JPH04372170A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH04372170A JPH04372170A JP3150156A JP15015691A JPH04372170A JP H04372170 A JPH04372170 A JP H04372170A JP 3150156 A JP3150156 A JP 3150156A JP 15015691 A JP15015691 A JP 15015691A JP H04372170 A JPH04372170 A JP H04372170A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置のうち、
インターライン転送方式を採用する固体撮像装置に関す
る。
インターライン転送方式を採用する固体撮像装置に関す
る。
【０００２】近年、固体撮像装置においては、高解像度
化を図るため、例えば、２５万画素（画素サイズ＝１２
．４×９．９μｍ）から３８万画素（画素サイズ＝８．
５×９．９μｍ）への多画素化が求められている。
化を図るため、例えば、２５万画素（画素サイズ＝１２
．４×９．９μｍ）から３８万画素（画素サイズ＝８．
５×９．９μｍ）への多画素化が求められている。
【０００３】
【従来の技術】従来、インターライン転送方式を採用す
る固体撮像装置として、図７にその要部の概略的平面図
、図８に図７のＡ−Ａ線に沿った断面図、図９に図７の
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図、図１０に図７のＣ−Ｃ線に沿
った断面図を示すようなものが知られている。
る固体撮像装置として、図７にその要部の概略的平面図
、図８に図７のＡ−Ａ線に沿った断面図、図９に図７の
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図、図１０に図７のＣ−Ｃ線に沿
った断面図を示すようなものが知られている。
【０００４】図７において、矢印Ｘは水平方向、矢印Ｙ
は垂直方向を示しており、１Ａは奇数ラインの光電変換
素子、１Ｂは偶数ラインの光電変換素子、２は転送ゲー
ト部、３は垂直転送部、４は垂直転送部３を構成するＮ
拡散層からなる電荷転送路、５−１、５−２、５−３、
５−４は垂直転送部３を構成するポリシリコンからなる
転送電極、６はＰ＋拡散層からなる素子分離領域、７は
アルミニウムからなる遮光層である。なお、転送電極５
−１、５−３は、転送ゲート部２を構成する転送ゲート
電極を兼ねた構成とされている。
は垂直方向を示しており、１Ａは奇数ラインの光電変換
素子、１Ｂは偶数ラインの光電変換素子、２は転送ゲー
ト部、３は垂直転送部、４は垂直転送部３を構成するＮ
拡散層からなる電荷転送路、５−１、５−２、５−３、
５−４は垂直転送部３を構成するポリシリコンからなる
転送電極、６はＰ＋拡散層からなる素子分離領域、７は
アルミニウムからなる遮光層である。なお、転送電極５
−１、５−３は、転送ゲート部２を構成する転送ゲート
電極を兼ねた構成とされている。
【０００５】また、図８において、８は基体をなすＮ型
シリコン基板、９はＰウエル、１０Ａ、１０ＢはＮ＋拡
散層、１１はシリコン酸化膜であり、本実施例において
は、光電変換素子１Ａは、Ｎ＋拡散層１０ＡとＰウエル
９とからなるＮ＋Ｐ接合ダイオードにより構成され、光
電変換素子１Ｂは、Ｎ＋拡散層１０ＢとＰウエル９とか
らなるＮ＋Ｐ接合ダイオードにより構成されている。
シリコン基板、９はＰウエル、１０Ａ、１０ＢはＮ＋拡
散層、１１はシリコン酸化膜であり、本実施例において
は、光電変換素子１Ａは、Ｎ＋拡散層１０ＡとＰウエル
９とからなるＮ＋Ｐ接合ダイオードにより構成され、光
電変換素子１Ｂは、Ｎ＋拡散層１０ＢとＰウエル９とか
らなるＮ＋Ｐ接合ダイオードにより構成されている。
【０００６】なお、この固体撮像装置は、光電変換素子
１Ａ、１Ｂにより発生した信号電荷をＮ＋拡散層１０Ａ
、１０Ｂに蓄積させた後、この信号電荷を転送ゲート部
２、垂直転送部３及び水平転送部（図示せず）を介して
電荷検出部（図示せず）に転送して電気信号として読出
すとするものである。
１Ａ、１Ｂにより発生した信号電荷をＮ＋拡散層１０Ａ
、１０Ｂに蓄積させた後、この信号電荷を転送ゲート部
２、垂直転送部３及び水平転送部（図示せず）を介して
電荷検出部（図示せず）に転送して電気信号として読出
すとするものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来の固体撮像
装置では、例えば、２５万画素から３８万画素への多画
素化を図る場合において、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開
口面積を小さくすると、感度の低下を招いてしまう。
装置では、例えば、２５万画素から３８万画素への多画
素化を図る場合において、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開
口面積を小さくすると、感度の低下を招いてしまう。
【０００８】そこで、かかる従来の固体撮像装置におい
て、感度の低下を招くことなく、多画素化を図ろうとす
る場合には、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開口面積につい
ては、従来通りの大きさとし、この代わりに、垂直転送
部３の電荷転送路４の寸法を小さくする必要がある。し
かしながら、このようにすると、取り扱い電荷量が減少
し、また、転送効率の低下をも招いてしまうという問題
点があった。
て、感度の低下を招くことなく、多画素化を図ろうとす
る場合には、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開口面積につい
ては、従来通りの大きさとし、この代わりに、垂直転送
部３の電荷転送路４の寸法を小さくする必要がある。し
かしながら、このようにすると、取り扱い電荷量が減少
し、また、転送効率の低下をも招いてしまうという問題
点があった。
【０００９】本発明は、かかる点に鑑み、感度の低下及
び垂直転送部における取り扱い電荷量の低下、転送効率
の低下を招くことなく、多画素化を図ることができるよ
うにした固体撮像装置を提供することを目的とする。
び垂直転送部における取り扱い電荷量の低下、転送効率
の低下を招くことなく、多画素化を図ることができるよ
うにした固体撮像装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、半導体基板に光電変換素子を水平及び垂直方向に
行列状に形成すると共に光電変換素子で発生した信号電
荷を垂直方向に転送する垂直転送部を設けてなる固体撮
像装置を改良するものであって、光電変換素子を垂直方
向において素子分離する素子分離領域を遮光せず、受光
領域とするものである。
置は、半導体基板に光電変換素子を水平及び垂直方向に
行列状に形成すると共に光電変換素子で発生した信号電
荷を垂直方向に転送する垂直転送部を設けてなる固体撮
像装置を改良するものであって、光電変換素子を垂直方
向において素子分離する素子分離領域を遮光せず、受光
領域とするものである。
【００１１】
【作用】本発明においては、光電変換素子を垂直方向に
おいて素子分離する素子分離領域を遮光せず、受光領域
としているので、かかる素子分離領域においても、光の
照射による信号電荷が発生することになるが、表面ポテ
ンシャルの関係から、この信号電荷は、隣接する光電変
換素子の電荷蓄積領域に拡散し、蓄積されることになる
。したがって、光電変換素子の開口面積を小さくして多
画素化を図るとしても、感度の低下を招くことがない。 この結果、本発明によれば、垂直転送部の電荷転送路の
寸法を小さくしなくとも、光電変換素子の開口面積を小
さくすることにより、感度の低下及び垂直転送部におけ
る取り扱い電荷量の低下、転送効率の低下を招くことな
く、多画素化を図ることができる。
おいて素子分離する素子分離領域を遮光せず、受光領域
としているので、かかる素子分離領域においても、光の
照射による信号電荷が発生することになるが、表面ポテ
ンシャルの関係から、この信号電荷は、隣接する光電変
換素子の電荷蓄積領域に拡散し、蓄積されることになる
。したがって、光電変換素子の開口面積を小さくして多
画素化を図るとしても、感度の低下を招くことがない。 この結果、本発明によれば、垂直転送部の電荷転送路の
寸法を小さくしなくとも、光電変換素子の開口面積を小
さくすることにより、感度の低下及び垂直転送部におけ
る取り扱い電荷量の低下、転送効率の低下を招くことな
く、多画素化を図ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、図１〜図６を参照して本発明の一実施
例について説明する。なお、図１〜図６において、図７
〜図１０に対応する部分には同一符号を付し、その重複
説明は省略する。
例について説明する。なお、図１〜図６において、図７
〜図１０に対応する部分には同一符号を付し、その重複
説明は省略する。
【００１３】まず、図１及び図２を参照して、本発明の
一実施例の構成について説明する。ここに、図１は本発
明の一実施例の要部を示す概略的平面図、図２は図１の
Ｄ−Ｄ線に沿った断面図であり、図１において、１２は
アルミニウムからなる遮光層である。
一実施例の構成について説明する。ここに、図１は本発
明の一実施例の要部を示す概略的平面図、図２は図１の
Ｄ−Ｄ線に沿った断面図であり、図１において、１２は
アルミニウムからなる遮光層である。
【００１４】また、図１及び図２において、６Ａは、素
子分離領域６のうち、特に、光電変換素子１Ａ、１Ｂを
垂直方向において素子分離する素子分離領域である。即
ち、本実施例においては、遮光層１２は、光電変換素子
１Ａ、１Ｂの上方及び素子分離領域６Ａの上方を除く部
分に設けられており、素子分離領域６Ａは光電変換素子
１Ａ、１Ｂと同様に受光領域とされている。その他につ
いては、図７に示す従来の固体撮像装置と同様に構成さ
れている。
子分離領域６のうち、特に、光電変換素子１Ａ、１Ｂを
垂直方向において素子分離する素子分離領域である。即
ち、本実施例においては、遮光層１２は、光電変換素子
１Ａ、１Ｂの上方及び素子分離領域６Ａの上方を除く部
分に設けられており、素子分離領域６Ａは光電変換素子
１Ａ、１Ｂと同様に受光領域とされている。その他につ
いては、図７に示す従来の固体撮像装置と同様に構成さ
れている。
【００１５】次に、図３〜図６を参照して本実施例の動
作について説明する。ここに、図３は転送電極５−１、
５−２、５−３、５−４に印加する駆動パルスφ１、φ
２、φ３、φ４の一部分を示すタイムチャートであり、
駆動パルスφ１、φ３は、ハイレベル電圧を＋１２［Ｖ
］、ミドルレベル電圧を０［Ｖ］、ローレベル電圧を−
８［Ｖ］とする３値パルスとされており、駆動パルスφ
２、φ４はハイレベル電圧を０［Ｖ］、ローレベル電圧
を−８［Ｖ］とする２値パルスとされている。
作について説明する。ここに、図３は転送電極５−１、
５−２、５−３、５−４に印加する駆動パルスφ１、φ
２、φ３、φ４の一部分を示すタイムチャートであり、
駆動パルスφ１、φ３は、ハイレベル電圧を＋１２［Ｖ
］、ミドルレベル電圧を０［Ｖ］、ローレベル電圧を−
８［Ｖ］とする３値パルスとされており、駆動パルスφ
２、φ４はハイレベル電圧を０［Ｖ］、ローレベル電圧
を−８［Ｖ］とする２値パルスとされている。
【００１６】また、図４〜図６は表面ポテンシャルを示
す図であり、特に、図４（ａ−１）〜（ａ−４）、図５
（ａ−１）〜（ａ−４）、図６（ａ−１）〜（ａ−４）
は図１のＤ−Ｄ線に沿った断面における表面ポテンシャ
ルの状態を示し、図４（ｂ−１）〜（ｂ−４）、図５（
ｂ−１）〜（ｂ−４）、図６（ｂ−１）〜（ｂ−４）は
図１のＥ−Ｅ線に沿った断面における表面ポテンシャル
の状態を示し、図４（ｃ−１）〜（ｃ−４）、図５（ｃ
−１）〜（ｃ−４）、図６（ｃ−１）〜（ｃ−４）は図
１のＦ−Ｆ線に沿った断面における表面ポテンシャルの
状態を示している。
す図であり、特に、図４（ａ−１）〜（ａ−４）、図５
（ａ−１）〜（ａ−４）、図６（ａ−１）〜（ａ−４）
は図１のＤ−Ｄ線に沿った断面における表面ポテンシャ
ルの状態を示し、図４（ｂ−１）〜（ｂ−４）、図５（
ｂ−１）〜（ｂ−４）、図６（ｂ−１）〜（ｂ−４）は
図１のＥ−Ｅ線に沿った断面における表面ポテンシャル
の状態を示し、図４（ｃ−１）〜（ｃ−４）、図５（ｃ
−１）〜（ｃ−４）、図６（ｃ−１）〜（ｃ−４）は図
１のＦ−Ｆ線に沿った断面における表面ポテンシャルの
状態を示している。
【００１７】まず、本実施例においては、１フィールド
（１／６０秒）の期間、光電変換素子１Ａ、１Ｂ及び素
子分離領域６Ａにおいて光の照射による光電変換が行わ
れ、Ｔ＝ｔ１の状態を示す図４（ａ−１）及び図４（ｂ
−１）に示すように、信号電荷ＳＡ、ＳＢがそれぞれ光
電変換素子１Ａ、１ＢのＮ＋拡散層１０Ａ、１０Ｂに蓄
積される。ここに、素子分離領域６Ａで発生する信号電
荷ＱＡ、ＱＢは、図４（ａ−１）に示すように、それぞ
れ隣接する光電変換素子１Ａ、１ＢのＮ＋拡散層１０Ａ
、１０Ｂに拡散し、蓄積される。なお、信号電荷ＱＡと
信号電荷ＱＢとは殆ど等しい電荷量となる。
（１／６０秒）の期間、光電変換素子１Ａ、１Ｂ及び素
子分離領域６Ａにおいて光の照射による光電変換が行わ
れ、Ｔ＝ｔ１の状態を示す図４（ａ−１）及び図４（ｂ
−１）に示すように、信号電荷ＳＡ、ＳＢがそれぞれ光
電変換素子１Ａ、１ＢのＮ＋拡散層１０Ａ、１０Ｂに蓄
積される。ここに、素子分離領域６Ａで発生する信号電
荷ＱＡ、ＱＢは、図４（ａ−１）に示すように、それぞ
れ隣接する光電変換素子１Ａ、１ＢのＮ＋拡散層１０Ａ
、１０Ｂに拡散し、蓄積される。なお、信号電荷ＱＡと
信号電荷ＱＢとは殆ど等しい電荷量となる。
【００１８】次に、図４（ａ−２）、図４（ｂ−２）、
図４（ｃ−２）に示すように、Ｔ＝ｔ２において、転送
電極５−１に印加されている駆動パルスφ１がハイレベ
ル電圧、＋１２［Ｖ］にされると、光電変換素子１Ａの
Ｎ＋拡散層１０Ａに蓄積されている信号電荷ＳＡは、転
送ゲート部２を介して、転送電極５−１の下方の電荷転
送路４に転送される。このとき、光電変換素子１ＢのＮ
＋拡散層１０Ｂに蓄積されている信号電荷ＳＢは、図４
（ａ−２）に示すように、電荷転送路４には転送されな
い。
図４（ｃ−２）に示すように、Ｔ＝ｔ２において、転送
電極５−１に印加されている駆動パルスφ１がハイレベ
ル電圧、＋１２［Ｖ］にされると、光電変換素子１Ａの
Ｎ＋拡散層１０Ａに蓄積されている信号電荷ＳＡは、転
送ゲート部２を介して、転送電極５−１の下方の電荷転
送路４に転送される。このとき、光電変換素子１ＢのＮ
＋拡散層１０Ｂに蓄積されている信号電荷ＳＢは、図４
（ａ−２）に示すように、電荷転送路４には転送されな
い。
【００１９】次に、Ｔ＝ｔ３〜ｔ７の状態を示す図４（
ｂ−３）、図４（ｂ−４）、図５（ｂ−１）〜図５（ｂ
−３）及び図４（ｃ−３）、図４（ｃ−４）、図５（ｃ
−１）〜図５（ｃ−３）に示すように、信号電荷ＳＡは
、転送電極５−１に隣接する転送電極５−２、５−３に
転送される。
ｂ−３）、図４（ｂ−４）、図５（ｂ−１）〜図５（ｂ
−３）及び図４（ｃ−３）、図４（ｃ−４）、図５（ｃ
−１）〜図５（ｃ−３）に示すように、信号電荷ＳＡは
、転送電極５−１に隣接する転送電極５−２、５−３に
転送される。
【００２０】次に、図５（ａ−４）、図５（ｃ−４）に
示すように、Ｔ＝ｔ８において、転送電極５−３に印加
されている駆動パルスφ３がハイレベル電圧、＋１２［
Ｖ］にされると、光電変換素子１ＢのＮ＋拡散層１０Ｂ
に蓄積されている信号電荷ＳＢは、転送ゲート部２を介
して、転送電極５−３の下方の電荷転送路４に転送され
、信号電荷ＳＡと加算される。
示すように、Ｔ＝ｔ８において、転送電極５−３に印加
されている駆動パルスφ３がハイレベル電圧、＋１２［
Ｖ］にされると、光電変換素子１ＢのＮ＋拡散層１０Ｂ
に蓄積されている信号電荷ＳＢは、転送ゲート部２を介
して、転送電極５−３の下方の電荷転送路４に転送され
、信号電荷ＳＡと加算される。
【００２１】次に、Ｔ＝ｔ９〜ｔ１２の状態を示す図６
（ｂ−１）〜図６（ｂ−４）及び図６（ｃ−１）〜図６
（ｃ−４）に示すように、加算された信号電荷ＳＡ、Ｓ
Ｂは、垂直方向に転送される。このようにして垂直方向
に転送される信号電荷ＳＡ、ＳＢは、１ライン分ずつ水
平転送路（図示せず）に転送され、水平転送路を転送さ
れた後、電荷検出部（図示せず）を介して電気信号とし
て外部に出力される。
（ｂ−１）〜図６（ｂ−４）及び図６（ｃ−１）〜図６
（ｃ−４）に示すように、加算された信号電荷ＳＡ、Ｓ
Ｂは、垂直方向に転送される。このようにして垂直方向
に転送される信号電荷ＳＡ、ＳＢは、１ライン分ずつ水
平転送路（図示せず）に転送され、水平転送路を転送さ
れた後、電荷検出部（図示せず）を介して電気信号とし
て外部に出力される。
【００２２】ここに、１フィールドの期間が終了した後
には、次のフィールド走査が開始されるが、この場合、
図３に示す駆動パルスφ１と駆動パルスφ３とは入れ換
えた波形とされ、駆動パルスφ２と駆動パルスφ４も、
入れ換えた波形とされる。
には、次のフィールド走査が開始されるが、この場合、
図３に示す駆動パルスφ１と駆動パルスφ３とは入れ換
えた波形とされ、駆動パルスφ２と駆動パルスφ４も、
入れ換えた波形とされる。
【００２３】なお、本実施例においては、光電変換素子
１Ａと１Ｂとを垂直方向において素子分離する素子分離
領域６Ａは、転送電極５−１、５−２又は転送電極５−
３、５−４で覆われているが、転送電極５−１、５−３
には３値パルスである駆動パルスφ１、φ３が印加され
、転送電極５−２、５−４には２値パルスである駆動パ
ルスφ２、φ４が印加されるので、駆動パルスφ１、φ
３のミドルレベル電圧である０［Ｖ］において光電変換
素子１Ａと光電変換素子１Ｂとを素子分離できる不純物
濃度としておくことが好適である。
１Ａと１Ｂとを垂直方向において素子分離する素子分離
領域６Ａは、転送電極５−１、５−２又は転送電極５−
３、５−４で覆われているが、転送電極５−１、５−３
には３値パルスである駆動パルスφ１、φ３が印加され
、転送電極５−２、５−４には２値パルスである駆動パ
ルスφ２、φ４が印加されるので、駆動パルスφ１、φ
３のミドルレベル電圧である０［Ｖ］において光電変換
素子１Ａと光電変換素子１Ｂとを素子分離できる不純物
濃度としておくことが好適である。
【００２４】かかる本実施例よれば、光電変換素子１Ａ
、１Ｂを垂直方向において素子分離する素子分離領域６
Ａを遮光せず、受光領域としているので、かかる素子分
離領域６Ａにおいても、光の照射による信号電荷ＱＡ、
ＱＢが発生するが、表面ポテンシャルの関係から、これ
ら信号電荷ＱＡ、ＱＢは、隣接する光電変換素子１Ａ、
１ＢのＮ＋拡散層１０Ａ、１０Ｂに拡散し、蓄積される
。したがって、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開口面積を小
さくして多画素化を図るとしても、感度の低下を招くこ
とがない。この結果、垂直転送部３の電荷転送路４の寸
法を小さくしなくとも、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開口
面積を小さくすることにより、感度の低下及び垂直転送
部３における取り扱い電荷量の低下、転送効率の低下を
招くことなく、多画素化を図ることができる。
、１Ｂを垂直方向において素子分離する素子分離領域６
Ａを遮光せず、受光領域としているので、かかる素子分
離領域６Ａにおいても、光の照射による信号電荷ＱＡ、
ＱＢが発生するが、表面ポテンシャルの関係から、これ
ら信号電荷ＱＡ、ＱＢは、隣接する光電変換素子１Ａ、
１ＢのＮ＋拡散層１０Ａ、１０Ｂに拡散し、蓄積される
。したがって、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開口面積を小
さくして多画素化を図るとしても、感度の低下を招くこ
とがない。この結果、垂直転送部３の電荷転送路４の寸
法を小さくしなくとも、光電変換素子１Ａ、１Ｂの開口
面積を小さくすることにより、感度の低下及び垂直転送
部３における取り扱い電荷量の低下、転送効率の低下を
招くことなく、多画素化を図ることができる。
【００２５】なお、上述の実施例においては、転送電極
５−１及び５−３が転送ゲート部２の転送ゲート電極を
兼ねる構成とされているが、転送電極５−１及び５−３
と転送ゲート部２の転送ゲート電極とを分離し、転送電
極５−１及び５−３に２値の駆動パルスを印加する構成
とすることもでき、この場合には、素子分離領域６Ａが
２値の駆動パルスのハイレベル電圧で光電変換素子１Ａ
と光電変換素子１Ｂとを素子分離できる不純物濃度とし
ておくことが好適である。
５−１及び５−３が転送ゲート部２の転送ゲート電極を
兼ねる構成とされているが、転送電極５−１及び５−３
と転送ゲート部２の転送ゲート電極とを分離し、転送電
極５−１及び５−３に２値の駆動パルスを印加する構成
とすることもでき、この場合には、素子分離領域６Ａが
２値の駆動パルスのハイレベル電圧で光電変換素子１Ａ
と光電変換素子１Ｂとを素子分離できる不純物濃度とし
ておくことが好適である。
【００２６】また、上述の実施例においては、垂直転送
部をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉ
−ｃｅ）で構成した場合について述べたが、この代わり
に、ＢＢＤ（Ｂｕｃｋｅｔ ＢｒｉｇａｄｅＤｅｖｉｃ
ｅ）や、抵抗性ゲート等で構成することもできる。
部をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉ
−ｃｅ）で構成した場合について述べたが、この代わり
に、ＢＢＤ（Ｂｕｃｋｅｔ ＢｒｉｇａｄｅＤｅｖｉｃ
ｅ）や、抵抗性ゲート等で構成することもできる。
【００２７】また、上述の実施例においては、垂直転送
部を４相駆動方式のＣＣＤで構成した場合について述べ
たが、この代わりに、２相駆動、３相駆動方式のＣＣＤ
で構成することもできる。
部を４相駆動方式のＣＣＤで構成した場合について述べ
たが、この代わりに、２相駆動、３相駆動方式のＣＣＤ
で構成することもできる。
【００２８】また、上述の実施例においては、フィール
ド蓄積を行うようにした場合について述べたが、この代
わりに、フレーム蓄積を行うようにすることもできる。
ド蓄積を行うようにした場合について述べたが、この代
わりに、フレーム蓄積を行うようにすることもできる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光電変
換素子を垂直方向において素子分離する素子分離領域を
遮光せず、受光領域としたことにより、かかる素子分離
領域においても信号電荷を発生させ、この信号電荷を隣
接する光電変換素子の電荷蓄積領域に蓄積させることが
できるので、光電変換素子の開口面積を小さくしても、
感度の低下を招くことがなく、この結果、垂直転送部の
電荷転送路の寸法を小さくしなくとも、光電変換素子の
開口面積を小さくすることにより、感度の低下及び垂直
転送部における取り扱い電荷量の低下、転送効率の低下
を招くことなく、多画素化を図ることができる。
換素子を垂直方向において素子分離する素子分離領域を
遮光せず、受光領域としたことにより、かかる素子分離
領域においても信号電荷を発生させ、この信号電荷を隣
接する光電変換素子の電荷蓄積領域に蓄積させることが
できるので、光電変換素子の開口面積を小さくしても、
感度の低下を招くことがなく、この結果、垂直転送部の
電荷転送路の寸法を小さくしなくとも、光電変換素子の
開口面積を小さくすることにより、感度の低下及び垂直
転送部における取り扱い電荷量の低下、転送効率の低下
を招くことなく、多画素化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の要部を示す概略的平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【図３】転送電極に印加される駆動パルスを示すタイム
チャートである。
チャートである。
【図４】図１のＤ−Ｄ線、Ｅ−Ｅ線、Ｆ−Ｆ線に沿った
断面における表面ポテンシャルを示す図である。
断面における表面ポテンシャルを示す図である。
【図５】図１のＤ−Ｄ線、Ｅ−Ｅ線、Ｆ−Ｆ線に沿った
断面における表面ポテンシャルを示す図である。
断面における表面ポテンシャルを示す図である。
【図６】図１のＤ−Ｄ線、Ｅ−Ｅ線、Ｆ−Ｆ線に沿った
断面における表面ポテンシャルを示す図である。
断面における表面ポテンシャルを示す図である。
【図７】従来の固体撮像装置の要部を示す概略的平面図
である。
である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１０】図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
１Ａ、１Ｂ 光電変換素子
２ 転送ゲート部
３ 垂直転送部
４ 電荷転送路
５−１〜５−４ 転送電極
６ 素子分離領域
６Ａ 素子分離領域
７ 遮光層
８ 半導体基板
９ Ｐウエル領域
１０Ａ、１０Ｂ Ｎ＋拡散層
１１ シリコン酸化膜
１２ 遮光層
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板に光電変換素子を水平及び垂直
方向に行列状に形成すると共に前記光電変換素子で発生
した信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部を設けて
なる固体撮像装置であって、前記光電変換素子を垂直方
向において素子分離する素子分離領域を遮光せず、受光
領域としていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】前記垂直転送部を構成する転送電極のうち
、前記素子分離領域の上方に配される転送電極に印加さ
れる駆動パルスが３値パルスである場合、前記素子分離
領域は、前記３値パルスのミドルレベル電圧で素子分離
可能な不純物濃度とされていることを特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】前記垂直転送部を構成する転送電極のうち
、前記素子分離領域の上方に配される転送電極に印加さ
れる駆動パルスが２値パルスである場合、前記素子分離
領域は、前記２値パルスのハイレベル電圧で素子分離可
能な不純物濃度とされていることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150156A JPH04372170A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150156A JPH04372170A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372170A true JPH04372170A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15490732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3150156A Withdrawn JPH04372170A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186310A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3150156A patent/JPH04372170A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186310A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |