KR970013394A - 고체촬상 소자의 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CCD(Charge Coupled Device) 영상소자에 관한 것으로, 특히 수직전하 전송영역(VCCD)과 수평전하 전송영역(HCCD)의 각각의 웰의 인터페이스 되는 부분이 수평전하 전송영역(HCCD)내에서 이루어지도록 하여 전하전송 효율(Charge Transfer Efficiency)을 높인 고체촬상 소자의 구조에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 고체촬상 소자는 수직전하 전송영역(VCCD)이 형성된 제2도전형 제3웰과 수평전하 전송영역(HCCD)이 형성된 제2도전형 제2웰의 인터페이스부가 수평전하 전송영역(HCCD)상의 폴리게이트 Ⅰ, Ⅱ 하측의 안쪽영역에 형성되어 이루어진다.

Description

고체촬상 소자의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (a)는 본 발명의 CCD의 구성도, (b)는 본 발명의 CCD의 단면구조 및 포텐셜 프로파일.

Claims (1)

  1. 제1도전형 반도체 기판, 상기 제1도전형 반도체 기판에 형성되는 제2도전형 제1웰과, 상기 제2도전형 제1웰의 영역내에 형성되는 제2도전형 제2, 3웰과, 상기 제2도전형 제3웰 영역내에 형성되어 포토 다이오드 영역에서 생성 된 전하를 상측에 형성된 복수개의 폴리게이트 Ⅰ, Ⅱ에 인가되는 VФ1, VФ2, VФ3, VФ4의 클럭에 의해 수직 방향으로 전송하는 수직전하 전송영역(VCCD)과, 상기 제2도전형 제2 웰 영역내에 형성되어 상기 수직전하 전송영역(VCCD)에서 트랜스퍼 되는 영상신호 전하를 상측에 형성된 복수개의 폴리게이트 Ⅰ, Ⅱ에 인가되는 HФ1, HФ2의 클럭에 의해 수평 방향으로 전송하는 수평전하 전송영역(HCCD)을 구비한 고체촬상 소자에 있어서, 상기 수직전하 전송영역(VCCD)이 형성된 제2도전형 제3웰과 수평전하 전송영역(HCCD)이 형성된 제2도전형 제2웰의 인터페이스부가 수평전하 전송영역(HCCD)상의 폴리게이트 Ⅰ, Ⅱ 하측의 안쪽영역에 형성됨을 특징으로 하는 고체촬상 소자의 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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