JPS5831671A - 電子カメラ - Google Patents
電子カメラInfo
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- JPS5831671A JPS5831671A JP56129760A JP12976081A JPS5831671A JP S5831671 A JPS5831671 A JP S5831671A JP 56129760 A JP56129760 A JP 56129760A JP 12976081 A JP12976081 A JP 12976081A JP S5831671 A JPS5831671 A JP S5831671A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は固体撮像素子を用、いた電子カメラに関する
。
。
一般に、写真をとるにはカメラを用いてフィルムを露光
し、このフィルムを印画紙に焼付けることが行なわれて
いる。近年は、フィルムを露光する代わりに、光学情報
１＋電気信号に変換して、これを磁気テープ等に記憶し
て、ｖｎら八−ドコピーをつくる、いわゆる、電子カメ
ラにより画像の作成が行なわれ甘いゃ、ここで、電気的
な画像信号を得るための撮像手段としては、ＣＣＤ等の
固体撮像素子を用いることが、小量化の点で有潤であり
、一般に％固体撮像素子は尤に応じて信号電荷を発生す
る受光■と、受光部で得られた信号電荷を転送、し出力
する転送Ｓｔ−有する。ここで、受光部に元を照射しな
いときでも−受ｙｔｓや転送■に不要電荷が存在すり場
合もある。そのため、従来の電子カメラは１シヤツタ釦
が押されると、受光■や転送−内の不要電荷を排出させ
るために、数ｓｉ＋園分の転送をわち、シャツタ釦が押
されてから実際にν゛ヤツタ開かれるまでに、数ｉｊ面
分の転送時間（約０、２〜１秒）だけ遅り時間があるの
で、シャッタチャンスを失う虞れがある。
し、このフィルムを印画紙に焼付けることが行なわれて
いる。近年は、フィルムを露光する代わりに、光学情報
１＋電気信号に変換して、これを磁気テープ等に記憶し
て、ｖｎら八−ドコピーをつくる、いわゆる、電子カメ
ラにより画像の作成が行なわれ甘いゃ、ここで、電気的
な画像信号を得るための撮像手段としては、ＣＣＤ等の
固体撮像素子を用いることが、小量化の点で有潤であり
、一般に％固体撮像素子は尤に応じて信号電荷を発生す
る受光■と、受光部で得られた信号電荷を転送、し出力
する転送Ｓｔ−有する。ここで、受光部に元を照射しな
いときでも−受ｙｔｓや転送■に不要電荷が存在すり場
合もある。そのため、従来の電子カメラは１シヤツタ釦
が押されると、受光■や転送−内の不要電荷を排出させ
るために、数ｓｉ＋園分の転送をわち、シャツタ釦が押
されてから実際にν゛ヤツタ開かれるまでに、数ｉｊ面
分の転送時間（約０、２〜１秒）だけ遅り時間があるの
で、シャッタチャンスを失う虞れがある。
こ０ン発明の目的は撮儂動作前に不要電荷の排出に要す
る時間を短縮することができる固体撮像素子を用いた電
子カメラを提供することである。
る時間を短縮することができる固体撮像素子を用いた電
子カメラを提供することである。
以下％ｒＩＩ面を参照してこの発明による電子カメラの
一実施例を説明する。第１図はその概略的な構成図であ
る。一端が開口されているｙｔ、ｊＩ蔽筒１１が本体１
０内に設けられる。光履蔽簡１２の開口吻にはレンズ１
４が設けられている。
一実施例を説明する。第１図はその概略的な構成図であ
る。一端が開口されているｙｔ、ｊＩ蔽筒１１が本体１
０内に設けられる。光履蔽簡１２の開口吻にはレンズ１
４が設けられている。
光壇蔽筒１２の内部にはシャッタｔｔＸ、＠体操惜素子
１８も設けられ、−レンズ１４を介して入射された光が
シャッタ１６を介して固体撮像素子１８へ照射される０
種々の制御信号を発生する駆動制御回路２０の出力信号
がりヤツタｉ６ｍ固体操儂素子１８に供給される。８１
体撮像素子１８の出力信号は信号部ｍ回路２ｚを介して
記録部２４へ供給され、磁気テープ等の記録媒体に記録
される。
１８も設けられ、−レンズ１４を介して入射された光が
シャッタ１６を介して固体撮像素子１８へ照射される０
種々の制御信号を発生する駆動制御回路２０の出力信号
がりヤツタｉ６ｍ固体操儂素子１８に供給される。８１
体撮像素子１８の出力信号は信号部ｍ回路２ｚを介して
記録部２４へ供給され、磁気テープ等の記録媒体に記録
される。
′＠２図は固体撮像素子１８の平面図である。
半導体基板３０上に受光素子としてのフォトダイオード
８．１〜８Ｍ１ｆがＭ行Ｎ列のマトリクス状に形成され
受光部となり、各列のフォトダイオードの隣りｌこ列転
送部Ｃ１〜Ｃｘが設けられる６列転送ｓｅｔ〜ＣＭの一
端には、これと直交する行転送［ｌ１３７が設けられる
０列転送ＷｊＡＣ＊−Ｃ１１と行転送８Ｂｊｊは埋込み
チャンネル＠ ＣＣＤシフトレジスタη１らなり、ｙｔ
ｍ蔽され、ている０列転送部Ｃ３〜ＣＭと行転送ｓ１１
は図示してはいないが、駆動制御回路２０に接続される
多数の転送電極を有する１行転送１１３１の一端は出力
層Ｓ４と電源端Ｓ６に接続される。
８．１〜８Ｍ１ｆがＭ行Ｎ列のマトリクス状に形成され
受光部となり、各列のフォトダイオードの隣りｌこ列転
送部Ｃ１〜Ｃｘが設けられる６列転送ｓｅｔ〜ＣＭの一
端には、これと直交する行転送［ｌ１３７が設けられる
０列転送ＷｊＡＣ＊−Ｃ１１と行転送８Ｂｊｊは埋込み
チャンネル＠ ＣＣＤシフトレジスタη１らなり、ｙｔ
ｍ蔽され、ている０列転送部Ｃ３〜ＣＭと行転送ｓ１１
は図示してはいないが、駆動制御回路２０に接続される
多数の転送電極を有する１行転送１１３１の一端は出力
層Ｓ４と電源端Ｓ６に接続される。
行転５ｍ５ｚのｃの一端付近の断ｍａＪｋｍ ａ図に示
す、ＰｆＩ１１基板４０の表向領域にＮｊｌ（２Ｊ場込
冬チヤンネル４１が形成されチャフネル４ｚ内で出力ｍ
Ｊｌ ４ ＣＩＪ電荷検出部となる領域と電源端Ｓσ
に対応する領域はＮ＋層のドレイン４４゜４＃とじて形
成されている。Ｐ層着［４０ｍすなわち％埋込みチャン
ネル４２＆Ｊ上には酸化膜４８を介して転送電極６０ａ
ａｌＯｂｍｌＯＣ−出力電極５２％ リセット電極５４
が設けられている。
す、ＰｆＩ１１基板４０の表向領域にＮｊｌ（２Ｊ場込
冬チヤンネル４１が形成されチャフネル４ｚ内で出力ｍ
Ｊｌ ４ ＣＩＪ電荷検出部となる領域と電源端Ｓσ
に対応する領域はＮ＋層のドレイン４４゜４＃とじて形
成されている。Ｐ層着［４０ｍすなわち％埋込みチャン
ネル４２＆Ｊ上には酸化膜４８を介して転送電極６０ａ
ａｌＯｂｍｌＯＣ−出力電極５２％ リセット電極５４
が設けられている。
ドレイン４ａ、４ｇの上にはそれぞれアルミニウム電極
５・６，５Ｂが接触される。アルミニウム電極Ｊ １ハ
ＭＯ８Ｆ Ｂ ７６０Ｃ１）ケ−） ニ接続され！、
ＭＯ８ＰＩＴ ＃ ＃ｃｌＪドレインは電＠＠ｉｓにソ
ースは出力ｆ４３４に接続されるときもに一抵抗６４を
介して接地される。アル１＝クム電極５８は電源＠Ｓａ
を介して正の直流電源−６に接続される。ｔた％’Ｉ’
ｍｔｓｌ１４ｏは接地される。
５・６，５Ｂが接触される。アルミニウム電極Ｊ １ハ
ＭＯ８Ｆ Ｂ ７６０Ｃ１）ケ−） ニ接続され！、
ＭＯ８ＰＩＴ ＃ ＃ｃｌＪドレインは電＠＠ｉｓにソ
ースは出力ｆ４３４に接続されるときもに一抵抗６４を
介して接地される。アル１＝クム電極５８は電源＠Ｓａ
を介して正の直流電源−６に接続される。ｔた％’Ｉ’
ｍｔｓｌ１４ｏは接地される。
酸化膜４１の表面には透光膜６８が形成される。
列転送Ｓ ａｔ〜ＣＩＱＪ断面構造は行転送ｔａｘｓと
同様であるので図示は省略する。すなわち％１１８３［
：おいて、出力−がな゛い場合と同じである。
同様であるので図示は省略する。すなわち％１１８３［
：おいて、出力−がな゛い場合と同じである。
次に、この実施例の動作を説明する°、′Ｊ１１込みチ
ャンネル４２は直流電源６６によって逆バイアスにされ
ているためｔチャンネル４Ｍ内には常に空乏層ｉ存在す
る。そＱｐ結果、シャッタｌ＃が開く前に列転送１ｉｆ
ｅｓ〜Ｃｗと行転率ｍｓｚ内に発生する不要電荷は電源
端１６を介して外部に排出されることになり、転送部内
ζζは残らない、そのため、この実施例によれば、シャ
ッタ動作前に受光部内の不要電荷を排出すればよい。
ャンネル４２は直流電源６６によって逆バイアスにされ
ているためｔチャンネル４Ｍ内には常に空乏層ｉ存在す
る。そＱｐ結果、シャッタｌ＃が開く前に列転送１ｉｆ
ｅｓ〜Ｃｗと行転率ｍｓｚ内に発生する不要電荷は電源
端１６を介して外部に排出されることになり、転送部内
ζζは残らない、そのため、この実施例によれば、シャ
ッタ動作前に受光部内の不要電荷を排出すればよい。
一般１ｃ％転送部には受光部の数倍もの不要電荷が存在
するので、受光部内のみの不要電荷を排出する時間は、
従来ＣＤよう−こ受光部と転送部内の不要電荷を排出す
る時間の数分の−でよい。
するので、受光部内のみの不要電荷を排出する時間は、
従来ＣＤよう−こ受光部と転送部内の不要電荷を排出す
る時間の数分の−でよい。
すなわち、従来では、数回面分の電荷の転送時間が必要
であったが、この実施例化よれば、一画面分の電荷の転
送時間ですむ、そのため、シャツタ釦を押してから、す
ぐ、シャッタを開くことができ亀シャッタチャンスを失
うことがない、この実施例では、シャツタ釦が押される
と、駆動制御回路２０は固体撮像素子１８に一画面分の
電荷転送を行なわせる転送信号を供給する。その後、駆
動制御回路２０はシャッタ１６を所定期間だけ開かせた
後、固体操像素子１１へ転送信号を供給し１画像信号を
出力させる。この画像信号が信号処理回路２ｚで符号化
され記鎌ＷＡ１４で記−される。
であったが、この実施例化よれば、一画面分の電荷の転
送時間ですむ、そのため、シャツタ釦を押してから、す
ぐ、シャッタを開くことができ亀シャッタチャンスを失
うことがない、この実施例では、シャツタ釦が押される
と、駆動制御回路２０は固体撮像素子１８に一画面分の
電荷転送を行なわせる転送信号を供給する。その後、駆
動制御回路２０はシャッタ１６を所定期間だけ開かせた
後、固体操像素子１１へ転送信号を供給し１画像信号を
出力させる。この画像信号が信号処理回路２ｚで符号化
され記鎌ＷＡ１４で記−される。
なお、直流電源ｅ＃による電流は暗電流によるものだけ
であ６から、数ｎＡ ＠ｇと小さいので、消費電力は極
めて小さいため常に電圧を印加していてもかまわない。
であ６から、数ｎＡ ＠ｇと小さいので、消費電力は極
めて小さいため常に電圧を印加していてもかまわない。
こ０】発明は埋入チャンネル領域に逆バイアスを印加す
ることを特徴とし、この印加場所は行転送１１３７の出
力端側に限らず、他ｙＩＡＩＩでもよい、または、ＩＪ
４図に示すように、列転送剖Ｃ３〜Ｃ，の行転送１１１
．ｆと反対側の端部に基板ＳＯと逆極性のドレイン領域
ＤＩ−Ｄ）ｌを設け、このドレイン領域り、〜ＤＩＩＮ
：電源＠ｓｅを接続してもよい。
ることを特徴とし、この印加場所は行転送１１３７の出
力端側に限らず、他ｙＩＡＩＩでもよい、または、ＩＪ
４図に示すように、列転送剖Ｃ３〜Ｃ，の行転送１１１
．ｆと反対側の端部に基板ＳＯと逆極性のドレイン領域
ＤＩ−Ｄ）ｌを設け、このドレイン領域り、〜ＤＩＩＮ
：電源＠ｓｅを接続してもよい。
そして−シャツタ釦が押され、フォトダイオード８１１
〜８Ｍ１ｆ内の電荷ｔドレイｙ領域Ｄ１〜Ｄ菖５転送す
れば、行転送ｙａｓｚｐＨ介することなく不要電荷を外
部へ排出することができるので、第１１１施例よりさら
ｋＩａ時間で不要電荷を排出さらに、この発＠１は上４
のようにインクライン転送型の七ν夛に限らず、ライン
アドレス型センナに適用してもよい、あるいは、受光部
とじて光導電膜を利用したものでもよい。
〜８Ｍ１ｆ内の電荷ｔドレイｙ領域Ｄ１〜Ｄ菖５転送す
れば、行転送ｙａｓｚｐＨ介することなく不要電荷を外
部へ排出することができるので、第１１１施例よりさら
ｋＩａ時間で不要電荷を排出さらに、この発＠１は上４
のようにインクライン転送型の七ν夛に限らず、ライン
アドレス型センナに適用してもよい、あるいは、受光部
とじて光導電膜を利用したものでもよい。
以上説明したようにζ（／Ｊ発明によれば１列転送部と
行転送Ｓを構成する埋込みチャンネルセ逆バイアスする
ことで不要な電荷ＱＪ存在を防ぎ、短時間で固体撮像素
子内の不要電荷’に排出することかできる電子カメラを
提供することができる。
行転送Ｓを構成する埋込みチャンネルセ逆バイアスする
ことで不要な電荷ＱＪ存在を防ぎ、短時間で固体撮像素
子内の不要電荷’に排出することかできる電子カメラを
提供することができる。
第１図はこＱＪ発明による電子カメラの一実施例の概略
的な構成図、箇２図はその固体撮像素子の平面図％ｌ＃
１３図はそＱ）固体撮像素子の゛断面−、第４図は他の
実施ガの固体撮像素子の平面囚であ令。 １６・・・シャッタ％２ｏ・・・駆動制御−路％ ８２
・・・出力ｄｌ１％ １６・・・電１端ｓ ４ａ−ｐ
Ｈ１ｌｌｓｌｌｓ４２−Ｎｉｌ埋込みチャンネル％４４
．ｄｉ−Ｎ”出１人代理人 弁理土鈴 江 武 彦
的な構成図、箇２図はその固体撮像素子の平面図％ｌ＃
１３図はそＱ）固体撮像素子の゛断面−、第４図は他の
実施ガの固体撮像素子の平面囚であ令。 １６・・・シャッタ％２ｏ・・・駆動制御−路％ ８２
・・・出力ｄｌ１％ １６・・・電１端ｓ ４ａ−ｐ
Ｈ１ｌｌｓｌｌｓ４２−Ｎｉｌ埋込みチャンネル％４４
．ｄｉ−Ｎ”出１人代理人 弁理土鈴 江 武 彦
Claims (1)
- 牛導体基板と％前記基板上にマトリクス状に配設され受
光量に応じた信号電荷を発生する１数の受光素子からな
る受′１ｔｌｉと、各列の受光素子に対応して前記基板
上に形成され信号電荷を列方向に転送する列転送−と、
前記列転送間の一端の基板上に形成され信号電荷を行方
向ｉζ転送する行転送−とを有する固体撮像素子と一シ
ャッタを有しａｌｅ受光１Ｉｔ−所定期間露光する光学
手段と、前記固体撮像素子へ転送信号を供給する態動手
段と％前記行転送−の出力信号Ｊｋ記帰する手段とを、
真備する電子カメラにおいて、前記列転送鵠と行転送■
は＃ｉ起基板と連部ＩＩＬＩｊｌｉの厘込みチャンネル
からなり一゛カメッ使用状癲にないときも！１ＩＩ４１
Ｎ七厘込みチャシネ〃は逆バイアスの直流電一端Ｅｌｌ
絖されることを特徴とする電子カメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129760A JPS5831671A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 電子カメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129760A JPS5831671A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 電子カメラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831671A true JPS5831671A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15017513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129760A Pending JPS5831671A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 電子カメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990953A (en) * | 1995-12-15 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Solid state imaging device having overflow drain region provided in parallel to CCD shift register |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56129760A patent/JPS5831671A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990953A (en) * | 1995-12-15 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Solid state imaging device having overflow drain region provided in parallel to CCD shift register |
| US6243135B1 (en) | 1995-12-15 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Solid state imaging device having overflow drain region |
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