KR970054308A - 고상 화상 형성 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 고상 화상 형성 장치는 광전 변환부, 수직 전하 전송부, 수평 전하 전송부, 불필요한 전하 방출 영역을 포함하고 있다. 수평 전하 전송부의 채널 영역과 불필요한 전하 방출 영역은 동일한 불순물 프로필을 갖는다. 수평 전하 전송부의 채널 영역에는 제1전압이 인가되어 공핍상태로 되고 불필요한 전하 방출 영역에는 제2전압이 인가되어 비공핍 상태가 된다.

Description

고상 화상 형성 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따라 수평 전하 전송부에 인접한 전하 방출부를 갖는 고상 화상 형성 장치의 구성을 도시한 개략도.

Claims (14)

  1. 고상 화상 형성 장치에 있어서, 광전 변환부와, 상기 광전 변환부에 인접 배치된 수직 전하 전송부와, 상기 수직 전하 전송부의 한 단에 인접 배치되어 상기 수직 전하 전송부로부터 전송되어지는 전하를 수용하는 수평 전하 전송부와, 상기 수평 전하 전송부에서 오버플로우된 전하를 수용하는 불필요한 전하 방출 영역을 포함하며, 상기 수평 전하 전송부의 채널 영역과 상기 불필요한 전하 방출 영역은 동일한 불순물 프로필을 가지며, 상기 수평 전하 전송부의 상기 채널 영역에는 제1전압이 인가되어 공핍 상태로 되고, 상기 불필요한 전하 방출 영역에는 제2전압이 인가되어 비공핍 상태로 되어지는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전압은 상기 불필요한 상기 불필요한 전하 방출 영역의 한 단에 제공된 확산층을 통해 상기 불필요한 전하 방출 영역에 인가되어지는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수평 전하 전송부의 상기 채널 영역의 한 단에 제공된 확산층을 통해 상기 수평 전하 전송부의 상기 채널 영역에 인가되어지는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 모든 수평 전하 전송 전극에는 고레벨 전압이 동시에 인가되어지는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불필요한 전하 방출부에 인가되는 전위는 상기 불필요한 전하 방출부가 공핍 상태일때의 전위 보다 0.5V 만큼 또는 그 이상 낮은 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 불필요한 전하 방출부에 인가되는 전위는 상기 불필요한 전하 방출부가 공핍 상태일때의 전위 보다 0.5V 만큼 또는 그 이상 낮은 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  7. 고상 화상 형성 장치에 있어서, 제1전도형을 갖는 반도체 층과, 상기 반도체 층 상에 형성되며 제2전도형을 가지며 제1전압이 인가되어 공핍 상태로 되는 제1부분, 제2전압이 인가되어 비공핍 상태로 되는 제2부분 및 상기 제1부분과 상기 제2부분 사이에 제3부분을 갖고 있는 반도체 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체층 상에 형성되며 상기 반도체 영역에 전기 접속되는 다른 반도체 영역을 더 포함하며, 상기 다른 반도체 영역은 상기 제2전도형을 가지며 상기 제2전압이 인가되어져 상기 제2전압은 상기 다른 반도체 영역을 통해 상기 반도체 영역에 인가되어지는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체 영역상에 형성된 다수의 전극을 더 포함하며, 상기 다수의 모든 전극에는 고레벨 전압이 동시에 인가되어지는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제2전압은 상기 제2영역이 공핍 상태일때의 전위보다 0.5V 만큼 또는 그 이상 낮은 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  11. 전하를 전송하는 시프트 레지스터와, 상기 시프트 레지스터에 결합되어 상기 전하를 전압으로 변환시키는 출력 회로를 포함하며, 상기 출력 회로를 리셋트 전압이 공급되어지는 영역과, 상기 시프트 레지스터의 과대 전하를 드레인 시키도록 인가되며 상기 리셋트 전압과는 다른 드레인 전압이 인가되어지는 오버플로우 드레인 영역을 갖는 리셋트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 시프트 레지스터는 상기 오버플로우 드레인 영역의 불순물 농도와 동일한 불순물 농도를 갖는 매립형 채널 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 드레인 전압은 상기 오버플로우 드레인 영역을 완전히 공핍 상태로 만들지 않을 정도의 전압을 취하는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 오버플로우 드레인 영역은 적어도 하나의 전위 장벽 영역을 통해 상기 매립형 채널 영역에 결합되는 것을 특징으로 하는 고상 화상 형성 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960065699A 1995-12-15 1996-12-14 고상 화상 형성 장치 KR100212612B1 (ko)

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