JP3718103B2 - 固体撮像装置とその駆動方法、およびこれを用いたカメラ - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003530 single readout Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは、電荷転送デバイス(CCD)を用いた固体撮像装置の駆動方法と、この方法を実施するための構造を備えた固体撮像装置、および固体撮像装置を用いたカメラとに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
CCDを用いた固体撮像装置は、フォトダイオードの光電変換機能により生じた信号電荷をフォトダイオードから垂直転送領域へと読み出し、この信号電荷を垂直転送領域内を転送(以下、「垂直転送」ともいう)し、次いで水平転送領域内を転送(以下、「水平転送」ともいう)するように駆動される。
【0003】
以下、従来の駆動方法の例について図面を参照して説明する。まず、駆動方法の説明に引用する固体撮像装置について、図31と、図31におけるV−V方向の部分断面図である図32とを用いて説明する。この固体撮像装置では、垂直転送電極171が、1つのフォトダイオード(受光部)110について2つの電極を備えている(例えば、電極122,123が1つのフォトダイオードに対応)。これらの電極121,122,,127,,には、信号電荷の垂直転送時に、φV101〜φV104のいずれかの電圧パターンが印加されるように配線されている。基板上に形成された絶縁膜118を介して印加される所定の電圧パターンにより、信号電荷は、n型シリコン基板115のp型ウェル116内に形成された垂直転送領域117内を転送されていく。次いで、信号電荷は、水平転送領域112内を転送され、出力アンプ113に到達する。
【0004】
図示した固体撮像装置において、垂直転送電極171に印加される従来の電圧パターンを図33に示す。電圧パターンφV101〜φV104は、いずれも、高電圧VH、中間電圧VMおよび低電圧VLから選ばれる電圧に所定時間保持されることにより構成される(図中では、各電圧を添え字H,M,Lのみにより表示。以下、同様)。このような電圧パターンが垂直転送電極171に印加されて、垂直転送領域117には、図34に示すポテンシャルの変化が生じる。
【0005】
以下、図34を参照してポテンシャルの変化に伴う信号電荷の転送について説明する。まず、時間t2において、電極123,127には、電圧パターンφV101により高電圧VHが印加され、これに伴う電極123,127下方の垂直転送領域のポテンシャルの上昇により、フォトダイオード110に蓄積された信号電荷101が読み出される。このとき、信号電荷101は、垂直転送方向に配置された1つおきのフォトダイオードから読み出されることになる。一方、残りのフォトダイオードに蓄積された信号電荷102は、時間t5において読み出される。これらの信号電荷101,102は、時間t7において混合され、2フォトダイオード分の信号電荷103として、垂直転送領域内を転送されていく。ここでは、図34に示したように、電極123により読み出された信号電荷は、電極121により読み出された信号電荷と混合される。
【0006】
このような電荷の垂直転送を第1のフィールド(Aフィールド)として、引き続き、第2のフィールド(Bフィールド)が実施される。図示を省略するが、Bフィールドでは、信号電荷101,102の混合に際し、Aフィールドとは異なるもう一つの組み合わせが採用される。したがって、Bフィールドでは、電極123に印加される電圧により読み出された信号電荷は、時間t7において、隣接する他方の電極125に印加される電圧により読み出される信号電荷と混合されることになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、固体撮像装置の小型化および高画素化に伴い、いわゆる飽和特性を維持するために、垂直転送領域における単位面積当たりの取り扱い電荷量を増大させることが望まれている。図32からも明らかなように、垂直転送領域117の取り扱い電荷量を増やすためには、コンデンサの容量増加を図る場合と同様、誘電体として作用する絶縁膜(ゲート絶縁膜)118の膜厚は薄いほうが有利となる。
【0008】
しかしながら、絶縁膜の膜厚を減少させると、固体撮像装置のノイズが増加し、信号電荷の転送効率が低下する。これは、シリコンのアバランシェ降伏と関連している。すなわち、絶縁膜が薄くなるにつれて基板内部に生じる電界が増加し、ついには、シリコンのアバランシェ降伏が生じる電界にまで達する。アバランシェ降伏により発生する電荷の一部は、不要電荷となってノイズ(画像上のいわゆる「白傷状ノイズ」)を誘発する。また、発生する電荷の一部は、絶縁膜にたたき込まれて垂直転送領域内に不均一なポテンシャルを形成し、信号電荷の転送効率を低下させる。
【0009】
また、固体撮像装置では、消費電力を削減するために、低電圧での駆動が望まれているため、読み出し電圧パルスのピーク電位は低いほうがよい。しかしながら、単に読み出し電圧を低下させたのでは、信号電荷の読み出し残りが生じるおそれがある。特に、n型基板内に形成されたp型層内にフォトダイオードが形成されたデバイスでは、p型層の電気抵抗に起因するp型層の電位変動のために、より高い読み出し電圧が必要となるため、上記読み出し残りが問題となり易い。
【0010】
そこで、本発明は、小型化および高画素化した固体撮像装置において、絶縁膜を薄くしても、白傷状ノイズの発生や信号電荷の転送効率低下を抑制する固体撮像装置の駆動方法を提供することを目的とする。また、本発明は、読み出し電圧パルスのピーク電位を下げることができる固体撮像装置の駆動方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、これらの駆動方法に適した構造を備えた固体撮像装置、および固体撮像装置を用いたカメラを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者は、従来の駆動方法では、信号電荷を読み出すために高電圧を印加する電極に隣接する電極に、信号電荷の不要な混合を防止するために、低電圧が印加されていることに着目した。上記に例示した駆動方法に限らず、従来は、信号電荷の読み出し時に、高電圧を印加する電極と低電圧が印加する電極とが隣り合っている。しかし、このような駆動方法では、隣接する電極間の限られたごく狭い空間(例えば、電極間は70nm以下にまで狭小化される場合がある)に高い電圧差が生じ、シリコンのアバランシェ降伏が生じる程度の強い電界が発生しやすくなる。そこで、本発明の第1では、この電圧差を緩和する駆動方法を採用することとした。
【0012】
すなわち、本発明の第1の固体撮像装置の駆動方法は、半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備えた固体撮像装置を用い、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置の駆動方法であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L を印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M を印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すものであり、
さらに、前記信号電荷を前記転送領域へと読み出すときに、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧VHを印加し、
前記読み出し電圧VHが印加される電極間に存在し、前記読み出し電圧VHが印加される電極に隣接しない前記電極の少なくとも一つに、前記読み出し電圧VHよりも低いバリア電圧VLを印加し、かつ
前記読み出し電圧VHが印加される電極に隣接する前記電極に、前記読み出し電圧VHよりも低く前記バリア電圧VLよりも高い中間電圧VMを印加することを特徴とする。
【0013】
本発明の第1の駆動方法によれば、信号電荷の読み出し時に、高電圧である読み出し電圧VHが付与される電極に隣接する電極に、バリア電圧VLよりは高い中間電圧VMが付与されているため、隣接する電極間の電圧差を緩和することができる。
【0014】
なお、本明細書では、電圧の高低を、その絶対値にかかわらず、電位の高低により判断して記載する。
【0015】
また、上記目的を達成するために、本発明者は、読み出し電圧VHを印加しない電極に電圧を印加すれば、受光部の不純物層の電位を、一時的にシフトさせることができる点に着目した。
【0016】
すなわち、本発明の第2の固体撮像装置の駆動方法は、半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備えた固体撮像装置を用い、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置の駆動方法であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L を印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M を印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すものであり、
さらに、前記信号電荷を前記転送領域へと読み出すときに、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に、読み出し電圧VHの印加を開始する時刻よりも所定の時間だけ前の時刻から前記読み出し電圧VHの印加を終了する時刻までの間に、
前記読み出しの対象とする信号電荷が存在する受光部に隣接する前記受光部に対応する前記電極に、前記読み出し電圧VHを印加するときの電圧変化と逆の電圧変化を与えることを特徴とする。
【0017】
また、本発明の第3の固体撮像装置の駆動方法は、半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備えた固体撮像装置を用い、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置の駆動方法であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L を印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M を印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すものであり、
さらに、前記信号電荷を前記転送領域へと読み出すときに、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に、読み出し電圧VHの印加を開始する時刻よりも所定の時間だけ前の時刻から前記読み出し電圧VHの印加を終了する時刻までの間に、
前記読み出し電圧VHが印加される電極以外であってこの電極に隣接しない前記電極に、前記読み出し電圧VHを印加するときの電圧変化と逆の電圧変化を与えることを特徴とする。
【0018】
本発明の第2および第3の駆動方法によれば、信号電荷の読み出し時に、受光部内の不純物層の電位が、一時的に、読み出し電圧により印加される電位とは逆にシフトする。このため、読み出し残りを生じさせずに信号電荷を読み出すための電圧が低くなる。
【0019】
しかも、上記第2の駆動方法によれば、電極間の容量結合による読み出し電圧が印加された読み出し電極の電位低下が抑制されている。すなわち、同一の受光部に対応する電極は、当該受光部を介して容量結合した状態にあるが、上記第2の駆動方法では、同一の受光部に対応しない電極に上記逆の電圧変化を与えているため、上記容量結合による読み出し電圧が印加された読み出し電極の電位低下が生じにくい。
【0020】
また、上記第3の駆動方法によれば、隣接する電極間の電圧差を緩和するために、前記読み出し電圧VHが印加される電極に隣接しない前記電極に、前記逆の電圧変化を与えることとしている。
【0021】
本発明の駆動方法を実施するときには、読み出した信号電荷の転送についても、固体撮像装置のいわゆるゲート数(受光部1つに対応する転送電極の電極数)に応じた更なる工夫を講じることが好ましい。
【0022】
例えば、いわゆる2ゲートの固体撮像装置(図31に示したように、複数の受光部が行列状に配置され、転送領域が垂直転送領域であり、垂直転送領域の端部には水平転送領域が接続しており、垂直転送電極において受光部ごとに2つの電極が対応する固体撮像装置)を用いる場合には、垂直転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とから、信号電荷を、上記方法により個別に読み出すこととして、この信号電荷の転送については、
前記第1の受光部群に属する受光部から読み出した第1の信号電荷を、前記第2の受光部群に属する受光部に対応する電極下方の前記垂直転送領域にまで転送し、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すとともに前記第1の信号電荷と混合し、混合した信号電荷をさらに前記垂直転送領域内を前記水平転送領域にまで転送する第1のフィールドの駆動と、
前記第2の受光部群に属する受光部から読み出した第2の信号電荷を、前記第1の受光部群に属する受光部に対応する電極下方の前記垂直転送領域にまで転送し、前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出すとともに前記第2の信号電荷と混合し、混合した信号電荷をさらに前記垂直転送領域内を前記水平転送領域にまで転送する第2のフィールドの駆動と、を含む方法とすることが好ましい。
【0023】
また、同じく2ゲートの固体撮像装置を用いる場合の好ましい別の方法は、垂直転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とから信号電荷を、上記方法により個別に読み出すこととして、
前記第1の受光部群に属する受光部から読み出した第1の信号電荷を前記垂直転送領域内を前記水平転送領域にまで転送する第1のフィールドの駆動と、
前記第2の受光部群に属する受光部から読み出した第2の信号電荷を前記垂直転送領域内を前記水平転送領域にまで転送する第2のフィールドの駆動と、を含む方法である。
この方法によれば、前記第1の信号電荷と前記第2の信号電荷とが個別に前記水平転送領域にまで転送される。
【0024】
上記方法では、好ましくは、第1のフィールドと第2のフィールドとが交互に実施される。
【0025】
また、いわゆる3ゲートの固体撮像装置(転送電極において受光部ごとに3つの電極が対応する固体撮像装置)を用いる場合には、上記2ゲートの固体撮像装置について例示した方法を適用することも可能であるが、以下の方法を採用してもよい。
この方法は、転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とから信号電荷を、上記方法により個別に読み出すこととして、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧VLを印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧VMを印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から信号電荷を読み出す方法である。
【0026】
また、いわゆる4ゲートまたはそれ以上のゲート数を有する固体撮像装置(転送電極において受光部ごとに4以上の電極が対応する固体撮像装置)を用いる場合には、転送領域に沿って配置された受光部群から信号電荷を同時に読み出す方法を適用することが好ましい。
【0027】
上記3ゲートおよび4ゲート以上の固体撮像装置の駆動方法においては、読み出した信号電荷を、互いに混合することなく、転送領域内を転送することが可能となる。
【0028】
さらに本発明は、上記3ゲートの固体撮像装置の駆動方法に適した固体撮像装置を提供する。この固体撮像装置は、半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記受光部の列に沿って前記半導体基板内に形成された転送領域と、前記受光部ごとに3つの電極が対応するように前記転送領域上に配置された転送電極とを備え、
さらに、前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群に対応する前記電極からなる第1の電極群と、前記第1の受光部群に属する受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群に対応する前記電極からなる第2の電極群とに個別に接続する2以上の系統の配線を備えたことを特徴とする。
【0029】
この固体撮像装置によれば、信号電荷の読み出し時に隣接する電極間の電圧差を緩和し、かつ3層構成の転送電極を用いながらも、第1および第2の受光部群から読み出した信号電荷を、互いに混合せず、独立して転送できる。
【0030】
また、本発明の固体撮像装置を用いたカメラは、本発明の駆動方法を実施するための電圧パターンを電源から転送電極を構成する各電極に付与するコントローラと、その駆動方法を実施する上記いずれかに記載の固体撮像装置とを備えたことを特徴とする。このカメラでは、転送領域と転送電極との間に形成される絶縁膜が、膜厚方向の誘電効果が等価となるようにシリコン酸化膜に置換したときに、100nm以下の膜厚を有するようにしてもよい。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態を説明する。
(第1の実施形態)
本実施形態では、いわゆる2ゲートの固体撮像装置の駆動方法の一形態について説明する。図1、および図1のI−I方向の部分断面図である図2に示すように、この固体撮像装置には、シリコン基板内に、互いに離間しながら縦横に配列したフォトダイオード10が形成されている。このように、行列状に配置されたフォトダイオード10の間には、フォトダイオードの列に沿って互いに平行に伸長するように垂直転送領域17が形成されている。垂直転送領域17は、本実施形態では、n型シリコン基板15のp型ウェル16内に形成されたn型拡散領域である。また、垂直転送領域17上には、絶縁膜18を介して、1つのフォトダイオードに対して2つの電極を割り当てた垂直転送電極71が形成されている。この垂直転送電極71は、具体的には、2層構成のポリシリコン膜として形成される。
【0032】
本実施形態では、垂直転送電極71に、いわゆる4相駆動が適用される。このため、垂直転送電極71を構成する各電極21、22,,27,,は、4種の電圧パターンφV1〜φV4のいずれかが印加されるように、4本の配線のいずれかと接続している。各電極と4本の配線との接続は、配列にしたがって規則的に行われる。なお、これらの配線は、図示を省略するコントローラを介して電源と接続している。
【0033】
この固体撮像装置の駆動方法を、図3および図4を参照して説明する。図3には、垂直転送電極71に印加される電圧パターンφV1〜φV4が示されている。各電圧パターンφV1〜φV4は、高電圧VH、中間電圧VMおよび低電圧VLから選択される電圧に所定時間保持することにより構成される。このような電圧パターンが垂直転送電極に印加されることにより、垂直転送領域には、時間の経過(t1〜t10)とともに、図4に示すポテンシャルの変化が生じる。
【0034】
時間t2において、φV1は読み出しのための高電圧VHに保持される。この高電圧VHをピークとする時間t2前後の電圧パルスは、読み出し電極となる電極のうち、電極23,27に印加され、これらの電極に対応するフォトダイオード10に蓄積された信号電荷1を、ポテンシャルが上昇(図中H)した垂直転送領域へと読み出す。このように、本実施形態では、まず、垂直転送方向について一つおきのフォトダイオードから、信号電荷が読み出される。
【0035】
時間t2において、φV3はポテンシャル障壁(図中L)を形成するための低電圧VLに保持される。読み出し時に低電圧VLを印加することは、信号電荷1の不要な漏れ出しや混合を防止するためには効果がある。従来、この低電圧VLは、信号電荷を読み出す電極23,25に隣接する電極22,24,26に与えられていた。しかし、ここでは、信号電荷を読み出す電極と一以上の電極を隔てた位置に存在する電極に低電圧VLが印加される。この電極は、信号電荷を読み出す2つの電極23,27に着目すると、両電極23,27の間に位置する電極24、25、26であって上記両電極23,27に隣接しない電極、すなわち、電極25のみとなる。
【0036】
一方、時間t2において、φV2およびφV4は、高電圧VHよりも低く低電圧VLよりも高い中間電圧VMに保持される。こうして、信号電荷を読み出す電極23,27に隣接するすべての電極22,24,26には、高電圧VHと低電圧VLとの間の電圧VMが印加されることになる。
【0037】
このように、中間電圧VMが印加される電極を、高電圧VHが印加されている電極と低電圧VLが印加されている電極との間に介在させることにより、時間t2における垂直転送領域のポテンシャルに、従来よりも段差をなだらかにする中間ステップ(図中M)を形成することができる。
【0038】
引き続き、時間t3〜t7において、信号電荷1は垂直転送されていく。この間、各電極には、低電圧VLと中間電圧VMとが印加される。
【0039】
時間t8に至った段階で、今度は、読み出し電極となる電極のうち、電極21,25に読み出しのための高電圧VHが印加され、これらの電極に対応するフォトダイオードから信号電荷2が読み出される。この読み出しのために、時間t8において、φV3は高電圧VHに保持される。時間t2における分布と同様、時間t8においても、高電圧VHが印加されている電極と低電圧VLが印加されている電極との間に中間電圧VMが印加された電極が介在するように、電圧パターンφV1,φV2,φV4が制御される。
【0040】
時間t8において新たに読み出された信号電荷2は、信号電荷2が読み出される位置にまで予め転送された信号電荷1と、読み出されると同時に混合される。こうして得られた垂直転送方向フォトダイオード2つ分(2画素分)の信号電荷3が、時間t9〜t10においてさらに垂直転送されていく。
【0041】
以上説明した信号電荷の読み出しおよび転送の一連の動作をAフィールドとして、引き続きBフィールドの一連の動作が実施される。Bフィールドにおける、各電圧パターンφV1〜φV4、および各電圧パターンφV1〜φV4が印加されることにより生じる垂直転送領域のポテンシャルの変化を、それぞれ図5および図6に示す。
【0042】
Bフィールドでは、Aフィールドとは逆に、まず、電極21,25から信号電荷4が読み出され(時間t2)、その後に電極23,27から信号電荷5が読み出されると同時に信号電荷4と混合される(時間t8)。その結果、混合される2画素分の信号電荷6は、Aフィールドにおいて混合された信号電荷3とは異なるフォトダイオードの組み合わせから得られたものとなる。その他の点では、Bフィールドにおける信号電荷の読み出しおよび転送の動作は、Aフィールドにおける動作と同じである。
【0043】
本実施形態では、AフィールドおよびBフィールドが交互に行われるように図外コントローラから電圧パルスが印加され、インターレスが実施される。なお、いずれのフィールドにおいても、水平転送領域12にまで垂直転送されてきた信号電荷は、同領域内をそのまま水平転送され、出力アンプ13に到達する。信号電荷の水平転送等、上記以降のステップは、従来から実施されてきた方法により行えば足りるので、ここでは説明を省略する。
【0044】
また、VH、VM、VLの値は、特に制限されないが、例えば、VH=15V、VM=0V、VL=−7Vとされる。VMは0Vとすることが好ましい。
【0045】
上記固体撮像装置の別の駆動方法として、図3および図4に示した電圧パターンに代えて、図7および図8の電圧パターンφV1〜φV4を適用してもよい。この電圧パターンでは、時間t2内において、電極25に印加される電圧が中間電圧VM(t20)から低電圧VL(t21)に変更される。このように、信号電荷を読み出す電極23,27に高電圧VHが印加されている期間(t2)に、この読み出しのための電圧変化(VMからVH)とは逆の電圧変化(ここではVMからVL)を、信号電荷を読み出す電極以外の電極に与えると、フォトダイオードに形成されている不純物層の電位が上記逆の変化と同様の方向(VL側)にシフトする。したがって、フォトダイオードの電位もこの方向にシフトすることになり、読み出しのために必要な電圧も低くなる。こうして、固体撮像装置の駆動電圧の低下が実現できる。
【0046】
しかも、図7および図8の電圧パターンφV1〜φV4では、図3および図4に示したパターンと同様、隣接する電極間に印加される電圧差が緩和されている。これは、上記「逆の電圧変化」を、信号電荷を読み出す電極23,27に隣接しない電極25に与えているからである。なお、図7および図8の電圧パターンφV1〜φV4は、時間t2および時間t8(t8においてもt2と同様に逆の電圧変化を印加)における電圧変化を除いては、図3および図4に示したパターンと同じであるため、説明は省略する。なお、図5および図6に対応するBフィールドの電圧パターンφV1〜φV4を、図9および図10に示す。
【0047】
上記逆の電圧変化は、信号電荷を読み出すための電圧が印加されている期間の直前に与えてもよい。この場合、上記逆の電圧変化を与えてから、信号電荷を読み出す電圧を印加するまでの時間は短いほうが、電位的な非平衡の程度が大きいため、フォトダイオードの電位シフトの効果が大きい。この時間は、上記逆の電圧変化による非平衡状態が解消するまでの期間内とすることが適当である。この期間は、ウェル(p型層)の電気抵抗に応じて変化する平衡状態に戻るまでの時定数によって定まる。通常の不純物層の電気抵抗を考慮すると、この時間は、5μs(マイクロ秒)以下、さらに1μs以下、特に0.5μs以下が好ましい。
【0048】
なお、逆の電圧変化を与えるのは、読み出し電圧VH印加と同時よりも、VH印加直前またはVH印加開始後のほうが大きな効果が得られる。
【0049】
また、高電圧VHが印加される電極23,27に対応するフォトダイオードと、上記逆の電圧変化が与えられる電極21,25に対応するフォトダイオードとは、同一ではなく互いに隣接している。フォトダイオードは電気的に浮遊状態にあるため、同一のフォトダイオードに対応する電極は、そのフォトダイオードを介して互いに容量結合している。このため、上記逆の電圧変化を信号電荷を読み出すフォトダイオードに対応する電極に与えると、容量結合の影響により、実効的な読み出し電圧が与えた電圧VHよりも小さくなってしまう。しかし、上記形態のように、隣接するフォトダイオードに対応する電極に上記逆の電圧変化を与えれば、容量結合の影響を排除しながら、フォトダイオードの電位シフトによる読み出し電圧の低下を実現できる。
【0050】
(第2の実施形態)
本実施形態では、2ゲートの固体撮像装置の駆動方法の別の一形態について説明する。ここで用いる固体撮像装置は、第1の実施形態で説明した固体撮像装置と同様であるので、説明を省略する。
【0051】
本実施形態では、信号電荷が、垂直転送領域で混合されずに独立して転送される。具体的には、図11および図12に示すように、Aフィールドでは、第1の実施形態と同様にして、電極23,27に対応するフォトダイオードから、信号電荷1が読み出される。しかし、本実施形態では、信号電荷1は、水平転送領域まで(さらには水平転送領域においても)、他の信号電荷と混合されることなく独立して転送されていく。
【0052】
Bフィールドでは、図13および図14に示すように、電極21,25から信号電荷2が読み出されるが、この信号電荷も、他の信号電荷と混合されることなく垂直転送され、さらには水平転送されていく。
【0053】
このように、第2の実施形態では、第1の実施形態とは異なり、独立して読み出した信号電荷により、インターレスが行われる。
【0054】
本実施形態でも、第1の実施形態と同様、信号電荷を読み出すための電圧を印加している間またはこの直前に、「逆の電圧変化」を与えることにより、上記読み出しのための電圧を低くすることができる。このための電圧パターンの例を、図15〜図18に示す。以下では特に言及せず、電圧パターンも例示しないが、この点は、第3の実施形態以降でも同様である。
【0055】
(第3の実施形態)
本実施形態では、いわゆる3ゲートの固体撮像装置の駆動方法の一形態について説明する。3ゲートであっても、基本的には、上記実施形態で説明した方法に準じ、信号電荷を読み出し、転送することは可能である。しかし、ここでは、上記実施形態とは異なり、単一のフィールドにおいて、垂直転送方向に配列したすべてのフォトダイオードから信号電荷を読み出しうる駆動方法について説明する。
【0056】
このような駆動方法の実施には、図19および図20(図19のII−II方向の部分断面図)に示す固体撮像装置が好適である。従来、3ゲートの固体撮像装置には、いわゆる3相駆動が適用されてきた。しかし、本実施形態の固体撮像装置では、3ゲートの電極41,42,,47,,に全部で6種の配線が接続されており、いわゆる6相駆動が可能とされている。この6相駆動により、上記駆動方法が以下のように実現される。なお、固体撮像装置の基本的な構成については、第1の実施形態と同じであるので、ここでは説明を省略する。
【0057】
図21には、垂直転送電極72に印加される電圧パターンφV1〜φV6が示されている。各電圧パターンφV1〜φV6は、ここでも、高電圧VH、中間電圧VMおよび低電圧VLから選択される電圧に所定時間保持することにより構成される。なお、電圧パターンφV1〜φV6は、印加される電極群によって、第1系統(φV6、φV1、φV2)および第2系統(φV3、φV4、φV5)とに分類できる。両系統の電圧パターンが印加される電極群は、互いに1つおきに配置された受光部群に対応している。
【0058】
このように、少なくとも2つの系統に分類できる電圧パターンが、これに対応する少なくとも2系統の配線を介して各電極群に印加されることにより、垂直転送領域には、時間の経過(t1〜t10)とともに、図22に示すポテンシャルの変化が生じる。
【0059】
時間t2において、φV1は読み出しのための高電圧VHに保持される。この高電圧VHをピークとする時間t2前後の電圧パルスは、読み出し電極となる電極のうち、電極43に印加され、この電極に対応するフォトダイオード10に蓄積された信号電荷1を垂直転送領域に読み出す。時間t2においては、第1および第2の実施形態と同様、垂直転送方向に沿って1つおきのフォトダイオードから信号電荷1が読み出される。
【0060】
本実施形態でも、時間t2において、φV2およびφV6は、中間電圧VMに保持されて、信号電荷1を読み出す電極43に隣接するすべての電極42,44のポテンシャルを極度に引き下げないようにしている。
【0061】
また、時間t2において、同時に信号電荷を読み出す電極間に存在し、かつ信号電荷を読み出す電極に隣接しない電極41,45,46,47は、電圧パターンφV3、φV4およびφV5によって、低電圧VLが印加されている。なお、本実施形態では、3つの電極45,46,47に低電圧VLが印加されているが、信号電荷の不要な混合を防止するバリアを形成するという低電圧VL印加の目的が達成される限り、これらの電極から選ばれる1ないし2の電極にのみ低電圧VLを印加しても構わない。
【0062】
引き続き、時間t3〜t5にかけては、次の信号電荷の読み出しのための準備が行われる。時間t5において、信号電荷1は、読み出された位置(中間電圧VMが印加された電極43下方の垂直転送領域)で保持され、信号電荷の漏れ出しを防止するために、電極42,44には、低電圧VLが印加される。
【0063】
このように、読み出した信号電荷1を転送することなく、その場で保持し、かつ全体のポテンシャルを下方にシフトさせた状態で、時間t6において、今度は、別のフォトダイオードから信号電荷2が読み出される。ここでも、信号電荷を読み出す電極46には高電圧VHが、この電極46に隣接するすべての電極45,47には中間電圧VMが印加される。このとき、電極44には、中間電圧VMではなく低電圧VLが印加されているので、信号電荷1,2の不要な混合も防止される。
【0064】
こうして、個別に読み出された信号電荷1,2は、時間t8〜t10において、互いに混合されることなく垂直転送され、さらには水平転送されていく。
【0065】
(第4の実施形態)
本発明は、いわゆる4ゲートまたはそれ以上のゲート数を有する固体撮像装置にも適用できる。本実施形態では、4ゲートの固体撮像装置の駆動方法の一形態について説明する。
【0066】
本実施形態で用いる固体撮像装置を図23および図24(図23のIII−III方向の部分断面図)に示す。この固体撮像装置は、1受光部に対して4つの電極が準備されている点、各電極31,32,,37,,に対し、4種の配線が接続されて4相駆動が可能とされている点を除いては、上記実施形態で説明した固体撮像装置と同様であるので、ここでは、説明を省略する。
【0067】
図25および図26を参照して、この固体撮像装置の駆動方法を説明する。図25には、垂直転送電極73に印加される電圧パターンφV1〜φV4が示されている。各電圧パターンφV1〜φV4は、ここでも、高電圧VH、中間電圧VMおよび低電圧VLから選択される電圧に所定時間保持することにより構成される。このような電圧パターンが印加されることにより、垂直転送領域17には、時間の経過(t1〜t10)とともに、図26に示すポテンシャルの変化が生じる。
【0068】
時間t2において、φV1は読み出しのための高電圧VHに保持される。この高電圧VHをピークとする時間t2前後の電圧パルスは、読み出し電極となる電極33、37に印加され、これらの電極に対応するフォトダイオード10に蓄積された信号電荷1を垂直転送領域17に読み出す。
【0069】
4ゲート以上の固体撮像装置の場合は、上記各実施形態のように、フォトダイオードを垂直転送方向について「間引く」必要はなく、一回の読み出し動作により、垂直転送方向に沿って配列したすべてのフォトダイオードから信号電荷1を読み出すことが可能となる。
【0070】
本実施形態でも、時間t2において、φV2およびφV4は、中間電圧VMに保持されて、信号電荷1を読み出す電極33、37に隣接するすべての電極32,34,36下方の垂直転送領域におけるポテンシャルの低下を緩和している。また、時間t2において、φV3は、低電圧VLに保持されて、電極31,35下方の垂直転送領域のポテンシャルを、不要な信号電荷の混合が防止される程度にまで低下させている。
【0071】
時間t3以降において、信号電荷1は、混合されることなく、独立して垂直転送されていく。本実施形態では、同一のフィールドにおいて、フォトダイオードから信号電荷を読み出す動作を複数回行う必要はない。
【0072】
以上説明した実施の形態によれば、いずれの場合も、信号電荷の読み出し時にシリコン基板に与えられる電界を低下させることができるため、シリコンのアバランシェ降伏に伴う、ノイズの発生や転送効率の低下を抑制することができる。
【0073】
本発明の実施に際しては、固体撮像装置のアプリケーションに応じ、上記各実施形態および上記各実施形態から自明の形態から、適宜、適切な形態を採用することが好ましい。
【0074】
例えば、いわゆる4ゲートの固体撮像装置を用いた第4の実施形態は、一回の読み出し動作によりすべてのフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出すことができるから、画像情報を表示する上でのタイムラグを短縮したい場合には好適である。一方、2ゲートの固体撮像装置を用いた上記実施形態は、垂直転送領域における飽和電荷量を考慮すると有利となる。これらの形態では、例えば図8に典型的に示されているように、信号電荷の転送中の蓄積領域として、垂直転送方向に1フォトダイオード分に相当する長さを備えた垂直転送領域を使用できるからである。
【0075】
もっとも、本発明の駆動方法を適用すれば、特定の形態を採用しなくても、固体撮像装置の飽和特性を向上させることが可能となる。この点を図19〜図22を参照して以下に説明する。
【0076】
固体撮像装置の小型化および高精細化による垂直転送領域の飽和電荷量の制限は、特にフォトダイオードに多量の信号電荷が蓄積された場合には、信号電荷の読み出し残りを発生させていた。すなわち、図27に示した、図31の固体撮像装置の信号電荷読み出し部分近傍において、入射光により生じ、フォトダイオード110に蓄積された信号電荷は、電極123により、垂直転送領域117に読み出される。
【0077】
このとき、垂直転送領域117には、読み出しのための高電圧VHが印加され、ポテンシャルが上昇しているため、信号電荷105は、図28(a)に示すように、フォトダイオード110から垂直転送領域117へと移動する。しかし、垂直転送領域117の面積が制限され、しかも信号電荷105が多量に生じていると、図28(b)に示すように、垂直転送領域のポテンシャルは、読み出された信号電荷106によって、すべての信号電荷を受け入れる前にフォトダイオード110と同程度にまで低下する。その結果、フォトダイオード110と垂直転送領域117との間の領域(いわゆる読み出し制御領域)におけるポテンシャル107の傾きが水平に近くなる、もしくは読み出し制御領域にバリアが発生し、フォトダイオードに信号電荷105が残ることになる。このような信号電荷の読み出し残り(非空乏化)は、残像となって固体撮像装置の画質を劣化させる。
【0078】
しかし、本発明によれば、読み出しのための高電圧VHが印加される電極に隣接する電極に中間電圧VMが印加されるために、従来よりも、信号電荷を受け入れる垂直転送領域の飽和容量が増大する。すなわち、図29と図30との比較から明らかであるが、本発明の駆動方法を適用すると、垂直転送方向において隣接する電極に中間電圧VMが印加されているために、垂直転送領域17では、従来のように上記隣接する電極に低電圧VLが印加されている垂直転送領域117よりも、信号電荷を受け入れる容量が増加し、読み出された信号電荷によるポテンシャルの低下も緩和される。
【0079】
このように、本発明の駆動方法によれば、画像情報上のノイズの発生や信号電荷の転送効率の向上のみならず、小型化および高精細化により面積が制限される垂直転送領域の信号電荷の受け入れ容量の増大も実現することができる。
【0080】
本発明の駆動方法は、シリコン基板上に形成される絶縁膜が薄い固体撮像装置に特に有効となる。絶縁膜がシリコン酸化膜の場合には、その膜厚が100nm以下、好ましくは60nm以下であれば、本発明の駆動方法の効果を十分に得ることができる。絶縁膜が他の材料から構成される場合には、各材料の誘電率と酸化シリコンとの誘電率との比に基づいて、膜厚方向の誘電効果が等価となるようにシリコン酸化膜に換算し、その膜厚が100nm以下であれば、同様に、本発明の効果を十分に得ることができる。
【0081】
絶縁膜が複数の層からなる場合にも、シリコン酸化膜の単一層に換算して上記判断を適用できる点は、同様である。例えば、膜厚50nmのシリコン酸化膜上に膜厚20nmのシリコン窒化膜を形成した2層構成の絶縁膜は、膜厚方向の誘電効果に関しては、膜厚60nmのシリコン酸化膜と等価となる。なお、このようなシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との2層構成を採用すると、フォトダイオード上方における反射防止効果によって感度を向上させることも可能となる。
【0082】
以上、各実施形態では、すべて、垂直転送電極として形成した電極を、信号電荷読み出しのための読み出し電極として用いたが、本発明は、これに限ることなく、読み出し電極を独立に設けた固体撮像装置に対しても適用できる。また、垂直転送領域と水平転送領域とを備えたいわゆるエリアセンサに限らず、リニアセンサについても適用が可能である。
【0083】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、小型化および高画素化した固体撮像装置において、白傷状ノイズの発生や信号電荷の転送効率低下を抑制することができる。また、駆動電圧の低電圧化を実現しながらも、小型化および高画素化に伴う信号電荷の読み出し残りを抑制することが可能となる。
【0084】
本発明の駆動方法は、基本的に、従来から用いられてきた固体撮像装置にも、新たな電源等をさらに準備することなく、垂直転送電極に印加されるコントローラによる各電圧パターンの制御を変更すれば、実施可能となる。信号電荷転送の設計思想に応じてコントローラによる電圧パターンを制御すること自体は、当業者にとっては公知であるから、固体撮像装置のいわゆるゲート数に応じて上記で例示した代表的な各実施形態等、本明細書および添付図面の記載を参照することにより、当業者にとって本発明は容易に実施可能となる。固体撮像装置の小型化、高画素化がさらに進展している状況を鑑みると、本発明の産業上の利用価値は極めて大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の駆動方法を適用できる固体撮像装置の一形態(いわゆる2ゲートの固体撮像装置)を示す平面図である。
【図2】 図1に示した固体撮像装置のI−I方向の部分断面図である。
【図3】 図1および図2に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する電圧パターンの一形態における、第1のフィールド(Aフィールド)を示す図である。
【図4】 図3に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図5】 図1および図2に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する電圧パターンの上記一形態における、第2のフィールド(Bフィールド)を示す図である。
【図6】 図5に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図7】 図3の電圧パターンの別の例を示す図である。
【図8】 図7に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図9】 図5の電圧パターンの別の例を示す図である。
【図10】 図9に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図11】 図1および図2に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する電圧パターンの別の一形態における、第1のフィールド(Aフィールド)を示す図である。
【図12】 図11に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図13】 図1および図2に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する電圧パターンの上記別の一形態における、第2のフィールド(Bフィールド)を示す図である。
【図14】 図13に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図15】 図11の電圧パターンの別の例を示す図である。
【図16】 図15に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図17】 図13の電圧パターンの別の例を示す図である。
【図18】 図17に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図19】 本発明の駆動方法を適用するための固体撮像装置の一形態(いわゆる3ゲートの固体撮像装置)を示す平面図である。
【図20】 図19に示した固体撮像装置のII−II方向の部分断面図である。
【図21】 図19および図20に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する電圧パターンの一形態を示す図である。
【図22】 図21に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図23】 本発明の駆動方法を適用するための固体撮像装置の一形態(いわゆる4ゲートの固体撮像装置)を示す平面図である。
【図24】 図23に示した固体撮像装置のIII−III方向の部分断面図である。
【図25】 図23および図24に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する電圧パターンの一形態を示す図である。
【図26】 図25に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【図27】 固体撮像装置の一般的な構成における、信号電荷が読み出される方向に沿った断面を示す図である。
【図28】 図27に示した固体撮像装置における信号電荷の読み出し残りを説明するための図である。
【図29】 信号電荷の読み出しに伴う垂直転送領域のポテンシャルの変化における、従来の駆動方法による例を示す図である。
【図30】 信号電荷の読み出しに伴う垂直転送領域のポテンシャルの変化における、本発明の駆動方法による例を示す図である。
【図31】 従来の駆動方法を説明するための固体撮像装置の平面図である。
【図32】 図31に示した固体撮像装置のV−V方向の部分断面図である。
【図33】 図31および図32に示した固体撮像装置を駆動するために、垂直転送電極に印加する従来の電圧パターンにおける、第1のフィールド(Aフィールド)を示す図である。
【図34】 図33に示した電圧パターンを印加することにより固体撮像装置の垂直転送領域に生じるポテンシャルの変化を示した図である。
【符号の説明】
1,2,4,5 信号電荷
3,6 混合された信号電荷
10 フォトダイオード(受光部)
12 水平転送領域
13 出力アンプ
17 垂直転送領域
18 絶縁膜
21〜27,31〜37,41〜47 垂直転送電極を構成する各電極
71,72,73 垂直転送電極
Claims (10)
- 半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備えた固体撮像装置を用い、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置の駆動方法であって、
複数の受光部が、前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L を印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M を印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すものであり、
さらに、前記信号電荷を前記転送領域へと読み出すときに、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧VHを印加し、
前記読み出し電圧VHが印加される電極間に存在し、前記読み出し電圧VHが印加される電極に隣接しない前記電極の少なくとも一つに、前記読み出し電圧VHよりも低いバリア電圧VLを印加し、かつ
前記読み出し電圧VHが印加される電極に隣接する前記電極に、前記読み出し電圧VHよりも低く前記バリア電圧VLよりも高い中間電圧VMを印加することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備えた固体撮像装置を用い、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置の駆動方法であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L を印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M を印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すものであり、
さらに、前記信号電荷を前記転送領域へと読み出すときに、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧VHの印加を開始する時刻よりも所定の時間だけ前の時刻から前記読み出し電圧VHの印加を終了する時刻までの間に、
前記読み出しの対象とする信号電荷が存在する受光部に隣接する前記受光部に対応する前記電極に、前記読み出し電圧VHを印加するときの電圧変化と逆の電圧変化を与えることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備えた固体撮像装置を用い、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置の駆動方法であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記 複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L を印加し、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M を印加して前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出すものであり、
さらに、前記信号電荷を前記転送領域へと読み出すときに、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧VHの印加を開始する時刻よりも所定の時間だけ前の時刻から前記読み出し電圧VHの印加を終了する時刻までの間に、
前記読み出し電圧VHが印加される電極以外であってこの電極に隣接しない前記電極に、前記読み出し電圧VHを印加するときの電圧変化と逆の電圧変化を与えることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 読み出した信号電荷を、互いに混合することなく、転送領域内を転送する請求項1〜3のいずれか一項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備え、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置であって、
複数の受光部が、前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L が印加され、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M が印加されると、前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出し、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧V H が印加され、前記読み出し電圧V H が印加される電極間に存在し、前記読み出し電圧V H が印加される電極に隣接しない前記電極の少なくとも一つに、前記読み出し電圧V H よりも低いバリア電圧V L が印加され、かつ、前記読み出し電圧V H が印加される電極に隣接する前記電極に、前記読み出し電圧V H よりも低く前記バリア電圧V L よりも高い中間電圧V M が印加されると、前記受光部の信号電荷を前記転送領域へと読み出すことを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備え、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L が印加され、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M が印加されると、前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出し、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧V H の印加が開始される時刻よりも所定の時間だけ前の時刻から前記読み出し電圧 V H の印加が終了される時刻までの間に、前記読み出しの対象とする信号電荷が存在する受光部に隣接する前記受光部に対応する前記電極に、前記読み出し電圧V H が印加されるときの電圧変化と逆の電圧変化が与えられると、前記受光部の信号電荷を前記転送領域へ読み出すことを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導体基板内の前記受光部の列に沿って形成された転送領域と、前記転送領域上に配置された複数の電極からなる転送電極とを備え、前記受光部に蓄積された信号電荷を、前記受光部から前記転送領域に読み出し、前記複数の電極に電圧を印加しながら前記転送領域内を転送する固体撮像装置であって、
複数の受光部が前記転送領域に沿って一つおきに配置された受光部からなる第1の受光部群と、前記受光部と交互に配置された受光部からなる第2の受光部群とからなり、前記複数の受光部にそれぞれ3つの電極が対応し、
前記第1の受光部群に属する受光部から第1の信号電荷を読み出し、
前記第1の受光部群に属する受光部に対応する前記3つの電極の両端の電極にバリア電圧V L が印加され、かつ前記両端の電極に挟まれた中央の電極に中間電圧V M が印加されると、前記中央の電極下方の前記転送領域に前記第1の信号電荷を保持しながら、前記第2の受光部群に属する受光部から第2の信号電荷を読み出し、
読み出しの対象とする前記信号電荷が存在する前記受光部に対応する前記電極に読み出し電圧V H の印加が開始される時刻よりも所定の時間だけ前の時刻から前記読み出し電圧V H の印加が終了される時刻までの間に、前記読み出し電圧V H が印加される電極以外であってこの電極に隣接しない前記電極に、前記読み出し電圧V H を印加するときの電圧変化と逆の電圧変化が与えられると、前記受光部の信号電荷を前記転送領域へと読み出すことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記転送領域内で、前記受光部から読み出した信号電荷を、互いに混合することなく転送する、請求項5〜7のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記転送領域と転送電極との間に形成される絶縁膜が、膜厚方向の誘電効果が等価となるようにシリコン酸化膜に置換したときに、100nm以下の膜厚を有する、請求項5〜8のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 請求項5〜9のいずれか一項に記載の固体撮像装置と、
電源と、
前記固体撮像装置と前記電源との間に設けられ、前記固体撮像装置の転送電極を構成する各電極へ印加するための電圧パターンを生成するコントローラとを備えたことを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000124001A JP3718103B2 (ja) | 1999-04-26 | 2000-04-25 | 固体撮像装置とその駆動方法、およびこれを用いたカメラ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11785399 | 1999-04-26 | ||
JP11-117853 | 1999-04-26 | ||
JP2000124001A JP3718103B2 (ja) | 1999-04-26 | 2000-04-25 | 固体撮像装置とその駆動方法、およびこれを用いたカメラ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001016510A JP2001016510A (ja) | 2001-01-19 |
JP3718103B2 true JP3718103B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=26455896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000124001A Expired - Fee Related JP3718103B2 (ja) | 1999-04-26 | 2000-04-25 | 固体撮像装置とその駆動方法、およびこれを用いたカメラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3718103B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4666475B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2011-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP4442590B2 (ja) | 2005-08-17 | 2010-03-31 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動装置、撮像装置、並びに、固体撮像素子の駆動方法 |
JP2007189440A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子の駆動方法及びその駆動装置 |
JP2008028645A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2008311970A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置 |
WO2009078173A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Panasonic Corporation | 固体撮像装置の駆動方法 |
-
2000
- 2000-04-25 JP JP2000124001A patent/JP3718103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001016510A (ja) | 2001-01-19 |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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