KR900011044A - Mos트랜지스터 및 이 mos트랜지스터를 사용한 차동증폭회로 - Google Patents

Mos트랜지스터 및 이 mos트랜지스터를 사용한 차동증폭회로 Download PDF

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겐지 마츠오
야스카즈 노이네
가즈히코 가사이
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

MOS트랜지스터 및 이 MOS트랜지스터를 사용한 차동증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 MOS트랜지스터의 구조를 나타낸 도면, 제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 MOS트랜지스터의 구조를 나타낸 도면, 제3도는 제1도 또는 제2도에 나타낸 MOS트랜지스터를 사용한 차동증폭회로에 대한 구성의 일례를 나타낸 회로도.

Claims (3)

  1. 제1도전형 반도체기판(30 ; 40)과, 이 반도체기판(30 ; 40)에 형성된 필드절연층(31 ; 41), 이 필드절연층(31 ; 41)에 의해 구분된 소자형성영역상에 절연층(34 ; 44)을 매개로 형성되면서 제1 및 제2개구부(36a,36a ; 46a,46b)를 갖춘 게이트전극층(35 ; 45) 및, 상기 제1 및 제2개구부(36a,36a ; 46b,46b) 아래의 상기 반도체기판(30 ; 40) 표면에 각각 형성된제2도전형 소오스영역(37a ; 47a) 및 드레인영역(37b,47b)을 구비해서 구성된 것을 특징으로 하는 MOS트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극층(45)이 제3 및 제4개구부(46c,46d)를 갖추면서 이 제3 및 제4개구부(46c,46d) 아래의상기 반도체기판(40) 표면에 제2도전형 소오스영역(47c) 및 드레인영역(47d)이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 MOS트랜지스터.
  3. 제1도전형 반도체기판(30 ; 40)과, 이 반도체기판(30 ; 40)에 형성된 필드절연층(31 ; 41), 이 필드 절연층(31 ; 41)에의해 구분된 소자형성영역상에 절연층(34 ; 44)을 매개로 형성되면서 제1 및 제2개구부(36a,36a ; 46b,46b)를 갖춘 게이트전극층(35 ; 45) 및, 상기 제1 및 제2개구부(36a,36a ; 46b,46b) 를 갖춘 게이트전극층(35;45) 및상기 제1및 제2개구부(36a,36a ; 46b,46b) 아래의 상기 반도체기판(30 ; 40) 표면에 각각 형성된제2도전형 소오스영역(37a ; 47a) 및 드레인영역(37b,47b)을 구비해서 구성된 MOS트랜지스터를 차동입력단의 트랜지스터로 사용하도록 된 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890018559A 1988-12-15 1989-12-14 Mos트랜지스터 및 이 mos트랜지스터를 사용한 차동증폭회로 KR920010672B1 (ko)

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KR920010672B1 KR920010672B1 (ko) 1992-12-12

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EP0373631A2 (en) 1990-06-20
DE68910648D1 (de) 1993-12-16
EP0373631A3 (en) 1990-08-08
DE68910648T2 (de) 1994-05-05
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