JPH05291552A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH05291552A JPH05291552A JP4083887A JP8388792A JPH05291552A JP H05291552 A JPH05291552 A JP H05291552A JP 4083887 A JP4083887 A JP 4083887A JP 8388792 A JP8388792 A JP 8388792A JP H05291552 A JPH05291552 A JP H05291552A
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- photosensitive pixel
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- photosensitive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイナミックレンジを劣化させることなく垂
直方向の微細化を可能にするとともに感光素子に電荷を
残留させることなく電荷読出しを可能にし、更に駆動パ
ルスを単純化することを可能にする。 【構成】 半導体基板上にｍ行ｎ列のマトリックス状に
配列され光信号を信号電荷に変換する感光画素１と、各
感光画素毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行する
ように設けられるチャネル３を有する、前記感光画素列
の各感光画素からの信号電荷を転送するｎ個の垂直ＣＣ
Ｄシフトレジスタと、この垂直ＣＣＤシフトレジスタに
よって転送された信号電荷は行方向に転送する水平ＣＣ
Ｄシフトレジスタ７と、この水平ＣＣＤシフトレジスタ
によって転送された信号電荷を外部に電気信号に変換し
て出力する出力部８とを備えていることを特徴とする。
直方向の微細化を可能にするとともに感光素子に電荷を
残留させることなく電荷読出しを可能にし、更に駆動パ
ルスを単純化することを可能にする。 【構成】 半導体基板上にｍ行ｎ列のマトリックス状に
配列され光信号を信号電荷に変換する感光画素１と、各
感光画素毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行する
ように設けられるチャネル３を有する、前記感光画素列
の各感光画素からの信号電荷を転送するｎ個の垂直ＣＣ
Ｄシフトレジスタと、この垂直ＣＣＤシフトレジスタに
よって転送された信号電荷は行方向に転送する水平ＣＣ
Ｄシフトレジスタ７と、この水平ＣＣＤシフトレジスタ
によって転送された信号電荷を外部に電気信号に変換し
て出力する出力部８とを備えていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置の平面図を図５に示
す。図５において、ｍ行ｎ列（この場合ｍ＝６，ｎ＝
６）のマトリックス状に配列されたフォトダイオード１
０１の各上方には遮光膜の開口１０２があり、開口１０
２を介して入射した光の強度に応じてフォトダイオード
１０１内には電荷が生成蓄積される。又、埋め込みチャ
ネル１０３が列方向にｎ個平行に配置されている。そし
て埋め込みチャネル１０３の上方には第１層ポリシリコ
ン転送電極（以下、１ポリともいう）１０４と第２層ポ
リシリコン転送電極（以下、２ポリともいう）１０５が
交互に形成され、これらの埋め込みチャネル１０３、１
ポリ１０４及び２ポリ１０５によって垂直シフトレジス
タが構成されている。１ポリ１０４は１つおきに各々端
子φv2，φv4に接続され、２ポリ１０５は１つおきに各
々端子φv1，φv3に接続されており、これらの各端子φ
v1，φv2，φv3，φv4に０Ｖと−７Ｖの２つの値をとる
２値の転送パルスを印加することにより、垂直ＣＣＤシ
フトレジスタ内を図５の上方から下方に電荷が転送され
る。又、フォトダイオード１０１と埋め込みチャネル１
０３を分離するために素子分離層１０６が設けられてい
るが、この素子分離層１０６は、フォトダイオード１０
１と、このフォトダイオードからの電荷を埋め込みチャ
ネル１０３に移送するための２ポリ１０５に接している
部分が欠けており、２ポリ１０５に＋１０Ｖの電圧を印
加することによりフォトダイオード１０１に蓄積されて
いた電荷が上記部分を介して埋め込みチャネル１０３に
読み出される。テレビ規格に準拠した駆動方法では、こ
の読み出しは垂直ブランキング期間毎に端子φv1とφv3
の両方の電極に＋１０Ｖの電圧を印加することで行われ
る。読み出しの後、奇数フィールドでは２ｋ（１≦ｋ≦
ｍ／２）行目と２ｋ＋１行目の信号が加算（混合）さ
れ、偶数フィールドでは２ｋ行目と２ｋ−１行目の信号
が加算される。加算の後、電荷は４相伝送により垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスタを介して水平ＣＣＤシフトレジスタ
１０７に送られる。そして水平ＣＣＤシフトレジスタ１
０７は垂直ＣＣＤシフトレジスタから受けた電荷を出力
部１０８に転送し、出力部１０８から電荷量に対応した
信号が外部に出力される。
す。図５において、ｍ行ｎ列（この場合ｍ＝６，ｎ＝
６）のマトリックス状に配列されたフォトダイオード１
０１の各上方には遮光膜の開口１０２があり、開口１０
２を介して入射した光の強度に応じてフォトダイオード
１０１内には電荷が生成蓄積される。又、埋め込みチャ
ネル１０３が列方向にｎ個平行に配置されている。そし
て埋め込みチャネル１０３の上方には第１層ポリシリコ
ン転送電極（以下、１ポリともいう）１０４と第２層ポ
リシリコン転送電極（以下、２ポリともいう）１０５が
交互に形成され、これらの埋め込みチャネル１０３、１
ポリ１０４及び２ポリ１０５によって垂直シフトレジス
タが構成されている。１ポリ１０４は１つおきに各々端
子φv2，φv4に接続され、２ポリ１０５は１つおきに各
々端子φv1，φv3に接続されており、これらの各端子φ
v1，φv2，φv3，φv4に０Ｖと−７Ｖの２つの値をとる
２値の転送パルスを印加することにより、垂直ＣＣＤシ
フトレジスタ内を図５の上方から下方に電荷が転送され
る。又、フォトダイオード１０１と埋め込みチャネル１
０３を分離するために素子分離層１０６が設けられてい
るが、この素子分離層１０６は、フォトダイオード１０
１と、このフォトダイオードからの電荷を埋め込みチャ
ネル１０３に移送するための２ポリ１０５に接している
部分が欠けており、２ポリ１０５に＋１０Ｖの電圧を印
加することによりフォトダイオード１０１に蓄積されて
いた電荷が上記部分を介して埋め込みチャネル１０３に
読み出される。テレビ規格に準拠した駆動方法では、こ
の読み出しは垂直ブランキング期間毎に端子φv1とφv3
の両方の電極に＋１０Ｖの電圧を印加することで行われ
る。読み出しの後、奇数フィールドでは２ｋ（１≦ｋ≦
ｍ／２）行目と２ｋ＋１行目の信号が加算（混合）さ
れ、偶数フィールドでは２ｋ行目と２ｋ−１行目の信号
が加算される。加算の後、電荷は４相伝送により垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスタを介して水平ＣＣＤシフトレジスタ
１０７に送られる。そして水平ＣＣＤシフトレジスタ１
０７は垂直ＣＣＤシフトレジスタから受けた電荷を出力
部１０８に転送し、出力部１０８から電荷量に対応した
信号が外部に出力される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の固体
撮像装置においては、次の４つの問題点がある。
撮像装置においては、次の４つの問題点がある。
【０００４】第１の問題は、フォトダイオード１０１が
上下方向に隣接しているために、それらの間に素子分離
層１０６を必要とするがこの素子分離層１０６の領域は
電荷の生成、蓄積、転送等に役に立たない領域であり、
固体撮像装置の微細化時にダイナミックレンジを劣化さ
せる要因となっている。
上下方向に隣接しているために、それらの間に素子分離
層１０６を必要とするがこの素子分離層１０６の領域は
電荷の生成、蓄積、転送等に役に立たない領域であり、
固体撮像装置の微細化時にダイナミックレンジを劣化さ
せる要因となっている。
【０００５】第２の問題は、垂直ＣＣＤシフトレジスタ
を構成している電極の加工精度が垂直方向の微細化を制
約してしまうということである。この問題を図６を参照
して説明する。図６は１ポリ１０４と２ポリ１０５の平
面図を示すものである。１ポリ１０４と２ポリ１０５の
垂直方向のピッチＹｐは図６から分かるように Ｙｐ＝２ａ＋ｂ＋ｃ で与えられる。ここでａは１ポリ１０４と２ポリ１０５
の重ね合せ寸法であり、１ポリ１０４と２ポリ１０５の
加工寸法ばらつきとマスクの合せずれを考慮して重ね合
せがはずれないように決定される。一方ｂ、ｃは各々１
ポリ１０４、２ポリ１０５の間隔寸法であり、エッチン
グ変換差およびフォトリソグラフィ時の解像度に制約さ
れている。従ってそれらの和で与えられるピッチＹｐは
固体撮像装置の製造工程の精度によって制約され、それ
以上の微細化ができない。
を構成している電極の加工精度が垂直方向の微細化を制
約してしまうということである。この問題を図６を参照
して説明する。図６は１ポリ１０４と２ポリ１０５の平
面図を示すものである。１ポリ１０４と２ポリ１０５の
垂直方向のピッチＹｐは図６から分かるように Ｙｐ＝２ａ＋ｂ＋ｃ で与えられる。ここでａは１ポリ１０４と２ポリ１０５
の重ね合せ寸法であり、１ポリ１０４と２ポリ１０５の
加工寸法ばらつきとマスクの合せずれを考慮して重ね合
せがはずれないように決定される。一方ｂ、ｃは各々１
ポリ１０４、２ポリ１０５の間隔寸法であり、エッチン
グ変換差およびフォトリソグラフィ時の解像度に制約さ
れている。従ってそれらの和で与えられるピッチＹｐは
固体撮像装置の製造工程の精度によって制約され、それ
以上の微細化ができない。
【０００６】第３の問題は、一般に固体撮像装置は半導
体基板又はウェル上に形成されて転送電極と基板又はウ
ェルとの間に容量結合が有するので、フォトダイオード
１０１から電荷を読み出す際に電極の端子φv1，φv3の
両方に＋１０Ｖのパルス電圧を印加すると、印加される
パルスの誘導によってフォトダイオード１０１の電位が
過渡的に上昇し、電荷読み出し時にフォトダイオード１
０１に電荷が残留するということである。
体基板又はウェル上に形成されて転送電極と基板又はウ
ェルとの間に容量結合が有するので、フォトダイオード
１０１から電荷を読み出す際に電極の端子φv1，φv3の
両方に＋１０Ｖのパルス電圧を印加すると、印加される
パルスの誘導によってフォトダイオード１０１の電位が
過渡的に上昇し、電荷読み出し時にフォトダイオード１
０１に電荷が残留するということである。
【０００７】第４の問題は、電荷読み出し後に電荷を加
算する際に奇数フィールドと偶数フィールドでは異なる
加算を行うため、垂直ＣＣＤシフトレジスタの電極
φv1，φv2，φv3，φv4に複雑な駆動パルスを印加する
必要があった。
算する際に奇数フィールドと偶数フィールドでは異なる
加算を行うため、垂直ＣＣＤシフトレジスタの電極
φv1，φv2，φv3，φv4に複雑な駆動パルスを印加する
必要があった。
【０００８】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、ダイナミックレンジを劣化させることなく垂
直方向の微細化が可能であって、フォトダイオードに電
荷を残留させることなく電荷読み出しが可能で、かつ駆
動パルスを単純化することのできる固体撮像装置を提供
することを目的とする。
であって、ダイナミックレンジを劣化させることなく垂
直方向の微細化が可能であって、フォトダイオードに電
荷を残留させることなく電荷読み出しが可能で、かつ駆
動パルスを単純化することのできる固体撮像装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、半導体基板上にｍ行ｎ列のマトリックス状に配列
され光信号を信号電荷に変換する感光画素と、各感光画
素列毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行するよう
に設けられるチャネルを有する、前記感光画素列の各感
光画素からの信号電荷を転送する垂直ＣＣＤシフトレジ
スタと、この垂直ＣＣＤシフトレジスタによって転送さ
れた信号電荷を行方向に転送する水平ＣＣＤシフトレジ
スタと、この水平ＣＣＤシフトレジスタによって転送さ
れた信号電荷を外部に電気信号に変換して出力する出力
部と、を備えていることを特徴とする。
置は、半導体基板上にｍ行ｎ列のマトリックス状に配列
され光信号を信号電荷に変換する感光画素と、各感光画
素列毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行するよう
に設けられるチャネルを有する、前記感光画素列の各感
光画素からの信号電荷を転送する垂直ＣＣＤシフトレジ
スタと、この垂直ＣＣＤシフトレジスタによって転送さ
れた信号電荷を行方向に転送する水平ＣＣＤシフトレジ
スタと、この水平ＣＣＤシフトレジスタによって転送さ
れた信号電荷を外部に電気信号に変換して出力する出力
部と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】このように構成された本発明の固体撮像装置に
よれば、垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネルが各感光
画素列毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行するよ
うに設けられる。これにより、ダイナミックレンジを劣
化させることなく垂直方向の微細化が可能であって、感
光画素に電荷を残留させることなく電荷読み出しが可能
で、かつ駆動パルスを単純化することができる。
よれば、垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネルが各感光
画素列毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行するよ
うに設けられる。これにより、ダイナミックレンジを劣
化させることなく垂直方向の微細化が可能であって、感
光画素に電荷を残留させることなく電荷読み出しが可能
で、かつ駆動パルスを単純化することができる。
【００１１】
【実施例】本発明による固体撮像装置の第１の実施例の
平面図を図１に示す。この実施例の固体撮像装置は、感
光画素（フォトダイオード）１と、垂直ＣＣＤシフトレ
ジスタと素子分離層６と、水平ＣＣＤシフトレジスタ７
と、出力部８とを備えている。フォトダイオード１は半
導体基板上にｍ行ｎ列（図１ではｍ＝６，ｎ＝６）のマ
トリックス状に配列されている。そして各フォトダイオ
ード１の上方には遮光膜の開口２が設けられている。
平面図を図１に示す。この実施例の固体撮像装置は、感
光画素（フォトダイオード）１と、垂直ＣＣＤシフトレ
ジスタと素子分離層６と、水平ＣＣＤシフトレジスタ７
と、出力部８とを備えている。フォトダイオード１は半
導体基板上にｍ行ｎ列（図１ではｍ＝６，ｎ＝６）のマ
トリックス状に配列されている。そして各フォトダイオ
ード１の上方には遮光膜の開口２が設けられている。
【００１２】上記垂直ＣＣＤシフトレジスタは、各フォ
トダイオード列毎に設けられた埋め込みチャネル３と、
第１層ポリシリコン電極（以下、１ポリともいう）４
と、第２層ポリシリコン電極（以下、２ポリともいう）
５とを有している。各埋め込みチャネル３は対応するフ
ォトダイオード列のフォトダイオード１間を蛇行するよ
うに半導体基板上に形成されている。例えば図１におい
て、フォトダイオード１の行を上から下に、列を左から
右に順に番号付けし第ｉ行第ｊ列のフォトダイオードを
Ｐ（ｉ，ｊ）と表現した場合、第ｋ（１≦ｋ≦ｎ）列の
ｎ個のフォトダイオード１に対応するｋ番目の埋め込み
チャネル３は上側の水平ＣＣＤシフトレジスタ７とＰ
（１，ｋ）の間隔、Ｐ（１，ｋ−１）とＰ（１，ｋ）の
間隔、Ｐ（１，ｋ）とＰ（２，ｋ）の間隔、Ｐ（２，
ｋ）とＰ（２，ｋ＋１）の間隔、Ｐ（２，ｋ）とＰ
（３，ｋ）の間隔、…、Ｐ（ｍ−１，ｋ）とＰ（ｍ，
ｋ）の間隔、Ｐ（ｍ，ｋ）とＰ（ｍ，ｋ＋１）の間隔、
及びＰ（ｍ，ｋ）と下側の水平ＣＣＤシフトレジスタ７
の間隔を通過している。
トダイオード列毎に設けられた埋め込みチャネル３と、
第１層ポリシリコン電極（以下、１ポリともいう）４
と、第２層ポリシリコン電極（以下、２ポリともいう）
５とを有している。各埋め込みチャネル３は対応するフ
ォトダイオード列のフォトダイオード１間を蛇行するよ
うに半導体基板上に形成されている。例えば図１におい
て、フォトダイオード１の行を上から下に、列を左から
右に順に番号付けし第ｉ行第ｊ列のフォトダイオードを
Ｐ（ｉ，ｊ）と表現した場合、第ｋ（１≦ｋ≦ｎ）列の
ｎ個のフォトダイオード１に対応するｋ番目の埋め込み
チャネル３は上側の水平ＣＣＤシフトレジスタ７とＰ
（１，ｋ）の間隔、Ｐ（１，ｋ−１）とＰ（１，ｋ）の
間隔、Ｐ（１，ｋ）とＰ（２，ｋ）の間隔、Ｐ（２，
ｋ）とＰ（２，ｋ＋１）の間隔、Ｐ（２，ｋ）とＰ
（３，ｋ）の間隔、…、Ｐ（ｍ−１，ｋ）とＰ（ｍ，
ｋ）の間隔、Ｐ（ｍ，ｋ）とＰ（ｍ，ｋ＋１）の間隔、
及びＰ（ｍ，ｋ）と下側の水平ＣＣＤシフトレジスタ７
の間隔を通過している。
【００１３】１ポリ４はチャネル３の上方に行方向に延
長して並行に配置され２ポリ５はチャネル３の上方に列
方向に延長して並行に配置されている。なお、この１ポ
リ４と２ポリ５の平面図を図２に示す。そして１ポリ４
は１つおきに各々端子φv1，φv3に接続され、２ポリ５
は１つおきに各々端子φv2，φv4に接続されている。こ
れらの端子に０Ｖ、−７Ｖの２値の値をとる転送パルス
を印加することにより上記垂直ＣＣＤシフトレジスタ内
を電荷が転送される。図１から分かるように奇数番目の
チャネルの転送方向は図１において下から上であり、偶
数番目のチャネルの転送方向は上から下である。
長して並行に配置され２ポリ５はチャネル３の上方に列
方向に延長して並行に配置されている。なお、この１ポ
リ４と２ポリ５の平面図を図２に示す。そして１ポリ４
は１つおきに各々端子φv1，φv3に接続され、２ポリ５
は１つおきに各々端子φv2，φv4に接続されている。こ
れらの端子に０Ｖ、−７Ｖの２値の値をとる転送パルス
を印加することにより上記垂直ＣＣＤシフトレジスタ内
を電荷が転送される。図１から分かるように奇数番目の
チャネルの転送方向は図１において下から上であり、偶
数番目のチャネルの転送方向は上から下である。
【００１４】なお、素子分離層６はフォトダイオード１
とチャネル３、およびチャネル３同士を水平方向に分離
している。１ポリ４とフォトダイオード１は垂直方向
（列方向）で接しており、１ポリ４に＋１０Ｖの電圧を
印加すると、フォトダイオード１に蓄積されていた電荷
がチャネル３に読み出される。各フォトダイオードに対
し、読み出し方向は２通りであり、奇数フィールドの垂
直ブランキング期間では端子φv1のみに＋１０Ｖの電圧
が印加され、ｋ行目のフォトダイオード（ｋは偶数）の
電荷は図１の下方に、ｋ＋１行目フォトダイオードの電
荷は図１の上方に読み出しと同時に加算されることにな
る。偶数フィールドの垂直ブランキング期間では端子φ
v3のみに＋１０Ｖの電圧が印加され、ｋ−１行目のフォ
トダイオードの電荷は図１において下のチャネルに、ｋ
行目のフォトダイオードの電荷は上のチャネルに読み出
され、読み出しと同時に加算されることになる。この後
電荷は４相転送により、図１の上方または下方に送られ
る。そして、垂直ＣＣＤシフトレジスタの端部に配置さ
れた水平シフトレジスタ７を介して出力部８へ転送さ
れ、出力部８によって電荷量に対応した信号が外部に出
力される。
とチャネル３、およびチャネル３同士を水平方向に分離
している。１ポリ４とフォトダイオード１は垂直方向
（列方向）で接しており、１ポリ４に＋１０Ｖの電圧を
印加すると、フォトダイオード１に蓄積されていた電荷
がチャネル３に読み出される。各フォトダイオードに対
し、読み出し方向は２通りであり、奇数フィールドの垂
直ブランキング期間では端子φv1のみに＋１０Ｖの電圧
が印加され、ｋ行目のフォトダイオード（ｋは偶数）の
電荷は図１の下方に、ｋ＋１行目フォトダイオードの電
荷は図１の上方に読み出しと同時に加算されることにな
る。偶数フィールドの垂直ブランキング期間では端子φ
v3のみに＋１０Ｖの電圧が印加され、ｋ−１行目のフォ
トダイオードの電荷は図１において下のチャネルに、ｋ
行目のフォトダイオードの電荷は上のチャネルに読み出
され、読み出しと同時に加算されることになる。この後
電荷は４相転送により、図１の上方または下方に送られ
る。そして、垂直ＣＣＤシフトレジスタの端部に配置さ
れた水平シフトレジスタ７を介して出力部８へ転送さ
れ、出力部８によって電荷量に対応した信号が外部に出
力される。
【００１５】このように第１の実施例の固体撮影装置に
よれば、各垂直ブランキング期間に１つの電極にのみ読
み出し電圧を印加するので電荷読み出し時にフォトダイ
オード１に電荷が残留するということはない。又、電荷
の加算が読み出しと同時に自然に行われるため、垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスタの電極に複雑なパルスを印加する必
要がない。又、図１に示す第１の実施例の素子分離層６
と図５に示す従来例の素子分離層６を比較すると分かる
ように上下に隣接するフォトダイオードを分離する必要
がないため、無効領域が少ない。更に図２に示す第１の
実施例の電極構造から分かるように垂直方向のピッチＹ
ｐは Ｙｐ＝２ａ＋ｂ であり、従来の場合（Ｙｐ＝２ａ＋ｂ＋ｃ）に比べて微
細化に有利となる。ここでａは１ポリ４と２ポリ５の重
ね合せ寸法、ｂ，ｃは各々１ポリ４，２ポリ５の間隙寸
法である。
よれば、各垂直ブランキング期間に１つの電極にのみ読
み出し電圧を印加するので電荷読み出し時にフォトダイ
オード１に電荷が残留するということはない。又、電荷
の加算が読み出しと同時に自然に行われるため、垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスタの電極に複雑なパルスを印加する必
要がない。又、図１に示す第１の実施例の素子分離層６
と図５に示す従来例の素子分離層６を比較すると分かる
ように上下に隣接するフォトダイオードを分離する必要
がないため、無効領域が少ない。更に図２に示す第１の
実施例の電極構造から分かるように垂直方向のピッチＹ
ｐは Ｙｐ＝２ａ＋ｂ であり、従来の場合（Ｙｐ＝２ａ＋ｂ＋ｃ）に比べて微
細化に有利となる。ここでａは１ポリ４と２ポリ５の重
ね合せ寸法、ｂ，ｃは各々１ポリ４，２ポリ５の間隙寸
法である。
【００１６】次に本発明による固体撮影装置の第２の実
施例の平面図を図３に示す。この第２の実施例の固体撮
影装置は第１の実施例の固体撮影装置とは垂直ＣＣＤシ
フトレジスタ、すなわちチャネル３及び転送電極４，５
の配置が異なる。第１の実施例の各チャネル３は出力端
を除いてほぼ同一の配置となっていたが、第２の実施例
においては、ｋ（１≦ｋ≦ｎ−１）番目のチャネルとｋ
＋１番目のチャネルは、第ｋ列のフォトダイオード列と
第ｋ＋１列のフォトダイオード列との間に設けられる素
子分離層６に対してほぼ対称に配置されている。この配
置のため、図３より容易に分かるようにチャネル３の転
送方向は図３において上から下となり、水平ＣＣＤシフ
トレジスタ７は下側に１個有れば良い。又上記配置によ
り転送電極４，５の構造は図４に示すようになる。
施例の平面図を図３に示す。この第２の実施例の固体撮
影装置は第１の実施例の固体撮影装置とは垂直ＣＣＤシ
フトレジスタ、すなわちチャネル３及び転送電極４，５
の配置が異なる。第１の実施例の各チャネル３は出力端
を除いてほぼ同一の配置となっていたが、第２の実施例
においては、ｋ（１≦ｋ≦ｎ−１）番目のチャネルとｋ
＋１番目のチャネルは、第ｋ列のフォトダイオード列と
第ｋ＋１列のフォトダイオード列との間に設けられる素
子分離層６に対してほぼ対称に配置されている。この配
置のため、図３より容易に分かるようにチャネル３の転
送方向は図３において上から下となり、水平ＣＣＤシフ
トレジスタ７は下側に１個有れば良い。又上記配置によ
り転送電極４，５の構造は図４に示すようになる。
【００１７】なお各垂直ブランキング期間では１電極の
みに読み出し電圧１０Ｖが印加されること読み出しと同
時に加算が行なわれることは第１の実施例に同じであ
る。
みに読み出し電圧１０Ｖが印加されること読み出しと同
時に加算が行なわれることは第１の実施例に同じであ
る。
【００１８】この第２の実施例の固体撮影装置も第１の
実施例と同様の効果を有することは云うまでもない。
実施例と同様の効果を有することは云うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ダイナミックレンジを
劣化させることなく垂直方向の微細化が可能であって、
感光画素に電荷を残留させることなく電荷読み出しがで
き、かつ駆動パルスを単純化することができる。
劣化させることなく垂直方向の微細化が可能であって、
感光画素に電荷を残留させることなく電荷読み出しがで
き、かつ駆動パルスを単純化することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す平面図。
【図２】第１の実施例にかかる電極の構成を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例の構成を示す平面図。
【図４】第２の実施例にかかる電極の構成を示す図。
【図５】従来の固体撮影装置の構成を示す平面図。
【図６】従来の固体撮影装置の電極を示す図。
１ 感光画素（フォトダイオード） ２ 遮光膜の開口 ３ 埋め込みチャネル ４ 第１層ポリシリコン転送電極 ５ 第２層ポリシリコン転送電極 ６ 素子分離層 ７ 水平ＣＣＤシフトレジスタ ８ 出力部
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板上にｍ行ｎ列のマトリックス状
に配列され光信号を信号電荷に変換する感光画素と、 各感光画素列毎に、この感光画素列の感光画素間を蛇行
するように設けられるチャネルを有する、前記感光画素
列の各感光画素からの信号電荷を転送する垂直ＣＣＤシ
フトレジスタと、 この垂直ＣＣＤシフトレジスタによって転送された信号
電荷を行方向に転送する水平ＣＣＤシフトレジスタと、 この水平ＣＣＤシフトレジスタによって転送された信号
電荷を外部に電気信号に変換して出力する出力部と、を
備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】各チャネルは出力端を除いてほぼ同一の配
置となるように設けられることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像装置。 - 【請求項３】第ｋ（１≦ｋ≦ｎ−１）番目の感光画素列
に対応するチャネルと第ｋ＋１番目の感光画素列に対応
するチャネルとは第ｋ番目の感光画素列と第ｋ＋１番目
の感光画素列との間に設けられる素子分離層に対してほ
ぼ対称に配置されることを特徴とする請求項１記載の固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083887A JPH05291552A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083887A JPH05291552A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291552A true JPH05291552A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13815173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083887A Pending JPH05291552A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794692B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-09-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pick-up device |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP4083887A patent/JPH05291552A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794692B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-09-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pick-up device |
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