JPH03181282A - 固体撮像デバイス - Google Patents
固体撮像デバイスInfo
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- JPH03181282A JPH03181282A JP1318962A JP31896289A JPH03181282A JP H03181282 A JPH03181282 A JP H03181282A JP 1318962 A JP1318962 A JP 1318962A JP 31896289 A JP31896289 A JP 31896289A JP H03181282 A JPH03181282 A JP H03181282A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/1506—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements
- H04N3/1512—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements for MOS image-sensors, e.g. MOS-CCD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＭＯＳ型の固体撮像デバイスに関し、特に、
複数のフレーム画を高速に撮像するための固体撮像デバ
イスに関する。
複数のフレーム画を高速に撮像するための固体撮像デバ
イスに関する。
従来、ＭＯＳ型の固体撮像デバイスは、第３図に示すよ
うな構造となっている。即ち、この固体撮像デバイスは
半導体製造プロセスによって形成されるものであり、被
写体光学像を受光するための受光領域１、画素信号を走
査読出しするための垂直走査回路２及び水平走査回路３
を備えている。
うな構造となっている。即ち、この固体撮像デバイスは
半導体製造プロセスによって形成されるものであり、被
写体光学像を受光するための受光領域１、画素信号を走
査読出しするための垂直走査回路２及び水平走査回路３
を備えている。
まず、受光領域１の構造を説明すると、ｎ形半導体基板
の表面部分に形成されたｐ形つェル層内に複数のｎ゛形
不純物領域をマトリクス状に埋設することによって、第
３図に示す複数のフォトダイオードＰ ＋＋ ＋ Ｐ
＋２、Ｐａｔ ＋ Ｐ２２Ｐ３１１Ｐ３２ が形
成されると共に、これらのフォトダイオードの間に信号
読出線Ｓｌ、Ｓ２＋Ｓ ３ ＋ ３４ ＋ ”””’
・及び垂直走査線Ｖｌ＋ Ｖ２゜Ｖ３ ・ が
縦横に設けられている。そして、夫々の垂直走査線Ｖ＋
、Ｖ２ 、Ｖ３ ・−がシフトレジスタより戊
る垂直走査回路２の夫々所定のビット出力接点す、、ｂ
、、ｂ３ に接続し、夫々の信号読出線Ｓｔ、Ｓ
２．Ｓ３，３４゜が夫々第２のスイッチングトランジス
タＭ、、Ｍ２、 Ｍｓ 、 Ｍ４ ”’−・・・−を
介して出力端子４に接し、更に、夫々のスイッチングト
ランジスタ？ｖＬ 、 Ｍ２Ｍ３ 、Ｍ４ ”’−の
ゲート接点が、シフトレジスタより戒る水平走査回路３
の夫々所定のビット出力接点ｈ＋、ｈ２．ｈ３．ｈａ
−・ に接続している。
の表面部分に形成されたｐ形つェル層内に複数のｎ゛形
不純物領域をマトリクス状に埋設することによって、第
３図に示す複数のフォトダイオードＰ ＋＋ ＋ Ｐ
＋２、Ｐａｔ ＋ Ｐ２２Ｐ３１１Ｐ３２ が形
成されると共に、これらのフォトダイオードの間に信号
読出線Ｓｌ、Ｓ２＋Ｓ ３ ＋ ３４ ＋ ”””’
・及び垂直走査線Ｖｌ＋ Ｖ２゜Ｖ３ ・ が
縦横に設けられている。そして、夫々の垂直走査線Ｖ＋
、Ｖ２ 、Ｖ３ ・−がシフトレジスタより戊
る垂直走査回路２の夫々所定のビット出力接点す、、ｂ
、、ｂ３ に接続し、夫々の信号読出線Ｓｔ、Ｓ
２．Ｓ３，３４゜が夫々第２のスイッチングトランジス
タＭ、、Ｍ２、 Ｍｓ 、 Ｍ４ ”’−・・・−を
介して出力端子４に接し、更に、夫々のスイッチングト
ランジスタ？ｖＬ 、 Ｍ２Ｍ３ 、Ｍ４ ”’−の
ゲート接点が、シフトレジスタより戒る水平走査回路３
の夫々所定のビット出力接点ｈ＋、ｈ２．ｈ３．ｈａ
−・ に接続している。
又、夫々のフォトダイオードと所定の信号読出線の間に
は、例えば、フォトダイオードＰ ＋＋と信号読出線Ｓ
ｌの間のスイッチングトランジスタＣ１に示すように、
第１のスイッチングトランジスタが介在すると共に、夫
々のスイッチングトランジスタのゲート接点が垂直走査
回路２から延設される垂直走査線ｖ、、Ｖ、、Ｖ、・・
・−に接続している。
は、例えば、フォトダイオードＰ ＋＋と信号読出線Ｓ
ｌの間のスイッチングトランジスタＣ１に示すように、
第１のスイッチングトランジスタが介在すると共に、夫
々のスイッチングトランジスタのゲート接点が垂直走査
回路２から延設される垂直走査線ｖ、、Ｖ、、Ｖ、・・
・−に接続している。
このような構造のＭＯ３型固体撮像デバイスにおいて撮
像を行う場合には、第４図に示すタイミングの走査読出
しが行われる。即ち、まず所定の露光期間において被写
体光学像を受光した後、水平走査回路２の最初のビット
出力接点す、から所定期間Ｔの間“Ｈ″レベル信号ＳＶ
Ｉを出力して第１の垂直走査線Ｖ、に接続するスイッチ
ングトランジスタ群をオン状態にすることにより、第１
の垂直走査線Ｖ１に対応するフォトダイオードＰ ＩＩ
＋ Ｐ １２ ・・・・・の各画素信号を信号読出線
Ｓ１゜Ｓｔ、３３．Ｓａ −・・ に転送する。更に
、その期間Ｔにおいて水平走査回路３がパ゛ルス信号Ｓ
ｈを所定周期γで下位ビットから上位ビットヘシフトし
て、スイッチングトランジスタＭｔ 、Ｍ２゜Ｍ３ 、
Ｍ４ ・・・・を順次に導通にすることにより、
フォトダイオードＰＩＩＩＰ＋２ ・・・の各画素信号
を周期τ毎の時系列信号Ｓ（τ〉として出力端子４へ出
力する。
像を行う場合には、第４図に示すタイミングの走査読出
しが行われる。即ち、まず所定の露光期間において被写
体光学像を受光した後、水平走査回路２の最初のビット
出力接点す、から所定期間Ｔの間“Ｈ″レベル信号ＳＶ
Ｉを出力して第１の垂直走査線Ｖ、に接続するスイッチ
ングトランジスタ群をオン状態にすることにより、第１
の垂直走査線Ｖ１に対応するフォトダイオードＰ ＩＩ
＋ Ｐ １２ ・・・・・の各画素信号を信号読出線
Ｓ１゜Ｓｔ、３３．Ｓａ −・・ に転送する。更に
、その期間Ｔにおいて水平走査回路３がパ゛ルス信号Ｓ
ｈを所定周期γで下位ビットから上位ビットヘシフトし
て、スイッチングトランジスタＭｔ 、Ｍ２゜Ｍ３ 、
Ｍ４ ・・・・を順次に導通にすることにより、
フォトダイオードＰＩＩＩＰ＋２ ・・・の各画素信号
を周期τ毎の時系列信号Ｓ（τ〉として出力端子４へ出
力する。
次に、垂直走査回路２の第２ビツト出力接点ｂ２から所
定期間Ｔの間“Ｈ″レベル信号ＳＶＩを出力して第２の
垂直走査線Ｖ２に接続するスイッチングトランジスタ群
をオン状態にすることにより、第２の垂直走査線Ｖ２に
対応するフォトダイオードＰ２１ｔＰ２２・・・・−・
・・の各画素信号を信号読出線Ｓ、Ｓｚ、３３．Ｓａ・
・・・・・・−・・に転送する。
定期間Ｔの間“Ｈ″レベル信号ＳＶＩを出力して第２の
垂直走査線Ｖ２に接続するスイッチングトランジスタ群
をオン状態にすることにより、第２の垂直走査線Ｖ２に
対応するフォトダイオードＰ２１ｔＰ２２・・・・−・
・・の各画素信号を信号読出線Ｓ、Ｓｚ、３３．Ｓａ・
・・・・・・−・・に転送する。
更に、その期間Ｔにおいて水平走査回路３がパルス信号
Ｓｈを所定周期τで下位ビットから上位ビットヘシフト
して、スイッチングトランジスタＭ、Ｍ２ 、Ｍ３ 、
Ｍ＜ −・・・・・を順次に導通にすることにより、
フォトダイオードＰ２１ 、 Ｐ２２ ・、・の各画素
信号を周期τ毎の時系列信号Ｓ（τ）として出力端子４
へ出力する。
Ｓｈを所定周期τで下位ビットから上位ビットヘシフト
して、スイッチングトランジスタＭ、Ｍ２ 、Ｍ３ 、
Ｍ＜ −・・・・・を順次に導通にすることにより、
フォトダイオードＰ２１ 、 Ｐ２２ ・、・の各画素
信号を周期τ毎の時系列信号Ｓ（τ）として出力端子４
へ出力する。
そして、このような垂直走査及び水平走査を残余のフォ
トダイオードに対して繰り返すことにより、１フレ一ム
画に相当する画素信号を時系列の信号Ｓ（τ）として読
み出す。
トダイオードに対して繰り返すことにより、１フレ一ム
画に相当する画素信号を時系列の信号Ｓ（τ）として読
み出す。
このような、ＭＯ３型固体撮像デバイスは、比較的少な
い画素数の画素信号を比較的低速で走査読出しする技術
分野に対応するものであるが、画素（フォトダイオード
）数の極めて多い固体撮像デバイスの各画素の画素信号
を上述の垂直走査及び水平走査で読み出そうとすると、
極めて高速の水平走査回路が必要となり、技術的な限界
がある。
い画素数の画素信号を比較的低速で走査読出しする技術
分野に対応するものであるが、画素（フォトダイオード
）数の極めて多い固体撮像デバイスの各画素の画素信号
を上述の垂直走査及び水平走査で読み出そうとすると、
極めて高速の水平走査回路が必要となり、技術的な限界
がある。
そこで、本出願に係る発明者は、複数の画素群を組とし
て各組毎に同時に水平走査することによって、高速の水
平走査回路を使用しなくとも、実質的に高速の走査読出
しを行う固体撮像デバイスの研究・開発を行った。
て各組毎に同時に水平走査することによって、高速の水
平走査回路を使用しなくとも、実質的に高速の走査読出
しを行う固体撮像デバイスの研究・開発を行った。
その固体撮像デバイスの一従来例の構造を第５図に基づ
いて説明すると、同図において、２がシフトレジスタよ
り戊る垂直走査回路、３がシフトレジスタより成る水平
走査回路であり、垂直走査回路２の各ビット出力接点１
）＋、１）２〜ｂ、、に垂直走査線Ｖ、、Ｖ、〜Ｖｏが
接続し、水平走査回路３の各ビット出力接点り、、ｈ２
〜ｈ、に水平走査線１、！！２〜１３が接続している。
いて説明すると、同図において、２がシフトレジスタよ
り戊る垂直走査回路、３がシフトレジスタより成る水平
走査回路であり、垂直走査回路２の各ビット出力接点１
）＋、１）２〜ｂ、、に垂直走査線Ｖ、、Ｖ、〜Ｖｏが
接続し、水平走査回路３の各ビット出力接点り、、ｈ２
〜ｈ、に水平走査線１、！！２〜１３が接続している。
更に、画素となるフォトダイオード群が、第３図に示す
のと同様に、垂直走査線Ｖ、Ｖ２〜Ｖｏの電圧レベルに
応じて導通又は非導通とスイッチングトランジスタを介
して夫々所定の信号読出線Ｓ、、Ｓ２〜Ｓ１ｇカに接続
し、夫々の信号読出線Ｓｌ、Ｓ２〜Ｓ１６．の終端に夫
々所定のスイッチングトランジスタＭ、〜Ｍ８、Ｍ２１
〜Ｍ ２４、−・−−、Ｍ４＠１〜Ｍ４□が接続してい
る。
のと同様に、垂直走査線Ｖ、Ｖ２〜Ｖｏの電圧レベルに
応じて導通又は非導通とスイッチングトランジスタを介
して夫々所定の信号読出線Ｓ、、Ｓ２〜Ｓ１ｇカに接続
し、夫々の信号読出線Ｓｌ、Ｓ２〜Ｓ１６．の終端に夫
々所定のスイッチングトランジスタＭ、〜Ｍ８、Ｍ２１
〜Ｍ ２４、−・−−、Ｍ４＠１〜Ｍ４□が接続してい
る。
ここで、例えば、スイッチングトランジスタＭｌｌ”−
Ｍ１４のゲート接点に水平走査線ｆ、が共通に接続して
いるように、夫々の水平走査線ｆ。
Ｍ１４のゲート接点に水平走査線ｆ、が共通に接続して
いるように、夫々の水平走査線ｆ。
１１２〜、に４個ずつのスイッチングトランジスタのゲ
ート接点が共通に接続し、４個ずつのスイッチングトラ
ンジスタから成る各組の第１のスイッチングトランジス
タ〈例えば、Ｍｌｌ、 Ｍ２１〜）が第１の出力線５、
第２のスイッチングトランジスタ（例えば、Ｍ、２．Ｍ
２２〜）が第２の出力線６、第３のスイッチングトラン
ジスタ（例えば、Ｍ１３、Ｍ２３〜）が第３の出力線７
、第４のスイッチングトランジスタ（例えば、Ｍ＋４．
Ｍ２４〜）が第４の出力線８に接続し、夫々の出力線５
． ６． ７゜８から画素信号Ｓ＋（ｒ）、 ５ｚ（ｒ
）、 ５３（ｒ）、 ５４（ｒ）を並列に出力する。
ート接点が共通に接続し、４個ずつのスイッチングトラ
ンジスタから成る各組の第１のスイッチングトランジス
タ〈例えば、Ｍｌｌ、 Ｍ２１〜）が第１の出力線５、
第２のスイッチングトランジスタ（例えば、Ｍ、２．Ｍ
２２〜）が第２の出力線６、第３のスイッチングトラン
ジスタ（例えば、Ｍ１３、Ｍ２３〜）が第３の出力線７
、第４のスイッチングトランジスタ（例えば、Ｍ＋４．
Ｍ２４〜）が第４の出力線８に接続し、夫々の出力線５
． ６． ７゜８から画素信号Ｓ＋（ｒ）、 ５ｚ（ｒ
）、 ５３（ｒ）、 ５４（ｒ）を並列に出力する。
第６図は、水平走査線１１、Ｒ２と、スイッチングトラ
ンジスタＭ、〜Ｍ、から成る第１組と、スイッチングト
ランジスタＭ２１〜Ｍ２４から戊る第２組との接続構造
を代表して示す。
ンジスタＭ、〜Ｍ、から成る第１組と、スイッチングト
ランジスタＭ２１〜Ｍ２４から戊る第２組との接続構造
を代表して示す。
即ち、受光領域中の信号読出線Ｓ１〜Ｓ８は、ｐ形つェ
ル層内に埋設された複数のｎ゛形不純物層から戊り、夫
々のｎ゛形不純物層の終端から一定間隔を於いてｎ゛形
不純物層３１°〜３８°が埋設されている。更に、ｎ＋
形不純物層５ｌ−３４とＳ、１〜３４１の間の上面に、
水平走査回路３のビット出力接点ｈ１から延設されたポ
リシリコン層の水平走査線ｌ、が積層することによって
、ＮチャンネルＭＯ３形スイッチングトランジスタＭ。
ル層内に埋設された複数のｎ゛形不純物層から戊り、夫
々のｎ゛形不純物層の終端から一定間隔を於いてｎ゛形
不純物層３１°〜３８°が埋設されている。更に、ｎ＋
形不純物層５ｌ−３４とＳ、１〜３４１の間の上面に、
水平走査回路３のビット出力接点ｈ１から延設されたポ
リシリコン層の水平走査線ｌ、が積層することによって
、ＮチャンネルＭＯ３形スイッチングトランジスタＭ。
〜Ｍ 、４が懲戒されている。一方、ｎ゛形不純物層Ｓ
５〜Ｓ８とＳ、ｌ〜Ｓ１の間の上面に、水平走査回路３
のビット出力接点ｈ２から延設されたポリシリコン層の
水平走査線１２が積層することによって、Ｎチャンネル
ＭＯ３形スイッチングトランジスタＭ２１〜Ｍ２４が懲
戒されている。
５〜Ｓ８とＳ、ｌ〜Ｓ１の間の上面に、水平走査回路３
のビット出力接点ｈ２から延設されたポリシリコン層の
水平走査線１２が積層することによって、Ｎチャンネル
ＭＯ３形スイッチングトランジスタＭ２１〜Ｍ２４が懲
戒されている。
そして、ｎ゛形不純物層３．１と３，１がアルミニウム
層から戒る第１の出力線５にコンタクト（図中の図画で
示す）を介して接続し、ｎ゛形不純物層３．１とＳ６°
がアルミニウム層から戊る第２の出力線６にコンタクト
を介して接続し、ｎ゛形不純物層３３１とＳ７°がアル
ミニウム層から成る第３の出力線７にコンタクトを介し
て接続し、そして、ｎ゛形不純物層３．１と３８”がア
ルミニウム層から戊る第４の出力線８にコンタクトを介
して接続している。
層から戒る第１の出力線５にコンタクト（図中の図画で
示す）を介して接続し、ｎ゛形不純物層３．１とＳ６°
がアルミニウム層から戊る第２の出力線６にコンタクト
を介して接続し、ｎ゛形不純物層３３１とＳ７°がアル
ミニウム層から成る第３の出力線７にコンタクトを介し
て接続し、そして、ｎ゛形不純物層３．１と３８”がア
ルミニウム層から戊る第４の出力線８にコンタクトを介
して接続している。
このような構造を有する固体撮像デバイスにあっては、
第７図のタイミングチャートに示すように、垂直走査回
路２からの信号Ｓ ｖ＋ ＋ Ｓｖｚ 、 ＳＶ３〜の
垂直走査タイミングに同期してフォトダイオード群から
信号読出線に転送された画素信号を、水平走査回路３の
水平走査周期毎に４画素分ずつ同時に読み出すことがで
きるので、水平走査回路３が高速でなくとも、実質的に
高速の読出走査を行うことができる。更に、画素数の多
い固体撮像デバイスを実現するのに効果的な技術である
。
第７図のタイミングチャートに示すように、垂直走査回
路２からの信号Ｓ ｖ＋ ＋ Ｓｖｚ 、 ＳＶ３〜の
垂直走査タイミングに同期してフォトダイオード群から
信号読出線に転送された画素信号を、水平走査回路３の
水平走査周期毎に４画素分ずつ同時に読み出すことがで
きるので、水平走査回路３が高速でなくとも、実質的に
高速の読出走査を行うことができる。更に、画素数の多
い固体撮像デバイスを実現するのに効果的な技術である
。
このように、第５図に示すような、複数の画素信号を同
時に水平走査読出しする固体撮像デバイスにあっては、
夫々のフレーム画に相当する画素信号の高速読出しが可
能となるので、複数のフレーム画を短時間で高速に撮像
することができ、例えば、高速に変化する被写体の一瞬
の動きを複数フレーム画として捉える等の利用が可能で
ある。
時に水平走査読出しする固体撮像デバイスにあっては、
夫々のフレーム画に相当する画素信号の高速読出しが可
能となるので、複数のフレーム画を短時間で高速に撮像
することができ、例えば、高速に変化する被写体の一瞬
の動きを複数フレーム画として捉える等の利用が可能で
ある。
しかし、研究・開発において次に述べるような解決すべ
き課題が判った。即ち、水平走査期間において、水平走
査回路３の各ビット出力接点ｈｌ。
き課題が判った。即ち、水平走査期間において、水平走
査回路３の各ビット出力接点ｈｌ。
ｈ２〜ｈ、から所定周期ｒで順番に水平走査信号が出力
することにより、各ビット出力接点に対応する４個ずつ
のスイッチングトランジスタを組として順番に水平走査
のための導通・非導通の制御を行うと、各組相互間の容
量結合に起因して、−方の組の画素信号の電圧変動がそ
れに隣接する他方の組の画素信号に電圧変動を加えるこ
ととなり、画像が歪む問題があった。
することにより、各ビット出力接点に対応する４個ずつ
のスイッチングトランジスタを組として順番に水平走査
のための導通・非導通の制御を行うと、各組相互間の容
量結合に起因して、−方の組の画素信号の電圧変動がそ
れに隣接する他方の組の画素信号に電圧変動を加えるこ
ととなり、画像が歪む問題があった。
この問題点を、第６図に基づいて更に詳述すれば、まず
、水平走査回路３の第１ビット出力接点り、からの走査
信号で第１組のスイッチングトランジスタＭ、〜Ｍ＋４
を導通にすることによって、それらのスイッチングトラ
ンジスタに係る４個の画素信号５ｔ（ｒ） 、 ５ｚ
（ｒ） 、 ５ａ（ｒ） 、 ｓ、（ｒ）を並列に
読み出す期間では、その隣に位置する第２組９スイツチ
ングトランジスタＭ２１〜Ｍ２４は非導通となっている
。
、水平走査回路３の第１ビット出力接点り、からの走査
信号で第１組のスイッチングトランジスタＭ、〜Ｍ＋４
を導通にすることによって、それらのスイッチングトラ
ンジスタに係る４個の画素信号５ｔ（ｒ） 、 ５ｚ
（ｒ） 、 ５ａ（ｒ） 、 ｓ、（ｒ）を並列に
読み出す期間では、その隣に位置する第２組９スイツチ
ングトランジスタＭ２１〜Ｍ２４は非導通となっている
。
そして、次の周期で、第１組のスイッチングトランジス
タＭＩ、〜Ｍ １４を非導通、第２組のスイッチングト
ランジスタＭ ２１−Ｍ ２４を導通に切り換えて第２
組のスイッチングトランジスタに係る４個の画素信号Ｓ
、（τ）、Ｓ２（τ）、Ｓ３（τ）。
タＭＩ、〜Ｍ １４を非導通、第２組のスイッチングト
ランジスタＭ ２１−Ｍ ２４を導通に切り換えて第２
組のスイッチングトランジスタに係る４個の画素信号Ｓ
、（τ）、Ｓ２（τ）、Ｓ３（τ）。
Ｓ、（τ〉を並列に読み出そうとすると、第１組のスイ
ッチングトランジスタＭ、〜Ｍ、４のドレイン領域（ｎ
＋不純物領域）Ｓ１°ｒ ８２’ｅ ３３”ｌｓ４
゜が電気的に初期化されるのに伴ってそれらの空乏層容
量が変動し、該容量変動が隣に位置する第２組のスイッ
チングトランジスタＭ２．〜Ｍ２．のドレイン領域（ｎ
”不純物領域） Ｓｓ’、 Ｓｓ’、 Ｓｔ”。
ッチングトランジスタＭ、〜Ｍ、４のドレイン領域（ｎ
＋不純物領域）Ｓ１°ｒ ８２’ｅ ３３”ｌｓ４
゜が電気的に初期化されるのに伴ってそれらの空乏層容
量が変動し、該容量変動が隣に位置する第２組のスイッ
チングトランジスタＭ２．〜Ｍ２．のドレイン領域（ｎ
”不純物領域） Ｓｓ’、 Ｓｓ’、 Ｓｔ”。
Ｓ、ｌに影響を及ぼし、第２粗目に読み出される画素信
号に電圧変動として加わることとなる。
号に電圧変動として加わることとなる。
このような現象は、所定周期τで順次に走査する毎に他
の組においても生じることとなり、画像中にノイズが発
生する。
の組においても生じることとなり、画像中にノイズが発
生する。
特に、相互に隣接する組の間で、最も近接関係にあるス
イッチングトランジスタ（第６図では、Ｍ、とＭ２１）
を通る画素信号（第６図では、５３（ｆ） とＳ４（
τ〉〉への影響が看も大きく、再生画像中に縦縞状の画
像ノイズが発生する。
イッチングトランジスタ（第６図では、Ｍ、とＭ２１）
を通る画素信号（第６図では、５３（ｆ） とＳ４（
τ〉〉への影響が看も大きく、再生画像中に縦縞状の画
像ノイズが発生する。
又、このような縦縞状の画像ノイズの発生は、更に高速
の水平走査読出しを行うために出力線数を増加し且つそ
の出力線数の増加に伴って各組のスイッチングトランジ
スタの数を増加するほど、増加する傾向にある。
の水平走査読出しを行うために出力線数を増加し且つそ
の出力線数の増加に伴って各組のスイッチングトランジ
スタの数を増加するほど、増加する傾向にある。
即ち、各組のスイッチングトランジスタの数を増加する
と、周期τ毎に同時に導通・非導通の動作を行うスイッ
チングトランジスタの数が増加することから、相互に隣
接関係にある組の間の容量結合が増加して、容量変動の
画質に与える悪影響が増大する。
と、周期τ毎に同時に導通・非導通の動作を行うスイッ
チングトランジスタの数が増加することから、相互に隣
接関係にある組の間の容量結合が増加して、容量変動の
画質に与える悪影響が増大する。
本発明は、このような課題に鑑みて戒されたものであり
、走査読出しにおける画素信号相互間での影響を無くし
且つ、極めて高速の走査読出しを行うことができるＭＯ
Ｓ型の固体撮像デバイスを提供することを目的とする。
、走査読出しにおける画素信号相互間での影響を無くし
且つ、極めて高速の走査読出しを行うことができるＭＯ
Ｓ型の固体撮像デバイスを提供することを目的とする。
まず、本発明は、受光領域中にマトリクス状に配列して
形成された複数のフォトダイオードと、これらのフォト
ダイオードの行毎の配列に対応して設けられる垂直走査
線群と、各垂直走査線に所定周期で垂直走査信号を供給
する垂直走査回路と、上記フォトダイオードの列毎の配
列に対応して設けられる信号読出線群と、上記垂直走査
信号により各フォトダイオードの画素信号を信号読出線
群へ転送する第１のスイッチングトランジスタ群と、上
記信号読出線群の夫々の終端に設けられ水平走査回路か
らの所定周期の水平走査信号に同期して順次に導通・非
導通動作することによって信号読出線群の画素信号を出
力線へ転送することで水平走査読出しを行う第２のスイ
ッチングトランジスタ群とを有し、上記出力線を複数設
けると共に、上記第２のスイッチングトランジスタを各
出力線の配列順に従って接続し、且つ上記水平走査回路
の各水平走査信号で同時に複数個ずつの第２のスイッチ
ングトランジスタを順次に導通・非導通させることによ
って画素信号を複数個ずつ組にして出力線群へ転送する
ように配線した固体撮像デバイスを対象とする。
形成された複数のフォトダイオードと、これらのフォト
ダイオードの行毎の配列に対応して設けられる垂直走査
線群と、各垂直走査線に所定周期で垂直走査信号を供給
する垂直走査回路と、上記フォトダイオードの列毎の配
列に対応して設けられる信号読出線群と、上記垂直走査
信号により各フォトダイオードの画素信号を信号読出線
群へ転送する第１のスイッチングトランジスタ群と、上
記信号読出線群の夫々の終端に設けられ水平走査回路か
らの所定周期の水平走査信号に同期して順次に導通・非
導通動作することによって信号読出線群の画素信号を出
力線へ転送することで水平走査読出しを行う第２のスイ
ッチングトランジスタ群とを有し、上記出力線を複数設
けると共に、上記第２のスイッチングトランジスタを各
出力線の配列順に従って接続し、且つ上記水平走査回路
の各水平走査信号で同時に複数個ずつの第２のスイッチ
ングトランジスタを順次に導通・非導通させることによ
って画素信号を複数個ずつ組にして出力線群へ転送する
ように配線した固体撮像デバイスを対象とする。
そして、このような固体撮像デバイスを対象として、本
発明の目的を達成するために、前記第２のスイッチング
トランジスタの内、少なくとも各組に分けられる組分は
部分に位置して相互に隣接関係にある第２のスイッチン
グトランジスタの間に、所定電位に保持された不純物層
からなる分離層を埋設することによって、各粗餐の第２
のスイッチングトランジスタ群相互間の容量結合を分離
する構造とした。
発明の目的を達成するために、前記第２のスイッチング
トランジスタの内、少なくとも各組に分けられる組分は
部分に位置して相互に隣接関係にある第２のスイッチン
グトランジスタの間に、所定電位に保持された不純物層
からなる分離層を埋設することによって、各粗餐の第２
のスイッチングトランジスタ群相互間の容量結合を分離
する構造とした。
尚、第２のスイッチングトランジスタの夫々の間の全て
に分離層を埋設してもよい。
に分離層を埋設してもよい。
このような構造を有する本発明の固体撮像デバイスによ
れば、複数の画素信号を同時に水平走査読出しすること
によって極めて高速の走査読出しを行うことができると
共に、更に、水平走査において水平走査回路からの走査
信号に従って導通・非導通することにより第２のスイッ
チングトランジスタ群を介して複数の信号読出線の画素
信号を複数の出力線へ同時に転送しても、スイッチング
トランジスタのドレイン領域間が少なくとも上記所定の
組分毎に容量的に分離されるので、画素信号相互間で変
動を招来せず、したがって画質の向上を図ることができ
る。
れば、複数の画素信号を同時に水平走査読出しすること
によって極めて高速の走査読出しを行うことができると
共に、更に、水平走査において水平走査回路からの走査
信号に従って導通・非導通することにより第２のスイッ
チングトランジスタ群を介して複数の信号読出線の画素
信号を複数の出力線へ同時に転送しても、スイッチング
トランジスタのドレイン領域間が少なくとも上記所定の
組分毎に容量的に分離されるので、画素信号相互間で変
動を招来せず、したがって画質の向上を図ることができ
る。
以下、本発明による固体撮像デバイスの一実施例を図面
と共に説明する。まず、この実施例は第５図に示すのと
同様の構造を有するＭＯＳ型の固体撮像デバイスを対象
とし、第１図及び第２図に基づいて、従来例との構造の
相違を以下に説明する。
と共に説明する。まず、この実施例は第５図に示すのと
同様の構造を有するＭＯＳ型の固体撮像デバイスを対象
とし、第１図及び第２図に基づいて、従来例との構造の
相違を以下に説明する。
即ち、受光領域中にマ） ＩＪクス状に配列して形成さ
れたフォトダイオード群（画素群に相当する〉に隣接す
る信号読出線５ｌ−３１、Ｓ５〜Ｓ８、Ｓ、〜Ｓ１□
・ −・ は、半導体基板中のｐ形つェル層中にｎ゛形
不純物層を埋設することによって形成され、それらの信
号読出線Ｓ１〜Ｓ１、Ｓ、〜Ｓ、、Ｓ、〜３１２ −・
・・・・・・・・ の終端から一定間隔を於いてｎ゛形
不純物層３．１〜Ｓ、°、３５１〜３８１、Ｓ、”〜Ｓ
１□′ が埋設されている。
れたフォトダイオード群（画素群に相当する〉に隣接す
る信号読出線５ｌ−３１、Ｓ５〜Ｓ８、Ｓ、〜Ｓ１□
・ −・ は、半導体基板中のｐ形つェル層中にｎ゛形
不純物層を埋設することによって形成され、それらの信
号読出線Ｓ１〜Ｓ１、Ｓ、〜Ｓ、、Ｓ、〜３１２ −・
・・・・・・・・ の終端から一定間隔を於いてｎ゛形
不純物層３．１〜Ｓ、°、３５１〜３８１、Ｓ、”〜Ｓ
１□′ が埋設されている。
尚、図中には符号３．１〜３ 、＋、３，、３．１だけ
を代表して記載しである。
を代表して記載しである。
更に、ｎ＋形不純物層３１−３４ とＳ１°〜３．１の
間の上面に、水平走査回路３のビット出力接点ｈ１から
延設されたポリシリコン層の水平走査線ｆ、が積層する
ことによって、同時に作動する４個のＮチャンネルＭＯ
３形スイッチングトランジスタＭ、〜Ｍ、が形成され、
ｎ゛形不純物層Ｓ５〜Ｓ８とＳ５°〜Ｓ８“の間の上面
に、水平走査回路３のビット出力接点ｈ２から延設され
たポリシリコン層の水平走査線１２が積層することによ
って、同時に作動する４個のＮチャンネルＭＯ３形スイ
ッチングトランジスタＭ２Ｈ〜Ｍ２４が形成され、ｎ′
″形不純物層Ｓ、〜Ｓ１２と３，１〜Ｓ＋Ｚ″ の間の
上面に、水平走査回路３のビット出力接点ｈ３から延設
されたポリシリコン層の水平走査線１３が積層すること
によって、同時に作動する４個のＮチャンネルＭＯ３形
スイッチングトランジスタＭ３１〜Ｍ３４が形成されて
いる。そして、図示しないが、水平走査に係る他のスイ
ッチングトランジスタについても同様の構造で形成され
ている。
間の上面に、水平走査回路３のビット出力接点ｈ１から
延設されたポリシリコン層の水平走査線ｆ、が積層する
ことによって、同時に作動する４個のＮチャンネルＭＯ
３形スイッチングトランジスタＭ、〜Ｍ、が形成され、
ｎ゛形不純物層Ｓ５〜Ｓ８とＳ５°〜Ｓ８“の間の上面
に、水平走査回路３のビット出力接点ｈ２から延設され
たポリシリコン層の水平走査線１２が積層することによ
って、同時に作動する４個のＮチャンネルＭＯ３形スイ
ッチングトランジスタＭ２Ｈ〜Ｍ２４が形成され、ｎ′
″形不純物層Ｓ、〜Ｓ１２と３，１〜Ｓ＋Ｚ″ の間の
上面に、水平走査回路３のビット出力接点ｈ３から延設
されたポリシリコン層の水平走査線１３が積層すること
によって、同時に作動する４個のＮチャンネルＭＯ３形
スイッチングトランジスタＭ３１〜Ｍ３４が形成されて
いる。そして、図示しないが、水平走査に係る他のスイ
ッチングトランジスタについても同様の構造で形成され
ている。
更に、ｎ゛形不純物層ＳＩＺ ＳＳＺ ｓ、ｌ及び
同一配列で形成されているｎ゛形不純物層（図示せず）
がアルミニウム層から成る第１の出力線５にコンタクト
（図中の図画で示す〉を介して接続し、ｎ゛形不純物層
Ｓ２°＋Ｓ６°ｒ ３１０’ 及び同一配列で形成さ
れているｎ゛形不純物層（図示せず〉がアルミニウム層
から成る第１の出力線６にコンタクト（図中の図画で示
す〉を介して接続し、ｎ゛形不純物層Ｓ ３Ｚ Ｓ７
’１ ３１１° 及び同一配列で形成されているｎ゛形
不純物層（図示せず）がアルミニウム層から戒る第１の
出力線７にコンタクト（図中の図画で示す〉を介して接
続し、更に、ｎ＋形不純物層Ｓ ４Ｚ ５ＩＩＺ
ｓ＋ｚ° 及び同一配列で形成されているｎ゛形不純物
層〈図示せず〉がアルミニウム層から成る第１の出力線
８にコンタクト（図中の図中で示す）を介して接続して
いる。そして、信号読出線Ｓ１〜Ｓｓ、Ｓｓ〜Ｓｓ、Ｓ
ｓ〜ＳＩ２ ・−・・・を共有する部分がスイッチング
トランジスタＭ、〜Ｍ８、Ｍ ２１− Ｍ ２４、Ｍ
ｓ ＋〜Ｍ ３４−のソース接点領域に相当し、それに
対応する３、１〜Ｓ、１、ｓ、１〜３，１、Ｓ９°〜３
１２””−・・・−の領域がドレイン接点領域に相当す
る。
同一配列で形成されているｎ゛形不純物層（図示せず）
がアルミニウム層から成る第１の出力線５にコンタクト
（図中の図画で示す〉を介して接続し、ｎ゛形不純物層
Ｓ２°＋Ｓ６°ｒ ３１０’ 及び同一配列で形成さ
れているｎ゛形不純物層（図示せず〉がアルミニウム層
から成る第１の出力線６にコンタクト（図中の図画で示
す〉を介して接続し、ｎ゛形不純物層Ｓ ３Ｚ Ｓ７
’１ ３１１° 及び同一配列で形成されているｎ゛形
不純物層（図示せず）がアルミニウム層から戒る第１の
出力線７にコンタクト（図中の図画で示す〉を介して接
続し、更に、ｎ＋形不純物層Ｓ ４Ｚ ５ＩＩＺ
ｓ＋ｚ° 及び同一配列で形成されているｎ゛形不純物
層〈図示せず〉がアルミニウム層から成る第１の出力線
８にコンタクト（図中の図中で示す）を介して接続して
いる。そして、信号読出線Ｓ１〜Ｓｓ、Ｓｓ〜Ｓｓ、Ｓ
ｓ〜ＳＩ２ ・−・・・を共有する部分がスイッチング
トランジスタＭ、〜Ｍ８、Ｍ ２１− Ｍ ２４、Ｍ
ｓ ＋〜Ｍ ３４−のソース接点領域に相当し、それに
対応する３、１〜Ｓ、１、ｓ、１〜３，１、Ｓ９°〜３
１２””−・・・−の領域がドレイン接点領域に相当す
る。
更に、３ 、ｌ〜Ｓ４°、Ｓ５”〜３８、３，１〜３１
２− の夫々の領域の間に、ｎ゛形不純物から成る串状
の分離層９ （図中の斜線部分）が埋設され、更に、分
離層９は所定電圧Ｖ１に保持されている３従って、スイ
ッチングトランジスタのドレイン領域と分離層９の構造
は、第２図の縦断面図（第１図に示すスイッチングトラ
ンジスタＭ２１”Ｍ３１の近傍の縦断面構造を出力線８
の長手方向に沿って示す）に示すような構造となってい
る。
２− の夫々の領域の間に、ｎ゛形不純物から成る串状
の分離層９ （図中の斜線部分）が埋設され、更に、分
離層９は所定電圧Ｖ１に保持されている３従って、スイ
ッチングトランジスタのドレイン領域と分離層９の構造
は、第２図の縦断面図（第１図に示すスイッチングトラ
ンジスタＭ２１”Ｍ３１の近傍の縦断面構造を出力線８
の長手方向に沿って示す）に示すような構造となってい
る。
尚、電圧Ｖ１は、Ｖ１≧０の範囲に設定され、分離層９
の電位が変動しないように、固定した電圧を印加するこ
とが必要である。又、電圧ｖ１は固体撮像デバイスへの
供給電圧ｖ０に等しいか又はそれ以上の電圧即ち、Ｖ１
≧ＶＩＩＯの関係に設定すると、スミアの発生を低減す
ることができる等の点で有効である。
の電位が変動しないように、固定した電圧を印加するこ
とが必要である。又、電圧ｖ１は固体撮像デバイスへの
供給電圧ｖ０に等しいか又はそれ以上の電圧即ち、Ｖ１
≧ＶＩＩＯの関係に設定すると、スミアの発生を低減す
ることができる等の点で有効である。
又、スイッチングトランジスタの一部を構成する不純物
層（例えば、第２図では、３，１〜Ｓ８°。
層（例えば、第２図では、３，１〜Ｓ８°。
Ｓ、′）と分離層９の深さについて、第２図に示すよう
に、分離層９を深くする方がより効果的であるが、特に
これに限るものではなく、分離層９の方を浅くしても本
発明の目的を達成することができる。
に、分離層９を深くする方がより効果的であるが、特に
これに限るものではなく、分離層９の方を浅くしても本
発明の目的を達成することができる。
そして、水平走査回路３による水平走査を行うと、各ビ
ット出力接点ｈｅ、ｈｚ、 ｈｓ・−・・ から順次
に出力される水平走査信号に同期して４個ずつのスイッ
チングトランジスタを一組として、順次に導通するので
、同時に４画素分の画素信号５ｔ（ｒ） 、 ５ｚ（
ｒ） 、 ５３（ｒ） 、 ｓ、（ｒ）が読み出さ
れ、第７図のタイミングチャートに示すのと同様の処理
が戒される。
ット出力接点ｈｅ、ｈｚ、 ｈｓ・−・・ から順次
に出力される水平走査信号に同期して４個ずつのスイッ
チングトランジスタを一組として、順次に導通するので
、同時に４画素分の画素信号５ｔ（ｒ） 、 ５ｚ（
ｒ） 、 ５３（ｒ） 、 ｓ、（ｒ）が読み出さ
れ、第７図のタイミングチャートに示すのと同様の処理
が戒される。
このように、この実施例によれば、複数の画素信号をま
とめて同時に水平走査読出しするので、高速の信号読出
しが可能である。
とめて同時に水平走査読出しするので、高速の信号読出
しが可能である。
更に、水平走査読出しに係るスイッチングトランジスタ
群（第２のスイッチングトランジスタ群）のドレイン領
域の夫々の間に、所定電位に保持された分離層９を形成
したので、相互に隣接関係にあるスイッチングトランジ
スタのドレイン領域間の容量結合が分離されることなり
、あるスイッチングトランジスタの作動によるそのドレ
イン領域の空乏層容量が変化しても、それに隣接するス
イッチングトランジスタのドレイン領域への影響が生じ
ない。
群（第２のスイッチングトランジスタ群）のドレイン領
域の夫々の間に、所定電位に保持された分離層９を形成
したので、相互に隣接関係にあるスイッチングトランジ
スタのドレイン領域間の容量結合が分離されることなり
、あるスイッチングトランジスタの作動によるそのドレ
イン領域の空乏層容量が変化しても、それに隣接するス
イッチングトランジスタのドレイン領域への影響が生じ
ない。
したがって、水平走査時において従来のような画素信号
の変動を招来せず、したがって画質の向上を図ることが
できる。
の変動を招来せず、したがって画質の向上を図ることが
できる。
尚、この実施例では、水平走査回路３の夫々のビット出
力接点り、、ｈ、、ｈ３、、− −に対して４個ずつの
スイッチングトランジスタを一組として作動するように
構成したが、−組当たりのスイッチングトランジスタの
数はこれに限定するものではなく、任意に設定してもよ
い。
力接点り、、ｈ、、ｈ３、、− −に対して４個ずつの
スイッチングトランジスタを一組として作動するように
構成したが、−組当たりのスイッチングトランジスタの
数はこれに限定するものではなく、任意に設定してもよ
い。
又、この実施例では、水平走査読出しに係るスイッチン
グトランジスタの夫々のドレイン領域間の全てに分離層
９を形成したが、少なくとも、各組の相互に隣接関係に
あるスイッチングトランジスタのドレイン領域間に分離
層を形成しても、各粗餐にまとめて読み出される画素信
号相互間でのの影響を大幅に低減することができる。
グトランジスタの夫々のドレイン領域間の全てに分離層
９を形成したが、少なくとも、各組の相互に隣接関係に
あるスイッチングトランジスタのドレイン領域間に分離
層を形成しても、各粗餐にまとめて読み出される画素信
号相互間でのの影響を大幅に低減することができる。
以上説明したように、本発明によれば、複数の画素信号
を同時に水平走査読出しすることによって極めて高速の
走査読出しを行うことができると共に、水平走査におい
て水平走査回路からの走査信号に従って導通・非導通す
ることにより第２のスイッチングトランジスタ群を介し
て複数の信号読出線の画素信号を複数の出力線へ同時に
転送しても、スイッチングトランジスタのドレイン領域
間が少なくとも上記所定の組分毎に容量的に分離される
ので、画素信号相互間で変動を招来せず、したがって画
質の向上を図ることができる。
を同時に水平走査読出しすることによって極めて高速の
走査読出しを行うことができると共に、水平走査におい
て水平走査回路からの走査信号に従って導通・非導通す
ることにより第２のスイッチングトランジスタ群を介し
て複数の信号読出線の画素信号を複数の出力線へ同時に
転送しても、スイッチングトランジスタのドレイン領域
間が少なくとも上記所定の組分毎に容量的に分離される
ので、画素信号相互間で変動を招来せず、したがって画
質の向上を図ることができる。
又、特にこの発明は、複数のフレーム画を短時間で高速
且つ鮮明に撮像することができるので、例えば、高速で
変化する被写体の一瞬の動きを、複数フレームの静止画
として捉える等の高速撮像の分野での利用に優れた効果
を発揮する。
且つ鮮明に撮像することができるので、例えば、高速で
変化する被写体の一瞬の動きを、複数フレームの静止画
として捉える等の高速撮像の分野での利用に優れた効果
を発揮する。
第１図は本発明による固体撮像デバイスの一実施例の要
部構造を示す部分平面図、 第２図は第１図の特定部分の構造を示す部分縦断面図、 第３図は固体撮像デバイスの第１の従来例の構成を示す
説明図、 第４図は第１の従来例の作動を示すタイミングチャート
、 第５図は固体撮像デバイスの第２の従来例の構成を示す
説明図、 第６図は第２の従来例の要部構造を示す部分平面図、 第７図は第２の従来例の作動を示すタイミングチャート
である。 図中の符号： ｌ；受光領域 ２；垂直走査回路 ３；水平走査回路 ５．６，７．８；出力線 ９；分離層 ３１、Ｓ２．Ｓ３．Ｓ４〜；信号読出線Ｍ １ （〜Ｍ
ｌ ４、Ｍ２１〜Ｍ ２４、Ｍ、１〜Ｍ３４〜；第２の
スイッチングトランジスタ Ｓｌ’、 Ｓ２’、 Ｓ３°、Ｓ、′〜；第２のス
イッチングトランジスタのドレイン領域 ｊ２．、 ｆ、、 ｆ、 ；水平走査線ｈ＋、ｈ
ｚ、ｈ３ ；ビット出力接点 第 ２ 図 −【 υ〕 〉 Ｕ）
部構造を示す部分平面図、 第２図は第１図の特定部分の構造を示す部分縦断面図、 第３図は固体撮像デバイスの第１の従来例の構成を示す
説明図、 第４図は第１の従来例の作動を示すタイミングチャート
、 第５図は固体撮像デバイスの第２の従来例の構成を示す
説明図、 第６図は第２の従来例の要部構造を示す部分平面図、 第７図は第２の従来例の作動を示すタイミングチャート
である。 図中の符号： ｌ；受光領域 ２；垂直走査回路 ３；水平走査回路 ５．６，７．８；出力線 ９；分離層 ３１、Ｓ２．Ｓ３．Ｓ４〜；信号読出線Ｍ １ （〜Ｍ
ｌ ４、Ｍ２１〜Ｍ ２４、Ｍ、１〜Ｍ３４〜；第２の
スイッチングトランジスタ Ｓｌ’、 Ｓ２’、 Ｓ３°、Ｓ、′〜；第２のス
イッチングトランジスタのドレイン領域 ｊ２．、 ｆ、、 ｆ、 ；水平走査線ｈ＋、ｈ
ｚ、ｈ３ ；ビット出力接点 第 ２ 図 −【 υ〕 〉 Ｕ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 受光領域中にマトリクス状に配列して形成された複数の
フォトダイオードと、これらのフォトダイオードの行毎
の配列に対応して設けられる垂直走査線群と、各垂直走
査線に所定周期で垂直走査信号を供給する垂直走査回路
と、上記フォトダイオードの列毎の配列に対応して設け
られる信号読出線群と、上記垂直走査信号により各フォ
トダイオードの画素信号を信号読出線群へ転送する第１
のスイッチングトランジスタ群と、上記信号読出線群の
夫々の終端に設けられ水平走査回路からの所定周期の水
平走査信号に同期して順次に導通・非導通動作すること
によって信号読出線群の画素信号を出力線へ転送するこ
とで水平走査読出しを行う第２のスイッチングトランジ
スタ群とを有する固体撮像デバイスにおいて、 前記出力線を複数設けると共に、前記第２のスイッチン
グトランジスタ群を各出力線の配列順に対応して接続し
、更に前記第２のスイッチングトランジスタ群を一組当
たり複数個ずつに組分し且つ各組と前記水平走査回路の
各出力を一対一に対応させて、夫々の水平走査信号でそ
れに対応する組内の複数のスイッチングトランジスタを
同時に作動させることにより、複数の画素信号ずつ水平
走査読出しするように配線し、 少なくとも、相互に隣合う組において隣接関係にあるス
イッチングトランジタの間に、所定電位に保持された不
純物層からなる分離層を埋設したことを特徴とする固体
撮像デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318962A JPH03181282A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 固体撮像デバイス |
| US07/622,575 US5122649A (en) | 1989-12-11 | 1990-12-05 | Solid-state imaging device having a predetermined impurity layer embedded between two adjacent sets of switching transistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318962A JPH03181282A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 固体撮像デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181282A true JPH03181282A (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=18104939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318962A Pending JPH03181282A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 固体撮像デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5122649A (ja) |
| JP (1) | JPH03181282A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285016B1 (en) * | 1988-09-16 | 2001-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning circuit for solid-state imaging device |
| FR2679687B1 (fr) * | 1991-07-26 | 1997-03-14 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif ou prise opu d'affichage d'images en grande dimension. |
| US5382975A (en) * | 1991-08-30 | 1995-01-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading apparatus |
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1990
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Also Published As
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