KR980006444A - 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고체 촬상소자에 관한 것으로, 일 광전 변환 영역에 대응하는 보수의 전송 라인중에 최소한 하나 이상의 전송 라인은 투명한 전도성 물질로 구성한 것이다. 상기와 같은 본 발명의 고체 촬상 소자는 클럭 신호를 인가하는 제1,2 전송 라인이 단층구조의 투명물질로 되어 있어 각각의 전송 라인의 폭을 최대의 개구율을 갖도록 축소할 수 있으므로 고화소의 고체 촬상 소자의 제조시에 적용할 수 있다.
또한 전송 라인에 의한 개구율의 감소를 막아 소자의 광감도를 향상 시키는 효과가 있다.

Description

고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)는 본 발명의 고체 촬상 소자의 레이 아웃도.
제2도(b)는 본 발명의 고체 촬상 소자의 구조 단면도.

Claims (25)

  1. 반도체 기판과, 기판의 표면내에 형성되고 영상신호들을 생성하는 복수의 광전 변환 영역과, 전송 라인들을 통해 인가되는 클럭 신호들에 의해 영상 신호 전하들을 일방향으로 전송하기 위한 복수의 전하 전송 영역을 구비한 고체 촬상 소자에 있어서, 일 광전 변환 영역에 대응하는 복수의 전송 라인중의 최소한 하나이상의 전송 라인은 투명한 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서, 투명한 전도성 물질로 이루어진 전송라인은 광전 변환 영역상에 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  3. 제1항에 있어서, 복수의 전송 라인은 각각의 광전 변환 영역에 대응하여 서로 분리 구성되는 각각의 전송 전극에 연결된 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  4. 제1항에 있어서, 투명한 전도성 물질로 이루어지지 않은 전송라인은 광전 변환 영역사이의 상측에 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  5. 제1항에 있어서, 전송 전극을 포함하는 전송 라인은 절연막에 의해 반도체 기판과 절연되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서, 투명한 전도성 물질로 이루어진 전송라인은 각각의 전송전극에 하측의 절연막에 형성된 콘택홀을 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  7. 제1항에 있어서, 투명한 전도성 물질은 ITO 인것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  8. 제3항에 있어서, 전송전극은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  9. 표면내에 복수개의 광전 변환 영역들 및 전하 전송 영역들을 갖는 반도체 기판과, 상기 기판의 표면상에 형성되는 제1절연막과, 상기 제1절연막에 의해 반도체 기판과 절연되어 광전 변환 영역사이에 구성되는 제1전송 라인과, 상기 제1 전송 라인에 연결되어 각각의 광전 변환 영역에 대응하여 구성되는 제1전송 전극과, 상기 제1 전송 전극이 형성되지 않은 전하 전송 영역상에 제1 전송 라인 및 제1 전송 전극에 분리되어 형성되는 제2 전송 전극과, 제2 절연막의 콘택홀을 통하여 제2 전송 전극에 연결되어 광전 변환 영역상에 형성되는 제2 전송 라인을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상 소자.
  10. 제9항에 있어서, 제1 전송 라인과 제1,2 전송 전극은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  11. 제9항에 있어서, 제2 전송 라인은 투명한 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  12. 표면내에 복수개의 광전 변환 영역들 및 전하 전송 영역들을 갖는 반도체 기판과, 상기 기판의 표면상에 형성되는 제1절연막과, 상기 제1절연막에 의해 반도체 기판과 절연되어 광전 변환 영역(31)에 대응하여 전하전송 영역상에 분리 구성되는 제1,2 전송 전극과, 상기 제1,2 전송 전극을 포함하는 전면에 형성되는 제2 절연막과, 상기 제1,2 전송 전극에 각각 콘택되어 광전 변환 영역의 일측 및 타측상에 형성되어 제1, 제3의 클럭신호들이 인가하는 제1 전송라인, 제2, 제4의 클럭 신호를 인가하는 제2 전송 라인을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상 소자.
  13. 제12항에 있어서, 제1,2 전송 라인은 투명한 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  14. 제12항에 있어서, 제1,2 전송 전극은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  15. 제13항에 있어서, 투명한 전도성 물질은 ITO 인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  16. 표면내에 복수개의 광전 변환 영역들 및 전하 전송 영역들을 갖는 반도체 기판을 준비하는 공정과, 상기 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막이 형성된 기판의 전면에 폴리 실리콘을 증착한후 소정부분에만 남도록 패터닝하여 제1전송 라인과 제1,2 전송 전극을 형성하는 공정과, 전면에 제2 절연막을 형성하고 상기 제2 전송 전극상의 제2 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀이 형성된 전면에 투명한 전도성 물질을 증착하고 각각의 제2 전송 전극에 콘택되고 광전 변환 영역의 일측상에 남도록 패터닝하여 제2 전송 라인을 형성하는 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상 소자.
  17. 제16항에 있어서, 제1 전송 전송 라인은 광전 변환 영역사이의 상측에 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 제1 전송 전극은 각각의 광전 변환 영역에 대응하여 전하 전송 영역사에 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  19. 제16항에 있어서, 제1 전송 전극은 제1 전송 라인에 연결되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  20. 제16항에 있어서, 제2 전송 전극은 각각의 광전 변환 영역에 대응하여 제1 전송 전극과 분리 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  21. 제16항에 있어서, 제2 전송 라인은 ITO를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  22. 표면내에 복수개의 광전 변환 영역들 및 전하 전송 영역들을 갖는 반도체 기판을 준비하는 공정과, 상기 기판상에 제1 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막이 형성된 기판의 전면에 폴리 실리콘을 증착한후 소정 부분에만 남도록 패터닝하여 제1,2 전송 전극을 형성하는 공정과, 상기의 제1,2 전송 전극이 형성된 전면에 제2 절연막을 형성하고 상기 제1,2 전송 전극상의 제2 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀이 형성된 전면에 투명한 전도성 물질을 증착하고 각각의 제1,2 전송 전극에 콘택되고 광전 변환 영역의 일측 및 타측상에 남도록 패터닝하여 제1,2 전송 라인을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 제1 전송 전극은 각각의 광전 변환 영역에 대응하여 전하 전송 영역상에 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  24. 제22항에 있어서, 제2 전송 전극은 각각의 광전 변환 영역에 대응하여 제1 전송 전극과 분리 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
  25. 제22항에 있어서, 제1,2 전송 라인은 ITO를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 제조방법.
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