DE19726082A1 - Festkörperbildsensor und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

Festkörperbildsensor und Verfahren zur Herstellung desselben

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Description

Die Erfindung betrifft einen Festkörperbildsensor, und insbesondere ei­ nen Festkörperbildsensor mit einem weiten Lichtempfangsbereich sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben.
Ein herkömmlicher Festkörperbildsensor wird mit Bezug auf die Fig. 1 und 2A bis 2E beschrieben. Fig. 1 zeigt ein Layout des herkömmlichen Festkörperbildsensors, und die Fig. 2A bis 2E zeigen relevante Schnittdarstellungen des in Fig. 1 gezeigten herkömmlichen Festkörper­ bildsensors.
Für eine Übertragung von in einem fotoelektrischen Wandlerbereich 1 er­ zeugten Bildladungen wird ein Vierphasentakt an den herkömmlichen Festkörperbildsensor angelegt. Zum Anlegen eines Taktsignals sind zwi­ schen einer Vielzahl der fotoelektrischen Wandlerbereiche 1 zwei Schich­ ten mit ersten bzw. zweiten Übertragungsleitungen 2 bzw. 3 durch einen Isolationsfilm 4 voneinander isoliert. Die untenliegende erste Übertra­ gungsleitung 2 ist von einem Halbleitersubstrat 5 durch einen weiteren Isolationsfilm 6 isoliert.
Von den an die Übertragungsleitungen 2, 3 angelegten Vierphasentakt­ signalen werden die Taktsignale Φ1 und Φ3 an die erste Übertragungslei­ tung 2 und die Taktsignale Φ2 und Φ4 an die zweite Übertragungsleitung 3 angelegt.
Jede der ersten und zweiten Übertragungsleitungen 2, 3 umfaßt Übertra­ gungselektroden, die entsprechend den fotoelektrischen Wandlerberei­ chen 1 wiederholt in Übertragungsbereichen gebildet sind. Auf wiederhol­ tes Anlegen der Taktsignale Φ1, Φ2, Φ3 und Φ4 an die ersten und zweiten Übertragungsleitungen 2, 3 mit dem erwähnten System hin, wird ein Po­ tential in dem darunterliegenden Übertragungsbereich geändert, um die Bildladungen darin in einer Richtung zu übertragen.
Bei der Bildung der ersten und zweiten Übertragungsleitungen zum Anle­ gen der Vierphasentaktsignale bei dem herkömmlichen Festkörperbild­ sensor und im Hinblick auf seinen Betrieb ist jedoch ein Füllfaktor (oder Öffnungsverhältnis) vermindert und infolgedessen die Lichtempfindlich­ keit verringert, da die erste Übertragungsleitung breiter ausgebildet sein sollte als die zweite Übertragungsleitung, um die zweite Übertragungslei­ tung auf der vorher gebildeten ersten Übertragungsleitung auszubilden. Je mehr Bildpunkte oder Pixel gepackt sind, um so mehr wird der Füllfak­ tor vermindert, da sich die Anzahl der Übertragungsleitungen erhöht, wenn sich die Anzahl der Pixel vergrößert.
Daher gestattet die erwähnte herkömmliche Vorrichtungsstruktur keinen sehr dicht gepackten Festkörperbildsensor.
Dementsprechend ist die Erfindung auf einen Festkörperbildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung gerichtet, das im wesentlichen eins oder mehrere der Probleme infolge der Begrenzungen und Nachteile des Standes der Technik beseitigt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Festkörperbildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen, um die Lichtempfindlichkeit zu verbessern.
Zur Lösung dieser Aufgabe umfaßt der Festkörperbildsensor ein Halblei­ tersubstrat, eine Vielzahl von fotoelektrischen Wandlerbereichen, die un­ ter der Oberfläche des Substrats zur Erzeugung von Bildsignalen ausge­ bildet sind, und eine Vielzahl von unter der Oberfläche des Substrats aus­ gebildeten Ladungsübertragungsbereichen zum Übertragen der Bild­ signale in einer Richtung in Antwort auf mittels Übertragungsleitungen angelegter Taktsignale, wobei zumindest eine einer Vielzahl von Übertra­ gungsleitungen aus einem transparenten leitenden Material entspre­ chend einem der fotoelektrischen Wandlerbereiche gebildet ist.
Nach einer anderen Ausgestaltung der Erfindung umfaßt der Festkörper­ bildsensor ein Halbleitersubstrat mit einer Oberfläche, unter der eine Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen und Ladungsübertragungsbe­ reiche ausgebildet sind, wobei jeder der Ladungsübertragungsbereiche zwischen benachbarten, in einer Richtung angeordneten fotoelektrischen Wandlerbereichen ausgebildet ist; einen ersten Isolationsfilm, der auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist; eine erste Übertra­ gungsleitung, die durch den ersten Isolationsfilm vom Halbleitersubstrat isoliert ist und die in einer zweiten Richtung quer zur ersten Richtung zwi­ schen zwei benachbarten fotoelektrischen Wandlerbereichen angeordnet ist; erste Übertragungselektroden, von denen jede entsprechend einem der fotoelektrischen Wandlerbereiche mit der ersten Übertragungsleitung verbunden ausgebildet ist; zweite Übertragungselektroden, von denen je­ de mit Abstand von und gegenüber der ersten Übertragungselektrode auf einem Ladungsübertragungsbereich gebildet ist, in welchem die erste Übertragungselektrode nicht ausgebildet ist; und eine zweite Übertra­ gungsleitung, die auf den fotoelektrischen Wandlerbereichen ausgebildet ist und die mit den in der zweiten Richtung gebildeten zweiten Übertra­ gungselektroden durch Kontaktlöcher in einem zweiten Isolationsfilm hindurch in Kontakt ist.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Festkörperbildsensors mit folgenden Schritten vorgese­ hen: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats mit einer Oberfläche, unter der eine Vielzahl von Ladungsübertragungsbereichen und fotoelektrische Wandlerbereiche ausgebildet sind; Ausbilden eines ersten Isolationsfilms auf dem Substrat; Abscheiden von Polysilizium auf der gesamten resultie­ renden Oberfläche mit dem darauf gebildeten ersten Isolationsfilm und Mustern des Polysiliziums, um das Polysilizium nur auf vorbestimmten Teilen zu belassen, um dadurch erste und zweite Übertragungselektroden zu bilden; Ausbilden eines zweiten Isolationsfilm auf der gesamten Ober­ fläche und selektives Entfernen von Teilen des zweiten Isolationsfilms, um Kontaktlöcher zu bilden; und Abscheiden eines transparenten leitenden Materials auf der gesamten resultierenden Oberfläche mit den darin gebil­ deten Kontaktlöchern und Mustern des transparenten leitenden Materi­ als, um das transparente leitende Material in Kontakt mit jeder der zweiten Übertragungselektroden auf einer Seite von jedem der fotoelektrischen Wandlerbereiche zu belassen, um dadurch zweite Übertragungsleitungen zu bilden.
Andere Ausgestaltungen und vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Ansprüchen beschrieben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung dargestell­ ten Ausführungsbeispielen beispielsweise beschrieben. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Layout eines herkömmlichen Festkörperbildsensors,
Fig. 2A bis 2E relevante Schnittdarstellungen des herkömmlichen Festkörperbildsensor nach Fig. 1,
Fig. 3 ein Layout eines Festkörperbildsensors nach einem ersten Aus­ führungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 4A bis 4D relevante Schnittdarstellungen des Festkörperbildsen­ sors nach Fig. 3,
Fig. 5 ein Layout eines Festkörperbildsensors nach einen zweiten Aus­ führungsbeispiel der Erfindung, und
Fig. 6A bis 6D relevante Schnittdarstellungen des Festkörperbildsen­ sors nach Fig. 5.
Wie Fig. 3 zeigt, umfaßt ein erfindungsgemäßer Festkörperbildsensor ei­ ne erste Übertragungsleitung 22, die zwischen benachbarten fotoelektri­ schen Wandlerbereichen 21 in einer Richtung rechtwinklig zu der La­ dungsübertragungsrichtung ausgebildet ist, und eine zweite Übertra­ gungsleitung 23 aus einem einen niedrigen Widerstand aufwenden und für sichtbares Licht transparenten Material, die auf fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 parallel zu der ersten Übertragungsleitung 22 aus­ gebildet ist.
Wie in den Fig. 4A bis 4D gezeigt, umfaßt der Festkörperbildsensor nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung einen ersten Isola­ tionsfilm 24a, der auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersubstrats 25 ausgebildet ist, das eine Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 und Ladungsübertragungsbereiche 26 aufweist, von denen jeder zwi­ schen benachbarten fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 in einer ersten Richtung A ausgebildet ist. Eine erste Übertragungsleitung 22 ist von dem Halbleitersubstrat 25 durch den ersten Isolationsfilm 24a isoliert und in einer zweiten Richtung B quer zu der ersten Richtung A zum Anlegen von Taktsignalen Φ1 und Φ3 an einen Bereich zwischen zwei fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 ausgebildet. Erste Übertragungselektroden 22a sind jeweils in Kontakt mit der ersten Übertragungsleitung 22 entspre­ chend einem der fotoelektrischen Wandlerbereiche 21 ausgebildet. Zweite Übertragungselektroden 23a sind jeweils gegenüber den ersten Übertra­ gungselektroden 22a auf einem Ladungsübertragungsbereich 26 ausge­ bildet, wo die erste Übertragungselektrode 22 nicht ausgebildet ist. Ein zweiter Isolationsfilm 24b ist auf der gesamten Oberfläche einschließlich der ersten Übertragungsleitungen 22, der ersten Übertragungselektroden 22a und der zweiten Übertragungselektroden 23a ausgebildet. Eine zweite Übertragungsleitung 23 ist auf den fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 in Kontakt mit den zweiten Übertragungselektroden 23 in der zweiten Richtung B zum Anlegen von Taktsignalen Φ2 und Φ4 an die zweiten Über­ tragungselektroden 23a ausgebildet.
Im folgenden werden die Schritte zur Herstellung des Festkörperbildsen­ sors nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben.
Ein erster Isolationsfilm 24a wird auf einem Halbleitersubstrat 25 ausge­ bildet, das eine Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 und La­ dungsübertragungsbereiche 26 aufweist, von denen jeder in einer ersten Richtung A zwischen benachbarten fotoelektrischen Wandlerbereichen 21 ausgebildet ist, um als Übertragungskanal beim Übertragen von in den fo­ toelektrischen Wandlerbereichen 21 erzeugten Bildladungen in der ersten Richtung A benutzt zu werden. Auf der gesamten Oberfläche des Substrats mit dem darauf ausgebildeten ersten Isolationsfilm 24a wird Polysilizium abgeschieden und gemustert, um Abschnitte des Polysiliziums auf vorbe­ stimmten Teilen zu belassen. Das gemusterte Polysilizium bildet die er­ sten Übertragungsleitungen 22 in der zweiten Richtung B quer zu der er­ sten Richtung A zwischen benachbarten fotoelektrischen Wandlerberei­ chen 21, erste Übertragungselektroden 22a, von denen jede auf einem der Ladungsübertragungsbereiche 26 in Kontakt mit einer der ersten Übertra­ gungsleitungen 22 entsprechend einem der fotoelektrischen Wandlerbe­ reiche 21 ausgebildet ist, und zweite Übertragungselektroden 23, von de­ nen jede gegenüber einer entsprechenden ersten Übertragungselektrode 22a liegt. Die erste Übertragungsleitung 22, die ersten Übertragungselek­ troden 22a und die zweiten Übertragungselektroden 23a werden vorzugs­ weise gleichzeitig durch Mustern des Polysiliziums gebildet.
Dann wird ein zweiter Isolationsfilm 24b auf der gesamten Oberfläche mit den ersten Übertragungsleitungen 22 und den zweiten Übertragungselek­ troden 23a einschließlich der ersten Übertragungselektroden 22a ausge­ bildet. Abschnitte des zweiten Isolationsfilms 24b auf den zweiten Über­ tragungselektroden 23a werden selektiv entfernt, um Kontaktlöcher zu bilden.
Auf der gesamten resultierenden Oberfläche, wo die Kontaktlöcher gebil­ det wurden, wird ein für sichtbares Licht durchsichtiges Material mit nie­ drigem Widerstand, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) abgeschieden und gemustert, um einen Abschnitt des Materials in Kontakt mit jeder der zweiten Übertragungselektroden 23a auf einer Seite jedes fotoelektri­ schen Wandlerbereichs 21 zu belassen und dadurch zweite Übertragungs­ leitungen 23 zu bilden.
Entsprechend den Fig. 5 und 6A bis 6D umfaßt ein Festkörperbildsen­ sor nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung erste und zweite Übertragungselektroden 32a und 33a, die aus einem Halbleiterma­ terial, wie beispielsweise Polysilizium oder amorphem Silizium, voneinan­ der beabstandet ausgebildet sind. Zum Anlegen von Taktsignalen an die ersten bzw. zweiten Übertragungselektroden 32a bzw. 33a sind erste und zweite Übertragungsleitungen 32 bzw. 33 aus einem transparenten leiten­ den Material, wie beispielsweise ITO, ausgebildet.
Der Festkörperbildsensor nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Er­ findung umfaßt einen ersten isolierenden Film 34a, der auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersubstrats 35 ausgebildet ist, das eine Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen 31 und Ladungsübertragungsbe­ reiche 36 aufweist, von denen jeder zwischen benachbarten fotoelektri­ schen Wandlerbereichen 31 in einer ersten Richtung ausgebildet ist. Erste durch den ersten Isolationsfilm 34a von dem Halbleitersubstrat 35 isolier­ te Übertragungselektroden 32a sind jeweils entsprechend zu einem der fo­ toelektrischen Wandlerbereiche 31 ausgebildet. Zweite Übertragungs­ elektroden 33a sind jeweils gegenüber und mit Abstand zu einer der ersten Übertragungselektroden 32a auf einem Ladungsübertragungsbereich 36 ausgebildet, wo die erste Übertragungselektrode 32a nicht gebildet ist. Ein zweiter Isolationsfilm 34b ist auf der gesamten resultierenden Oberfläche einschließlich der ersten und zweiten Übertragungselektroden 32a und 32b ausgebildet. Erste und zweite Übertragungsleitungen 32 und 33 sind auf den fotoelektrischen Wandlerbereichen 31 auf ersten bzw. zweiten Sei­ ten davon in Kontakt mit den ersten bzw. zweiten Übertragungselektroden 32a und 33a in einer zweiten Richtung rechtwinklig zur ersten Richtung ausgebildet. Taktsignale Φ1 und Φ3 bzw. Φ2 und Φ4 werden an die ersten bzw. zweiten Übertragungsleitungen 32, 33 angelegt. Die ersten und zwei­ ten Übertragungsleitungen 32, 33 sind aus einem transparenten leitenden Material, wie beispielsweise ITO, gebildet, und die ersten und zweiten Übertragungselektroden 32a, 33a bestehen aus einem Halbleitermaterial wie Polysilizium oder amorphen Silizium.
Im folgenden werden die Schritte eines Verfahrens zur Herstellung des Festkörperbildsensors nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung beschrieben.
Ein erster Isolationsfilm 34a wird auf der gesamten Oberfläche eines Halb­ leitersubstrats 35 ausgebildet, das eines Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen 31 und Ladungsübertragungsbereiche 36 aufweist, die als Übertragungskanäle beim Übertragen von in den fotoelektrischen Wandlerbereichen 31 erzeugten Bildladungen benutzt werden. Auf der ge­ samten resultierenden Oberfläche des Substrats 35 mit dem darauf gebil­ deten ersten Isolationsfilm 34a wird Polysilizium abgeschieden und gemu­ stert, um das Polysilizium nur auf vorbestimmten Teilen zu belassen. Das gemusterte Polysilizium bildet die ersten Übertragungselektroden 32a auf den Ladungsübertragungsbereichen 36 entsprechend zu den fotoelektri­ schen Wandlerbereichen 31 und die zweiten Übertragungselektroden 33a, die von den ersten Übertragungselektroden 32a beabstandet sind. Die er­ sten und zweiten Übertragungselektroden 32a und 33a sind vorzugsweise gleichzeitig durch Mustern des Polysiliziums gebildet.
Dann wird auf der gesamten Oberfläche mit den darauf gebildeten ersten Übertragungselektroden 32a und den zweiten Übertragungselektroden 33a ein zweiter Isolationsfilm 34b ausgebildet. Teile des Isolationsfilms 34b werden selektiv entfernt, um Kontaktlöcher zu bilden. Auf der gesam­ ten resultierenden Oberfläche mit den Kontaktlöchern wird ein für sicht­ bares Licht transparentes Material mit niedrigem Widerstand, wie bei­ spielsweise ITO, abgeschieden und gemustert, um das Material auf ersten und zweiten Seiten von jedem der fotoelektrischen Wandlerbereiche 31 in Kontakt mit den ersten bzw. zweiten Übertragungselektroden 32a, 33a zu belassen und dadurch die ersten und zweiten Übertragungsleitungen 32 bzw. 33 auszubilden.
Die Ausbildung einer einzelnen Schicht von ersten und zweiten Übertra­ gungsleitungen aus durchsichtigem leitenden Material entsprechend der Erfindung gestattet eine Verringerung der Breite von jeder der Übertra­ gungsleitungen, um einen maximalen Füllfaktor vorzusehen. Somit ge­ stattet der erfindungsgemäße Festkörperbildsensor die Herstellung von sehr dicht gepackten Festkörperbildsensoren und hat den Vorteil, daß die Lichtempfindlichkeit infolge der Vergrößerung des Füllfaktors verbessert ist.

Claims (31)

1. Festkörperbildsensor mit
  • - einem Halbleitersubstrats (25; 35),
  • - einer Vielzahl von Taktsignale (Φ1, Φ2, Φ3, Φ4) empfangenden Über­ tragungsleitungen (22, 23; 32, 33) über dem Substrat (25; 35), von denen wenigstens eine aus einem transparenten leitenden Material besteht, - einer Vielzahl von Übertragungselektroden (22a, 23a; 32a, 33a), die mit den Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) verbunden sind,
  • - einer Vielzahl von Bildsignale erzeugenden fotoelektrischen Wand­ lerbereichen (21; 31) unter der Oberfläche des Substrats (25; 35), und
  • - einer Vielzahl von Ladungsübertragungsbereichen (26; 36) unter der Oberfläche des Substrats (25; 35) zum Übertragen der Bildsignale von den fotoelektrischen Wandlerbereichen (21; 31) in Antwort auf die Taktsignale (Φ1, Φ2, Φ3, Φ4) von den Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33).
2. Festkörperbildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) erste Über­ tragungsleitungen (22; 32) auf einer ersten Seite der fotoelektrischen Wandlerbereiche (21; 31) und zweite Übertragungsleitungen (23; 33) auf einer zweiten Seite der fotoelektrischen Wandlerbereiche (21; 31) ein­ schließt, wobei die ersten Übertragungsleitungen zumindest eine Über­ tragungsleitung mit dem transparenten leitenden Material umfassen.
3. Festkörperbildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsleitungen erste Übertragungsleitungen (22) aus nichtdurchsichtigem leitenden Material auf einer ersten Seite der fotoelektrischen Wandlerbereiche (21) und zweite Übertragungsleitungen (23) aus durchsichtigem leitenden Material auf einer zweiten Seite der fo­ toelektrischen Wandlerbereiche (21) umfassen.
4. Festkörperbildsensor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das transparente Material Indium-Zinn-Oxid (ITO) umfaßt.
5. Festkörperbildsensor nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß zumindest eine Übertragungsleitung (23; 33) aus durchsichtigem leitenden Material auf einem der fotoelektri­ schen Wandlerbereiche (21; 31) liegt.
6. Festkörperbildsensor nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die Übertragungselektroden (22a, 23a; 32a, 33a), die sich von den Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) weger­ strecken entsprechend den fotoelektrischen Wandlerbereichen (21; 31) voneinander beabstandet sind.
7. Festkörperbildsensor nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß ein Isolationsfilm (24a; 34a) die Übertra­ gungsleitungen (22, 23; 32, 33) und die Übertragungslelektroden (22a, 23a; 32a, 33b) von dem Halbleitersubstrat (25) isoliert.
8. Festkörperbildsensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolationsfilm ein Kontaktloch enthält und die Übertragungslei­ tungen (23; 32, 33) durch das Kontaktloch hindurch mit den Übertra­ gungselektroden (23a; 32a, 33a) verbunden sind.
9. Festkörperbildsensor nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die Übertragungselektroden (22a, 23a; 32a, 33a) Polysilizium enthalten.
10. Festkörperbildsensor mit:
  • - einem Halbleitersubstrat (25) mit einer Oberfläche,
  • - einer Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen (21) und La­ dungsübertragungsbereichen (26) unter der Oberfläche des Halbleiter­ substrats (25), wobei jeder der Ladungsübertragungsbereiche (26) zwi­ schen benachbarten in einer ersten Richtung (A) angeordneten fotoelektri­ schen Wandlerbereichen (21) liegt;
  • - einem ersten Isolationsfilm (24a) auf der Oberfläche des Halbleiter­ substrats (25),
  • - einer ersten Übertragungsleitung (22a), die durch den ersten Isola­ tionsfilm (24a) von dem Halbleitersubstrat (25) isoliert ist und die in einer zweiten Richtung (B) quer zu der ersten Richtung (A) zwischen benachbar­ ten zwei fotoelektrischen Wandlerbereichen (21) angeordnet ist,
  • - ersten Übertragungselektroden (22a) von denen jede mit der ersten Übertragungsleitung entsprechend einem der fotoelektrischen Wandler­ bereiche (21) mit der ersten Übertragungsleitung (22) verbunden ist,
  • - zweiten Übertragungselektroden (23a) von denen jede mit Abstand und gegenüber der ersten Übertragungselektroden (22a) auf einem Be­ reich des Ladungsübertragungsbereichs (26) angeordnet ist,
  • - einem zweiten Isolationsfilm (24b) mit Kontaktlöchern auf den zwei­ ten Übertragungselektroden (23a) und
  • - einer zweiten Übertragungsleitung (23) auf den fotoelektrischen Wandlerbereichen (21), die in Kontakt mit den zweiten Übertragungselek­ troden (23a) in der zweiten Richtung durch die Kontaktlöcher ist.
11. Festkörperbildsensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Übertragungsleitung (22) und die ersten und zweiten Über­ tragungselektroden (22a, 23a) Polysilizium enthalten.
12. Festkörperbildsensor nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zweite Übertragungsleitung (23) ein transparentes lei­ tendes Material enthält.
13. Festkörperbildsensor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das durchsichtige leitende Material Indium-Zinn-Oxid enthält.
14. Festkörperbildsensor mit:
  • - einem Halbleitersubstrat (35) mit einer Oberfläche,
  • - einer Matrix von fotoelektrischen Wandlerbereichen (31) und La­ dungsübertragungsbereichen (36) unter der Oberfläche des Halbleiter­ substrats (35). wobei jeder der Ladungsübertragungsbereiche (36) zwi­ schen benachbarten, in einer ersten Richtung (A) angeordneten fotoelek­ trischen Wandlerbereichen (31) liegt.
  • - einem ersten Isolationsfilm (34a) auf der Oberfläche des Halbleiter­ substrats (35),
  • - ersten und zweiten Übertragungselektroden (32a, 33a), die vonein­ ander beabstandet und durch den ersten Isolationsfilm (34a) vom Halblei­ tersubstrat (35) isoliert sind, wobei jede der ersten und zweiten Übertra­ gungselektroden (32a, 33a) in einer zweiten Richtung (B) quer zu der er­ sten Richtung (A) entsprechend den fotoelektrischen Wandlerbereichen (31) angeordnet ist,
  • - einem zweiten Isolationsfilm (34b) auf den ersten und zweiten Über­ tragungselektroden (32a, 33a) und
  • - ersten und zweiten Übertragungsleitungen (32, 33) auf ersten und zweiten Seiten auf den fotoelektrischen Wandlerbereichen (31), die in Kon­ takt mit den ersten bzw. zweiten Übertragungselektroden (32a, 33a) sind.
15. Festkörperbildsensor nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß erste und dritte Taktsignale (Φ1, Φ3) von Vierphasentaktsignalen an die ersten Übertragungsleitungen (32) angekoppelt sind und zweite und vierte Taktsignale (Φ2, Φ4) an die zweiten Übertragungsleitungen (33) an­ gekoppelt sind.
16. Festkörperbildsensor nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zumindest eine der ersten und zweiten Übertragungslei­ tungen ein transparentes leitendes Material enthält.
17. Festkörperbildsensor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das transparente leitende Material Indium-Zinn-Oxid enthält.
18. Verfahren zum Herstellen eines Festkörperbildsensors mit einem Halbleitersubstrat (25; 35), mit folgenden Schritten:
  • - Ausbilden einer Vielzahl von Taktsignalen empfangenden Übertra­ gungsleitungen (22, 23; 32, 33) über dem Substrat (25; 35), wobei zumin­ dest eine von der Vielzahl von Übertragungsleitungen (23; 32, 33) aus ei­ nem transparenten leitenden Material gebildet ist,
  • - Ausbilden einer Vielzahl von Übertragungselektroden (22a, 23a; 32a, 33a), die mit den Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) verbunden sind,
  • - Ausbilden einer Vielzahl von Bildsignalen erzeugenden fotoelektri­ schen Wandlerbereichen (21; 31) unter der Oberfläche des Substrats (25; 35), und
  • - Ausbilden einer Vielzahl von Ladungsübertragungsbereichen (26, 36) unter der Oberfläche des (25; 35), die die Bildsignale von den fotoelek­ trischen Wandlerbereichen (21; 31) in Antwort auf die Taktsignale (Φ1, Φ2, Φ3, Φ4) von den Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) übertragen.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ausbilden der Vielzahl von Übertragungsleitungen erste Übertragungs­ leitungen (22; 32) auf einer ersten Seite der fotoelektrischen Wandlerbe­ reiche (21; 31) und zweite Übertragungsleitungen (23; 33) aufeinerzwei­ ten fotoelektrischen Wandlerbereiche (21; 31) ausgebildet werden.
20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Übertragungsleitungen (22) auf einer ersten Seite der fotoe­ lektrischen Wandlerbereiche (21) nicht transparentes leitendes Material enthalten und die zweiten Übertragungsleitungen (23) auf einer zweiten Seite der fotoelektrischen Wandlerbereichen (21) transparentes leitendes Material enthalten.
21. Verfahren nach Anspruch 18, 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß die sich von der Vielzahl von Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) wegerstreckenden Übertragungselektroden (22a, 23a; 32a, 33a) mit Ab­ stand zueinander entsprechend den fotoelektrischen Wandlerbereichen (21; 31) ausgebildet werden.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Isolationsfilm (24a; 34a) auf dem Halbleitersubstrat (25; 35) ausgebildet wird, um die Übertragungsleitungen (22, 23; 32, 33) und die Übertragungselektroden (22a, 23a; 32a, 33a) vom Halbleitersub­ strat (25; 35) zu isolieren.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß beim Ausbilden des Isolationsfilms ein Kontaktloch in dem Isolationsfilm gebil­ det wird, so daß die Übertragungsleitungen durch das Kontaktloch mit den Übertragungselektroden verbunden sind.
24. Verfahren zum Herstellen eines Festkörperbildsensors, der ein Halb­ leitersubstrat und eine Vielzahl von Ladungsübertragungsbereichen und fotoelektrischen Wandlerbereichen unter der Oberfläche des Substrats aufweist, bei dem:
  • - ein erster Isolationsfilm (34a) auf dem Halbleitersubstrat (35) gebil­ det wird,
  • - eine Halbleiterschicht über der resultierenden Oberfläche des Sub­ strats (35) abgeschieden und gemustert wird, um erste und zweite Über­ tragungselektroden (32a, 33a) zu bilden,
  • - ein zweiter Isolationsfilm (34b) über einer resultierenden Oberfläche des Substrats (35) gebildet wird und Abschnitte des zweiten Isolations­ films (34b) selektiv entfernt werden, um Kontaktlöcher zu bilden, und
  • - ein transparentes leitendes Material auf einer resultierenden Ober­ fläche des Substrats (35) abgeschieden und gemustert wird, um Übertra­ gungsleitungen (32, 33) zu bilden, die mit den ersten Übertragungselek­ troden (33a) durch die Kontaktlöcher hindurch auf einer Seite der fotoe­ lektrischen Wandlerbereiche verbunden sind.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß jede der ersten Übertragungsleitungen (32) auf einer Seite eines Abschnitts zwischen den fotoelektrischen Wandlerbereichen (31) ausgebildet wird.
26. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß jede der ersten Übertragungselektroden (32a) auf einem der Ladungsübertra­ gungsbereiche (36) ausgebildet wird.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 24, 25 oder 26, dadurch ge­ kennzeichnet, daß jede der ersten Übertragungselektroden (32a) mit ei­ ner der ersten Übertragungsleitungen (32) verbunden wird.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 27, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jede der zweiten Übertragungselektroden (33a) mit Abstand von den ersten Übertragungselektroden (32a) ausgebildet wird.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jede der zweiten Übertragungsleitungen (33) aus Indium- Zinn-Oxid gebildet wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 29, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine Übertragungsleitung gleichzeitig mit den ersten und zweiten Übertragungselektroden durch Abscheiden und Mustern der Halbleiterschicht gebildet wird.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 30, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zweite Übertragungsleitungen, die mit den zweiten Übertra­ gungselektroden durch Kontaktlöcher in Kontakt sind, durch Abscheiden und Mustern des transparenten leitenden Materials gebildet werden.
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