JPH061827B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH061827B2 JPH061827B2 JP62026616A JP2661687A JPH061827B2 JP H061827 B2 JPH061827 B2 JP H061827B2 JP 62026616 A JP62026616 A JP 62026616A JP 2661687 A JP2661687 A JP 2661687A JP H061827 B2 JPH061827 B2 JP H061827B2
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- Japan
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- semiconductor layer
- light receiving
- receiving portion
- imaging device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像装置に関する。
〔従来の技術〕 固体撮像装置は、安価で信頼性の高い光センサとして、
現在、幅広く応用されている。
現在、幅広く応用されている。
第２図は従来の固体撮像装置の一例の断面図である。
この従来例は、第２図に示すように、例えばＮ型の半導
体基板１上に形成されたＰ型の不純物層２上の受光部３
を構成するＮ型の不純物層をＰ＋型の絶縁分離領域４′
で区画している。ここで、断面図には示されていないが
紙面に垂直な方向には受光部３からの信号を転送する転
送用電極及びＣＣＤレジスタなど、光電変換された電荷
を出力する部分が配置されている。従って、このような
固体撮像装置では、光が入射すると光電変換された電子
が受光部３のＮ型の不純物層内に集められ、更に信号と
して取り出される。
体基板１上に形成されたＰ型の不純物層２上の受光部３
を構成するＮ型の不純物層をＰ＋型の絶縁分離領域４′
で区画している。ここで、断面図には示されていないが
紙面に垂直な方向には受光部３からの信号を転送する転
送用電極及びＣＣＤレジスタなど、光電変換された電荷
を出力する部分が配置されている。従って、このような
固体撮像装置では、光が入射すると光電変換された電子
が受光部３のＮ型の不純物層内に集められ、更に信号と
して取り出される。
上述した従来の固体撮像装置では、絶縁分離領域４′に
よって不純物層２が、受光部３と共に区画されていない
ので、入射光によりＰ型の不純物層２で光変換された少
数キャリヤの電子の一部が不純物層２を拡散し、絶縁分
離領域４′の下を通って隣の受光部２に捕獲されること
により漏洩信号となり、解像度を非常に低下するという
欠点がある。
よって不純物層２が、受光部３と共に区画されていない
ので、入射光によりＰ型の不純物層２で光変換された少
数キャリヤの電子の一部が不純物層２を拡散し、絶縁分
離領域４′の下を通って隣の受光部２に捕獲されること
により漏洩信号となり、解像度を非常に低下するという
欠点がある。
本発明の特徴は、一導電型の半導体基板上に被着して反
対導電型の第１の半導体層が設けられ、前記第１の半導
体層上に受光部となる一導電型の第２の半導体層が被着
して設けられ、前記第２の半導体層の表面から前記第１
の半導体層より高不純物濃度の反対導電型の不純物領域
が前記第２の半導体層に接しかつ前記第２の半導体層を
貫通し、さらに前記第１の半導体層を貫通して前記半導
体基板内に入りこんで設けられ、前記第２の半導体層か
らなる受光部が前記不純物領域によって仕切られている
固体撮像装置にある。
対導電型の第１の半導体層が設けられ、前記第１の半導
体層上に受光部となる一導電型の第２の半導体層が被着
して設けられ、前記第２の半導体層の表面から前記第１
の半導体層より高不純物濃度の反対導電型の不純物領域
が前記第２の半導体層に接しかつ前記第２の半導体層を
貫通し、さらに前記第１の半導体層を貫通して前記半導
体基板内に入りこんで設けられ、前記第２の半導体層か
らなる受光部が前記不純物領域によって仕切られている
固体撮像装置にある。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
この実施例は、Ｎ型の半導体基板１上にＰ型の不純物層
２と受光部３のＮ型の不純物層とを順次設け、これらを
Ｐ＋型の絶縁分離領域４によって区画している。即ち、
絶縁分離領域４は、受光部３と共にＰ型の不純物層２も
区画している。
２と受光部３のＮ型の不純物層とを順次設け、これらを
Ｐ＋型の絶縁分離領域４によって区画している。即ち、
絶縁分離領域４は、受光部３と共にＰ型の不純物層２も
区画している。
従って、この実施例では、受光部３に光が入射し更にＰ
型の不純物層２内で光電変換された少数キャリヤの電子
の一部は横方向へ拡散しようとするが、しかし絶縁分離
領域４によって阻止され漏洩信号は非常に減少する。
型の不純物層２内で光電変換された少数キャリヤの電子
の一部は横方向へ拡散しようとするが、しかし絶縁分離
領域４によって阻止され漏洩信号は非常に減少する。
ここで、この実施例も、従来例と同様に紙面に垂直な方
向には受光部からの信号を転送する転送用電極およびＣ
ＣＤレジスタなど光電変換された電荷を出力する部分が
配置されている。
向には受光部からの信号を転送する転送用電極およびＣ
ＣＤレジスタなど光電変換された電荷を出力する部分が
配置されている。
以上説明したように本発明は、受光部及びその下の不純
物層を、受光部表面から半導体基板に至る絶縁分離領域
で区画することによって、信号の漏洩を大幅に低減して
解像度の非常に良い固体撮像装置を実現できるという効
果がある。
物層を、受光部表面から半導体基板に至る絶縁分離領域
で区画することによって、信号の漏洩を大幅に低減して
解像度の非常に良い固体撮像装置を実現できるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の固
体撮像装置の一例の断面図である。 １…半導体基板、２…不純物層、３…受光部、４，４′
……絶縁分離領域。
体撮像装置の一例の断面図である。 １…半導体基板、２…不純物層、３…受光部、４，４′
……絶縁分離領域。
Claims (1)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板上に被着して反対導
電型の第１の半導体層が設けられ、前記第１の半導体層
上に受光部となる一導電型の第２の半導体層が被着して
設けられ、前記第２の半導体層の表面から前記第１の半
導体層より高不純物濃度の反対導電型の不純物領域が前
記第２の半導体層に接しかつ前記第２の半導体層を貫通
し、さらに前記第１の半導体層を貫通して前記半導体基
板内に入りこんで設けられ、前記第２の半導体層からな
る受光部が前記不純物領域によって仕切られていること
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026616A JPH061827B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026616A JPH061827B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63194356A JPS63194356A (ja) | 1988-08-11 |
| JPH061827B2 true JPH061827B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=12198416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62026616A Expired - Fee Related JPH061827B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061827B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3404848B2 (ja) * | 1993-12-21 | 2003-05-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US5593902A (en) * | 1994-05-23 | 1997-01-14 | Texas Instruments Incorporated | Method of making photodiodes for low dark current operation having geometric enhancement |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61141177A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62026616A patent/JPH061827B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63194356A (ja) | 1988-08-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |