KR970054294A - Ccd형 고체 촬상 장치 - Google Patents

Ccd형 고체 촬상 장치 Download PDF

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KR970054294A
KR970054294A KR1019960074057A KR19960074057A KR970054294A KR 970054294 A KR970054294 A KR 970054294A KR 1019960074057 A KR1019960074057 A KR 1019960074057A KR 19960074057 A KR19960074057 A KR 19960074057A KR 970054294 A KR970054294 A KR 970054294A
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KR
South Korea
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conductive
imaging device
photodiodes
state imaging
ccd
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Application number
KR1019960074057A
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English (en)
Inventor
도오루 우끼따
미찌히로 모리모또
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract

P형 웰 영역은 N형 실리콘 기판의 표면상에 형성된다. 다음은, P형 웰 영역의 표면에는, 포토다이오드를 형성하는 제1N형 확산층이 형성된다. 또, 포토다이오드가 형성되지 않는 P형 웰 영역의 표면에는, 수직 CCD 레지스터를 형성하는 P형 확산층이 형성되고, 그 표면상에는, 제2N형 확산층이 형성된다. 또, 각각의 포토다이오드 주위에는, P+형 분리층이 판독 게이트 영역을 제외하고 형성된다. P+형 분리층은 P형 웰 영역의 불순물 농도보다 더 높은 불순물 농도를 가지며, 포토다이오드들 사이와, 포토다이오드들과 수직 CCD레지스터 사이의 분리를 위한 필요값을 초과하여 필요되는 값보다 더 큰 깊이를 갖는다.

Description

CCD형 고체 촬상 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. CCD형 고체 촬상 장치에 있어서, 제1도전형 반도체 기판과, 상기 제1도전형 반도체 기판의 표면상에 형성된 제2도전형 영역과, 상기 제2도전형 영역의 표면에 선택적으로 형성되고 외부 광선을 전하로 전환시키는, 제1도전형 확산층을 갖는 복수의 포토다이오드와, 상기 제2도전형 영역의 표면에서 상기 포토다이오드들과 이격하여 선택적으로 형성되고, 전하를 전송하기 위하여 상기 포토다이오드들로부터 전하를 수용하는 수직 CCD레지스터들과, 상기 포토다이오드들의 주위와 접촉하여 형성되고, 상기 포토다이오드들 사이와 상기 포토다이오드드로가 상기 수직 CCD레지스터 사이의 상기 제2도전형 영역의 표면에서 전환층이 형성되는 것을 방지하며, 분리층이 이들 사이를 분리시키고, 또한 제2도전형 영역의 불순물 농도보다 더 높은 불순물 농도를 가지면서 분리에 필요한 깊이 이상의 깊이에서 형성되는 제2도전형 분리층과, 상기 수직 CCD 레지스터에서 전하를 수용하여 이 수용된 전하를 전송하는 수평 CCD 레지스터와, 상기 수평 CCD 레지스터로부터 전송된 전하를 검출하여 전하를 전송하는 전하 검출부와, 상기 전하 검출부로부터 전송된 전하를 증폭하여 출력하는 출력증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 분리층은 표면부보다 바닥부에서 더 좁은 폭을 가지며, 상기 제1도전형 확산층은 표면부보다 바닥부에서 더 넓은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 분리층은 깊이 방향에서 균일한 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체 촬상 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2도전형 분리층은 여러 가지의 가속전압으로 복수의 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체 촬상 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2도전형 분리층은 연속적으로 가속전압을 변화시킨 이온주입에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체 촬상 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960074057A 1995-12-26 1996-12-27 Ccd형 고체 촬상 장치 KR970054294A (ko)

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JP95-339400 1995-12-26
JP95-341639 1995-12-27
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JP95-341650 1995-12-27

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JPH09186310A (ja) 1997-07-15

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