DE1298630B - Integrierte Schaltungsanordnung - Google Patents

Integrierte Schaltungsanordnung

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Description

bilden. Die Formierung dieser dünnen filmartigen io mit passiven Elementen versehenen Halbleiterkör-Beläge erfordert außerdem weitere Schritte über die pers, der aus dem Scheibchen gemäß F i g. 3 heraus-Herstellung der aktiven Anordnungen in Halbleiterplättchen hinaus. Um solche passiven Schaltelemente zusammen mit aktiven Anordnungen auszubilden, war es notwendig, Verfahrensschritte zur Formierung 15 der dünnen filmartigen Beläge anzuwenden, die mit mindestens gewissen Schritten bei der Formierung der aktiven Anordnungen verträglich sind. Wegen dieses Umstandes unterliegen die Arten von Verfahrensschritten, die zur Formierung der dünnen filmartigen 20 Beläge in Betracht kommen, sowie auch die Arten des benutzbaren Filmbelagmaterials gewissen Einschränkungen. Außerdem wurde gefunden, daß, wenn aktive und passive Schaltelemente auf dem gleichen
Halbleiterplättchen benutzt werden, der Gesamtaus- 25 in F i g. 7 dargestellten Brückenanordnung; stoß an einwandfrei befriedigenden integrierten Schal- Fig. 9 ist eine Seitenansicht einer anderen Brük-
geschnitten ist und einen Bereich von Halbleiterflächenübergangsanordnungen und darauf angebrachten Kondensatoren aufweist;
Fig. 5 ist eine Aufsicht auf eine gemäß der Erfindung ausgebildete integrierte Schaltungsanordnung, welche Halbleiterkörper von der in F i g. 2 und 4 gezeigten Art mit einem Querverbindungsoder Überbrückungskörper aufweist;
F i g. 6 ist eine Querschnittsansicht längs der Linie 6-6 vonFig. 5;
F i g. 7 ist eine Querschnittsansicht längs der Linie 7-7 vonFig. 5;
F i g. 8 ist eine vergrößerte Grundrißansicht der
tungen auf dem Halbleiterplättchen ziemlich klein ist.
Zweck der Erfindung ist es, eine integrierte Schaltungsanordnung zu schaffen, die die erwähnten Nachteile'vermeidet, bei welcher die Notwendigkeit der Auswahl miteinander verträglicher Verfahrensschritte bei der Formierung der aktiven und passiven Schaltelemente entfällt und bei der die aktiven und passiven Schaltelemente auf getrennten Plättchen hergestellt werden können.
Die Erfindung bezweckt ferner, die integrierte Schaltungsanordnung so auszubilden, daß eine Verbindung bei umgekehrt aufeinandergesetzten Körpern angewendet werden kann. Insbesondere sollen auch einheitliche Querverbindungen benutzbar sein. Für diese Querverbindungen soll ein besonderer Körper benutzt werden können. Die integrierte Schaltungsanordnung soll sich für Massenfabrikation eignen
Die integrierte Schaltungsanordnung ist nun nach 45 strat gehalten werden.
kenanordnung;
F i g. 10 ist eine Grundrißdarstellung der Brükkenanordnung von F i g. 9;
Fig. 11 ist eine Aufsicht auf eine andere Ausführungsform der neuen integrierten Schaltungsanordnung; sie zeigt eine Anordnung, bei der die dünnen filmartigen Widerstands- und Kondensatorelemente direkt auf das Substrat, insbesondere durch Aufdampfen, aufgebracht sind, wobei die aktiven Halbleiterschaltelemente an den Leitungen der dünnen filmartigen Widerstands- und Kondensatorelemente, die von dem Substrat getragen werden, angebracht sind;
F i g. 12 ist eine andere Ausführungsform der neuen integrierten Schaltungsanordnung, bei der zwei getrennte Halbleiterkörper, welche die Widerstandselemente bzw. die aktiven Anordnungen tragen, aufeinander befestigt und auf einem besonderen Sub-
der Erfindung so ausgebildet, daß wenigstens ein Halbleiterplättchen, das flächenförmige Schaltelemente sowie mit diesen verbundene und in der gleichen Ebene liegende Kontaktflächen aufweist,
und wenigstens ein weiteres, aus einem isolierenden 50 dete getrennte Flächenübergangsanordnungen auf. Werkstoff bestehendes und ausschließlich passive Es ist eine Einrichtung zum gegenseitigen elektrischen
Grundsätzlich besteht die vorliegende integrierte Schaltungsanordnung aus einem isolierenden Körper, auf welchem die passiven Elemente gebildet sind. Ein besonderer Halbleiterkörper weist darauf ausgebil-
Schaltelemente tragendes Plättchen, das mit den passiven Schaltelementen verbundene Kontaktflächen aufweist, vorgesehen sind, wobei auf dem starren Körper ein oder mehrere Halbleiterplättchen und ein oder mehrere Isolierplättchen in einer solchen Weise angeordnet sind, daß sich die Kontaktflächen der auf dem starren Körper befindlichen Leitungen und die auf den Halbleiterplättchen sowie auf den Isolier-
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plättchen befindlichen Kontaktflächen einander gegenüberliegen, und daß Vorrichtungen zur elektrischen Verbindung zwischen den verschiedenen Kontaktflächen vorgesehen sind.
Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 ist eine vergrößerte Grundrißansicht eines Scheibchens, das mehrere Bereiche von darauf angebrachten Widerstandselementen aufweist; Verbinden der Flächenübergangsanordnung und der passiven Schaltelemente vorgesehen, um so eine integrierte Schaltungsanordnung herzustellen.
Wie den Zeichnungen zu entnehmen ist, ist die integrierte Schaltungsanordnung in der Weise aufgebaut, daß auf der einen Flachseite einer Scheibe oder Plattell aus einem Isoliermaterial, wie Glas oder Silizium, eine sehr große Zahl passiver Schaltelemente 12 aus einem dünnen filmartigen Widerstandsmaterial gebildet werden. Diese dünnen filmartigen Widerstände können in an sich bekannter Weise hergestellt werden. Danach wird die verhältnismäßig große Plattell in schmale Plättchen 13 zerschnitten, von denen eines in F i g. 2 gezeigt ist. Jedes Plättchen enthält die erforderliche Zahl dünner filmartiger Widerstände 14 auf seiner einen Flachseite, welche zur Bildung der integrierten Schaltungs-
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anordnung dienen und durch auf der gleichen Flach- tungen 33 mit kleinen wulstartigen Erhebungen 34 seite des Plättchens 13 ausgebildete Kontaktflächen aus einem Material wie Aluminium versehen und 16 verbunden sind. dann Druck und Hitze angewendet werden, um eine Ein ähnliches Verfahren wird für die Flächenüber- Thermokompressionsverbindung zu schaffen, so daß gangsanordnungen und Kondensatoren benutzt; eine 5 die Kontaktflächen 16 und 29 in innigem Kontakt verhältnismäßig große Platte 21 aus Halbleitermate- mit den Erhebungen 34 kommen, die ihrerseits einen rial, wie Silizium, an der gleichfalls auf einer Flach- innigen Kontakt mit den Leitungen 33 haben. Wahlseite mehrere Bereiche 22 gebildet sind, wird in an weise können die wulstartigen Erhebungen 34 in dem sich bekannter Weise verwendet. Nachdem die Be- gewünschten Muster auf den Kontaktflächen 16 und reiche 22 auf der Platte 21 gebildet sind, wird die io 19 statt auf den Leitungen 33 aufgebracht und dann Platte 21 in kleine Plättchen 23 zerschnitten, welche die Thermokompessionsverbindung in der vorher bedie erforderliche Zahl von Flächenübergangsanord- schriebenen Art und Weise hergestellt werden, nungen und Kondensatoren enthält. Wie in F i g. 4 Wie ersichtlich, verbinden die Leitungen 33 die beispielsweise gezeigt, kann ein solches Halbleiter- Halbleiterkörper 13 und 23 miteinander, so daß eine plättchen PN-Flächenübergangsanordnungen in Form 15 vollständige integrierte Schaltungsanordnung gebilvon Flächentransistoren 24 und in Form von Flä- det wird, bei welcher der Teil der integrierten Schalchendioden 26 enthalten. Die Anordnungen 24 und tungsanordnung, der verschiedene Verfahrenstechni-26 können voneinander isoliert werden, beispiels- ken erfordert, wie z. B. die Aufbringung eines dünweise durch Verwendung einer Isolation durch dif- nen filmartigen Belages auf einem der Körper 13 fundierten Übergang oder durch Verwendung dielek- ao bzw. 23, vorgesehen ist, während die übrigen Bautrischer Isolationsverfahren. Die Anordnungen 24 elemente der integrierten Schaltungsanordnung, wie und 26 haben je mindestens einen Übergang, der z. B. die Flächenübergangsanordnungen 24 und 26 durch mindestens zwei gegenübergestellte Zonen ent- und die passiven Elemente, welche andere Verfahgegengesetzter Polarität gebildet ist, die sich zu der renstechniken erfordern, auf dem anderen Halbleiter-Flachseite erstrecken. So wird eine Flächendiode 25 körper vorgesehen sind. Die notwendigen äußeren durch einen Flächenübergang zwischen P- und Verbindungen können leicht zu dem integrierten N-Zonen oder N- und P-Zonen gebildet, und ein Stromkreis über die Leitungen 31 hergestellt werden, Flächentransistor wird durch zwei Flächenübergänge die von dem Block 32 abstehen, zwischen P-, N- und P-Zonen oder N-, P- und Bei manchen integrierten Schaltungsanordnungen N-Zonen gebildet. Kondensatoren 27 sind ebenfalls 30 kann es notwendig sein, Querverbindungen oder auf den Plättchen 23 vorgesehen, weil die Schritte Überbrückungen der Leitungen 33 vorzusehen. Wie zu ihrer Formierung durchaus verträglich mit den in F i g. 5, 7 und 8 gezeigt, können hierzu verschie-Schritten zur Formierung der Flächenübergangs- dene Mittel verwendet wenden. Eine solche brückenanordnungen sind. Die Flächenübergangsanordnun- artige Einrichtung kann einen Halbleiterkörper 38 gen 24 und 26 sowie der Kondensator 27 werden 35 enthalten. Wie in F i g. 7 gezeigt, kann dieser Kördurch Leitungen 28 verbunden, die auf derselben per aus einem Material vom P-Typ bestehen, bei Flachseite des Halbleiterkörpers 23 gebildet sind und welchen die hoch dotierten Zonen beispielsweise zu Kontaktflächen 29 verlaufen, die gleichfalls auf N+-Zonen sein können. Jedoch können die Polariderselben Flachseite des Halbleiterplättehens 23 ge- täten des Materials in dem Körper 38 und den Zobildet sind. Die Leitungen 28 berühren die Zonen, 40 nen 39, 40 umgekehrt werden, so daß der Körper welche die Anordnungen 24 und 26 bilden. ein solcher vom N-Typ und die hoch dotierten Zo-Wie in F i g. 5 gezeigt, werden mehrere Leitungen nen 30, 40 solche vom P-Typ sind. Eine Isolierschicht
31 auf einem Körper 32 aus Isoliermaterial hergestellt 41 aus einem Material wie Siliziumdioxyd wird über und bilden ein Substrat. Die Oberseite dieser Leitun- der Unterseite des Körpers 38 und über der Zone gen 31 liegt in einer Fluchtebene mit der Oberseite 45 39 gebildet. Danach werden in der Schicht aus Isodes Isolierkörpers 32, wie besonders in F i g. 6 zu liermaterial 41 öffnungen 42, beispielsweise durch sehen ist. Die Leitungen 31 sind, wie aus F i g. 5 her- Ätzen, hergestellt, die sich bis zu den Zonen 39 und vorgeht, in vorbestimmten Bereichen angeordnet. 40 erstrecken. Eine Schicht aus leitendem Material
Weitere Leitungen 33 sind auf dem Isolierkörper wird dann über der Isolierschicht 41 in den öffnun-
32 durch Verfahren hergestellt, beispielsweise durch 50 gen 42 beispielsweise durch Aufdampfen angebracht. Aufdampfen einer leitenden Schicht aus Aluminium Die unerwünschten Teile der Metallschicht werden od. dgl. auf den Isolierkörper 32 unter Verwendung beispielsweise durch Ätzen entfernt, um Leitungen einer Maske oder durch Aufdampfen des Aluminiums 43 und 44 zu bilden, die sich durch die öffnungen 42 auf der Gesamtfläche und wahlweises Entfernen der erstrecken und mit der N+-Zone 39 Kontakt unerwünschten Teile durch Ätzung. Die Leitungen 55 machen. Außerdem wird eine weitere Leitung 46 von
33 werden mit den Leitungen 31 verbunden; ihre der oberhalb der Isolierschicht 41 aufgedampften Enden laufen in ein durch die Kontaktflächen 16 und Schicht hergestellt. Wie aus F i g. 8 zu ersehen ist, 29 an den Körpern 13 und 23 vorbestimmtes Muster verläuft diese Leitung 46 diagonal über den isolierenaus, so daß, wenn die Körper 13 und 23 umgekehrt den Block 38. Erhebungen 34 aus leitendem Mateaufeinandergesetzt werden, die Kontaktflächen 16 60 rial, wie z. B. Aluminium oder Gold, werden an den und 29 mit den Enden der Leitungen 33 überein- Enden der Leiter 43, 44 und 46 oder an den Enden stimmen. Danach wird eine innige und direkte Ver- der Leitungen 31 vorgesehen. Diese Erhebungen bebindung zwischen den Kontaktflächen 16 und 29 und wirken einen Abstand des überbrückenden Plättchens den Enden der Leitungen 33 hergestellt, beispiels- von dem Substrat und stellen den Kontakt zu diesem weise durch Ultraschallverbindung oder durch Ther- 65 und den Substratleitungen her. Das Substrat und mokompressionsverbindung. Falls es erwünscht ist, das überbrückende Plättchen werden miteinander einen Abstand zwischen den Körpern 13 und 23 ober- nach einem bekannten geeigneten Verfahren, wie halb der Leitungen 23 vorzusehen, können die Lei- z. B. durch die obenerwähnte Ultraschall verbindung
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oder durch Thermokompressionsverbindung, ver- dünne filmartige Widerstände 62 direkt über einer
bunden. ebenen Fläche des Substrats 61 gebildet sind. Außer-
Durch eine Anordnung, wie sie in F i g. 7 und 8 dem werden auch ein oder mehrere dünne filmartige
gezeigt ist, kann also eine dreischichtige Überbrük- Kondensatoren direkt auf der gleichen ebenen Fläche
kung, d. h. eine Überbrückung, bei der die Leiter in 5 des Substrats 61 in bekannter Weise aufgebracht. Die
drei verschiedenen Ebenen liegen, hergestellt werden. Leitungen 66 werden in dem Substrat angebracht und
Als erste Ebene kann diejenige betrachtet werden, haben frei liegende Flächen, die sich zur Oberfläche
in welcher die Leitungen 31 unmittelbar auf dem Iso- des Substrats erstrecken, und sind mit mehreren Lei-
lierblock 32 verlaufen. Die zweite Schicht ist diejenige tungen 67 verbunden, die auf dem Substrat 61 nach der Leitung 46, die auf der Oberfläche der Isolier- io einem bekannten Verfahren in einer vorbestimmten
schicht 41 auf dem Block 38 liegt. Die dritte Ebene Anordnung gebildet sind. Es sind Halbleiterkörper
enthält die N+-Zonen 39, 40, welche eine Verbin- 68 vorgesehen, bei denen die Flächenübergangsvor-
dung zwischen den Leitungen 43 und 44 herstellen richtungen auf einer ihrer ebenen Oberfläche nach
und mit den Leitungen 31 verbunden sind. Tatsäch- dem vorstehend beschriebenen Verfahren angebracht lieh liegen also bei Fig. 7 die drei Schichten von 15 sind und die mit (nicht dargestellten) Kontaktflächen
Leitungen in parallelen, in einem Abstand vonein- auf der gleichen ebenen Oberfläche versehen sind, die
ander befindlichen Ebenen. mit den Vorrichtungen verbunden sind, so daß, wenn
Obgleich bei der Anordnung nach F i g. 7 und 8 die Körper 68 umgekehrt werden, Verbindungen mit
nur eine einzige diffundierte Überbrückung in Form den Leitungen 67 durch Anwendung von Ultraschallder Zone 39 vorgesehen ist, so können doch, wie 20 oder Therrnokompressionsverbindungen hergestellt
ohne weiteres ersichtlich, auch mehrere diffundierte werden können.
Überbrückungen in dem Halbleiterkörper38 vorge- Mit der in Fig. 11 gezeigten Anordnung werden sehen werden, wenn sie erforderlich sind. Zum Bei- also die dünnen filmartigen Schaltungselemente statt spiel können bis zu zehn Uberbrückungen oder mehr auf einem besonderen Block 13, wie in F i g. 5, direkt in einer einzigen Ebene vorgesehen werden. Wie er- 25 auf dem Substrat 61 gebildet und direkt durch die sichtlich, wird es durch die Anordnung des zusatz- Leitungen 67 mit den Leitungen 66 verbunden. Hierliehen Körpers 38 möglich, Leitungsüberbrückungen bei ist es erforderlich, die Flächenübergangsvorrichzu schaffen, so daß die Leitungen sich gegenseitig tungen auf getrennten Blöcken68, wie in Fig. 11 nicht berühren oder Kontakt miteinander haben. Um gezeigt, zu bilden. Dies ist also eine vereinfachte Andies zu erreichen, werden praktisch die Leitungen von 30 Ordnung, die für die integrierten Schaltungsanorddem Substrat oder Isolierblock 32 in ein Gebiet ober- nungen außerordentlich geeignet ist. Wenngleich halb der übrigen Leitungen angehoben und dann wie- Uberbrückungen nicht in den in Fig. 11 gezeigten der auf das Substrat auf der anderen Seite der Lei- Anordnungen dargestellt sind, so ist doch ohne weitungen zurückgeführt. teres ersichtlich, daß die vorstehend beschriebenen Eine vereinfachte zweischichtige Überbrückung ist 35 Überbrückungen in der integrierten Schaltung nach in Fig. 9 und 10 gezeigt; sie ist brauchbar für An- Fig. 11 erforderlichenfalls benutzt werden können, wendungszwecke, bei denen es nur erforderlich ist, Auch können die in Fig. 11 gezeigten Halbleiter-Mittel zur Überbrückung einer Leitungsgruppe ober- anordnungen in derselben Weise eingekapselt werden halb einer anderen Leitungsgruppe zu bilden. Ist dies wie die Anordnungen nach Fi g. 1 bis 6. der Fall, so wird eine diffundierte Überbrückung 40 Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist nicht benötigt, und es wird ein Körper 51 auf dem in F i g. 12 gezeigt, wobei ein Körper 71 aus geeigne-Isolierkörper 32 angeordnet, der aus beliebigem Iso- tem Isoliermaterial vorgesehen ist. Es werden Leitunliermaterial, wie z. B. Glas oder keramischem Stoff, gen 72 in den Körper eingeformt oder eingepreßt; bestehen kann. Auf die Unterfläche des Körpers 51 diese sind mit Teilen 72 α versehen, die sich durch werden mehrere Überbrückungsleitungen 52 aufge- 45 die Oberseite des Körpers erstrecken. Bei der in dampft, um eine Gruppe von im Abstand vonein- F i g. 12 gezeigten Halbleiteranordnung sind zwei geander befindlichen parallelen Leitungen herzustellen. trennte Körper 73 und 74 vorgesehen. Bei einem der Diese Leitungen können über erhöhte Teile, Wulste Körper, wie z. B. dem Körper 73, können die dün- oder Perlen 34 an die Leitungen 33 angeschlossen nen filmartigen Schaltungselemente auf seiner einen werden, wobei diese Wulste entweder an die Leitun- 50 Flachseite angebracht sein, während der andere Körgen 33 oder die Überbrückungsleitungen 52 angelegt per, z. B. der Körper 74, die Flächenübergangsanordwerden. Die Überbrückungsleitungen 52 werden dann nungen der auf einer Flachseite davon gebildeten durch eine Ultraschallverbindung, eine Thermokom- integrierten Schaltungsanordnung ebenfalls aufweisen pressionsverbindung od. dgl. mit den Substratleitun- kann. Kontaktflächen (nicht dargestellt) sind auf beigen 33 verbunden. Bei einer solchen Anordnung kön- 55 den Körpern in einer vorbestimmten Anordnung vornen bestimmte Leitungen 33 oberhalb anderer der gesehen; zwischen diesen Kontaktflächen wird der Leitungen 33 verlaufen, wie dies im einzelnen in Kontakt dadurch hergestellt, daß die Körper mit F i g. 9 und 10 gezeigt ist. ihren Vorderseiten zusammengelegt bzw. einer der Nachdem die Blöcke 13, 23 und 38 mit den Lei- Körper umgekehrt auf den anderen gelegt wird tungen33 verbunden worden sind, kann die gesamte 60 (Fig. 12). Zwischen den Kontaktflächen wird in geAnordnung eingekapselt werden. Dazu wird eine Ab- eigneter Weise, beispielsweise durch Ultraschallverdeckung 56 aus Isoliermaterial über der Oberseite bindung oder Thermokompressionsverbindung, unter der integrierten Schaltung angebracht und der Zwi- Verwendung von Kugeln 76 aus einem geeigneten schenraum mit einer geeigneten Glasur 57 ausgefüllt, Material, wie z. B. Gold, ein Anschluß hergestellt, so daß der Block 32 als Substrat dient. 65 Aus der Anordnung nach F i g. 12 ist ersichtlich, In Fig. 11 ist eine andere Ausführungsform ge- daß einer der Körper beträchtlich größer als der anmaß der Erfindung gezeigt, bei der ein isolierender dere ist, so daß einer der Körper in einer Ausneh-Körper oder ein Substrat 61 vorhanden ist, auf dem mung 78 in dem Isolierblock 71 und der andere Kör-
per 73 oberhalb der Oberseite des Isolierkörpers 71 angeordnet sein kann. Dies macht es möglich, daß die (nicht dargestellten) Kontaktflächen auf dem Körper 73 mit Leitungen 81 Kontakt machen, die auf der oberen Flachseite des Isolierkörpers 71 in üblieher Weise angebracht sind. Dieser Kontakt kann auch durch Ultraschallverbindung oder Thermokompressionsverbindung unter Verwendung der Goldkugeln 76 hergestellt werden. Die ganze integrierte Schaltungsanordnung kann dann hermetisch durch Verwendung einer Abdeckung 84 aus Isoliermaterial verschlossen werden, die mit einer Ausnehmung 86 zur Aufnahme des Körpers 73 versehen ist. Der Verschluß der Abdeckung 84 auf dem Isolierkörper 71 kann durch Isoliermaterial, ζ. Β. durch eine Glasur 87, erfolgen.
Die Anordnung nach Fig. 12 ist insofern besonders vorteilhaft, als dadurch, daß die Leitungen 72 sich in den Isolierkörper 71 erstrecken und ihre Teile 72 a nach oben zur Flachseite hin verlaufen, ao es leichter ist, einen guten hermetischen Anschluß zwischen dem Deckel 84 und dem Substrat 71 zu erhalten.

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Integrierte Schaltungsanordnung, bestehend aus mehreren Plättchen, die auf einem wenigstens teilweise aus einem isolierenden Werkstoff gebildeten starren Körper mit mehreren metallischen Dünnschicht-Leitungen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Halbleiterplättchen (23), das flächenförmige Schaltelemente (24, 26) sowie mit diesen verbundene und in der gleichen Ebene liegende Kontaktflächen (29) aufweist, und wenigstens ein weiteres, aus einem isolierenden Werkstoff bestehendes und ausschließlich passive Schaltelemente (14, 27) tragendes Plättchen (13), das mit den passiven Schaltelementen verbundene Kontaktflächen (16) aufweist, vorgesehen sind, wobei auf dem starren Körper (32, 61) ein oder mehrere Halbleiterplättchen und ein oder mehrere Isolierplättchen in einer solchen Weise angeordnet sind, daß sich die Kontaktflächen der auf dem starren Körper befindlichen Leitungen (33) und die auf den Halbleiterplättchen sowie auf den Isolierplättchen befindlichen Kontaktflächen einander gegenüberliegen, und daß Vorrichtungen (34) zur elektrischen Verbindung zwischen den verschiedenen Kontaktflächen vorgesehen sind.
2. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Überbrükkungskörper (38, 51) mit wenigstens einem auf diesem angeordneten Leitungsstreifen (39, 40), wobei der Uberbrückungskörper und der starre Körper (32, 61) in einer solchen Weise angeordnet sind, daß wenigstens ein Leitungsstreifen auf dem Uberbrückungskörper in einem Abstand über eine Leitung (33) hinweggeführt ist und bestimmte Abschnitte des Leitungsstreifens den Kontaktflächen zweier getrennter Leitungen gegenüberliegen, und durch Vorrichtungen (34) zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen den bestimmten Abschnitten des Leitungs-Streifens und den Kontaktflächen sowie zwischen den beiden getrennten Leitungen.
3. Integrierte Schaltungsanordnung nach An-
spruch 1, gekennzeichnet durch einen Überbrükkungskörper (38) aus Halbleitermaterial, der an einer Oberfläche eine durch einen innerhalb des Überbrückungskörpers liegenden Anschlußpunkt begrenzte leitfähige Zone (40) aus einem Halbleitermaterial und einen diese leitfähige Zone überlagernden und auf dem Uberbrückungskörper ausgebildeten Belag (41) aus einem isolierenden Werkstoff sowie zwei getrennte, durch den isolierenden Belag hindurchgeführte und mit der leitfähigen Zone in Kontakt stehende Leitungsstreifen (43, 44) aufweist, wobei der Überbrükkungskörper in einer solchen Weise angeordnet ist, daß seine leitfähige Zone in einem Abstand von wenigstens einer auf dem starren Körper befindlichen Leitung (33) über diese hinweggeführt ist und die Leitungsstreifen den Kontaktflächen zweier getrennter Leitungen auf dem starren Körper gegenüberliegen, und daß Vorrichtungen (34) zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen den Leitungsstreifen und den Kontaktflächen der zwei getrennten Leitungen vorgesehen sind, so daß die leitfähige Zone und die an dieser befestigten Leitungsstreifen einen Teil des durch die flächenförmigen Schaltungselemente und die passiven Stromkreiselemente gebildeten elektrischen Stromkreises bilden.
4. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Uberbrückungskörper (38) einen zusätzlichen Leitungsstreifen (46) trägt, der aus einem dünnen, auf den isolierenden Belag (41) aufgebrachten, wenigstens einem Abschnitt der leitfähigen Zone aus Halbleitermaterial gegenüberliegenden, diesem gegenüber durch den Belag (41) aus isolierendem Werkstoff isolierten Metallfilm besteht und in einem Abstand einer auf dem starren Körper befindlichen Leitung (31) gegenüberliegt, wobei bestimmte Abschnitte dieses zusätzlichen Leitungsstreifens zwei weitere, getrennte Leitungen (31) auf dem starren Körper überlagern, und daß Vorrichtungen (34) zum Herstellen elektrischer Verbindung zwischen dem zusätzlichen Leitungsstreifen und bestimmten Flächen der beiden weiteren, getrennten Leitungen vorgesehen sind, so daß der zusätzliche Leitungsstreifen (46) einen Teil des durch die flächenförmigen Schaltungselemente und die passiven Stromkreiselemente gebildeten elektrischen Stromkreises bildet.
5. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen aus Halbleitermaterial bestehenden Uberbrückungskörper (38), der an einer Oberfläche eine durch einen Anschlußpunkt begrenzte und von einem Isolationsbelag (41) überdeckte, leitfähige Zone (40) aus dem Halbleitermaterial, mehrere durch den Isolationsbelag hindurchgeführte und mit der leitfähigen Zone in Kontakt stehende Kontaktelemente (43, 44, 46) sowie einen Leitungsstreifen (40) aufweist, von welchem bestimmte Abschnitte an dem Isolationsbelag (41) anhaften und die leitfähige Zone überbrücken, wobei der Überbrückungskörper in einer solchen Weise angeordnet ist, daß die leitfähige Zone und der Leitungsstreifen die Leitungen (33) auf dem starren Körper unter Belassung eines Abstandes überbrücken, und schließlich durch Vorrichtungen (34) zum Herstellen einer elektrischen Verbin-
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dung einerseits zwischen den Kontaktelementen und den Kontaktflächen zweier getrennter Leitungen und andererseits zwischen bestimmten Abschnitten des Leitungsstreifens und den Kontaktflächen zweier getrennter Leitungen, wobei die leitfähige Zone und der Leitungsstreifen zur Verbindung der getrennten Leitungen miteinander dienen.
6. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch mehrere in ge- ίο genseitigen Abständen und gegeneinander isoliert an dem starren Körper tragend befestigten Leitungsdrähten (31, 66).
7. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus einem isolierenden Werkstoff bestehendes Plättchen (73) mit einer im wesentlichen ebenen Oberfläche, auf der mehrere metallische Leitungen in gegenseitigen Abständen angeordnet sind, wobei alle Abschnitte der Leitungen fest mit der Ober- ao fläche des Plättchens verbunden sind und von diesem getragen werden, sowie ein Isolierkörper (71), der eine Ausnehmung (78) aufweist, mehrere Leitungsdrähte (72) trägt und in einer solchen Weise angeordnet ist, daß die auf dem isolierenden Plättchen angeordneten Leitungen den Leitungsdrähten auf dem Isolierkörper gegenüberliegen und diese berühren, vorgesehen sind, wobei das Halbleiterplättchen (74) in der Ausnehmung des Isolierkörpers, diesen jedoch nicht berührend, angeordnet ist und wenigstens einige Kontaktkissen den Leitungen auf dem isolierenden Plättchen gegenüberliegen und fest mit diesen verbunden sind, und wobei das Halbleiterplättchen nur von den Leitungen an dem isolierenden Plättchen gehalten wird.
8. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen (74) flächenfönnige Schaltungselemente (24, 26) und das isolierende Plättchen (73) mit den auf dem Plättchen angeordneten Leitungen verbundene passive Schaltungselemente trägt.
9. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der tragende Aufbau der Anordnung mit einer Ummantelung (82) versehen ist, die das isolierende Plättchen und das Halbleiterplättchen hermetisch abschließt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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