JPH05275675A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH05275675A JPH05275675A JP4071017A JP7101792A JPH05275675A JP H05275675 A JPH05275675 A JP H05275675A JP 4071017 A JP4071017 A JP 4071017A JP 7101792 A JP7101792 A JP 7101792A JP H05275675 A JPH05275675 A JP H05275675A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
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- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大幅な感度の低下を来す事なく、スミア現象に
よる偽信号の発生量を抑制する。 【構成】垂直電荷転送部を構成する転送電極に任意の電
位を供給する金属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサ
イドで形成される配線５が、前記垂直電荷転送部の遮光
を兼ねる構造を有する固体撮像装置において、二次元的
に配置された光電変換部１の垂直境界部分の配線幅を他
の領域に比べ広く形成する。
よる偽信号の発生量を抑制する。 【構成】垂直電荷転送部を構成する転送電極に任意の電
位を供給する金属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサ
イドで形成される配線５が、前記垂直電荷転送部の遮光
を兼ねる構造を有する固体撮像装置において、二次元的
に配置された光電変換部１の垂直境界部分の配線幅を他
の領域に比べ広く形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、垂直電荷転送部を構成
する転送電極に任意の電位を供給する金属膜、高融点金
属膜もしくはそのシリサイドで形成される配線が、上記
垂直電荷転送部の遮光を兼ねる構造を有する固体撮像装
置のセル部の遮光膜構造に関する。
する転送電極に任意の電位を供給する金属膜、高融点金
属膜もしくはそのシリサイドで形成される配線が、上記
垂直電荷転送部の遮光を兼ねる構造を有する固体撮像装
置のセル部の遮光膜構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は、従来一般的に使用され
たきた撮像管に比べ小型、軽量、高耐久性、低残像、焼
き付き等において優れ、イメージサイズの小さい民生用
ムービーカメラ分野においては、既に撮像管を凌駕し、
比較的イメージサイズの大きい産業用カメラ分野におい
てもとって代わろうとしている。
たきた撮像管に比べ小型、軽量、高耐久性、低残像、焼
き付き等において優れ、イメージサイズの小さい民生用
ムービーカメラ分野においては、既に撮像管を凌駕し、
比較的イメージサイズの大きい産業用カメラ分野におい
てもとって代わろうとしている。
【０００３】ＨＤＴＶ用固体撮像装置等に代表される比
較的イメージサイズの大きな（例えば１インチ、２／３
インチ）固体撮像装置においては、イメージ領域の両側
からポリシリコン転送電極に駆動パルスを供給する方式
では、ポリシリコン転送電極の高抵抗、大容量のため
に、特に、転送スピードが速くなった場合イメージ領域
の中央部において、著しくパルス振幅が減少し、最大転
送電荷量が減少するという欠点があった。
較的イメージサイズの大きな（例えば１インチ、２／３
インチ）固体撮像装置においては、イメージ領域の両側
からポリシリコン転送電極に駆動パルスを供給する方式
では、ポリシリコン転送電極の高抵抗、大容量のため
に、特に、転送スピードが速くなった場合イメージ領域
の中央部において、著しくパルス振幅が減少し、最大転
送電荷量が減少するという欠点があった。
【０００４】上述した欠点を克服するために垂直電荷転
送部を構成する転送電極に駆動パルスを供給する金属配
線を、前記垂直電荷転送部の遮光膜として機能させる方
式が提案され（Ｔ．Ｎｏｂｕｓａｄａ，ｅｔ ａｌ．，
“Ａ Ｆｌａｍｅ Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆ
ｅｒ ＣＣＤ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ ｆｏｒＨＤ
ＴＶ Ｃａｍｅｒａ Ｓｙｓｔｅｍ”，ＩＳＳＣＣ Ｄ
ｉｇｅｓｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ，
ｐｐ８８−８９，Ｆｅｂ．，１９８９）使用されてき
た。
送部を構成する転送電極に駆動パルスを供給する金属配
線を、前記垂直電荷転送部の遮光膜として機能させる方
式が提案され（Ｔ．Ｎｏｂｕｓａｄａ，ｅｔ ａｌ．，
“Ａ Ｆｌａｍｅ Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆ
ｅｒ ＣＣＤ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ ｆｏｒＨＤ
ＴＶ Ｃａｍｅｒａ Ｓｙｓｔｅｍ”，ＩＳＳＣＣ Ｄ
ｉｇｅｓｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ，
ｐｐ８８−８９，Ｆｅｂ．，１９８９）使用されてき
た。
【０００５】図４は、上述した技術を使用した四相駆動
の固体撮像装置のイメージ領域の一部を示す平面図であ
る。
の固体撮像装置のイメージ領域の一部を示す平面図であ
る。
【０００６】垂直電荷転送部を構成するポリシリコンか
らなる第１及び第２の垂直電荷転送電極２，３は、４画
素周期で遮光膜を兼ねる金属配線５とコンタクトホール
４を介して接続されており、これにより等価的に前記第
１及び第２の垂直電荷転送電極２，３の配線抵抗を低減
し、パルス振幅の低下を抑制することができる。
らなる第１及び第２の垂直電荷転送電極２，３は、４画
素周期で遮光膜を兼ねる金属配線５とコンタクトホール
４を介して接続されており、これにより等価的に前記第
１及び第２の垂直電荷転送電極２，３の配線抵抗を低減
し、パルス振幅の低下を抑制することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような垂直電荷転送部を構成する転送電極に任意の電
位を供給する金属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサ
イドで形成される配線５が、前記垂直電荷転送部の遮光
を兼ねる構造を有する固体撮像装置においては、光電変
換部１の垂直境界部もしくは、前記領域近傍の遮光性が
悪く、前記領域に入射した光により前記不活性領域もし
くは不活性領域近傍の光電変換部１の深層部で励起され
た電荷が、垂直電荷転送部に漏れ込むことによりスミア
現象と呼ばれる偽信号量が、大きくなり映像信号劣化さ
せるという欠点があった。
たような垂直電荷転送部を構成する転送電極に任意の電
位を供給する金属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサ
イドで形成される配線５が、前記垂直電荷転送部の遮光
を兼ねる構造を有する固体撮像装置においては、光電変
換部１の垂直境界部もしくは、前記領域近傍の遮光性が
悪く、前記領域に入射した光により前記不活性領域もし
くは不活性領域近傍の光電変換部１の深層部で励起され
た電荷が、垂直電荷転送部に漏れ込むことによりスミア
現象と呼ばれる偽信号量が、大きくなり映像信号劣化さ
せるという欠点があった。
【０００８】また、これに対処するために前記垂直電荷
転送部の遮光を兼ねる配線間隔を狭めたときに、感度が
反比例して劣化するという欠点があった。
転送部の遮光を兼ねる配線間隔を狭めたときに、感度が
反比例して劣化するという欠点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、垂直電荷転送部を構成する転送電極に任意の電位を
供給する金属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサイド
で形成される配線が、前記垂直電荷転送部の遮光を兼ね
る構造を有する固体撮像装置において、二次元的に配置
された光電変換部の垂直境界部分の配線幅が、他の領域
に比べ広く形成されていることを特徴とする。
は、垂直電荷転送部を構成する転送電極に任意の電位を
供給する金属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサイド
で形成される配線が、前記垂直電荷転送部の遮光を兼ね
る構造を有する固体撮像装置において、二次元的に配置
された光電変換部の垂直境界部分の配線幅が、他の領域
に比べ広く形成されていることを特徴とする。
【００１０】好ましくは、上記配線兼遮光膜の光電変換
部上の開口形状が光電変換部の四隅の全てもしくは一部
を覆う多角形状とする。
部上の開口形状が光電変換部の四隅の全てもしくは一部
を覆う多角形状とする。
【００１１】好ましくは、上記配線兼遮光膜の光電変換
部上の開口形状が光電変換部の四隅の全てもしくは一部
を覆う円形状もしくは楕円形状とする。
部上の開口形状が光電変換部の四隅の全てもしくは一部
を覆う円形状もしくは楕円形状とする。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を図を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１〜図３は、本発明の実施例を示す固体
撮像装置のセル部の配線兼遮光膜の平面図である。
撮像装置のセル部の配線兼遮光膜の平面図である。
【００１４】また、図１〜図３において、図４に示す従
来例の部分と共通する部分には、同一の参照番号が付さ
れているので、重複する説明は省略する。
来例の部分と共通する部分には、同一の参照番号が付さ
れているので、重複する説明は省略する。
【００１５】図１を参照すると、本発明第１の実施例
は、従来技術である図４のセル部の配線兼遮光膜５の平
面図で適用したものである。
は、従来技術である図４のセル部の配線兼遮光膜５の平
面図で適用したものである。
【００１６】本発明の第１の実施例は、不活性領域であ
る二次元的に配置された光電変換部１の垂直境界部分の
配線幅が、他の領域に比べ広く形成されているため、光
電変換部１の垂直境界部もしくは、前記領域近傍に入射
した光により前記不活性領域もしくは不活性領域近傍の
光電変換部１の深層部で励起された電荷が、垂直電荷転
送部に漏れ込むことによるスミア現象と呼ばれる偽信号
量を大幅な感度低下を来す事なく抑制することができ
る。
る二次元的に配置された光電変換部１の垂直境界部分の
配線幅が、他の領域に比べ広く形成されているため、光
電変換部１の垂直境界部もしくは、前記領域近傍に入射
した光により前記不活性領域もしくは不活性領域近傍の
光電変換部１の深層部で励起された電荷が、垂直電荷転
送部に漏れ込むことによるスミア現象と呼ばれる偽信号
量を大幅な感度低下を来す事なく抑制することができ
る。
【００１７】図２を参照すると、本発明第２の実施例
は、従来技術である図４のセル部の配線兼遮光膜５の平
面図に適用したものである。
は、従来技術である図４のセル部の配線兼遮光膜５の平
面図に適用したものである。
【００１８】本発明の第２の実施例も同様に、不活性領
域である二次元的に配置された光電変換部１の垂直境界
部分の配線幅が、他の領域に比べ広く形成され、且つ前
記配線兼遮光膜５の光電変換部１上の開口形状が、光電
変換部１の四隅の全てもしくは一部を覆う多角形状とな
っているため、光電変換部１の垂直境界部もしくは、前
記領域近傍に入射した光により前記不活性領域もしくは
不活性領域近傍の光電変換部の深層部で励起された電荷
が、垂直電荷転送部に漏れ込むことによるスミア現象と
呼ばれる偽信号量を大幅な感度低下を来す事なく抑制す
ることができる。
域である二次元的に配置された光電変換部１の垂直境界
部分の配線幅が、他の領域に比べ広く形成され、且つ前
記配線兼遮光膜５の光電変換部１上の開口形状が、光電
変換部１の四隅の全てもしくは一部を覆う多角形状とな
っているため、光電変換部１の垂直境界部もしくは、前
記領域近傍に入射した光により前記不活性領域もしくは
不活性領域近傍の光電変換部の深層部で励起された電荷
が、垂直電荷転送部に漏れ込むことによるスミア現象と
呼ばれる偽信号量を大幅な感度低下を来す事なく抑制す
ることができる。
【００１９】図３を参照すると、本発明第３の実施例
は、従来技術である図４のセル部の配線兼遮光膜５の平
面図に適用したものである。
は、従来技術である図４のセル部の配線兼遮光膜５の平
面図に適用したものである。
【００２０】本発明の第３の実施例も同様に、不活性領
域である二次元的に配置された光電変換部１の垂直境界
部分の配線幅が、他の領域に比べ広く形成され、且つ前
記配線兼遮光膜５の光電変換部１上の開口形状が、光電
変換部１の四隅の全てもしくは一部を覆う円形状となっ
ているため、光電変換部１の垂直境界部もしくは、上記
領域近傍に入射した光により前記不活性領域もしくは不
活性領域近傍の光電変換部１の深層部で励起された電荷
が、垂直電荷転送部に漏れ込むことによるスミア現象と
呼ばれる偽信号量を大幅な感度低下を来す事なく抑制す
ることができる。
域である二次元的に配置された光電変換部１の垂直境界
部分の配線幅が、他の領域に比べ広く形成され、且つ前
記配線兼遮光膜５の光電変換部１上の開口形状が、光電
変換部１の四隅の全てもしくは一部を覆う円形状となっ
ているため、光電変換部１の垂直境界部もしくは、上記
領域近傍に入射した光により前記不活性領域もしくは不
活性領域近傍の光電変換部１の深層部で励起された電荷
が、垂直電荷転送部に漏れ込むことによるスミア現象と
呼ばれる偽信号量を大幅な感度低下を来す事なく抑制す
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、垂直電
荷転送部を構成する転送電極に任意の電位を供給する金
属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサイドで形成され
る配線が、前記垂直電荷転送部の遮光を兼ねる構造を有
する固体撮像装置において、不活性領域である二次元的
に配置された光電変換部１の垂直境界部分の配線幅を他
の領域に比べ広く形成することにより大幅な感度の低下
を来す事なく、スミア現象による偽信号の発生量を大幅
に抑制することができるという効果がある。
荷転送部を構成する転送電極に任意の電位を供給する金
属膜、高融点金属膜もしくはそのシリサイドで形成され
る配線が、前記垂直電荷転送部の遮光を兼ねる構造を有
する固体撮像装置において、不活性領域である二次元的
に配置された光電変換部１の垂直境界部分の配線幅を他
の領域に比べ広く形成することにより大幅な感度の低下
を来す事なく、スミア現象による偽信号の発生量を大幅
に抑制することができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示すセル部の平面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示すセル部の平面図。
【図３】本発明の第３の実施例を示すセル部の平面図。
【図４】従来技術の一例を示すセル部の平面図。
１ 光電変換部 ２ 第１の垂直電荷転送電極 ３ 第２の垂直電荷転送電極 ４ コンタクトホール ５ 金属配線兼遮光膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/339 29/796 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｑ 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ 9056−4Ｍ 29/76 ３０１ Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 垂直電荷転送部を構成する転送電極に任
意に電位を供給する金属膜、高融点金属膜もしくはその
シリサイドで形成される配線が前記垂直電荷転送部の遮
光を兼ねる構造を有する固体撮像装置において、 二次元的に配置された光電変換部の垂直境界部分の配線
幅が他の領域に比べ広く形成されていることを特徴とす
る固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記配線兼遮光膜の光電変換部上の開口
形状が光電変換部の四隅の全てもしくは一部を覆う多角
形状となっていることを特徴とする請求項１記載の固体
撮像装置。 - 【請求項３】 前記配線兼遮光膜の光電変換部上の開口
形状が光電変換部の四隅の全てもしくは一部を覆う円形
状もしくは楕円形状となっていることを特徴とする請求
項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071017A JPH05275675A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 固体撮像装置 |
| US08/036,924 US5399888A (en) | 1992-03-27 | 1993-03-25 | Photo-shield structure of charge-coupled device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071017A JPH05275675A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275675A true JPH05275675A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13448330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071017A Pending JPH05275675A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5399888A (ja) |
| JP (1) | JPH05275675A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0136933B1 (ko) * | 1994-05-21 | 1998-04-24 | 문정환 | 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법 |
| US5719075A (en) * | 1995-07-31 | 1998-02-17 | Eastman Kodak Company | Method of making a planar charge coupled device with edge aligned implants and electrodes connected with overlying metal |
| KR100209758B1 (ko) * | 1996-06-26 | 1999-07-15 | 구본준 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2943714B2 (ja) * | 1996-08-22 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2865083B2 (ja) * | 1996-11-08 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
| US5937025A (en) * | 1997-03-21 | 1999-08-10 | Dalsa, Inc. | High speed CCD bus structure |
| JP3426935B2 (ja) * | 1997-10-21 | 2003-07-14 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP3928840B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2007-06-13 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2005166825A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷転送装置 |
| JP5376883B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-12-25 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3123068B2 (ja) * | 1990-09-05 | 2001-01-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| EP0495503B1 (en) * | 1991-01-17 | 1997-03-26 | Sony Corporation | CCD imager |
| JP2727770B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1998-03-18 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5256891A (en) * | 1991-06-07 | 1993-10-26 | Eastman Kodak Company | CCD electrode structure for image sensors |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4071017A patent/JPH05275675A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-25 US US08/036,924 patent/US5399888A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5399888A (en) | 1995-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980818 |