KR0142865B1 - 영상센서 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
본발명은 TFT로 구동하는 영상센서에 관한 것으로 BD를 삽입하여 TFT전극과 PD전극을 일체로 형성시킨 것에 관한 것이다.
본발명은 n+-a-Si ; H막과 TFT의 n+-a-Si ; H막을 같은층으로 구성하고 TFT드레인전극과 PD의 상부전극을 일체로 형성하며 BD를 삽입하여 PD를 격리시킬수 있게하므로 향상된 출력신호를 얻을수 있고 단선을 방지할수 있으며 오믹 콘택트를 형성하여 암전류와 광전류비를 크게할수 있도록 한 것이다.
Description
제1도는 종래 영상센서의 단면도
제2도는 본발명의 단면도
제3도는 본발명의 공정을 나타낸 단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:기판 2a:게이트전극
2b:전극 3:게이트 절연막
4,6a,6b:a-Si:H막 5:투명전극
7:n+-a-Si:H막 8:상부전극
본발명은 TFT(Thin Film Transistor)로 구동하는 영상센서에 관한 것으로, 특히 BD(Blocking Diode)를 삽입하여 TFT전극과 PD(Photo Diode)전극을 일체로 형성시킨 것에 관한 것이다.
종래의 TFT로 구동하는 영상센서는 제1도에 도시된 바와같이 절연성기판(1)위에 TFT게이트전극(2a)을 형성한후 절연막(3)을 형성한 상태에서 상기 게이트전극(2a)이 형성된 절연막(3)의 윗부분에 a-Si : H막(4), n+-a-Si:H막(7), 소오스전극(9b), 드레인전극(9a)을 형성하여 패터닝한후 상기 소오스전극(9b)과 드레인전극(9a)사이에 채널보호를 위한 절연막(10)을 형성하므로 TFT를 제조하였다.
그리고 상기 게이트전극(2a)이 형성되지 않은 절연막(3)위에는 투명전극(5), a-Si:H막(6b), 상부전극(8a)을 형성하여 PD를 제조하였으며 상기 PD와 TFT사이에는 상부전극(8b)을 형성하여 이들을 전기적으로 통할수 있게 하였다.
이와같은 종래의 센서에 있어서 빛(hν)이 기판(1)밑으로부터 투명전극(5)을 통해 입사되면 PD의 활성층인 a-Si:H막(6b)에서 캐리어가 발생되며 이렇게 발생된 캐리어는 TFT의 게이크전극(2a)에 바이어스를 가하게 되므로 채널이 형성되었다.
이 상태에서 신호가 상부전극(8b)과 드레인전극(9a)을 통한 후 TFT의 a-Si:H막(4)과 게이트 절연막(3)사이의 계면에 형성되어 있는 채널을 따라 소오스전극(9b)으로 출력되었다.
그러나 상기와 같은 종래기술에 있어서는 PD의 a-Si: H막(6b)과 상부전극(8a)사이에 오믹 콘택트(Ohmic Contact)가 형성되지 않아 소자의 특성이 나빠지기 쉬웠고, TFT와 PD사이에 형성된 상부전극(8b)이 끊어지기 쉬워 전기적으로 차단될 우려가 있었으며 BD가 형성되어 있지 않기때문에 PD를 격리(Isolation)시키기가 어려운 결점이 있었다.
본발명은 이와같은 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로 PD의 오믹 콘택트를 형성하고 BD를 삽입함과 아울러 TFT와 PD를 일체로 형성하여 소자의 특성을 향상시키고 TFT와 PD사이의 단선을 방지하고자 하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본발명은 n+-a-Si: H막과 TFT의 n+-a-Si:H막을 같은층으로 구성하고 TFT드레인전극과 PD의 상부전극을 일체로 형성하며 BD를 삽입하여 PD를 격리 시킬수 있게함을 특징으로한다.
이하에서 본발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상술하면 다음과 같다.
제3도는 본발명의 공정순서를 나타낸 단면도로 먼저 (A)와같이 기판(1)위에 게이트를 형성하고 이를 습식식각하여 TFT게이트전극(2a)과 BD의 빛차단용 전극(2b)을 형성한다.
다음에 (B)와같이 상기 위에 게이트 절연막(3)을 형성하고 (C)와 같이 TFT의 a-Si: H막(4)을 형성한후 건식식각으로 패터닝(Patterning)한다.
그리고 (D)와같이 절연막(3)위에 투명전극(5)을 형성 및 패터닝하고 (E)와같이 PD의 a-Si: H막(6a)과 BD의 a-Si: H막(6b)을 형성한후 건식식각으로 패터닝한다.
다음에 (F)와같이 상기위에 전체적으로 n+-a-Si: H막(7)을 형성한후 (G)와같이 상기 n+-a-Si: H막(7)위에 상부전극(8)을 형성하고 습식식각으로 패터닝한다.
이어서 (H)와 같이 상부전극(8)으로 덮이지 않은 부분의 n+-a-Si: H막(7)을 건식식각으로 제거하고 패터닝한다.
따라서, 상기와 같은 공정에 의해 제2도와 같이 BD가 삽입되고 PD와 TFT가 일체로 형성된 구조의 영상센서를 얻을수 있는 것이다.
이와같은 본발명에 있어서 빛이 기판(1)밑으로부터 투명전극(5)을 통해 입사되면 a-Si: H막(6b)에 캐리어가 발생하게 되는데 이 캐리어들은 BD의 역전류(reverse current)가 매우 작기 때문에 다른 PD와 격리시키기가 쉽다.
또한, TFT의 드레인 전극으로 발생된 캐리어가 이동하여 TFT의 게이트(2a)에 채널이 형성될수 있는 전압이 가해지면 이 채널을 통하여 출력단으로 신호가 나오게 된다.
이상과 같은 본발명에 의하면 PD의 a-Si: H막(6b)과 상부전극(8)사이에 n+-a-Si: H막(7)을 삽입하므로써 오믹 콘택트가 형성되어 암전류와 광전류비를 크게할수 있으며, BD를 형성하여 PD를 격리시키므로써 화소가 연결될 경우 향상된 출력신호를 얻을수 있을뿐만 아니라 PD의 상부전극과 TFT의 드레인 전극을 일체로 형성하여 단선을 방지할수 있으므로 센서의 신뢰성을 향상시킬수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- PD의 n+-a-Si: H막과 TFT의 n+-a-Si: H막을 같은층으로 형성하고 TFT드레인 전극과 PD의 상부전극을 일체로 형성하며 BD를 삽입하여 PD를 격리시킬수 있게함을 특징으로하는 영상센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900015675A KR0142865B1 (ko) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 영상센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900015675A KR0142865B1 (ko) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 영상센서 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920007245A KR920007245A (ko) | 1992-04-28 |
| KR0142865B1 true KR0142865B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=19304255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900015675A KR0142865B1 (ko) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 영상센서 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0142865B1 (ko) |
-
1990
- 1990-09-29 KR KR1019900015675A patent/KR0142865B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920007245A (ko) | 1992-04-28 |
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