JP2002270809A - 固体撮像装置及びその制御方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその制御方法Info
- Publication number
- JP2002270809A JP2002270809A JP2001064917A JP2001064917A JP2002270809A JP 2002270809 A JP2002270809 A JP 2002270809A JP 2001064917 A JP2001064917 A JP 2001064917A JP 2001064917 A JP2001064917 A JP 2001064917A JP 2002270809 A JP2002270809 A JP 2002270809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- charge transfer
- conversion element
- vertical charge
- rows
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 205
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 278
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 49
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 102100029774 Eukaryotic translation initiation factor 1b Human genes 0.000 description 1
- FYZYXYLPBWLLGI-AUOPOVQUSA-N Genipin 1-beta-gentiobioside Chemical compound C([C@H]1O[C@H]([C@@H]([C@@H](O)[C@@H]1O)O)O[C@@H]1OC=C([C@@H]2[C@H]1C(=CC2)CO)C(=O)OC)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O FYZYXYLPBWLLGI-AUOPOVQUSA-N 0.000 description 1
- 101001012792 Homo sapiens Eukaryotic translation initiation factor 1b Proteins 0.000 description 1
- 101100219325 Phaseolus vulgaris BA13 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/133—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing panchromatic light, e.g. filters passing white light
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/445—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by skipping some contiguous pixels within the read portion of the array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/447—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動画モードにおける撮影時の感度を向上さ
せ、動画モードにおいても明るい画像を表示できるよう
にすることである。偽色の影響を低減する。 【解決手段】 行列状に配置された光電変換素子を含
み、２行を１単位として列方向に同じ色配列が繰り返さ
れる固体撮像装置であり、光電変換素子列に近接して各
１本ずつ形成された垂直電荷転送チャネルと、光電変換
素子行の１本に対応して各２本形成された垂直電荷転送
電極と、列方向に隣接する８本ごとを１組としてそれぞ
れに対して独立に電圧を印加できるとともに、隣接する
２組１６本のうち列方向に隣接する２光電変換素子行に
対応する垂直電荷転送電極と、２光電変換素子行から列
方向に３光電変換素子行分ずれた位置に形成され列方向
に隣接する２光電変換素子行とに対応する垂直電荷転送
電極と、のうち１光電変換素子行に含まれる少なくとも
各１本の垂直電荷転送電極に対して独立に読み出しパル
ス電圧を印加できる駆動回路とを含む。
せ、動画モードにおいても明るい画像を表示できるよう
にすることである。偽色の影響を低減する。 【解決手段】 行列状に配置された光電変換素子を含
み、２行を１単位として列方向に同じ色配列が繰り返さ
れる固体撮像装置であり、光電変換素子列に近接して各
１本ずつ形成された垂直電荷転送チャネルと、光電変換
素子行の１本に対応して各２本形成された垂直電荷転送
電極と、列方向に隣接する８本ごとを１組としてそれぞ
れに対して独立に電圧を印加できるとともに、隣接する
２組１６本のうち列方向に隣接する２光電変換素子行に
対応する垂直電荷転送電極と、２光電変換素子行から列
方向に３光電変換素子行分ずれた位置に形成され列方向
に隣接する２光電変換素子行とに対応する垂直電荷転送
電極と、のうち１光電変換素子行に含まれる少なくとも
各１本の垂直電荷転送電極に対して独立に読み出しパル
ス電圧を印加できる駆動回路とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、動画撮影モードを
備えたデジタルスチルカメラに用いられる固体撮像装置
に関し、特に固体撮像装置の動画撮影技術に関する。
備えたデジタルスチルカメラに用いられる固体撮像装置
に関し、特に固体撮像装置の動画撮影技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置を用いたデジタルスチルカ
メラにおいて、動画出力による画像確認（いわゆるムー
ビーモード）機能が不可欠になってきている。固体撮像
装置の画素数は、年々増加の一途を辿っている。１９９
６年に３３万画素程度だった固体撮像装置の画素数は、
１９９７年には８０万画素程度に、１９９８年には１３
０万画素から１５０万画素程度になり、そして２０００
年には３００万画素を超えるものが製品化されている。
メラにおいて、動画出力による画像確認（いわゆるムー
ビーモード）機能が不可欠になってきている。固体撮像
装置の画素数は、年々増加の一途を辿っている。１９９
６年に３３万画素程度だった固体撮像装置の画素数は、
１９９７年には８０万画素程度に、１９９８年には１３
０万画素から１５０万画素程度になり、そして２０００
年には３００万画素を超えるものが製品化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような高画素数化
の流れの中で、従来と同じ画質の動画出力機能を維持す
ることは困難になってきた。高画素化されたデジタルス
チルカメラにおいて画質を維持するためには、画素数に
比例して駆動周波数を増加させる必要があるが、実際に
は動作周波数を上げることは難しい。回路の動作周波数
を増加させると、消費電力増大によりカメラの駆動用バ
ッテリーの保持時間が短くなる。加えて画像にノイズが
発生しやすくなる。
の流れの中で、従来と同じ画質の動画出力機能を維持す
ることは困難になってきた。高画素化されたデジタルス
チルカメラにおいて画質を維持するためには、画素数に
比例して駆動周波数を増加させる必要があるが、実際に
は動作周波数を上げることは難しい。回路の動作周波数
を増加させると、消費電力増大によりカメラの駆動用バ
ッテリーの保持時間が短くなる。加えて画像にノイズが
発生しやすくなる。
【０００４】動作周波数を上げずに固体撮像装置の画素
数を多くしようとすれば、動画を撮影する際にフレーム
レートを下げざるを得なくなる。フレームレートを維持
するために、読み出し時の画素の間引きの割合を大きく
すると、偽色が発生しやすくなる。
数を多くしようとすれば、動画を撮影する際にフレーム
レートを下げざるを得なくなる。フレームレートを維持
するために、読み出し時の画素の間引きの割合を大きく
すると、偽色が発生しやすくなる。
【０００５】図８は、間引き読み出し動作の一例として
示した動画用の読み出し技術の原理を示す平面図であ
る。
示した動画用の読み出し技術の原理を示す平面図であ
る。
【０００６】図８に示すように、ＣＣＤ固体撮像装置Ａ
は、半導体基板の２次元表面１０１に、行列状に形成さ
れた多数の光電変換素子１０３を有している。光電変換
素子１０３のうち１列分の光電変換素子列に対してそれ
ぞれ１本ずつ、光電変換素子１０３に蓄積された電荷を
垂直方向に運ぶための垂直電荷転送チャネル層１０５が
設けられている。
は、半導体基板の２次元表面１０１に、行列状に形成さ
れた多数の光電変換素子１０３を有している。光電変換
素子１０３のうち１列分の光電変換素子列に対してそれ
ぞれ１本ずつ、光電変換素子１０３に蓄積された電荷を
垂直方向に運ぶための垂直電荷転送チャネル層１０５が
設けられている。
【０００７】垂直電荷転送チャネル１０５の一端に、垂
直電荷転送チャネル１０５から転送されてきた電荷を受
けて、それを水平方向に転送する水平電荷転送チャネル
１０７が設けられている。水平電荷転送チャネル１０７
の一端には、運ばれた電荷信号を増幅して外部に出力す
る出力アンプ１１１が設けられている。
直電荷転送チャネル１０５から転送されてきた電荷を受
けて、それを水平方向に転送する水平電荷転送チャネル
１０７が設けられている。水平電荷転送チャネル１０７
の一端には、運ばれた電荷信号を増幅して外部に出力す
る出力アンプ１１１が設けられている。
【０００８】ＣＣＤ固体撮像装置Ａの色配列は、いわゆ
るベイヤー配列である。ベイヤー配列では、列方向に
Ｇ、Ｒ，Ｇ、・・・と並ぶ列と、この列と隣接するＢ、
Ｇ、Ｂ、Ｇ、・・・と並ぶ列とが、行方向に交互に配置
されている。行方向にＲ，Ｇ、Ｒ，Ｇ、・・・と並ぶ行
と、この行と行方向に隣接するＧ、Ｂ、Ｇ、・・・と並
ぶ行とが、列方向に交互に配置されている。
るベイヤー配列である。ベイヤー配列では、列方向に
Ｇ、Ｒ，Ｇ、・・・と並ぶ列と、この列と隣接するＢ、
Ｇ、Ｂ、Ｇ、・・・と並ぶ列とが、行方向に交互に配置
されている。行方向にＲ，Ｇ、Ｒ，Ｇ、・・・と並ぶ行
と、この行と行方向に隣接するＧ、Ｂ、Ｇ、・・・と並
ぶ行とが、列方向に交互に配置されている。
【０００９】図８に示す各行に、Ｌ１からＬ８までの８
行で一単位の符号を付す。垂直電荷転送チャネル１０５
上に、１つの光電変換素子行について各２本づつ設けら
れ、ΦＶ１からΦＶ４までの４種類の電圧を独立して印
加できる垂直電荷転送電極が設けられている。
行で一単位の符号を付す。垂直電荷転送チャネル１０５
上に、１つの光電変換素子行について各２本づつ設けら
れ、ΦＶ１からΦＶ４までの４種類の電圧を独立して印
加できる垂直電荷転送電極が設けられている。
【００１０】上記の構造を有するＣＣＤ固体撮像装置Ａ
の動画モードによる１／４間引き読み出し動作について
説明する。
の動画モードによる１／４間引き読み出し動作について
説明する。
【００１１】光電変換素子行Ｌ５と光電変換素子行Ｌ２
とから、それぞれ、Ｇ、Ｂ、Ｇ、Ｂ、・・・と、Ｒ、
Ｇ、Ｒ、Ｇ、・・・の信号電荷を読み出し、垂直電荷転
送チャネル１０５内に転送する。読み出した信号電荷
を、垂直電荷転送電極に順次駆動電圧を印加することに
より、水平電荷転送チャネル１０７の方向へ向けて、４
相駆動方式により転送する。
とから、それぞれ、Ｇ、Ｂ、Ｇ、Ｂ、・・・と、Ｒ、
Ｇ、Ｒ、Ｇ、・・・の信号電荷を読み出し、垂直電荷転
送チャネル１０５内に転送する。読み出した信号電荷
を、垂直電荷転送電極に順次駆動電圧を印加することに
より、水平電荷転送チャネル１０７の方向へ向けて、４
相駆動方式により転送する。
【００１２】光電変換素子行について８行を１単位とす
ると、そのうちの２行分の画素の画素信号が読み出され
る。すなわち、全画素の１／４の画素からの信号を読み
出す。これを１／４間引き読み出しと称する。この方法
によれば、静止画の読み出し法として用いられる全画素
読み出しの場合の４倍の速度で、撮像を行うことができ
る。
ると、そのうちの２行分の画素の画素信号が読み出され
る。すなわち、全画素の１／４の画素からの信号を読み
出す。これを１／４間引き読み出しと称する。この方法
によれば、静止画の読み出し法として用いられる全画素
読み出しの場合の４倍の速度で、撮像を行うことができ
る。
【００１３】ところが、上記の方法を用いると信号量も
１／４となるので、感度が低くなるという問題がある。
動画モードの場合のフレームレートは、１／３０秒であ
る。このフレームレートを維持するためには、特に暗い
場所において感度不足になりやすい。静止画モードと異
なり、動画モードにおいてはフラッシュ撮影も難しく、
また、長時間露光による撮影も難しい。
１／４となるので、感度が低くなるという問題がある。
動画モードの場合のフレームレートは、１／３０秒であ
る。このフレームレートを維持するためには、特に暗い
場所において感度不足になりやすい。静止画モードと異
なり、動画モードにおいてはフラッシュ撮影も難しく、
また、長時間露光による撮影も難しい。
【００１４】加えて、光電変換素子行Ｌ２と光電変換素
子行Ｌ５とからの信号のみを読み出すため、信号を読み
出す光電変換素子行（読み出し光電変換素子行）間の行
間隔、すなわち、信号を読み出さない光電変換素子行
（非読み出し光電変換素子行）数が２行と４行との繰り
返しとなり、信号を読み出す光電変換素子行が列方向に
等間隔に並ばない。従って偽色が発生しやすくなる。偽
色の影響は、間引き読み出しにより読み出されなかった
画素数の増加により増加する。
子行Ｌ５とからの信号のみを読み出すため、信号を読み
出す光電変換素子行（読み出し光電変換素子行）間の行
間隔、すなわち、信号を読み出さない光電変換素子行
（非読み出し光電変換素子行）数が２行と４行との繰り
返しとなり、信号を読み出す光電変換素子行が列方向に
等間隔に並ばない。従って偽色が発生しやすくなる。偽
色の影響は、間引き読み出しにより読み出されなかった
画素数の増加により増加する。
【００１５】また、デジタルスチルカメラにおける偽色
に関する特有の問題として、光学ローパスフィルタの不
整合の問題がある。光学ローパスフィルタは、偽色の発
生を低減する目的で設けられる。ところが、デジタルス
チルカメラの場合には、静止画の撮影に合わせて光学ロ
ーパスフィルタの複屈折のピッチが決められている。
に関する特有の問題として、光学ローパスフィルタの不
整合の問題がある。光学ローパスフィルタは、偽色の発
生を低減する目的で設けられる。ところが、デジタルス
チルカメラの場合には、静止画の撮影に合わせて光学ロ
ーパスフィルタの複屈折のピッチが決められている。
【００１６】従って、動画用に上記のような不均等な間
引き読み出しを行った場合には、読み出しピッチが上述
のように等間隔にならず、静止画用の光学ローパスフィ
ルタのピッチと合わなくなる。固体撮像装置に含まれる
画素数が増えるほど、動画撮影時の読み出し画素ピッチ
と光学ローパスフィルタのピッチとの不整合が増大する
傾向になる。
引き読み出しを行った場合には、読み出しピッチが上述
のように等間隔にならず、静止画用の光学ローパスフィ
ルタのピッチと合わなくなる。固体撮像装置に含まれる
画素数が増えるほど、動画撮影時の読み出し画素ピッチ
と光学ローパスフィルタのピッチとの不整合が増大する
傾向になる。
【００１７】本発明の目的は、動画モードにおける撮影
時の感度を向上させ、動画モードにおいても明るい画像
を表示できるようにすることである。偽色の影響を低減
することである。
時の感度を向上させ、動画モードにおいても明るい画像
を表示できるようにすることである。偽色の影響を低減
することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、二次元平面上に行列状に整列配置された複数の光電
変換素子と、該光電変換素子の上に各１づつ形成され、
行方向に並ぶ第１の色配列と該第１の色配列と行方向に
異なる色配列を有する第２の色配列を有する２行を１単
位として列方向に同じ色配列が繰り返される色フィルタ
のアレイと、前記光電変換素子の列に近接して形成さ
れ、該光電変換素子の列の１本につき各１本ずつ形成さ
れた垂直電荷転送チャネルと、該垂直電荷転送チャネル
上に形成され、前記光電変換素子の行の１本に対応して
各２本形成された複数本の垂直電荷転送電極と、列方向
に隣接する４行の光電変換素子の行に含まれる８本１組
の垂直電荷転送電極のそれぞれに対して独立に電圧を印
加できるとともに、前記１組の垂直電荷転送電極を含む
列方向に隣接する２組１６本のうち、列方向に隣接する
２行一対の第１の光電変換素子行対のうちの第１の色配
列を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送電極
と、前記第１の光電変換素子行対から列方向に４光電変
換素子行だけずれた位置に配置され列方向に隣接する２
行一対の第２の光電変換素子行対のうちの第２の色配列
を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送電極
と、から選択される各１本に対して独立に読み出しパル
ス電圧を印加できる駆動回路と、複数の前記垂直電荷転
送チャネルの下端に設けられ、該垂直電荷転送チャネル
から転送された電荷を受けてこれを水平方向に転送する
水平電荷転送チャネルと、該水平電荷転送チャネルの一
端に形成され該水平電荷転送チャネルからの電荷を増幅
して外部に読み出す出力アンプとを含む固体撮像装置が
提供される。
ば、二次元平面上に行列状に整列配置された複数の光電
変換素子と、該光電変換素子の上に各１づつ形成され、
行方向に並ぶ第１の色配列と該第１の色配列と行方向に
異なる色配列を有する第２の色配列を有する２行を１単
位として列方向に同じ色配列が繰り返される色フィルタ
のアレイと、前記光電変換素子の列に近接して形成さ
れ、該光電変換素子の列の１本につき各１本ずつ形成さ
れた垂直電荷転送チャネルと、該垂直電荷転送チャネル
上に形成され、前記光電変換素子の行の１本に対応して
各２本形成された複数本の垂直電荷転送電極と、列方向
に隣接する４行の光電変換素子の行に含まれる８本１組
の垂直電荷転送電極のそれぞれに対して独立に電圧を印
加できるとともに、前記１組の垂直電荷転送電極を含む
列方向に隣接する２組１６本のうち、列方向に隣接する
２行一対の第１の光電変換素子行対のうちの第１の色配
列を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送電極
と、前記第１の光電変換素子行対から列方向に４光電変
換素子行だけずれた位置に配置され列方向に隣接する２
行一対の第２の光電変換素子行対のうちの第２の色配列
を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送電極
と、から選択される各１本に対して独立に読み出しパル
ス電圧を印加できる駆動回路と、複数の前記垂直電荷転
送チャネルの下端に設けられ、該垂直電荷転送チャネル
から転送された電荷を受けてこれを水平方向に転送する
水平電荷転送チャネルと、該水平電荷転送チャネルの一
端に形成され該水平電荷転送チャネルからの電荷を増幅
して外部に読み出す出力アンプとを含む固体撮像装置が
提供される。
【００１９】本発明の他の観点によれば、二次元平面上
に行列状に整列配置された複数の光電変換素子と、該光
電変換素子の上に各１づつ形成され、行方向に並ぶ第１
の色配列と該第１の色配列と行方向に異なる色配列を有
する第２の色配列を有する２行を１単位として列方向に
同じ色配列が繰り返される色フィルタのアレイと、前記
光電変換素子の列に近接して形成され、該光電変換素子
の列の１本につき各１本ずつ形成された垂直電荷転送チ
ャネルと、該垂直電荷転送チャネル上に形成され、前記
光電変換素子の行の１本に対応して各２本形成された複
数本の垂直電荷転送電極と、列方向に隣接する４行の光
電変換素子の行に含まれる８本１組の垂直電荷転送電極
のそれぞれに対して独立に電圧を印加できるとともに、
前記１組の垂直電荷転送電極を含む列方向に隣接する２
組１６本のうち、列方向に隣接する２行一対の第１の光
電変換素子行対のうちの第１の色配列を有する光電変換
素子行に含まれる垂直電荷転送電極と、前記第１の光電
変換素子行対から列方向に４光電変換素子行だけずれた
位置に配置され列方向に隣接する２行一対の第２の光電
変換素子行対のうちの第２の色配列を有する光電変換素
子行に含まれる垂直電荷転送電極と、から選択される各
１本に対して独立に読み出しパルス電圧を印加できる駆
動回路と、複数の前記垂直電荷転送チャネルの下端に設
けられ、該垂直電荷転送チャネルから転送された電荷を
受けてこれを水平方向に転送する水平電荷転送チャネル
と、該水平電荷転送チャネルの一端に形成され該水平電
荷転送チャネルからの電荷を増幅して外部に読み出す出
力アンプとを含む固体撮像装置の制御方法であって、
ａ）隣接する２組の第１から第１６までの１６本の垂直
電荷転送電極のうち、列方向に隣接する第１の光電変換
素子行対のうち選択されたいずれか一方の光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極と、前記第１の光電変換素
子行対から列方向に４光電変換素子行分ずれた位置に形
成され列方向に隣接する第２の光電変換素子行対のうち
前記第１の光電変換素子行対において選択された光電変
換素子行と異なる行方向の色配列を有する光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極とに対して読み出しパルス
電圧を印加する工程と、ｂ）前記ａ）工程において読み
出された信号電荷を、前記水平電荷転送チャネルに向け
て列方向に４光電変換素子行分転送する工程と、ｃ）前
記第１の光電変換素子行対及び前記第２の光電変換素子
行対に含まれる光電変換素子行のうち前記ａ）工程にお
いて読み出されなかった光電変換素子行に属する垂直電
荷転送電極に対して読み出しパルス電圧を印加する工程
と、ｄ）前記ｃ）工程において読み出された電荷を前記
ａ）工程において読み出された電荷とともに前記水平電
荷転送チャネルに向けて転送する工程とを含む固体撮像
装置の制御方法が提供される。
に行列状に整列配置された複数の光電変換素子と、該光
電変換素子の上に各１づつ形成され、行方向に並ぶ第１
の色配列と該第１の色配列と行方向に異なる色配列を有
する第２の色配列を有する２行を１単位として列方向に
同じ色配列が繰り返される色フィルタのアレイと、前記
光電変換素子の列に近接して形成され、該光電変換素子
の列の１本につき各１本ずつ形成された垂直電荷転送チ
ャネルと、該垂直電荷転送チャネル上に形成され、前記
光電変換素子の行の１本に対応して各２本形成された複
数本の垂直電荷転送電極と、列方向に隣接する４行の光
電変換素子の行に含まれる８本１組の垂直電荷転送電極
のそれぞれに対して独立に電圧を印加できるとともに、
前記１組の垂直電荷転送電極を含む列方向に隣接する２
組１６本のうち、列方向に隣接する２行一対の第１の光
電変換素子行対のうちの第１の色配列を有する光電変換
素子行に含まれる垂直電荷転送電極と、前記第１の光電
変換素子行対から列方向に４光電変換素子行だけずれた
位置に配置され列方向に隣接する２行一対の第２の光電
変換素子行対のうちの第２の色配列を有する光電変換素
子行に含まれる垂直電荷転送電極と、から選択される各
１本に対して独立に読み出しパルス電圧を印加できる駆
動回路と、複数の前記垂直電荷転送チャネルの下端に設
けられ、該垂直電荷転送チャネルから転送された電荷を
受けてこれを水平方向に転送する水平電荷転送チャネル
と、該水平電荷転送チャネルの一端に形成され該水平電
荷転送チャネルからの電荷を増幅して外部に読み出す出
力アンプとを含む固体撮像装置の制御方法であって、
ａ）隣接する２組の第１から第１６までの１６本の垂直
電荷転送電極のうち、列方向に隣接する第１の光電変換
素子行対のうち選択されたいずれか一方の光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極と、前記第１の光電変換素
子行対から列方向に４光電変換素子行分ずれた位置に形
成され列方向に隣接する第２の光電変換素子行対のうち
前記第１の光電変換素子行対において選択された光電変
換素子行と異なる行方向の色配列を有する光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極とに対して読み出しパルス
電圧を印加する工程と、ｂ）前記ａ）工程において読み
出された信号電荷を、前記水平電荷転送チャネルに向け
て列方向に４光電変換素子行分転送する工程と、ｃ）前
記第１の光電変換素子行対及び前記第２の光電変換素子
行対に含まれる光電変換素子行のうち前記ａ）工程にお
いて読み出されなかった光電変換素子行に属する垂直電
荷転送電極に対して読み出しパルス電圧を印加する工程
と、ｄ）前記ｃ）工程において読み出された電荷を前記
ａ）工程において読み出された電荷とともに前記水平電
荷転送チャネルに向けて転送する工程とを含む固体撮像
装置の制御方法が提供される。
【００２０】上記の固体撮像装置の制御技術によれば、
水平電荷転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送
チャネル内において同色の信号電荷が２画素分加算され
る。従って、信号量、すなわち感度が２倍になり、明る
い動画像が得られる。また、信号を読み出す光電変換素
子行と、信号を読み出さない光電変換素子行とが、行方
向に等間隔で並ぶ。従って、偽色の影響が小さくなる。
加えて、静止画撮影に合わされた光学ローパスフィルタ
のピッチと動画モードにおける読み出し光電変換素子行
のピッチとが整合する。
水平電荷転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送
チャネル内において同色の信号電荷が２画素分加算され
る。従って、信号量、すなわち感度が２倍になり、明る
い動画像が得られる。また、信号を読み出す光電変換素
子行と、信号を読み出さない光電変換素子行とが、行方
向に等間隔で並ぶ。従って、偽色の影響が小さくなる。
加えて、静止画撮影に合わされた光学ローパスフィルタ
のピッチと動画モードにおける読み出し光電変換素子行
のピッチとが整合する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して、発明者が
考案した固体撮像装置及びその制御方法について、その
原理を簡単に説明する。
考案した固体撮像装置及びその制御方法について、その
原理を簡単に説明する。
【００２２】図１に、発明者が考案した固体撮像装置の
原理図を示す。図１に示す光電変換素子の色配列は、ベ
イヤー配列である。ベイヤー配列は、固体撮像装置にお
ける色フィルタの配列の代表的な配列であり、列方向に
２画素ピッチで同色の画素が並ぶ配列の範疇に入る。
原理図を示す。図１に示す光電変換素子の色配列は、ベ
イヤー配列である。ベイヤー配列は、固体撮像装置にお
ける色フィルタの配列の代表的な配列であり、列方向に
２画素ピッチで同色の画素が並ぶ配列の範疇に入る。
【００２３】図１に示すように、固体撮像装置Ｂは、行
方向の色配列が、２光電変換素子行ごとに異なってい
る。８光電変換素子行を一単位とした場合、同じ一単位
が上下方向（垂直方向）に繰り返された構造を有してい
る。説明を簡単化するために、８行単位の各行にＬ１か
らＬ８までの符号を付した。これら各光電変換素子行に
は、垂直電荷転送チャネル内の電荷を転送するため１光
電変換素子行につき上下２本ずつ垂直電荷転送電極が設
けられている。
方向の色配列が、２光電変換素子行ごとに異なってい
る。８光電変換素子行を一単位とした場合、同じ一単位
が上下方向（垂直方向）に繰り返された構造を有してい
る。説明を簡単化するために、８行単位の各行にＬ１か
らＬ８までの符号を付した。これら各光電変換素子行に
は、垂直電荷転送チャネル内の電荷を転送するため１光
電変換素子行につき上下２本ずつ垂直電荷転送電極が設
けられている。
【００２４】図１に示す固体撮像装置において、列方向
に隣接する２行分の光電変換素子行、例えば光電変換素
子行Ｌ１と光電変換素子行Ｌ２及び光電変換素子行Ｌ５
と光電変換素子行Ｌ６との４行の光電変換素子行から電
荷の読み出しを行う。
に隣接する２行分の光電変換素子行、例えば光電変換素
子行Ｌ１と光電変換素子行Ｌ２及び光電変換素子行Ｌ５
と光電変換素子行Ｌ６との４行の光電変換素子行から電
荷の読み出しを行う。
【００２５】まず、光電変換素子行Ｌ１と光電変換素子
行Ｌ６とに属する光電変換素子に蓄積されている電荷を
垂直電荷転送チャネル内に読み出す。次に、読み出した
信号電荷を、水平電荷転送チャネルの方向に向けてそれ
ぞれ４光電変換素子行分転送する。この際、光電変換素
子行Ｌ１から読み出された電荷は、５行目の光電変換素
子行Ｌ５まで転送される。光電変換素子行Ｌ１と光電変
換素子行Ｌ５の信号電荷は行方向の色配列が同じであ
る。６行目の光電変換素子行Ｌ６から読み出された電荷
も垂直方向に４光電変換素子行分だけ転送され、２行目
の光電変換素子行Ｌ２まで転送される。光電変換素子行
Ｌ２と光電変換素子行Ｌ６の信号電荷も行方向に色配列
が同じである。
行Ｌ６とに属する光電変換素子に蓄積されている電荷を
垂直電荷転送チャネル内に読み出す。次に、読み出した
信号電荷を、水平電荷転送チャネルの方向に向けてそれ
ぞれ４光電変換素子行分転送する。この際、光電変換素
子行Ｌ１から読み出された電荷は、５行目の光電変換素
子行Ｌ５まで転送される。光電変換素子行Ｌ１と光電変
換素子行Ｌ５の信号電荷は行方向の色配列が同じであ
る。６行目の光電変換素子行Ｌ６から読み出された電荷
も垂直方向に４光電変換素子行分だけ転送され、２行目
の光電変換素子行Ｌ２まで転送される。光電変換素子行
Ｌ２と光電変換素子行Ｌ６の信号電荷も行方向に色配列
が同じである。
【００２６】この状態で２回目の読み出し動作を行え
ば、同色信号を加算することができる。すなわち、光電
変換素子行Ｌ２と光電変換素子行Ｌ５に属する光電変換
素子から信号電荷を読み出せば、同色の信号電荷が垂直
電荷転送チャネル内において加算される。加算された２
画素分の信号電荷を、その後、水平電荷転送チャネルに
向けて転送する。
ば、同色信号を加算することができる。すなわち、光電
変換素子行Ｌ２と光電変換素子行Ｌ５に属する光電変換
素子から信号電荷を読み出せば、同色の信号電荷が垂直
電荷転送チャネル内において加算される。加算された２
画素分の信号電荷を、その後、水平電荷転送チャネルに
向けて転送する。
【００２７】以上に説明した動作により、８光電変換素
子行Ｌ１からＬ８までのうち列方向に隣接する第１及び
第２の光電変換素子行Ｌ１及びＬ２と、同じく列方向に
隣接する第５及び第６の光電変換素子行Ｌ５及びＬ６と
の信号電荷を読み出す。非読み出し行は、第３及び第４
の光電変換素子行Ｌ３及びＬ４と第７及び第８の光電変
換素子行Ｌ７及びＬ８である。読み出し光電変換素子行
と非読み出し光電変換素子行とが、列方向に２行間隔で
等間隔に配置される。
子行Ｌ１からＬ８までのうち列方向に隣接する第１及び
第２の光電変換素子行Ｌ１及びＬ２と、同じく列方向に
隣接する第５及び第６の光電変換素子行Ｌ５及びＬ６と
の信号電荷を読み出す。非読み出し行は、第３及び第４
の光電変換素子行Ｌ３及びＬ４と第７及び第８の光電変
換素子行Ｌ７及びＬ８である。読み出し光電変換素子行
と非読み出し光電変換素子行とが、列方向に２行間隔で
等間隔に配置される。
【００２８】上記の固体撮像素子においては、水平電荷
転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送チャネル
内において同色の信号電荷が２画素分加算される。従っ
て、信号量、すなわち感度が２倍になり、明るい動画像
が得られる。
転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送チャネル
内において同色の信号電荷が２画素分加算される。従っ
て、信号量、すなわち感度が２倍になり、明るい動画像
が得られる。
【００２９】また、読み出し行と非読み出し行とが列方
向に等間隔で並んでいる（この場合には２行ごとに並ん
でいる）。従って、偽色の影響が小さくなる。加えて、
静止画撮影に合わされた光学ローパスフィルタのピッチ
と動画モードにおける読み出し光電変換素子行のピッチ
を整合させることができるため、良好な動画像が得られ
る。
向に等間隔で並んでいる（この場合には２行ごとに並ん
でいる）。従って、偽色の影響が小さくなる。加えて、
静止画撮影に合わされた光学ローパスフィルタのピッチ
と動画モードにおける読み出し光電変換素子行のピッチ
を整合させることができるため、良好な動画像が得られ
る。
【００３０】尚、上記の読み出し方法は、対象とする光
電変換素子行から４画素分列方向にずれた光電変換素子
行との間に間隔と等しいピッチを有する光学ローパスフ
ィルタを用いて、あたかも光学的な２重画像を形成した
ような読み出し方法と考えることもできる。
電変換素子行から４画素分列方向にずれた光電変換素子
行との間に間隔と等しいピッチを有する光学ローパスフ
ィルタを用いて、あたかも光学的な２重画像を形成した
ような読み出し方法と考えることもできる。
【００３１】上記の原理に基づく本発明の一実施の形態
による固体撮像装置及びその制御方法について、図２か
ら図５までを参照して説明する。
による固体撮像装置及びその制御方法について、図２か
ら図５までを参照して説明する。
【００３２】図２は、本実施の形態による固体撮像装置
の構造を示す平面図であり、図３（Ａ）は、図２の部分
的な拡大図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩ
Ｉｂ'線に沿う断面図である。図４は、固体撮像装置の
電荷駆動部に印加する駆動信号のタイミングチャートで
ある。図５は、図４のタイミングで駆動された場合の信
号電荷の読み出し及び転送の様子を示す図である。
の構造を示す平面図であり、図３（Ａ）は、図２の部分
的な拡大図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩ
Ｉｂ'線に沿う断面図である。図４は、固体撮像装置の
電荷駆動部に印加する駆動信号のタイミングチャートで
ある。図５は、図４のタイミングで駆動された場合の信
号電荷の読み出し及び転送の様子を示す図である。
【００３３】図２に示すように、ＣＣＤ固体撮像装置Ｂ
は、２次元平面を画定する半導体基板１上に、光電変換
素子（フォトダイオード）３が行列状に形成されてい
る。列方向に並ぶ光電変換素子列に近接して、１光電変
換素子列に対して１本づつの垂直電荷転送チャネル５が
垂直方向（列方向）に向けて延びている。光電変換素子
３と垂直電荷転送チャネル５との間に読み出しゲート３
ａが形成されている。
は、２次元平面を画定する半導体基板１上に、光電変換
素子（フォトダイオード）３が行列状に形成されてい
る。列方向に並ぶ光電変換素子列に近接して、１光電変
換素子列に対して１本づつの垂直電荷転送チャネル５が
垂直方向（列方向）に向けて延びている。光電変換素子
３と垂直電荷転送チャネル５との間に読み出しゲート３
ａが形成されている。
【００３４】垂直電荷転送チャネルの一端に、水平方向
（行方向）に延びる水平電荷転送チャネル７が形成され
ている。水平電荷転送チャネル７の一端に、電荷信号を
増幅して出力するための出力アンプ１０が形成されてい
る。
（行方向）に延びる水平電荷転送チャネル７が形成され
ている。水平電荷転送チャネル７の一端に、電荷信号を
増幅して出力するための出力アンプ１０が形成されてい
る。
【００３５】複数本の垂直電荷転送チャネル５上には、
１つの光電変換素子３に対して上下２本の垂直電荷転送
電極１１ａ、１１ｂが形成されている。水平電荷転送チ
ャネル７には、ポテンシャルウェル層７ａとポテンシャ
ルバリア層７ｂとが水平方向に交互に形成されている。
各垂直電荷転送チャネル５の一端は、ポテンシャルウェ
ル層７ａと接続されている。ポテンシャルウェル層７ａ
上とポテンシャルバリア層７ｂ上には、それぞれ水平電
荷転送電極１５ａと１５ｂとがそれぞれ形成されてい
る。
１つの光電変換素子３に対して上下２本の垂直電荷転送
電極１１ａ、１１ｂが形成されている。水平電荷転送チ
ャネル７には、ポテンシャルウェル層７ａとポテンシャ
ルバリア層７ｂとが水平方向に交互に形成されている。
各垂直電荷転送チャネル５の一端は、ポテンシャルウェ
ル層７ａと接続されている。ポテンシャルウェル層７ａ
上とポテンシャルバリア層７ｂ上には、それぞれ水平電
荷転送電極１５ａと１５ｂとがそれぞれ形成されてい
る。
【００３６】垂直電荷転送電極１１ａと１１ｂとに電荷
を転送するための電圧を印加すると、垂直電荷転送チャ
ネル５内の電子は水平電荷転送チャネル７に向けて転送
される。
を転送するための電圧を印加すると、垂直電荷転送チャ
ネル５内の電子は水平電荷転送チャネル７に向けて転送
される。
【００３７】水平電荷転送チャネル７内に転送された電
子は、水平電荷転送電極１５ａと１５ｂとに電圧を印加
していくことにより、出力アンプ１０の方向に向けて転
送される。
子は、水平電荷転送電極１５ａと１５ｂとに電圧を印加
していくことにより、出力アンプ１０の方向に向けて転
送される。
【００３８】尚、図２では、垂直電荷転送チャネル５と
水平電荷転送チャネル７との間には、垂直電荷転送電極
（ΦＶ４）までが示されている。実際には、さらに、垂
直電荷転送電極ΦＶ５からΦＶ８までと、電荷を垂直電
荷転送チャネルから水平電荷転送チャネルまで転送する
ための電荷転送部とを設けることにより、図４に示すタ
イミングチャート図に基づく電荷の読み出し、転送を行
うことができる。図１の概念図においても同様である。
水平電荷転送チャネル７との間には、垂直電荷転送電極
（ΦＶ４）までが示されている。実際には、さらに、垂
直電荷転送電極ΦＶ５からΦＶ８までと、電荷を垂直電
荷転送チャネルから水平電荷転送チャネルまで転送する
ための電荷転送部とを設けることにより、図４に示すタ
イミングチャート図に基づく電荷の読み出し、転送を行
うことができる。図１の概念図においても同様である。
【００３９】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、図２に示
す固体撮像装置の部分拡大図であり、図３（Ａ）は平面
図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ'線
に沿う断面図である。
す固体撮像装置の部分拡大図であり、図３（Ａ）は平面
図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ'線
に沿う断面図である。
【００４０】図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すよう
に、ｎ型半導体基板１上に、ｐ型半導体層２３が形成さ
れている。ｐ型半導体層２３に、ｎ型半導体層２および
ｎ型半導体層５が形成されている。ｎ型半導体層２とｐ
型半導体層２３とによりｐ−ｎ接合を有する光電変換素
子（フォトダイオード）３が形成される。
に、ｎ型半導体基板１上に、ｐ型半導体層２３が形成さ
れている。ｐ型半導体層２３に、ｎ型半導体層２および
ｎ型半導体層５が形成されている。ｎ型半導体層２とｐ
型半導体層２３とによりｐ−ｎ接合を有する光電変換素
子（フォトダイオード）３が形成される。
【００４１】ｎ型半導体層５は、光電変換素子３に蓄積
されている電荷を転送するための垂直電荷転送チャネル
を形成する。垂直電荷転送チャネル５上に、第１の絶縁
膜３０を介して多結晶シリコンにより形成された電荷転
送電極１１ｂが形成されている。
されている電荷を転送するための垂直電荷転送チャネル
を形成する。垂直電荷転送チャネル５上に、第１の絶縁
膜３０を介して多結晶シリコンにより形成された電荷転
送電極１１ｂが形成されている。
【００４２】第１の電荷転送電極１１ａと第２の電荷転
送電極１１ｂとが垂直方向に交互に形成され、垂直電荷
転送チャネル５とともに、垂直電荷転送路を形成してい
る。垂直電荷転送路は、光電変換素子３に蓄積されてい
た電荷を水平電荷転送チャネル７（図２）に向けて転送
する。
送電極１１ｂとが垂直方向に交互に形成され、垂直電荷
転送チャネル５とともに、垂直電荷転送路を形成してい
る。垂直電荷転送路は、光電変換素子３に蓄積されてい
た電荷を水平電荷転送チャネル７（図２）に向けて転送
する。
【００４３】第１および第２の電荷転送電極１１ａ、１
１ｂを覆って半導体基板１上に第１の層間絶縁膜３１が
形成されている。第１の層間絶縁膜３１の上に、個々の
光電変換素子３の受光面に開口部を有する導電性遮光膜
４１が形成されている。導電性遮光膜４１は、垂直電荷
転送路（５、１１ａ、１１ｂ）などの非受光面上を覆
う。
１ｂを覆って半導体基板１上に第１の層間絶縁膜３１が
形成されている。第１の層間絶縁膜３１の上に、個々の
光電変換素子３の受光面に開口部を有する導電性遮光膜
４１が形成されている。導電性遮光膜４１は、垂直電荷
転送路（５、１１ａ、１１ｂ）などの非受光面上を覆
う。
【００４４】絶縁膜３１および遮光膜４１を覆うように
第２の層間絶縁膜（平坦化膜）３７が形成されている。
平坦化膜３７の上にカラーフィルタ４５およびマイクロ
レンズ５１が形成されている。
第２の層間絶縁膜（平坦化膜）３７が形成されている。
平坦化膜３７の上にカラーフィルタ４５およびマイクロ
レンズ５１が形成されている。
【００４５】マイクロレンズ５１により集光された光
は、光電変換素子３内に入射する。導電性遮光膜４１
は、光電変換素子３以外の領域における入射光の影響を
低減する。
は、光電変換素子３内に入射する。導電性遮光膜４１
は、光電変換素子３以外の領域における入射光の影響を
低減する。
【００４６】図２に戻って、光電変換素子３の受光部左
側には、垂直電荷転送電極１１ａ及び１１ｂに電荷転送
電圧を印加する垂直駆動回路Ｃが設けられている。垂直
駆動回路Ｃは、光電変換素子行Ｌ１から光電変換素子行
Ｌ４までと光電変換素子行Ｌ５から光電変換素子行Ｌ８
までの４行を１単位として、垂直電荷転送電極１１ａ及
び１１ｂのそれぞれにΦＶ１からΦＶ８までの電圧を印
加することができる。いわゆる８相駆動方式による電荷
転送を行う。ΦＶ１とΦＶ３とに関しては、ΦＶ１Ａと
ΦＶ１Ｂ（光電変換素子行Ｌ１から光電変換素子行Ｌ４
まで）及びΦＶ３ＡとΦＶ３Ｂ（光電変換素子行Ｌ５か
ら光電変換素子行Ｌ８まで）とで別の電圧（読み出し電
圧）を印加することができるようになっており、それぞ
れの行から電荷を独立に読み出すことができる。
側には、垂直電荷転送電極１１ａ及び１１ｂに電荷転送
電圧を印加する垂直駆動回路Ｃが設けられている。垂直
駆動回路Ｃは、光電変換素子行Ｌ１から光電変換素子行
Ｌ４までと光電変換素子行Ｌ５から光電変換素子行Ｌ８
までの４行を１単位として、垂直電荷転送電極１１ａ及
び１１ｂのそれぞれにΦＶ１からΦＶ８までの電圧を印
加することができる。いわゆる８相駆動方式による電荷
転送を行う。ΦＶ１とΦＶ３とに関しては、ΦＶ１Ａと
ΦＶ１Ｂ（光電変換素子行Ｌ１から光電変換素子行Ｌ４
まで）及びΦＶ３ＡとΦＶ３Ｂ（光電変換素子行Ｌ５か
ら光電変換素子行Ｌ８まで）とで別の電圧（読み出し電
圧）を印加することができるようになっており、それぞ
れの行から電荷を独立に読み出すことができる。
【００４７】図２、図４及び図５を参照して、固体撮像
装置の動作について説明する。時間Ｔ１において、垂直
駆動回路Ｃが、ΦＶ１ＡとΦＶ３Ｂとに高電圧（読み出
し電圧）、例えば１６Ｖを印加する。第１光電変換素子
行Ｌ１において行方向にＧＢＧＢＧＢ・・・と並ぶ信号
電荷が、垂直電荷転送チャネル内に読み出される（符号
）。第６光電変換素子行Ｌ６において行方向にＲＧＲ
ＧＲＧ・・・と並ぶ信号電荷が、垂直電荷転送チャネル
内に読み出される（符号）。
装置の動作について説明する。時間Ｔ１において、垂直
駆動回路Ｃが、ΦＶ１ＡとΦＶ３Ｂとに高電圧（読み出
し電圧）、例えば１６Ｖを印加する。第１光電変換素子
行Ｌ１において行方向にＧＢＧＢＧＢ・・・と並ぶ信号
電荷が、垂直電荷転送チャネル内に読み出される（符号
）。第６光電変換素子行Ｌ６において行方向にＲＧＲ
ＧＲＧ・・・と並ぶ信号電荷が、垂直電荷転送チャネル
内に読み出される（符号）。
【００４８】時間Ｔ２から時間Ｔ５までの間において、
上記の読み出し動作により読み出された信号電荷を水平
電荷転送チャネルの方向に向けて８相駆動方式により転
送する。電荷を転送するための電圧は、例えば０Ｖと−
８Ｖである。第１の光電変換素子行Ｌ１から読み出され
た信号電荷ＧＢＧＢＧＢ・・・は、第５の光電変換素子
行Ｌ５の位置まで転送される（符号）。第６の光電変
換素子行Ｌ６から読み出された信号電荷ＲＧＲＧＲＧ・
・・は、第２の光電変換素子行Ｌ２の位置まで転送され
る（符号）。
上記の読み出し動作により読み出された信号電荷を水平
電荷転送チャネルの方向に向けて８相駆動方式により転
送する。電荷を転送するための電圧は、例えば０Ｖと−
８Ｖである。第１の光電変換素子行Ｌ１から読み出され
た信号電荷ＧＢＧＢＧＢ・・・は、第５の光電変換素子
行Ｌ５の位置まで転送される（符号）。第６の光電変
換素子行Ｌ６から読み出された信号電荷ＲＧＲＧＲＧ・
・・は、第２の光電変換素子行Ｌ２の位置まで転送され
る（符号）。
【００４９】この状態において、垂直電荷転送チャネル
内に存在する上記の信号電荷は、読み出しゲートを介し
てそれと近接する行方向の位置に存在する光電変換素子
に蓄積されている電荷と同色の電荷である。
内に存在する上記の信号電荷は、読み出しゲートを介し
てそれと近接する行方向の位置に存在する光電変換素子
に蓄積されている電荷と同色の電荷である。
【００５０】時間Ｔ６において、垂直駆動回路Ｃが、Φ
Ｖ１ＢとΦＶ３Ａとに高電圧（読み出し電圧）、例えば
１６Ｖを印加する。上記の電荷転送動作によって転送さ
れた信号電荷ＧＢＧＢＧＢ・・・及びＲＧＲＧＲＧ・・
・と、光電変換素子から読み出された信号電荷ＧＢＧＢ
ＧＢ・・・及びＲＧＲＧＲＧ・・・とが垂直電荷転送チ
ャネル内において合流する（符号）。同色の信号電荷
が合流するため、電荷の加算が行われたことになる。Ｒ
Ｒ、ＧＧ及びＢＢの電荷が垂直電荷転送チャネル内に存
在することになる。
Ｖ１ＢとΦＶ３Ａとに高電圧（読み出し電圧）、例えば
１６Ｖを印加する。上記の電荷転送動作によって転送さ
れた信号電荷ＧＢＧＢＧＢ・・・及びＲＧＲＧＲＧ・・
・と、光電変換素子から読み出された信号電荷ＧＢＧＢ
ＧＢ・・・及びＲＧＲＧＲＧ・・・とが垂直電荷転送チ
ャネル内において合流する（符号）。同色の信号電荷
が合流するため、電荷の加算が行われたことになる。Ｒ
Ｒ、ＧＧ及びＢＢの電荷が垂直電荷転送チャネル内に存
在することになる。
【００５１】加算された電荷は、垂直駆動回路Ｃから電
荷転送電極に出力される駆動信号により、さらに水平電
荷転送チャネルに向けて転送される。水平電荷転送チャ
ネル内に転送された信号電荷は、水平電荷転送チャネル
内を出力アンプに向けて転送され、出力アンプにおいて
増幅された後に外部に出力される。実際には、ΦＶ８が
印加される垂直電荷転送電極まで電荷を転送した後、周
知の電荷転送部、例えば、垂直電荷転送電極と同様の電
極に独立した電荷転送用のパルス信号を印加することに
より、垂直電荷転送チャネル内の電荷を水平電荷転送チ
ャネル内へと転送すれば良い。垂直電荷転送チャネルか
ら水平電荷転送チャネルへの電荷転送時に、水平電荷転
送チャネルの電荷転送を開始すればよい。
荷転送電極に出力される駆動信号により、さらに水平電
荷転送チャネルに向けて転送される。水平電荷転送チャ
ネル内に転送された信号電荷は、水平電荷転送チャネル
内を出力アンプに向けて転送され、出力アンプにおいて
増幅された後に外部に出力される。実際には、ΦＶ８が
印加される垂直電荷転送電極まで電荷を転送した後、周
知の電荷転送部、例えば、垂直電荷転送電極と同様の電
極に独立した電荷転送用のパルス信号を印加することに
より、垂直電荷転送チャネル内の電荷を水平電荷転送チ
ャネル内へと転送すれば良い。垂直電荷転送チャネルか
ら水平電荷転送チャネルへの電荷転送時に、水平電荷転
送チャネルの電荷転送を開始すればよい。
【００５２】尚、信号電荷を加算することにより電荷量
が多くなりすぎ、垂直電荷転送チャネルから電荷が溢れ
出すおそれがある。そこで、ｎ型半導体基板１（図３）
に基板電位を印加できるようにしておく。いわゆる垂直
オーバーフロードレイン（ＶＯＦＤ）構造を形成してい
る。ＶＯＦＤ構造において、基板電圧により基板と光電
変換素子との間のポテンシャルバリアを予め低くしてお
けば、光電変換素子内に蓄積できる最大電荷量を少なく
することが可能である。光電変換素子内に蓄積できる信
号電荷量を調整することにより、垂直電荷転送チャネル
内で信号電荷が加算された際に、電荷が垂直電荷転送チ
ャネル外に溢れ出すのを防止することができる。
が多くなりすぎ、垂直電荷転送チャネルから電荷が溢れ
出すおそれがある。そこで、ｎ型半導体基板１（図３）
に基板電位を印加できるようにしておく。いわゆる垂直
オーバーフロードレイン（ＶＯＦＤ）構造を形成してい
る。ＶＯＦＤ構造において、基板電圧により基板と光電
変換素子との間のポテンシャルバリアを予め低くしてお
けば、光電変換素子内に蓄積できる最大電荷量を少なく
することが可能である。光電変換素子内に蓄積できる信
号電荷量を調整することにより、垂直電荷転送チャネル
内で信号電荷が加算された際に、電荷が垂直電荷転送チ
ャネル外に溢れ出すのを防止することができる。
【００５３】上記の固体撮像装置においては、水平電荷
転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送チャネル
内において同色の信号電荷が２光電変換素子分加算され
る。従って、信号量、すなわち感度が２倍になり、明る
い動画像が得られる。
転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送チャネル
内において同色の信号電荷が２光電変換素子分加算され
る。従って、信号量、すなわち感度が２倍になり、明る
い動画像が得られる。
【００５４】さらに、８行を一単位とした場合に、４行
離れた光電変換素子行から読み出した信号同士を加算す
るので、列方向に等間隔な位置から信号を読み出すこと
になる。従って、偽色の影響が小さくなる。加えて、読
み出し信号が印加される光電変換素子行のピッチと静止
画撮影に合わされた光学ローパスフィルタのピッチとが
整合するため、良好な動画像が得られる。
離れた光電変換素子行から読み出した信号同士を加算す
るので、列方向に等間隔な位置から信号を読み出すこと
になる。従って、偽色の影響が小さくなる。加えて、読
み出し信号が印加される光電変換素子行のピッチと静止
画撮影に合わされた光学ローパスフィルタのピッチとが
整合するため、良好な動画像が得られる。
【００５５】尚、全画素読み出しを行う静止画モードに
おいては、１光電変換素子行おきに読み出しパルス信号
を印加して、信号電荷を読み出す。読み出した信号電荷
を全て水平電荷転送チャネル内に転送すれば良い。静止
画モードにおいては、信号電荷の加算処理を行わない。
従って、ＶＯＦＤ構造において、例えば光電変換素子内
に蓄積できる最大電荷量が２程度になるように、動画モ
ードの場合よりも基板電圧を低くしておけば良い。
おいては、１光電変換素子行おきに読み出しパルス信号
を印加して、信号電荷を読み出す。読み出した信号電荷
を全て水平電荷転送チャネル内に転送すれば良い。静止
画モードにおいては、信号電荷の加算処理を行わない。
従って、ＶＯＦＤ構造において、例えば光電変換素子内
に蓄積できる最大電荷量が２程度になるように、動画モ
ードの場合よりも基板電圧を低くしておけば良い。
【００５６】本実施の形態による固体撮像装置の制御技
術は、列方向に２画素ごとに同色の画素が繰り返されて
いる固体撮像装置に適用すると好適である。
術は、列方向に２画素ごとに同色の画素が繰り返されて
いる固体撮像装置に適用すると好適である。
【００５７】図６（Ａ）から図６（Ｊ）までに、本実施
の形態による固体撮像装置に適用可能な色配列の例を示
す。図６（Ａ）に示すベイヤー配列の他に、図６（Ｂ）
のインタライン配列、図６（Ｃ）のＧストライプＲＢ市
松、図６（Ｄ）のＧストライプＲＢ完全市松、図６
（Ｅ）のストライプ、図６（Ｆ）のフレーム色差順次、
図６（Ｇ）のＭＯＳ型、図６（Ｈ）の改良ＭＯＳ型、図
６（Ｉ）の補色系フレームインターリーブ、図６（Ｊ）
の補色系ストライプなどが挙げられる。
の形態による固体撮像装置に適用可能な色配列の例を示
す。図６（Ａ）に示すベイヤー配列の他に、図６（Ｂ）
のインタライン配列、図６（Ｃ）のＧストライプＲＢ市
松、図６（Ｄ）のＧストライプＲＢ完全市松、図６
（Ｅ）のストライプ、図６（Ｆ）のフレーム色差順次、
図６（Ｇ）のＭＯＳ型、図６（Ｈ）の改良ＭＯＳ型、図
６（Ｉ）の補色系フレームインターリーブ、図６（Ｊ）
の補色系ストライプなどが挙げられる。
【００５８】次に、本実施の形態による固体撮像装置の
制御技術の変形例による制御技術について図７を参照し
て説明する。簡単のため、図７には色配列と垂直電荷転
送電極と垂直電荷転送電極に電荷の読み出し電圧及び駆
動電圧を印加するための回路とを示している。
制御技術の変形例による制御技術について図７を参照し
て説明する。簡単のため、図７には色配列と垂直電荷転
送電極と垂直電荷転送電極に電荷の読み出し電圧及び駆
動電圧を印加するための回路とを示している。
【００５９】図７に示す固体撮像装置Ｄは、ＧＲＢを１
単位として列方向に繰り返される色配列と、それと行方
向に隣接し列方向ＲＢＧが繰り返される色配列とを有し
ている。さらにそれと隣接する行には、列方向ＢＧＲが
繰り返される色配列が設けられている。この色配列は、
いわゆる斜めストライプと呼ばれる色配列である。
単位として列方向に繰り返される色配列と、それと行方
向に隣接し列方向ＲＢＧが繰り返される色配列とを有し
ている。さらにそれと隣接する行には、列方向ＢＧＲが
繰り返される色配列が設けられている。この色配列は、
いわゆる斜めストライプと呼ばれる色配列である。
【００６０】図７には、第１の光電変換素子行Ｌ１から
第１８の光電変換素子行Ｌ１８までとさらに次の第３の
光電変換素子行Ｌ３までのみが示されているが、実際に
は、同じ色配列が繰り返される。第１の光電変換素子行
Ｌ１から第１８の光電変換素子行Ｌ１８までの１８行の
光電変換素子行が一単位となる。Ｌ１からＬ１８までの
光電変換素子行は、第１から第６までの光電変換素子行
Ｌ１からＬ６と、Ｌ７からＬ１２と、Ｌ１３からＬ１８
までの３群に分けて考えることができる。
第１８の光電変換素子行Ｌ１８までとさらに次の第３の
光電変換素子行Ｌ３までのみが示されているが、実際に
は、同じ色配列が繰り返される。第１の光電変換素子行
Ｌ１から第１８の光電変換素子行Ｌ１８までの１８行の
光電変換素子行が一単位となる。Ｌ１からＬ１８までの
光電変換素子行は、第１から第６までの光電変換素子行
Ｌ１からＬ６と、Ｌ７からＬ１２と、Ｌ１３からＬ１８
までの３群に分けて考えることができる。
【００６１】各１群の光電変換素子行には、上から順に
ΦＶ１からΦＶ１２までの１２通りの駆動信号が独立し
て印加できるように駆動回路Ｄ'が設けられている。い
わゆる１２相駆動方式である。上記光電変換素子行のう
ち、光電変換素子行Ｌ１からＬ３まで、Ｌ７からＬ９ま
で及びＬ１３からＬ１５までの光電変換素子行が読み出
し光電変換素子行であり、光電変換素子行Ｌ４からＬ
６、Ｌ１０からＬ１２まで及びＬ１６からＬ１８までが
非読み出し光電変換素子行である。３光電変換素子行を
一対とする読み出し行の光電変換素子行対中の光電変換
素子には、他の読み出し行に含まれる光電変換素子対中
の同色配列の光電変換素子行とは独立に読み出し電圧が
印加できるようになっている。
ΦＶ１からΦＶ１２までの１２通りの駆動信号が独立し
て印加できるように駆動回路Ｄ'が設けられている。い
わゆる１２相駆動方式である。上記光電変換素子行のう
ち、光電変換素子行Ｌ１からＬ３まで、Ｌ７からＬ９ま
で及びＬ１３からＬ１５までの光電変換素子行が読み出
し光電変換素子行であり、光電変換素子行Ｌ４からＬ
６、Ｌ１０からＬ１２まで及びＬ１６からＬ１８までが
非読み出し光電変換素子行である。３光電変換素子行を
一対とする読み出し行の光電変換素子行対中の光電変換
素子には、他の読み出し行に含まれる光電変換素子対中
の同色配列の光電変換素子行とは独立に読み出し電圧が
印加できるようになっている。
【００６２】例えば、図７において、光電変換素子行Ｌ
１には信号電圧Φ１Ａの電圧が、光電変換素子行Ｌ７に
はΦ１Ｂが、光電変換素子行Ｌ１３にはΦ１Ｃが独立に
印加できるようになっている。Ａ，Ｂ，Ｃと分けたの
は、光電変換素子Ｌ１とＬ７とＬ１３とにそれぞれ異な
るタイミングで電荷の読み出しパルス信号を印加できる
ようにするためである。
１には信号電圧Φ１Ａの電圧が、光電変換素子行Ｌ７に
はΦ１Ｂが、光電変換素子行Ｌ１３にはΦ１Ｃが独立に
印加できるようになっている。Ａ，Ｂ，Ｃと分けたの
は、光電変換素子Ｌ１とＬ７とＬ１３とにそれぞれ異な
るタイミングで電荷の読み出しパルス信号を印加できる
ようにするためである。
【００６３】尚、光電変換素子Ｌ２とＬ８とＬ１４につ
いても、独立に読み出し電圧Φ３Ａ、Φ３Ｂ、Φ３Ｃが
印加できる。光電変換素子Ｌ３とＬ９とＬ１５について
も、独立に読み出し電圧Φ５Ａ、Φ５Ｂ、Φ５Ｃが印加
できる。
いても、独立に読み出し電圧Φ３Ａ、Φ３Ｂ、Φ３Ｃが
印加できる。光電変換素子Ｌ３とＬ９とＬ１５について
も、独立に読み出し電圧Φ５Ａ、Φ５Ｂ、Φ５Ｃが印加
できる。
【００６４】上記の固体撮像装置においては、例えば図
の左側の光電変換素子列では、光電変換素子行Ｌ１の例
えばＧ信号は、読み出し信号により垂直電荷転送チャネ
ル５内に転送される。読み出されたＧ信号を、垂直電荷
転送チャネル５内において６光電変換素子行分下方に転
送する。ここで、光電変換素子行Ｌ７からＧ信号を読み
出すと新たなＧ信号が垂直電荷転送チャネル５内に転送
され、２光電変換素子分のＧ信号が加算される。加算さ
れた２光電変換素子分のＧ信号を、垂直電荷転送チャネ
ル５内において６光電変換素子行分下方に転送する。こ
こで、光電変換素子行Ｌ１３からＧ信号を読み出すと新
たなＧ信号が垂直電荷転送チャネル５内に転送され、転
送されてきた２画素分のＧ信号と加算される。光電変換
素子行Ｌ１３において３光電変換素子分のＧ信号が形成
される。３光電変換素子分のＧ信号は、水平電荷転送チ
ャネルに転送される。
の左側の光電変換素子列では、光電変換素子行Ｌ１の例
えばＧ信号は、読み出し信号により垂直電荷転送チャネ
ル５内に転送される。読み出されたＧ信号を、垂直電荷
転送チャネル５内において６光電変換素子行分下方に転
送する。ここで、光電変換素子行Ｌ７からＧ信号を読み
出すと新たなＧ信号が垂直電荷転送チャネル５内に転送
され、２光電変換素子分のＧ信号が加算される。加算さ
れた２光電変換素子分のＧ信号を、垂直電荷転送チャネ
ル５内において６光電変換素子行分下方に転送する。こ
こで、光電変換素子行Ｌ１３からＧ信号を読み出すと新
たなＧ信号が垂直電荷転送チャネル５内に転送され、転
送されてきた２画素分のＧ信号と加算される。光電変換
素子行Ｌ１３において３光電変換素子分のＧ信号が形成
される。３光電変換素子分のＧ信号は、水平電荷転送チ
ャネルに転送される。
【００６５】同様の読み出し動作と電荷転送動作を他の
光電変換素子についても行う。
光電変換素子についても行う。
【００６６】光電変換素子行Ｌ２のＲ信号は、図示され
ていない上の光電変換素子行（Ｌ１４）から読み出され
て下方に転送されてきたＲ信号と加算され２光電変換素
子分のＲ信号が形成される。さらに、このＲ信号は、下
方に転送され、図示されている光電変換素子Ｌ８とのＲ
信号と加算される。３光電変換素子分のＲ信号が光電変
換素子行Ｌ８において形成される。３光電変換素子分の
Ｒ信号は水平電荷転送チャネルに転送される。
ていない上の光電変換素子行（Ｌ１４）から読み出され
て下方に転送されてきたＲ信号と加算され２光電変換素
子分のＲ信号が形成される。さらに、このＲ信号は、下
方に転送され、図示されている光電変換素子Ｌ８とのＲ
信号と加算される。３光電変換素子分のＲ信号が光電変
換素子行Ｌ８において形成される。３光電変換素子分の
Ｒ信号は水平電荷転送チャネルに転送される。
【００６７】同様に、光電変換素子行Ｌ３のＢ信号は、
図示されていない上の光電変換素子行（Ｌ９）と光電変
換素子行（Ｌ１５）とのＢ信号とが加算されて形成され
ている２光電変換素子分のＢ信号とさらに加算されて、
光電変換素子行Ｌ３において、３光電変換素子分のＢ信
号となる。３光電変換素子分のＢ信号は水平電荷転送チ
ャネルに転送される。尚、図示されている光電変換素子
行Ｌ９から読み出されたＢ信号は、図示されている光電
変換素子行Ｌ１５のＢ信号と加算されて２光電変換素子
分のＢ信号となる。さらに、これら２光電変換素子分の
信号は、下方に図示されている光電変換素子行Ｌ３のＢ
信号と加算されて３光電変換素子分のＢ信号となる。３
光電変換素子分のＢ信号は水平電荷転送チャネルに転送
される。
図示されていない上の光電変換素子行（Ｌ９）と光電変
換素子行（Ｌ１５）とのＢ信号とが加算されて形成され
ている２光電変換素子分のＢ信号とさらに加算されて、
光電変換素子行Ｌ３において、３光電変換素子分のＢ信
号となる。３光電変換素子分のＢ信号は水平電荷転送チ
ャネルに転送される。尚、図示されている光電変換素子
行Ｌ９から読み出されたＢ信号は、図示されている光電
変換素子行Ｌ１５のＢ信号と加算されて２光電変換素子
分のＢ信号となる。さらに、これら２光電変換素子分の
信号は、下方に図示されている光電変換素子行Ｌ３のＢ
信号と加算されて３光電変換素子分のＢ信号となる。３
光電変換素子分のＢ信号は水平電荷転送チャネルに転送
される。
【００６８】尚、図中に付した、及びの符号は、
読み出し電圧を印加する順番を例示したものである。
読み出し電圧を印加する順番を例示したものである。
【００６９】以上に説明した動作により、１８行を１単
位とした光電変換素子行のうち列方向に隣接する第１か
ら第３までの光電変換素子行と、同じく列方向に隣接す
る第７から第９までの光電変換素子行と、同じく列方向
に隣接する第１３から第１５までの光電変換素子行と、
の３光電変換素子行対における同色信号を加算できる。
図７の構造では、列方向に隣接する３行の読み出し光電
変換素子行と同じく列方向に隣接する３行の非読み出し
光電変換素子行とが、等間隔に配置されている。
位とした光電変換素子行のうち列方向に隣接する第１か
ら第３までの光電変換素子行と、同じく列方向に隣接す
る第７から第９までの光電変換素子行と、同じく列方向
に隣接する第１３から第１５までの光電変換素子行と、
の３光電変換素子行対における同色信号を加算できる。
図７の構造では、列方向に隣接する３行の読み出し光電
変換素子行と同じく列方向に隣接する３行の非読み出し
光電変換素子行とが、等間隔に配置されている。
【００７０】実際の読み出し方法は、上記の実施の形態
による読み出し方法を３行分の光電変換素子行対を一単
位とした場合に適用したものである。この読み出し方法
は、対象とする光電変換素子行から列方向に６画素分ず
れた光電変換素子行との間の間隔と等しいピッチを有す
る光学ローパスフィルタを用いて、あたかも光学的な２
重画像を形成したような読み出し方法と言うこともでき
る。
による読み出し方法を３行分の光電変換素子行対を一単
位とした場合に適用したものである。この読み出し方法
は、対象とする光電変換素子行から列方向に６画素分ず
れた光電変換素子行との間の間隔と等しいピッチを有す
る光学ローパスフィルタを用いて、あたかも光学的な２
重画像を形成したような読み出し方法と言うこともでき
る。
【００７１】上記の固体撮像素子においては、水平電荷
転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送チャネル
内において同色の信号電荷が２画素分（合計３画素分）
の加算がなされる。従って、信号量、すなわち感度が２
倍になり、明るい動画像が得られる。
転送チャネルに転送される前に、垂直電荷転送チャネル
内において同色の信号電荷が２画素分（合計３画素分）
の加算がなされる。従って、信号量、すなわち感度が２
倍になり、明るい動画像が得られる。
【００７２】また、読み出し行（群）と非読み出し行
（群）とが行方向に等間隔で並んでいる。従って、偽色
の影響が小さくなる。
（群）とが行方向に等間隔で並んでいる。従って、偽色
の影響が小さくなる。
【００７３】以上説明したように、固体撮像装置におけ
る色配列の１ユニットを、２行、３行とすることができ
る。すなわち、ｎ行（ｎは２以上の整数）を１ユニット
とする色配列にまで拡大することが可能である。
る色配列の１ユニットを、２行、３行とすることができ
る。すなわち、ｎ行（ｎは２以上の整数）を１ユニット
とする色配列にまで拡大することが可能である。
【００７４】尚、本実施の形態による固体撮像装置の制
御技術は、例えば、ＭＯＳ型固体撮像装置にも適用でき
ることは言うまでもない。
御技術は、例えば、ＭＯＳ型固体撮像装置にも適用でき
ることは言うまでもない。
【００７５】以上、実施の形態に沿って本発明を説明し
たが、本発明はこれらに制限されるものではない。その
他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当
業者には自明あろう。
たが、本発明はこれらに制限されるものではない。その
他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当
業者には自明あろう。
【００７６】
【発明の効果】デジタルスチルカメラのムービーモード
における感度を向上させつつ、偽色を防止することがで
きる。
における感度を向上させつつ、偽色を防止することがで
きる。
【図１】 本発明の固体撮像装置の制御技術の原理を説
明するための平面図である。
明するための平面図である。
【図２】 本発明の一実施の形態による固体撮像装置の
構造を示す平面図である。
構造を示す平面図である。
【図３】 図３（Ａ）は、図２の部分拡大図であり、図
３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ'線に沿
う断面図である。
３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ'線に沿
う断面図である。
【図４】 本発明の一実施の形態による固体撮像装置の
制御方法を示すタイミングチャートである。
制御方法を示すタイミングチャートである。
【図５】 図４に示すタイミングチャートに沿って動作
させた場合の電荷転送の様子を示す模式的な図である。
させた場合の電荷転送の様子を示す模式的な図である。
【図６】 図６（Ａ）から図６（Ｊ）までは、本発明の
一実施の形態による固体撮像装置に適用できる色フィル
タの配列の例を示す平面図である。
一実施の形態による固体撮像装置に適用できる色フィル
タの配列の例を示す平面図である。
【図７】 本発明の一実施の形態の変形例による固体撮
像装置の構造を示す平面図である。
像装置の構造を示す平面図である。
【図８】 従来の間引き読み出し法による固体撮像装置
の制御方法を説明するための平面図である。
の制御方法を説明するための平面図である。
Ａ 固体撮像装置 Ｃ 制御回路 １ 半導体基板 ３ 光電変換素子 ３ａ 読み出しゲート ５ 垂直電荷転送チャネル ７ 水平電荷転送チャネル １０ 出力アンプ １１ａ、１１ｂ 垂直電荷転送電極 １５ａ、１５ｂ 水平電荷転送電極 Ｖｓｕｂ 基板電圧 ４５ カラーフィルタ Ｇ 緑色画素 Ｒ 赤色画素 Ｂ 青色画素 Ｙ 黄色画素 Ｗ 白色画素 Ｍ マゼンダ画素
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H048 BB02 BB06 BB08 BB47 4M118 AA01 AA04 AA10 AB01 BA13 CA03 FA06 FA13 GB03 GC07 GC08 GC20 GD04 5C065 AA01 BB19 DD02 EE03
Claims (8)
- 【請求項１】 二次元平面上に行列状に整列配置された
複数の光電変換素子と、 該光電変換素子の上に各１づつ形成され、行方向に並ぶ
第１の色配列と該第１の色配列と行方向に異なる色配列
を有する第２の色配列を有する２行を１単位として列方
向に同じ色配列が繰り返される色フィルタのアレイと、 前記光電変換素子の列に近接して形成され、該光電変換
素子の列の１本につき各１本ずつ形成された垂直電荷転
送チャネルと、 該垂直電荷転送チャネル上に形成され、前記光電変換素
子の行の１本に対応して各２本形成された複数本の垂直
電荷転送電極と、 列方向に隣接する４行の光電変換素子の行に含まれる８
本１組の垂直電荷転送電極のそれぞれに対して独立に電
圧を印加できるとともに、前記１組の垂直電荷転送電極
を含む列方向に隣接する２組１６本のうち、列方向に隣
接する２行一対の第１の光電変換素子行対のうちの第１
の色配列を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転
送電極と、前記第１の光電変換素子行対から列方向に４
光電変換素子行だけずれた位置に配置され列方向に隣接
する２行一対の第２の光電変換素子行対のうちの第２の
色配列を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送
電極と、から選択される各１本に対して独立に読み出し
パルス電圧を印加できる駆動回路と、 複数の前記垂直電荷転送チャネルの下端に設けられ、該
垂直電荷転送チャネルから転送された電荷を受けてこれ
を水平方向に転送する水平電荷転送チャネルと、 該水平電荷転送チャネルの一端に形成され該水平電荷転
送チャネルからの電荷を増幅して外部に読み出す出力ア
ンプとを含む固体撮像装置。 - 【請求項２】 さらに、前記光電変換素子内に蓄積可能
な電荷量を変調できる変調手段を備えている請求項１に
記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 二次元平面上に行列状に整列配置された
複数の光電変換素子と、 該光電変換素子の上に各１づつ形成され、行方向に並び
行方向に色配列の異なる第１から第ｎ（ｎは２以上の整
数）までの色配列を有するｎ行を１単位として列方向に
同じ色配列が繰り返される色フィルタのアレイと、 前記光電変換素子の列に近接して形成され、該光電変換
素子の列の１本につき各１本ずつ形成された垂直電荷転
送チャネルと、 該垂直電荷転送チャネル上に形成され、前記光電変換素
子の行の１本に対応して各２本形成された複数本の垂直
電荷転送電極と、 列方向に隣接する２×ｎ行の光電変換素子行に含まれる
４×ｎ本１組の垂直電荷転送電極のそれぞれに対して独
立に電圧を印加できるとともに、前記１組の垂直電荷転
送電極を含む隣接するｎ組８×ｎ本のうち、列方向に隣
接するｎ行一対の第１の光電変換素子行対のうちから選
ばれ第１の色配列を有する第１の光電変換素子行と、前
記第１の光電変換素子行対から列方向に順次（２×ｎ）
光電変換素子行分だけずれた位置に順次形成された第２
から第ｎまでのｎ行一対の光電変換素子行とのうちに含
まれ、光電変換素子行対ごとに異なる行方向の色配列を
有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送電極に対
して独立に読み出しパルス電圧を印加できる駆動回路
と、 複数の前記垂直電荷転送チャネルの下端に設けられ、該
垂直電荷転送チャネルから転送された電荷を受けてこれ
を水平方向に転送する水平電荷転送チャネルと、 該水平電荷転送チャネルの一端に形成され該水平電荷転
送チャネルからの電荷を増幅して外部に読み出す出力ア
ンプとを含む固体撮像装置。 - 【請求項４】 さらに、前記光電変換素子内に蓄積でき
る電荷量をｎ倍に変調できる変調手段を備えている請求
項３に記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 二次元平面上に行列状に整列配置された
複数の光電変換素子と、該光電変換素子の上に各１づつ
形成され、行方向に並ぶ第１の色配列と該第１の色配列
と行方向に異なる色配列を有する第２の色配列を有する
２行を１単位として列方向に同じ色配列が繰り返される
色フィルタのアレイと、前記光電変換素子の列に近接し
て形成され、該光電変換素子の列の１本につき各１本ず
つ形成された垂直電荷転送チャネルと、該垂直電荷転送
チャネル上に形成され、前記光電変換素子の行の１本に
対応して各２本形成された複数本の垂直電荷転送電極
と、列方向に隣接する４行の光電変換素子の行に含まれ
る８本１組の垂直電荷転送電極のそれぞれに対して独立
に電圧を印加できるとともに、前記１組の垂直電荷転送
電極を含む列方向に隣接する２組１６本のうち、列方向
に隣接する２行一対の第１の光電変換素子行対のうちの
第１の色配列を有する光電変換素子行に含まれる垂直電
荷転送電極と、前記第１の光電変換素子行対から列方向
に４光電変換素子行だけずれた位置に配置され列方向に
隣接する２行一対の第２の光電変換素子行対のうちの第
２の色配列を有する光電変換素子行に含まれる垂直電荷
転送電極と、から選択される各１本に対して独立に読み
出しパルス電圧を印加できる駆動回路と、複数の前記垂
直電荷転送チャネルの下端に設けられ、該垂直電荷転送
チャネルから転送された電荷を受けてこれを水平方向に
転送する水平電荷転送チャネルと、該水平電荷転送チャ
ネルの一端に形成され該水平電荷転送チャネルからの電
荷を増幅して外部に読み出す出力アンプとを含む固体撮
像装置の制御方法であって、 ａ）隣接する２組の第１から第１６までの１６本の垂直
電荷転送電極のうち、列方向に隣接する第１の光電変換
素子行対のうち選択されたいずれか一方の光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極と、前記第１の光電変換素
子行対から列方向に４光電変換素子行分ずれた位置に形
成され列方向に隣接する第２の光電変換素子行対のうち
前記第１の光電変換素子行対において選択された光電変
換素子行と異なる行方向の色配列を有する光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極とに対して読み出しパルス
電圧を印加する工程と、 ｂ）前記ａ）工程において読み出された信号電荷を、前
記水平電荷転送チャネルに向けて列方向に４光電変換素
子行分転送する工程と、 ｃ）前記第１の光電変換素子行対及び前記第２の光電変
換素子行対に含まれる光電変換素子行のうち前記ａ）工
程において読み出されなかった光電変換素子行に属する
垂直電荷転送電極に対して読み出しパルス電圧を印加す
る工程と、 ｄ）前記ｃ）工程において読み出された電荷を前記ａ）
工程において読み出された電荷とともに前記水平電荷転
送チャネルに向けて転送する工程とを含む固体撮像装置
の制御方法。 - 【請求項６】 さらに、前記固体撮像装置は、前記光電
変換素子内に蓄積できる電荷量を変調できる変調手段を
備えており、 前記ａ）工程の前に、 ｘ）前記変調手段により前記光電変換素子内に蓄積でき
る電荷量を１／２光電変換素子分に変調する工程を含む
請求項５に記載の固体撮像装置の制御方法。 - 【請求項７】 二次元平面上に行列状に整列配置された
複数の光電変換素子と、該光電変換素子の上に各１づつ
形成され、行方向に並び行方向に色配列の異なる第１か
ら第ｎ（ｎは２以上の整数）までの色配列を有するｎ行
を１単位として列方向に同じ色配列が繰り返される色フ
ィルタのアレイと、前記光電変換素子の列に近接して形
成され、該光電変換素子の列の１本につき各１本ずつ形
成された垂直電荷転送チャネルと、該垂直電荷転送チャ
ネル上に形成され、前記光電変換素子の行の１本に対応
して各２本形成された複数本の垂直電荷転送電極と、列
方向に隣接する２×ｎ行の光電変換素子行に含まれる４
×ｎ本１組の垂直電荷転送電極のそれぞれに対して独立
に電圧を印加できるとともに、前記１組の垂直電荷転送
電極を含む隣接するｎ組８×ｎ本のうち、列方向に隣接
するｎ行一対の第１の光電変換素子行対のうちから選ば
れ第１の色配列を有する第１の光電変換素子行と、前記
第１の光電変換素子行対から列方向に順次（２×ｎ）光
電変換素子行分だけずれた位置に順次形成された第２か
ら第ｎまでのｎ行一対の光電変換素子行とのうちに含ま
れ、光電変換素子行対ごとに異なる行方向の色配列を有
する光電変換素子行に含まれる垂直電荷転送電極に対し
て独立に読み出しパルス電圧を印加できる駆動回路と、
複数の前記垂直電荷転送チャネルの下端に設けられ、該
垂直電荷転送チャネルから転送された電荷を受けてこれ
を水平方向に転送する水平電荷転送チャネルと、該水平
電荷転送チャネルの一端に形成され該水平電荷転送チャ
ネルからの電荷を増幅して外部に読み出す出力アンプと
を含む固体撮像装置の制御方法であって、 ａ）前記１組の垂直電荷転送電極を含む隣接する２組８
×ｎ本のうち、列方向に隣接するｎ行一対の第１の光電
変換素子行対のうちから選ばれる第１の色配列を有する
第１の光電変換素子行と、前記第１の光電変換素子行対
から列方向に（２×ｎ）光電変換素子行分だけずれた位
置に順次形成された第２から第ｎまでのｎ行一対の光電
変換素子行対とのうちに含まれ、光電変換素子行対ごと
に行方向に異なる色配列を有する光電変換素子行に含ま
れる垂直電荷転送電極に対して独立に読み出しパルス電
圧を印加する工程と、 ｂ）前記ａ）工程において読み出された信号電荷を、前
記水平電荷転送チャネルに向けて列方向に２×ｎ光電変
換素子行分だけ転送する工程と、 ｃ）前記第１から第ｎまでの光電変換素子行対のうち、
前記ａ）工程において読み出されなかった光電変換素子
行に属する垂直電荷転送電極について、前記ａ）工程及
び前記ｂ）工程と同様の読み出し工程と同様の転送工程
とを順次行う工程とを含む固体撮像装置の制御方法。 - 【請求項８】 さらに、前記固体撮像装置は、前記光電
変換素子内に蓄積できる電荷量を変調できる変調手段を
備えており、 前記ａ）工程の前に、 ｘ）前記変調手段により前記光電変換素子内に蓄積でき
る電荷量を１／ｎ光電変換素子分に変調する工程を含む
請求項７に記載の固体撮像装置の制御方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064917A JP4139088B2 (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| US10/084,366 US7199826B2 (en) | 2001-03-08 | 2002-02-28 | Thin-out drive method for CCD image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064917A JP4139088B2 (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270809A true JP2002270809A (ja) | 2002-09-20 |
| JP4139088B2 JP4139088B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=18923668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001064917A Expired - Fee Related JP4139088B2 (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7199826B2 (ja) |
| JP (1) | JP4139088B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005198290A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | ダイナミックレンジを向上させたサブサンプリングモードを提供する固体撮像素子及びその駆動方法。 |
| JP2005252409A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置及び撮像装置の制御装置 |
| JP2007532949A (ja) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | クレアボワイヤント，インコーポレーテッド | 高輝度ディスプレイの副画素の新規配置及び配列 |
| US7701495B2 (en) | 2004-03-01 | 2010-04-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Image capture device and controller of image capture device |
| US8330839B2 (en) | 2005-07-28 | 2012-12-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with improved light sensitivity |
| US8416339B2 (en) | 2006-10-04 | 2013-04-09 | Omni Vision Technologies, Inc. | Providing multiple video signals from single sensor |
| US8711452B2 (en) | 2005-07-28 | 2014-04-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Processing color and panchromatic pixels |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3848650B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2006-11-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像素子およびこれを備えたカメラ |
| US7385638B2 (en) * | 2004-04-28 | 2008-06-10 | Eastman Kodak Company | Image sensor for still or video photography |
| US20050280726A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-22 | Eastman Kodak Company | Image sensor for still or video photography |
| JP4295703B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2009-07-15 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法及び固体撮像装置 |
| US20060044441A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Eastman Kodak Company | Image sensor for still or video photography |
| US20060082670A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Eastman Kodak Company | Interline CCD for still and video photography with extended dynamic range |
| US7379107B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-05-27 | Eastman Kodak Company | Image sensor for still or video photography |
| US7636119B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-12-22 | Eastman Kodak Company | Image sensor for still or video photography |
| JP4813235B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2011-11-09 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像素子の駆動方法 |
| EP2023640A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-02-11 | VisEra Technologies Company Limited | Color filter arrays and image sensors using the same |
| JP5292939B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2013-09-18 | ソニー株式会社 | 画像処理装置および方法、製造装置 |
| JP5411390B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子 |
| US9217717B2 (en) * | 2012-12-17 | 2015-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Two dimensional optical detector with multiple shift registers |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3703175B2 (ja) * | 1995-07-31 | 2005-10-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP3440722B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2003-08-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ |
| JPH11146408A (ja) | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその電荷読み出し方法 |
| EP1017230B1 (en) * | 1998-12-28 | 2010-02-10 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Imaging apparatus and digital camera |
| JP4320835B2 (ja) | 1999-04-16 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
-
2001
- 2001-03-08 JP JP2001064917A patent/JP4139088B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-28 US US10/084,366 patent/US7199826B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005198290A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | ダイナミックレンジを向上させたサブサンプリングモードを提供する固体撮像素子及びその駆動方法。 |
| JP4700338B2 (ja) * | 2003-12-30 | 2011-06-15 | 三星電子株式会社 | ダイナミックレンジを向上させたサブサンプリングモードを提供する固体撮像素子及びその駆動方法。 |
| JP2005252409A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置及び撮像装置の制御装置 |
| US7701495B2 (en) | 2004-03-01 | 2010-04-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Image capture device and controller of image capture device |
| JP2007532949A (ja) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | クレアボワイヤント，インコーポレーテッド | 高輝度ディスプレイの副画素の新規配置及び配列 |
| US8330839B2 (en) | 2005-07-28 | 2012-12-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with improved light sensitivity |
| US8711452B2 (en) | 2005-07-28 | 2014-04-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Processing color and panchromatic pixels |
| US8416339B2 (en) | 2006-10-04 | 2013-04-09 | Omni Vision Technologies, Inc. | Providing multiple video signals from single sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4139088B2 (ja) | 2008-08-27 |
| US20020135689A1 (en) | 2002-09-26 |
| US7199826B2 (en) | 2007-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8946611B2 (en) | Solid-state imaging element and manufacturing method thereof, and electronic information device | |
| JP2002270809A (ja) | 固体撮像装置及びその制御方法 | |
| US20050225655A1 (en) | Solid-state color image pickup apparatus with a wide dynamic range, and digital camera on which the solid-state image pickup apparatus is mounted | |
| CN112235494B (zh) | 图像传感器、控制方法、成像装置、终端及可读存储介质 | |
| JP2003218343A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20100302417A1 (en) | Solid-state image pickup device manufacturing method thereof, electronic apparatus | |
| JP3180748B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2007221560A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置 | |
| JP2001111894A (ja) | 固体撮像素子、その制御方法およびそれを用いた固体撮像装置 | |
| JP4579043B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
| US20060072026A1 (en) | Solid-state image pickup device and method for driving the same | |
| US7643079B2 (en) | Control circuit for reading out signal charges from main and subsidiary pixels of a solid-state image sensor separately from each other in interlace scanning | |
| JP2003078919A (ja) | 撮像装置 | |
| US7061655B2 (en) | Provision of bright and high quality image from CCD image pick-up device | |
| JPH10284714A (ja) | 固体撮像装置及びこれを用いた撮像システム | |
| JP2006086356A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR20210047009A (ko) | 이미지 장치 | |
| JP4251313B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3977145B2 (ja) | 固体撮像素子及びデジタルスチルカメラ | |
| JPS5933864A (ja) | カラ−固体撮像素子 | |
| JP3367852B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2002289828A (ja) | カラー撮像装置 | |
| JP4734760B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法 | |
| JP2684377B2 (ja) | カラー用固体撮像素子 | |
| JPH1126744A (ja) | 固体撮像装置及びこれを用いた撮像システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040604 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050815 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060621 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080527 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080606 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |