传感器和电子设备 - Google Patents
光电器件、光传感器和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116598367A CN116598367A CN202310331830.1A CN202310331830A CN116598367A CN 116598367 A CN116598367 A CN 116598367A CN 202310331830 A CN202310331830 A CN 202310331830A CN 116598367 A CN116598367 A CN 116598367A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- substrate
- electrode
- well
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 54
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了光电器件、光传感器和电子设备。光电器件包括衬底以及至少两个阱区，至少两个阱区相互分离地形成于衬底中，阱区与衬底的掺杂类型不同；其中，相互分离的所述阱区各自与衬底之间的接触面积之和小于若分离设置的所述阱区相互之间的间隙被阱区材料填满后形成的一个完整的大阱区与衬底之间的接触面积之和。通过上述方式，本申请可以降低光电器件的暗电流。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光电器件、光传感器和电子设备。
背景技术
随着半导体技术的不断发展，光传感器的应用越来越广泛，光传感器可以应用在手机等电子设备中，从而使手机能够感知外界光线强度，而智能调节亮度和色温，以保护用户眼睛。光传感器也应用于例如手环等健康检测设备当中，以检测心跳、血氧和血糖等指标。而光传感器的重要部件即是光电器件，光电器件是一种可以将光信号转变为电信号的半导体器件，进而使得光传感器能够感测光的强度变化。光电器件可以采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)工艺制作，通常光电器件会采用某一掺杂类型的衬底，然后在衬底上通过离子注入或扩散等工艺制作与衬底掺杂类型相反的阱区。
随着技术的不断发展，对于光电器件的灵敏度要求越来越高。但目前的光电器件存在暗电流较高的问题，会导致光电器件灵敏度降低。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供光电器件、光传感器和电子设备，能够降低光电器件的暗电流。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种光电器件，光电器件可以包括衬底以及至少两个阱区，至少两个阱区相互分离地形成于衬底中，阱区与衬底的掺杂类型不同；其中，相互分离的所述阱区各自与衬底之间的接触面积之和小于若分离设置的所述阱区相互之间的间隙被阱区材料填满后形成的一个完整的大阱区与衬底之间的接触面积之和。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种光传感器，光传感器包括光电器件和传感电路，光电器件连接传感电路。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电子设备，电子设备包括光传感器和处理器，光传感器连接处理器。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，通过设置至少两个阱区，并且设置每个阱区的间隔以及阱区本身的尺寸，使至少两个阱区各自与衬底之间的接触面积之和小于原先一整个大阱区与衬底之间的接触面积。如此就可以使得至少两个阱区与衬底所形成的耗尽区小于整体阱区与衬底之间所形成的耗尽区的大小。其中，耗尽区的大小与暗电流相关，耗尽区缩小后，就能够降低光电器件中的暗电流。
附图说明
图1是本申请电子设备实施例的示意图；
图2是本申请光传感器实施例的电路结构示意图；
图3是本申请光电器件实施例的相关技术的结构剖视示意图；
图4是本申请光电器件实施例的一结构剖视示意图；
图5是本申请光电器件实施例的一结构俯视示意图；
图6是本申请光电器件实施例的一结构俯视示意图；
图7是本申请光电器件实施例的另一结构剖视示意图；
图8是本申请光电器件实施例的又一结构剖视示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请电子设备实施例描述的电子设备10可以以各种形式来实施。例如，电子设备10可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)、便捷式媒体播放器(Portable Media Player，PMP)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等设备，以及诸如数字TV、台式计算机等固定终端。
以下描述为电子设备10的其中一种示例结构：
该电子设备10可以包括：RF(Radio Frequency，射频)单元112、WiFi模块102、音频输出单元103、A/V(音频/视频)输入单元104、光传感器20、显示单元106、用户输入单元107、接口单元108、存储器109、处理器101、以及电源111等部件。图1中示出的电子设备10的结构并不构成对电子设备10的限定，电子设备10可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
下面结合图1对电子设备10的各个部件进行具体的介绍：
射频单元112可用于收发信息或通话过程中，信号的接收和发送，具体的，将基站的下行信息接收后，给处理器101处理；另外，将上行的数据发送给基站。通常，射频单元112包括但不限于天线、至少一个放大器、收发信机、耦合器、低噪声放大器、双工器等。此外，射频单元112还可以通过无线通信与网络和其他设备通信。上述无线通信可以使用任一通信标准或协议，包括但不限于GSM(Global System of Mobile communication，全球移动通讯系统)、GPRS(General Packet Radio Service，通用分组无线服务)、CDMA2000(CodeDivision Multiple Access2000，码分多址2000)、WCDMA(Wideband Code DivisionMultiple Access,宽带码分多址)、TD-SCDMA(Time Division-Synchronous CodeDivision Multiple Access，时分同步码分多址)、FDD-LTE(Frequency DivisionDuplexing-Long Term Evolution，频分双工长期演进)和TDD-LTE(Time DivisionDuplexing-Long Term Evolution，分时双工长期演进)等。
WiFi属于短距离无线传输技术，电子设备10通过WiFi模块102可以帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等，它为用户提供了无线的宽带互联网访问。虽然图1示出了WiFi模块102，其并不属于电子设备10的必须构成，完全可以根据需要在不改变发明的本质的范围内而省略。
音频输出单元103可以在电子设备10处于呼叫信号接收模式、通话模式、记录模式、语音识别模式、广播接收模式等等模式下时，将射频单元112或WiFi模块102接收的或者在存储器109中存储的音频数据转换成音频信号并且输出为声音。而且，音频输出单元103还可以提供与电子设备10执行的特定功能相关的音频输出(例如，呼叫信号接收声音、消息接收声音等等)。音频输出单元103可以包括扬声器、蜂鸣器等等。
A/V输入单元104用于接收音频或视频信号。A/V输入单元104可以包括图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)1041和麦克风1042，图形处理器1041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。处理后的图像帧可以显示在显示单元106上。经图形处理器1041处理后的图像帧可以存储在存储器109(或其它存储介质)中或者经由射频单元112或WiFi模块102进行发送。麦克风1042可以在电话通话模式、记录模式、语音识别模式等等运行模式中经由麦克风1042接收声音(音频数据)，并且能够将这样的声音处理为音频数据。处理后的音频(语音)数据可以在电话通话模式的情况下转换为可经由射频单元112发送到移动通信基站的格式输出。麦克风1042可以实施各种类型的噪声消除(或抑制)算法以消除(或抑制)在接收和发送音频信号的过程中产生的噪声或者干扰。
电子设备10还包括至少一种传感器，比如至少一个光传感器20、运动传感器以及其他传感器。具体地，至少一个光传感器20包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板1061的亮度，接近传感器可在电子设备10移动到耳边时，关闭显示面板1061和/或背光。作为运动传感器的一种，加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别手机姿态的应用(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；至于手机还可配置的指纹传感器、压力传感器、虹膜传感器、分子传感器、陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器，在此不再赘述。
显示单元106用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息。显示单元106可包括显示面板1061，可以采用液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)等形式来配置显示面板1061。
用户输入单元107可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与电子设备10的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。具体地，用户输入单元107可包括触控面板1071以及其他输入设备1072。触控面板1071，也称为触摸屏，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板1071上或在触控面板1071附近的操作)，并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。触控面板1071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触摸控制器；触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再发送给处理器101，并能接收处理器101发来的命令并加以执行。此外，可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板1071。除了触控面板1071，用户输入单元107还可以包括其他输入设备1072。具体地，其他输入设备1072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种，具体此处不做限定。
进一步地，触控面板1071可覆盖显示面板1061，当触控面板1071检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器101以确定触摸事件的类型，随后处理器101根据触摸事件的类型在显示面板1061上提供相应的视觉输出。虽然在图1中，触控面板1071与显示面板1061是作为两个独立的部件来实现电子设备的输入和输出功能，但是在某些实施例中，可以将触控面板1071与显示面板1061集成而实现电子设备的输入和输出功能，具体此处不做限定。
接口单元108用作至少一个外部装置与电子设备10连接可以通过的接口。例如，外部装置可以包括有线或无线头戴式耳机端口、外部电源(或电池充电器)端口、有线或无线数据端口、存储卡端口、用于连接具有识别模块的装置的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频I/O端口、耳机端口等等。接口单元108可以用于接收来自外部装置的输入(例如，数据信息、电力等等)并且将接收到的输入传输到电子设备10内的一个或多个元件或者可以用于在电子设备10和外部装置之间传输数据。
存储器109可用于存储软件程序以及各种数据。存储器109可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据电子设备10在使用过程中所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器109可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
处理器101是电子设备10的控制中心，利用各种接口和线路连接整个电子设备10的各个部分，通过运行或执行存储在存储器109内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器109内的数据，执行电子设备10的各种功能和处理数据，从而对电子设备10进行整体监控。处理器101可包括一个或多个处理单元；优选的，处理器101可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器101中。
电子设备10还可以包括给各个部件供电的电源111(比如电池)，优选的，电源111可以通过电源管理系统与处理器101逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。
尽管图1未示出，电子设备10还可以包括蓝牙模块等，在此不再赘述。
本申请电子设备10实施例中的光传感器20可以参见如下本申请光传感器20实施例的描述。
如图2所示，本申请光传感器20实施例描述的光传感器20可以包括光电器件30和信号处理电路201。信号处理电路201与光电器件30连接，所述信号处理电路201被配置为对光电器件30输出的信号进行处理。
光电器件30是一种半导体元件，在光的照射下光电器件30内会产生光生载流子，光生载流子在光电器件30耗尽区的作用下会引起光电器件30产生电学上的变化，从而产生电信号，实现了将光信号转化为电信号的目的。
可选地，在一些实施例中，所述信号处理电路201例如可以包括信号调节电路2011和模数转换器2012，信号调节电路2011可以连接光电器件30，信号调节电路2011可以用于将光电器件30产生的电流信号转换成电压信号。信号调节电路2011例如包括一个或多个运算放大器，形成至少一级的放大电路。在信号调节电路2011包括两个及以上的运算放大器时，信号调节电路2011还可以利用后级的运算放大器将转换后的电压信号进行放大。运算放大器例如可以为集成运算放大器。模数转换器2012可以连接信号调节电路2011，用于将信号调节电路2011产生的电压信号数字化，即转换成数字信号。模数转换器2012例如为14-16bit模数转换器2012。信号处理电路201例如还包括接口电路2013，用于与其他装置或者部件进行通信连接。接口电路2013例如可以为I2C接口电路。
本申请的发明人经过长期研究发现，参考图3，图3是相关技术中光电器件40的结构示意图。在相关技术中，光电器件40可以采用CMOS工艺制作，例如，光电器件40会采用某一掺杂类型的衬底41，然后在衬底41上通过离子注入或扩散等工艺制作与衬底41掺杂类型相反的阱区42，然后在衬底41中形成第一电极区411，在阱区42中形成第二电极区421，第一电极区411引出有第一电极40a，第二电极区421引出有第二电极40b。阱区42形成于衬底41中，如此，阱区42与衬底41相互接触的区域会形成耗尽区，由于图3中的阱区42为单个整体的大阱区，阱区42与衬底41之间的接触面积就会比较大，使得所形成的耗尽区较大，在耗尽区界面处形成的结电流也相应较大，导致光电器件40的暗电流较高，进而会降低光电器件40的灵敏度。为了解决改善上述技术问题，本申请还提供以下实施例。
本申请光电器件30实施例描述的一种示例性结构。如图4所示，图4是本申请所提出的光电器件30的结构示意图。光电器件30可以包括有衬底31以及至少两个阱区32。至少两个阱区32间隔形成于衬底31中。
其中，阱区32的数量可以是两个、三个或更多个。衬底31的掺杂类型可以是P型，也可以是N型，在此不做具体限定，并且阱区32的掺杂类型与衬底31不同。衬底31和阱区32的形状可以是方形、圆形或多边形等，不做具体限定。至少两个阱区32在衬底中可以呈阵列排布，不同行或列的阱区32可以相互对齐，也可以相互错开。
具体地，至少两个阱区32可以视为由图3中的大阱区42分割而成。如上所述，一个大阱区42可以被分割成两个、三个或更多个相对较小的阱区32。通过调整分割后相邻两个阱区32之间的间隔L，使得间隔L大于阱区32的深度D1与D2之和即可令分割后的至少两个阱区32与衬底31之间的接触面积之和小于原先图3中大阱区42与衬底41之间的接触面积。或者说，至少两个相互分离的阱区32各自与衬底之间的接触面积之和小于若分离设置的至少两个阱区32相互之间的间隙被阱区32材料填满后形成的一个完整的大阱区与衬底41之间的接触面积之和。由此阱区32与衬底31之间形成的耗尽区较小，耗尽区界面上的结电流也相应较小，光电器件30的暗电流得到减少，进而可以提高光电器件30的灵敏度。需要说明的是，此处为了通过比较来说明相互分离的各阱区32之间需要满足的设置条件而假设将相互分离的各阱区32填满后会形成一个完整的大阱区，该大阱区不会真实形成在本申请各实施例的衬底中。
应理解的是，所述阱区32采用离子注入或扩散等工艺在衬底31的上表面形成，所以阱区32的深度指的是沿垂直于衬底31表面向内的竖直方向上的距离，阱区32之间的间隔L指的是沿与上述深度方向垂直的水平方向上的距离。
具体而言，光电器件30的暗电流是指在没有光照射的状态下，光电器件30中流动的电流。暗电流有多种类型，例如结电流、缺陷电流以及表面漏电流等。其中，结电流的大小与光电器件30中PN结的耗尽区的大小有关系。一般来说，耗尽区越大，则结电流越大，耗尽区越小，则结电流越小。耗尽区的大小与阱区32和衬底31的接触面积有关系，阱区32与衬底31接触面积小，则形成的耗尽区较小，阱区32与衬底31的接触面积大，则形成的耗尽区较大。
一般来说，直接在衬底31上形成一整个大阱区41在工艺和工序上较为简单，能够简化工序，提高制造效率。正因为如此，研发人员在设计和制造光电器件30，难以注意到一整个大阱区41所带来的结电流的影响，更多地从工艺上去研究如何减少一整个大阱区32和衬底31之间的缺陷态，进而减少结电流，而难以从整体阱区60的结构去思考减少结电流的问题。
相对于行业内的思维惯性而言，本实施例另辟蹊径，通过将一整个大阱区41分割成至少两个不相连的阱区32以降低阱区32与衬底31的接触面积，进而缩小阱区32与衬底31形成的耗尽区的大小。如此，在衬底31中形成至少两个阱区32的光电器件30中结电流的大小就会小于在衬底31中形成一整个大阱区41的光电器件40中结电流的大小，从而实现了降低暗电流的目的。
参考图4至图6，光电器件30还可以包括第一电极端子312和第二电极端子322，第一电极端子312和第二电极端子322可以用于输出光电器件30所产生的电信号，例如电流信号。第一电极端子312例如作为阳极或阴极，可以根据光电器件30使用场景而定，并且与第二电极端子322的极性相反。具体而言，衬底31中可以形成有第一电极区311，第一电极区311可以通过电极线50a与第一电极端子312连接。其中，第一电极区311的掺杂类型与衬底31相同，且第一电极区311的掺杂浓度高于衬底31的掺杂浓度。如此能够降低第一电极端子312与衬底31之间的电阻，提高电流，从而提升响应度。
在一些实施例中，其中至少一个阱区32中可以形成有第二电极区321，第二电极区321可以通过电极线50b与第二电极端子322连接。其中，第二电极区321的掺杂类型与所在的阱区32相同，且第二电极区321的掺杂浓度高于阱区32的掺杂浓度。如此能够降低第二电极端子322与阱区32之间的电阻，提高电流，从而提升响应度。
进一步地，在一些实施例中，至少两个阱区32中形成有第二电极区321并分别引出电极线50b，且从不同阱区32引出的电极线50b连接至相同的第二电极端子322以实现彼此相连。如此，能够有效地将光电器件30中产生的光生载流子经彼此相连的电极线50b被快速地收集，从而提高光电器件30的电学性能，进一步提高响应度。
如图6所示，在一些实施例中，所述光电器件30包括衬底31以及在衬底31上形成的第一电极区311。所述第一电极区311为沿着衬底周缘形成的闭合的环形区域，从所述第一电极区311引出的电极线50a连接至相同的第一电极端子312上。所述衬底31在环形的第一电极区311围成的闭合区域内形成多个呈阵列排布的阱区32，每个阱区32内分别形成有第二电极区321。其中，位于最外围一圈的多个阱区32从各自的第二电极区321内分别引出电极线50b，并连接至相同的第二电极端子322以实现彼此相连。应理解的是，未引出电极线50b的阱区32内可以形成第二电极区321也可以不形成第二电极区321，本申请对此不做限定。应理解的是，在其他一些实施例中，所述第一电极区311不需要围成闭合的区域，可以为形成在衬底31上表面的单一区域，或者多个相互分离的区域。
如图7所示，在一些实施例中，每个阱区32内都形成有第二电极区321，从每个阱区32各自的第二电极区321内引出的电极线50b连接至相同的第二电极端子322以实现彼此相连。由此，对应每个阱区32生成的光生载流子可以快速地通过每个阱区32引出的电极线50b进行收集，能够进一步地提升光电器件30的响应度，从而提高光电器件30的信噪比。
应理解的是，图6和图7中所述阱区32、第一电极区311、第二电极区321、电极线50a和50b用虚线标示是因为其在俯视图中均被钝化层70覆盖，而并不表示其呈断续形状。
通过电极线50b将阱区32相连的方式可以在电学意义上提高光电器件30的响应度，但是在结构上，由于电极线50b的存在，会有一部分电极线50b将光电器件30的进光遮挡，使光电器件30感光窗口面积的下降，导致进光量下降。由此，在具体设计生产光电器件30的过程中，阱区32尺寸和电极线50b尺寸之间的关系可以设置成使得通过阱区32的电极线50b彼此相连的方式对于响应度的提升比例大于电极线50b遮光对响应度降低的比例，以此来保证电极线50b连接所产生的效果为整体响应度的上升，从而能够提高光电器件30的信噪比。当然，为了增加进光量还可以增大单个光电器件30的整体尺寸。
进一步地，光电器件30的响应度与光电器件30中所形成的耗尽区相关。若本申请的光电器件30中至少两个相互分离的阱区32对应形成的耗尽区也相互分离，则会影响到光电器件30的响应度。本实施例可以通过以下方式减少响应度的降低，进而使得光电器件30能够保持较好的响应度。
具体而言，光电器件30中所形成的耗尽区的不同形式会对响应度产生影响。由于至少两个阱区32之间相互分离设置，阱区32之间的距离较大可能会使得每个阱区32与衬底31单独形成耗尽区，而导致响应度下降。本实施例采用耗尽区互相连接形式的光电器件30响应度较高，耗尽区彼此相连有多种方式。
参阅图7，可选地，在一些实施例中，光电器件30还可以包括第一掺杂区33。第一掺杂区33形成在所述衬底31中位于相邻阱区32之间的位置以连接至少两个阱区32。可选地，第一掺杂区33的掺杂类型与阱区32的掺杂类型相同，以保证耗尽区的互相连接。可选地，第一掺杂区33的掺杂浓度低于阱区32的掺杂浓度，可以称之为轻掺杂。
通过在衬底31中相邻的阱区32之间形成第一掺杂区33，第一掺杂区33与衬底31之间也能够形成耗尽区，该耗尽区能够将至少两个阱区32与衬底31之间形成的耗尽区进行连接，使得该至少两个阱区32各自分别与衬底31之间形成的耗尽区尽量地连成一体以提高光电器件30整体的响应度。而且，第一掺杂区33与衬底31之间形成的耗尽区，相对于该至少两个阱区32与衬底31之间的耗尽区而言，基本上不会使得结电流增大，但第一掺杂区33与衬底31之间形成的耗尽区使得至少两个阱区32与衬底31之间形成的耗尽区连接起来，能够有效地提升光电器件30的响应度。
具体地，在一些实施例中，衬底31的掺杂类型为P型，阱区32的掺杂类型为N型，每个阱区32均从衬底31的表面向衬底31内部延伸。第一掺杂区33的掺杂类型与阱区32掺杂类型相同，均为N型。第一掺杂区33形成于相邻的阱区32之间以连接相邻的两个阱区32。第一掺杂区33的掺杂类型与阱区32相同，如此使得第一掺杂区33与衬底31形成额外的耗尽区，从而使该耗尽区连接阱区32与衬底31之间形成的耗尽区。
应理解的是，第一掺杂区33相对阱区32而言具有较小的体积，例如第一掺杂区33的杂质注入深度远小于阱区32的杂质注入深度，这样可以使得第一掺杂区33可以与衬底31形成较小的耗尽区，该耗尽区可以起到连接阱区32与衬底31之间形成的耗尽区的作用，以提升光电器件30的响应度，并且较小的耗尽区不会导致暗电流的大幅上升，以使光电器件30的信噪比得到提高。可选地，第一掺杂区33形成于衬底31裸露出阱区32的上表面，如此可以使得第一掺杂区33仅有背向衬底31上表面的一侧与衬底31接触而形成耗尽区，所形成的耗尽区能够起到连接阱区32与衬底31之间形成的耗尽区以提高响应度的作用，也尽可能地减少自身的大小，避免引起暗电流上升。
进一步地，第一掺杂区33的掺杂浓度低于阱区32的掺杂浓度。可以理解的是，掺杂区的掺杂浓度与其所形成的耗尽区的大小有关，使第一掺杂区33的掺杂浓度低于阱区32的掺杂浓度可以减小第一掺杂区33与衬底31之间所形成的耗尽区的大小，进而在第一掺杂区33与衬底31之间形成的耗尽区可以将阱区32与衬底31形成的耗尽区连接起来的前提下，能够有效地减小第一掺杂区33与衬底31之间形成的耗尽区的大小，从而减少第一掺杂区33与衬底31形成的耗尽区导致的暗电流上升。
当然，在另一些实施例中，第一掺杂区33的掺杂浓度也可以高于阱区32的掺杂浓度，第一掺杂区33的掺杂浓度高可以使得第一掺杂区33与衬底31形成的耗尽区能够更好的将阱区32与衬底31形成的耗尽区连接，能够较好地提高光电器件30的响应度。
一般而言，第一掺杂区33的浓度高，可以较好提高光电器件30的响应度，但暗电流提升较大；第一掺杂区33的浓度低，可以减少暗电流的提升，但响应度提升较小。由此可见，第一掺杂区33的掺杂浓度与信噪比的关系并非绝对，所以在实际的设计生产过程中，第一掺杂区33掺杂浓度相对于阱区32掺杂浓度的高低，应当根据具体情况确定。即以提高信噪比为目的进行选择，如此才能够更好地提高光电器件30的灵敏度。在其他实施例中，还可以通过缩小相邻阱区32的间距，使相邻阱区32的耗尽区彼此相连，从而提高响应度。
参阅图4、图7及图8，光电器件30还可以包括钝化层70。钝化层70设于衬底31裸露出阱区32的表面上。
光电器件30的制作一般需要对晶圆材料进行离子注入或者刻蚀等工艺，采用各种工艺加工会导致晶圆产生缺陷态，该缺陷态会引起暗电流的上升，导致信噪比降低。钝化层70设置于衬底31形成有阱区32、第一电极区311和第二电极区321的上表面上，钝化层70一般由氧化物或者硅化物等材料形成。在衬底31表面形成钝化层70可以起到钝化作用，即钝化层70的设置能够降低晶圆的表面缺陷态，从而减少光电器件30中表面漏电流的产生，起到降低暗电流的作用。进一步地，在钝化层70上还可以形成有抗反射层(图未示)，从而增加光电器件30的光学性能，以进一步提升光电器件30的灵敏度。
钝化层70的材料可以包括硅化物或者氧化物等材料。钝化层70中一般会带有正电荷或者负电荷，若钝化层70所带电荷的类型与衬底31或阱区32的掺杂类型相同，则会导致钝化层70当中的电荷排斥衬底31或者阱区32当中的多子电荷。由此，钝化层70的存在会使得衬底31和阱区32在其靠近钝化层70的表面处形成多余的耗尽区，而由于表面缺陷态的存在，该多余的耗尽区会导致光电器件30产生较大的表面漏电流，进而使得暗电流上升，信噪比下降，最终导致光电器件30灵敏度下降。
为了改善上述情况所导致的暗电流上升，光电器件30还可以包括第二掺杂区34。第二掺杂区34形成于衬底31和/或阱区32靠近钝化层70的部分表面上。其中，第二掺杂区34的数量可以是一个、两个或更多个，在此不做具体限定。第二掺杂区34的形状可以是方形、圆形、多边形或者其他不规则的形状，本申请不做具体限定。第二掺杂区34的作用主要是可以减少钝化层70与衬底31和阱区32的接触面积，进而降低衬底31和阱区32在其因钝化层70影响所造成的多余耗尽区的大小，从而可以减少衬底31的表面缺陷态所引起的表面漏电流，降低光电器件30的暗电流。可选地，第二掺杂区34可以设置于衬底31和阱区32与钝化层70接触的表面处，第二掺杂区34同时接触阱区32和衬底31，如此可以减少钝化层70分别与衬底31以及阱区32的接触面积，进而减少暗电流。
具体地，第二掺杂区34的掺杂浓度高于衬底31或者阱区32的掺杂浓度。高掺杂浓度的第二掺杂区34所带有空穴或者电子的浓度较高，钝化层70排斥衬底31或阱区32中的空穴或者电子的比例就会降低。如此，在衬底31或阱区32朝向钝化层70的表面所形成的多余的耗尽区就会缩小，使得暗电流减小，从而达到提升信噪比的目的。
进一步地，第二掺杂区34的掺杂类型与钝化层70所带电荷的种类相反。例如，若钝化层70中带有正电荷，则钝化层70中的正电荷就会排斥衬底31或者阱区32当中的空穴，所以第二掺杂区34的掺杂类型则是N型。若钝化层70中带有负电荷，则钝化层70中的负电荷就会排斥衬底31或者阱区32当中的电子，所以第二掺杂区34的掺杂类型则是P型。
可选地，第二掺杂区34可以仅形成于衬底31的表面，可以仅形成于阱区32的表面，也可以同时形成于衬底31和阱区32的表面。对于阱区32类型的光电器件而言，阱区32的掺杂浓度一般高于衬底31的掺杂浓度，因此，钝化层70对于衬底31的影响较大，多余的耗尽区主要是在衬底31的表面形成，因此，第二掺杂区34可以更多地位于衬底31的表面。
例如，衬底31的掺杂类型为P型，阱区32的掺杂类型为N型，则在钝化层70带负电荷的情况下，第二掺杂区34的掺杂类型为P型，第二掺杂区34形成于衬底31靠近钝化层70的部分表面上。若衬底31的掺杂类型为N型，阱区32的掺杂类型为P型，则在钝化层70带正电的情况下，第二掺杂区34的掺杂类型为N型，第二掺杂区34形成于阱区32与钝化层70接触的表面上。第二掺杂区34若形成于衬底31中，则第二掺杂区34的掺杂浓度高于衬底31的掺杂浓度。若第二掺杂区34形成于阱区32中，则第二掺杂区34的浓度高于阱区32的掺杂浓度。
在其他实施例中，第二掺杂区34也可以同时形成在衬底31和阱区32靠近钝化层70的部分表面上，这样可以降低光电器件30的加工生产难度，降低生产成本。
在一实施例中，衬底31的掺杂类型为P型，阱区32的掺杂类型为N型，第二掺杂区34的掺杂类型与衬底31的掺杂类型相同。第二掺杂区34的掺杂浓度高于所述衬底31的掺杂浓度。
具体而言，在CMOS工艺中，一般衬底31的掺杂类型为P型，阱区32的掺杂类型为N型。若衬底31掺杂类型为P型，则衬底31的少子是电子。若衬底31掺杂为N型，衬底31的少子为空穴。其中，电子的迁移率大于空穴的迁移率。在本实施例中，光电器件30依靠少子导电，所以采用衬底31的掺杂类型为P型，阱区32的掺杂类型为N型的方式，能够增加光电器件30的响应速度。
在衬底31的掺杂类型为P型，阱区32的掺杂类型为N型的基础上，钝化层70的材料可以包括二氧化硅，且钝化层70中带有负电荷，则钝化层70中的负电荷会排斥阱区32当中的电子。阱区32中的电子被排斥，则容易在阱区32朝向钝化层70的表面形成多余的耗尽区，进而导致存在较大的表面漏电流。通过设置第二掺杂区34的掺杂类型与阱区32的掺杂类型相反，并且第二掺杂区34的掺杂浓度高于阱区32的掺杂浓度，如此在阱区32朝向钝化层70的表面增加较高浓度的正电荷，而且减少了钝化层70与阱区32的接触面积，使得钝化层70对于阱区32中的电子排斥较小，在阱区32朝向钝化层70的表面所形成的多余耗尽区相对缩小，从而减少了暗电流的产生。
而且，就如前面所言，在存在阱区32的光电器件30中，阱区32的掺杂浓度往往会高于衬底31的掺杂浓度，由于阱区32和第二掺杂区34的掺杂浓度均较高，因此，阱区32和第二掺杂区34之间所形成的耗尽区相较于阱区32和衬底31之间形成的耗尽区小，因此对于由表面缺陷态所引起的暗电流也相应更小。或者说，阱区32和第二掺杂区34之间所形成的耗尽区基本不会导致暗电流的上升。
参阅图8，在一实施例中，第二掺杂区34的数量为至少两个，且与至少两个阱区32一一对应。第二掺杂区34形成于衬底31靠近钝化层70的部分表面并延展至阱区32靠近钝化层70的部分表面，使得每个第二掺杂区34可以同时覆盖阱区32和衬底31靠近钝化层70的部分表面。例如，每个第二掺杂区34延伸跨越相应的阱区32与衬底31之间的边界，同时接触衬底31和相应的阱区32。其中，光电器件30的耗尽区在每个阱区32与衬底31之间形成，并且由于第二掺杂区34的存在因钝化层70所产生的耗尽区较小。如此，对应每个阱区32设置一个第二掺杂区34能够使得在衬底31和阱区32分别与钝化层70接触的表面上因钝化层70所产生的多余耗尽区较小，产生暗电流的多余耗尽区远离阱区32与衬底31之间形成的耗尽区，进而降低钝化层70所产生的暗电流对阱区32与衬底31之间形成的耗尽区所造成的影响。
以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (12)
1.一种光电器件，其特征在于，包括：
衬底；
至少两个阱区，相互分离地形成于所述衬底中，所述阱区与所述衬底的掺杂类型不同；
其中，相互分离的所述阱区各自与衬底之间的接触面积之和小于若分离设置的所述阱区相互之间的间隙被阱区材料填满后形成的一个完整的大阱区与衬底之间的接触面积之和。
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：
所述光电器件包括第一掺杂区，所述第一掺杂区形成在所述衬底中位于相邻的所述阱区之间的位置以连接至少两个所述阱区，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相同。
3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于：
所述第一掺杂区的掺杂浓度低于所述阱区的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：
所述光电器件包括第一电极端子和第二电极端子，所述衬底形成有第一电极区，所述第一电极区通过电极线连接所述第一电极端子，至少两个所述阱区内形成有第二电极区并分别引出电极线，且至少两个所述第二电极区引出的电极线连接至相同的第二电极端子以实现彼此相连。
5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于：
每个所述阱区内都形成有所述第二电极区，从每个所述阱区各自的第二电极区内引出的电极线连接至相同的所述第二电极端子以实现彼此相连。
6.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于：所述第一电极区为沿着衬底周缘形成的闭合的环形区域，所述衬底在环形的第一电极区围成的闭合区域内形成多个呈阵列排布的阱区，每个阱区内分别形成有第二电极区，位于最外围一圈的多个阱区从各自的第二电极区内分别引出电极线并连接至相同的第二电极端子以实现彼此相连。
7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于：
所述光电器件还包括钝化层，所述钝化层设于所述衬底裸露出所述阱区的表面上；所述光电器件还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区形成于所述衬底和/或阱区靠近所述钝化层的部分表面上。
8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于：
所述第二掺杂区与所述至少两个阱区一一对应设置，每个所述第二掺杂区同时覆盖所述阱区和所述衬底靠近钝化层的部分表面。
9.根据权利要求7或8所述的光电器件，其特征在于：
所述衬底的掺杂类型为P型，所述阱区的掺杂类型为N型，所述钝化层的材料包括二氧化硅，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；所述第二掺杂区的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度。
10.根据权利要求7或8所述的光电器件，其特征在于：
所述第二掺杂区的掺杂类型与钝化层所带电荷的种类相反。
11.一种光传感器，其特征在于，包括权利要求1-10任意一项所述的光电器件和传感电路，所述光电器件连接所述传感电路。
12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求11所述的光传感器和处理器，所述光传感器连接所述处理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310331830.1A CN116598367B (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 光电器件、光传感器和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310331830.1A CN116598367B (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 光电器件、光传感器和电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116598367A true CN116598367A (zh) | 2023-08-15 |
| CN116598367B CN116598367B (zh) | 2024-04-30 |
Family
ID=87597936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310331830.1A Active CN116598367B (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 光电器件、光传感器和电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116598367B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243215A (en) * | 1990-05-31 | 1993-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor photodiode device with reduced junction area |
| CN1937232A (zh) * | 2005-09-22 | 2007-03-28 | 中国科学院半导体研究所 | 深亚微米cmos工艺电感补偿型光电探测器及制作方法 |
| CN107403814A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-28 | 英飞凌科技股份有限公司 | 光学传感器设备和用于制造光学传感器设备的方法 |
| CN209282223U (zh) * | 2019-03-07 | 2019-08-20 | 地太科特电子制造(北京)有限公司 | 一种背照式光电二极管 |
| CN111276502A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-12 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 光电转换单元及图像传感器 |
| CN114141886A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-04 | 江苏尚飞光电科技股份有限公司 | 一种雪崩光电二极管阵列探测器 |
| WO2022122822A1 (en) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Ams-Osram Ag | Photodiode device with enhanced characteristics |
| CN217588946U (zh) * | 2021-06-18 | 2022-10-14 | 武汉市聚芯微电子有限责任公司 | 一种光电检测结构及光电检测器 |
-
2023
- 2023-03-30 CN CN202310331830.1A patent/CN116598367B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243215A (en) * | 1990-05-31 | 1993-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor photodiode device with reduced junction area |
| CN1937232A (zh) * | 2005-09-22 | 2007-03-28 | 中国科学院半导体研究所 | 深亚微米cmos工艺电感补偿型光电探测器及制作方法 |
| CN107403814A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-28 | 英飞凌科技股份有限公司 | 光学传感器设备和用于制造光学传感器设备的方法 |
| CN209282223U (zh) * | 2019-03-07 | 2019-08-20 | 地太科特电子制造(北京)有限公司 | 一种背照式光电二极管 |
| CN111276502A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-12 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 光电转换单元及图像传感器 |
| WO2022122822A1 (en) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Ams-Osram Ag | Photodiode device with enhanced characteristics |
| CN217588946U (zh) * | 2021-06-18 | 2022-10-14 | 武汉市聚芯微电子有限责任公司 | 一种光电检测结构及光电检测器 |
| CN114141886A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-04 | 江苏尚飞光电科技股份有限公司 | 一种雪崩光电二极管阵列探测器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116598367B (zh) | 2024-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108769304B (zh) | 电子装置 | |
| CN110062082B (zh) | 一种显示屏及终端设备 | |
| US11101304B2 (en) | Diode and fabrication method thereof, array substrate and display panel | |
| KR101774491B1 (ko) | 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들 | |
| TWI707277B (zh) | 基於指紋識別的電子設備執行命令方法及電子設備 | |
| JP2002016243A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 | |
| WO2018126608A1 (zh) | 成像传感器和成像模组 | |
| CN108965665B (zh) | 一种图像传感器及移动终端 | |
| CN109950235B (zh) | 一种集成指纹识别功能及太阳能电池模块的显示装置 | |
| EP3826292A1 (en) | Mobile terminal and image capturing method | |
| CN111314517B (zh) | 一种显示面板及移动终端 | |
| CN113676651B (zh) | 图像传感器、控制方法、控制装置、电子设备和存储介质 | |
| CN116598367B (zh) | 光电器件、光传感器和电子设备 | |
| CN113675255A (zh) | 显示屏及电子设备 | |
| CN115642162A (zh) | 图像传感器的形成方法及其图像传感器 | |
| WO2023273470A1 (zh) | 显示面板、显示屏及电子设备 | |
| WO2022206607A1 (zh) | 显示模组、电子设备及其控制方法和控制装置 | |
| CN101304035B (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN113725271A (zh) | 显示屏、显示屏的制备方法及电子设备 | |
| CN214705931U (zh) | 互补金属氧化物半导体图像传感器 | |
| WO2022133660A1 (zh) | 单光子雪崩二极管及光电传感装置 | |
| WO2023070634A1 (zh) | 一种晶体管、集成电路以及电子设备 | |
| CN211979682U (zh) | 指纹识别装置 | |
| CN113066934A (zh) | 显示面板以及移动终端 | |
| CN112992954A (zh) | 互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |