KR960002909A - 반도체 수광소자 및 반도체장치와 그들의 제작방법 - Google Patents

반도체 수광소자 및 반도체장치와 그들의 제작방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 광전변환특성과 주파수특성을 동시에 만족할 수 있는 반도체 수광소자 및 그 제작방법을 제공하는데 있다.
그 구성은 반도체 수광소자는 제1 및 제2수광영역을 가지며, 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 구조를 가지며, 이로써 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 광전변환특성 및 주파수특성을 가진다. 반도체 수광소자의 제작방법은 (가)제1도전형의 반도체기판(1)에 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역(10) 및 소자분리영역(30)을 형성하고, (나)반도체기판(1) 및 고농도 불순물영역(10) 위에 제2도전형을 가지는 반도체층을 형성하고, 이로서 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역(10) 및 반도체층으로 이루는 광전변환층(11)으로 구성된 제1수광영역 및 반도체기판에 형성된 반도체층으로 이루는 광전변환층(21)으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 각 공정으로 이룬다.

Description

반도체 수광소자 및 반도체장치의 그들의 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 실시예1의 반도체 수광소자의 모식적인 일부단면도이다,
제2도는 본 발명의 의한 실시예1의 반도체 수광소자의 제작공정을 설명하기위한 반도체기판등의 모식적인 일부단면도이다.

Claims (10)

  1. 제1 및 제2수광영역을 가지는 반도체 수광소자이며, 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 구조를 가지며, 이로써 제1수광영역은 제2수광영역과 다른 광전변환특성 및 주파수특성을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체수광소자.
  2. 제1항에 있어서, 제1수광영역은 제2수광영역의 반도체기판에 형성된 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 그 위에 형성된 제2도전형을 가지는 광전변환층으로 이루며, 제2수광영역은 이 반도체기판에 형성되고, 제2도전형을 가지며 제1수광영역을 구성하는 광전변환층보다도 두꺼운 광전변환층으로 이루며, 각 수광영역사이에는 소자분리영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광소자.
  3. 제1항에 있어서, 제1수광영역은 제1도전형의 반도체기판에 형성된 제2도전형을 가지는 고농도 불순물영역, 그 위에 형성된 제2도전형을 가지는 광전변환층 및 이 광전변환층위 위에 형성된 제1도전형층으로 이루고, 제2수광영역은 이 반도체기판에 형성되고 제2도전형을 가지며 제1수광영역을 구성하는 광전변환층보다도 두꺼운 광전변환층으로 이루며, 각 수광영역사이에는 소자분리영역 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항 내지 제3항의 어느 1항에 있어서, 반도체 수광소자 및 반도체소자로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 반도체소자는 상기 제1도전형의 반도체기판에 형성된 제2도전형을 가지는 고농도 불순물영역의 상편에 형성된 바이폴러 트랜지스터로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. (가)제1도전형의 반도체기판에 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 소자분리영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판 및 고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 반도체층을 형성하고, 이로써, (a)이 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역 및 그 위에 형성된 이 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제1수광영역 및 (b)이 반도체기판에 형성된 이 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 수광소자의 제작방법.
  7. (가)제1도전형의 반도체기판에 제2도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 제1도전형을 가지는 소자분리영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판 및 고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 제1반도체층을 형성하고 이어서 고농도 불순물영역위에 제1반도체층에 제1도전형을 가지는 제2반도체층을 형성하고 이로써, (a)이 반도체기판에 형성된 고농도 불순물영역, 그 위에 형성된 이 제1반도체층으로 이루는 광전변환층 및 이 광전변환층위에 형성된 제2반도체층으로 구성된 제1수광영역 및 (b)이 반도체기판에 형성된 제1반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 수광소자의 제작방법.
  8. (가)제1도전형의 반도체기판에 제1도전형을 가지는 고농도 불순물영역 및 소자분리영역을 형성하고, 겸해서 제2도전형을 가지는 제2고농도 불순물 영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판 제1 및 제2고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 반도체층을 형성하고, 이로써, (a)이 반도체기판에 형성된 제1고농도 불순물영역 및 그 위에 형성된 이 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제1수광영역 및 (b)이 반도체기판에 형성된 반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제2수광영역을 형성하는 공정과, (다)제2고농도 불순물영역위에 반도체층에 반도체소자를 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장의 제작방법.
  9. (가)제1도전형의 반도체기판에 제2도전형을 가지는 제1고농도 불순물영역 및 제2고농도 불순물영역 및 제1도전형을 가지는 소자분리영역을 형성하는 공정과, (나)반도체기판과 제1 및 제2고농도 불순물영역위에 제2도전형을 가지는 제1반도체층을 형성하고 이로써 이 반도체기판에 형성된 제1반도체층으로 이루는 광전변환층으로 구성된 제1수광영역을 형성하는 공정과, (다)제2고농도 불순물영역위에 제1반도체층에 반도체소자를 형성하고, 겸해서 제1고농도 불순물영역위에 제1반도체층에 제1도전형을 가지는 제1반도체층을 형성하고, 이로써 이 반도체기판에 형성된 제1고농도 불순물영역, 그 위에 형성된 제1반도체층으로 이루는 광전변환층 및 이 광전변환층위에 형성된 제2반도체층으로 구성된 제5수광영역을 형성하는 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 반도체소자는 바이폴러 트랜지스터로 이루는 거을 특징으로 하는 반도체장치의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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