JPS6097681A - モノリシツク集積回路 - Google Patents
モノリシツク集積回路Info
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- JPS6097681A JPS6097681A JP58206497A JP20649783A JPS6097681A JP S6097681 A JPS6097681 A JP S6097681A JP 58206497 A JP58206497 A JP 58206497A JP 20649783 A JP20649783 A JP 20649783A JP S6097681 A JPS6097681 A JP S6097681A
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- JP
- Japan
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- photodiodes
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- monolithic
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- light
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- Pending
Links
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- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はカラーセンサーとして用いることができるモ
ノリシック集積回路（モノリシックＩＣ）に関する。
ノリシック集積回路（モノリシックＩＣ）に関する。
光の吸収係数は波長によって異なり、長波長稈、吸収係
数は小さく透過性か大きい。この為、ＰＮ接合の拡散深
さの異なるフォトダイオードでは光の透過割合が異なり
、従って分光感度が異なってくる。このようなフォトダ
イオードの分光感度を利用したカラーセンサーは存在し
なかった。
数は小さく透過性か大きい。この為、ＰＮ接合の拡散深
さの異なるフォトダイオードでは光の透過割合が異なり
、従って分光感度が異なってくる。このようなフォトダ
イオードの分光感度を利用したカラーセンサーは存在し
なかった。
この発明はカラーセンサーとして用いることができるフ
ォトダイオードを利用したモノリシックＩＣを提供せん
とする。
ォトダイオードを利用したモノリシックＩＣを提供せん
とする。
この発明の要旨とするところは分光感度の異なる二つの
シリコンフォトダイオードをモノリシックに形成して成
ることを特徴とするモノリシック集積回路である。
シリコンフォトダイオードをモノリシックに形成して成
ることを特徴とするモノリシック集積回路である。
以下この発明を第１図乃至第３図１こ示す一実施例に基
づいて説明する。
づいて説明する。
この発明によるモノリシックＩＣは通常のバイポーラＩ
Ｃのプロセスにより製造されるが第１図に示す様に、２
つのフォトダイオードＰＤｉとＰＤ２において、いずれ
もシリコン基板の２層内に等しい大きさのＮ層を設けて
形成されているがＰＤｌはＮ１埋込層を持たす−ＰＤ２
はＮ層の底部にさらにＮ＋埋込層を有する構造からなっ
ている。
Ｃのプロセスにより製造されるが第１図に示す様に、２
つのフォトダイオードＰＤｉとＰＤ２において、いずれ
もシリコン基板の２層内に等しい大きさのＮ層を設けて
形成されているがＰＤｌはＮ１埋込層を持たす−ＰＤ２
はＮ層の底部にさらにＮ＋埋込層を有する構造からなっ
ている。
この構造の為、２つのフォトダイオードＰＤ１とＰＤ２
のＰＮ接合の拡散深さは異なっている。
のＰＮ接合の拡散深さは異なっている。
このモノリシックＩＣの製法はＮ今埋込層形成工程にお
いて、２つのフォトダイオードＰＤ１とＰＯ２の内の一
方だけにＮ１埋込層を形成し、他方にはＮ＋埋込層を形
成しないだけで良いのできわめて容易におこなえる。
いて、２つのフォトダイオードＰＤ１とＰＯ２の内の一
方だけにＮ１埋込層を形成し、他方にはＮ＋埋込層を形
成しないだけで良いのできわめて容易におこなえる。
各フォトダイオードＰＤ１とＰＯ２との表面は透光性の
保護膜（１）で被覆され、その他の部分はマスクされて
いる。
保護膜（１）で被覆され、その他の部分はマスクされて
いる。
（２）はＮ層及びＰ層に接続された電極であり、該電極
（２）間に光電流を検出する電流計（６）が設けられて
いる。（４）は電極（２）間にバイアス電圧をかけるた
めの電池である。
（２）間に光電流を検出する電流計（６）が設けられて
いる。（４）は電極（２）間にバイアス電圧をかけるた
めの電池である。
而して光の吸収係数は波長の関数であるため、ＰＮ接合
の拡散深さの相違により２つのフォトダイオードＰＤ１
とＰＯ２の分光感度は異なることになり、そこに到達す
る光の量は異なる。第２図はフォトダイオードＰＤ１と
ＰＯ２の分光感度を示したもので縦軸に分光感度を、横
軸に入射光波長をとったもので、（イ）はフォトダイオ
ードＰＤ１の特性を、（ロ）はフォトダイオードＰＤ２
の特性を示す。
の拡散深さの相違により２つのフォトダイオードＰＤ１
とＰＯ２の分光感度は異なることになり、そこに到達す
る光の量は異なる。第２図はフォトダイオードＰＤ１と
ＰＯ２の分光感度を示したもので縦軸に分光感度を、横
軸に入射光波長をとったもので、（イ）はフォトダイオ
ードＰＤ１の特性を、（ロ）はフォトダイオードＰＤ２
の特性を示す。
従って同時薔こ同じ光を受ける２つのフォトダイオード
ＰＤｌとＰＯ２に流れる光電流比は入射光の波長に依存
し、各々に流れる光電流を検出することにより入射光の
波長がわかる。このようにして被検物質から反射する光
である入射光の波長により光の色を定めることができる
。
ＰＤｌとＰＯ２に流れる光電流比は入射光の波長に依存
し、各々に流れる光電流を検出することにより入射光の
波長がわかる。このようにして被検物質から反射する光
である入射光の波長により光の色を定めることができる
。
尚、フォトダイオードＰＤ１とＰＯ２に流れる電流はこ
の実施例の如く一緒にまとめてとり出してもよいし、各
別にとり出して検出してもよい。
の実施例の如く一緒にまとめてとり出してもよいし、各
別にとり出して検出してもよい。
各フォトダイオードＰＤ１とＰＯ２の光の吸収係数が定
まっていることにより各別に流れる電流を検出しても、
−緒に流れる電流を検出しても、その光の波長を知りえ
、被検物の色を検出しうるのである。
まっていることにより各別に流れる電流を検出しても、
−緒に流れる電流を検出しても、その光の波長を知りえ
、被検物の色を検出しうるのである。
以上のようにこの発明によるモノリシックＩＣを使用す
ると被検物に照射する光の反射光を受けて各フォトダイ
オードに流れる電流特性から光の波長、色の検出ができ
るのである。
ると被検物に照射する光の反射光を受けて各フォトダイ
オードに流れる電流特性から光の波長、色の検出ができ
るのである。
第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示し、第１図
は断面図、第２図はグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） 第１図 第２図 入射光清畏
は断面図、第２図はグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） 第１図 第２図 入射光清畏
Claims (1)
- （１）分光感度め異なる二つのシリコンフォトダイオー
ドをモノリシックに形成して成ることを特徴とするモノ
リシック集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206497A JPS6097681A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | モノリシツク集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206497A JPS6097681A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | モノリシツク集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097681A true JPS6097681A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16524346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206497A Pending JPS6097681A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | モノリシツク集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097681A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224253A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 軟ｘ線撮像素子 |
| US4947224A (en) * | 1984-10-18 | 1990-08-07 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensing device with photodiode to reduce smearing |
| US5177581A (en) * | 1990-11-14 | 1993-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light receiving PN junction semiconductor device with silicon nitride film |
| US5227648A (en) * | 1991-12-03 | 1993-07-13 | Woo Jong Chun | Resonance cavity photodiode array resolving wavelength and spectrum |
| EP0694974A2 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-31 | Sony Corporation | Photosensor and method for forming the same |
| US5506430A (en) * | 1992-03-03 | 1996-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device with differing capacitances |
| JP2019054225A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社東芝 | 光検出器、光検出装置及びライダー装置 |
| US11139326B2 (en) | 2017-09-15 | 2021-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photodetector, photodetection device, laser imaging detection and ranging apparatus |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58206497A patent/JPS6097681A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947224A (en) * | 1984-10-18 | 1990-08-07 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensing device with photodiode to reduce smearing |
| JPS63224253A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 軟ｘ線撮像素子 |
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| EP0694974A3 (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-15 | Sony Corp | Photosensitive device and its manufacturing process |
| US5898209A (en) * | 1994-06-30 | 1999-04-27 | Sony Corporation | Semiconductor photo sensor |
| US6097074A (en) * | 1994-06-30 | 2000-08-01 | Sony Corporation | Photo sensor and method for forming the same |
| JP2019054225A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社東芝 | 光検出器、光検出装置及びライダー装置 |
| US11139326B2 (en) | 2017-09-15 | 2021-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photodetector, photodetection device, laser imaging detection and ranging apparatus |
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