KR880002280A - 전하이송형 고체촬상소자 - Google Patents

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KR880002280A
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노리오 고이께
도시후미 오자기
마사아끼 나까이
하루히사 안도오
신야 오오바
히데유끼 오노
하지메 아끼도모
하지메 기누가사
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미따 가쯔시게
가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
다께이 유끼오
히다찌디바이스엔지니어링 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

전하이송형 고체촬상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본원 발명자들이 앞서 제안한 CCD형 고체촬상소자의 구성을 도시한 도면.
제3도는 제2도의 수직 CCD시프트레지스터의 일부를 확대해서 도시한 평면도 및 단면도.
제4도는 본 발명의 일실시예를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 광전변환소자 2, 20 : 수직 CCD시프트레지스터
3, 30 : 수평 CCD시프트레지스터 4-1 : 신호검층회로
7 : 전송 MOS트렌지스터 8 : 반도체기판
13 : 오우버플로우 MOS트랜지스터 21-a, 22-a, 23-a : 게이트전극
21-b, 22-b : 배선 23-b : 플레이트전극
70, 700¹: 전송게이트 210-a, 220-a, 230-a : 게이트전극
210-b, 220-b : 배선 210¹-a : 게이트전극
220¹-a, 230¹-a : 게이트전극 210¹-b, 230-b : 절연분리용플레이트전극
230-R, 230-L : 플레이트전극

Claims (5)

  1. 반도체 기판과, 상기 반도체기판상에 수평 및 수직방향으로 배치형성된 복수의 광전변환소자와, 적어도 2개의 전극이 복수세트로 구성되어서 전하를 수직방향으로 전송하는 복수의 수직 전하전송소자와, 상기수직 전하전송소자의 특정전극을 개재해서 입사광에 따라 상기 각각의 광전변화소자에 축적된 신호전하를 채널아래에 전송하는 복수의 전송게이트와, 상기 수직 전하전송소자로부터 배출된 신호전하를 수평으로 전송하는 수평 전하전송소자를 갖추어서, 상기 2개의 전극중 상기 반도체 기판에 인접하는 쪽의 전극은 상기 수직전하전송소자와 상기 광전변환소자 사이의 화소분리영역에 적어도 형성되어서 절연분리용 전극으로서 기능하도록 구성된 것을 특징으로하는 전하이송형 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서. 상기 2개의 전극중 상기 반도체기판에 인접한쪽의 전극은, 상기 광전변환소자끼리의 사이의 화소분리영역에도 형성되어 있는것을 특징으로하는 전하이송형 고체촬상소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수직 전하전송장치는 3개의 전극세트의 복수개로 구성된 것을 특징으로하는 전하이송형 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화소분리영역상에 형성된 전극을 수평주사기간중에 다른 전극의 전위보다도 저레벨전위로 설정하고, 상기 화소분리영역 아래의 상기 반도체기판을 어큐뮬레이션 상태로 유지하는 것을 특징으로하는 전하이송형 고체촬상소자.
  5. 제1항에 있여서, 상기 광전변환소자와 이것에 인접한 상기 수직 전하전송소자사이의 화소분리영역에, 강한 광이 입사에 의해서 발생한 과잉전하를 외부로 배출하는 오우버플로우 MOS트랜지스터를 형성하고, 이 오우버플로우 MOS트랜지스터의 게이트를 상기 화소분리영역상에 형성된 전극의 일부분으로 구성하는것을 특징으로 하는 전하이송형 고체촬상소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870007209A 1986-07-07 1987-07-07 전하이송형 고체촬상소자 KR900007234B1 (ko)

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JP61-161832 1986-07-11
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