KR980006464A - 씨씨디(ccd) 영상소자 - Google Patents

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KR980006464A
KR980006464A KR1019960020660A KR19960020660A KR980006464A KR 980006464 A KR980006464 A KR 980006464A KR 1019960020660 A KR1019960020660 A KR 1019960020660A KR 19960020660 A KR19960020660 A KR 19960020660A KR 980006464 A KR980006464 A KR 980006464A
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
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Abstract

본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로, 특히 CST층에 의해 발생하는 전하 전송 영역의 포텐셜 변화를 최소화하여 전하 전송 효율을 향상시킨 CCD 영상소자에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 CCD 영상 소자는 제1 도전형 기판의 표면내에 행과 열방향으로 규칙적으로 배열되어 형성된 복수개의 광검출기들; 상기 복수개의 광검출기들의 열방향의 사이사이에 형성된 제2 도전형의 복수개의 전하 전송 영역들; 상기 광검출기들과 전하 전송 영역들의 각각을 서로 전기적으로 절연시키기 위하여 기판의 표면내에 형성되는 채널 스톱층을 포함하고, 서로 이웃하는 두 개의 광검출기가 인접하는 각각의 부분 부분에는 채널 스톱층의 도핑 농도를 감소시키기 위해 CST 도핑 농도 감소 영역을 적어도 하나 이상 갖고 형성된다.

Description

씨씨디(CCD) 영상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 CCD 영상소자의 레이 아웃도.
제2a, 2b도는 제1도에 따른 CCD 영상소자의 수직 포텐셜 프로파일.
제3도는 제1도에 따른 CCD 영상소자의 수평 포텐셜 프로파일.
제4도는 본 발명의 CCD 영상소자의 수평 포텐셜 프로파일.

Claims (7)

  1. 제1 도전형 기판의 표면내에 행과 열방향으로 규칙적으로 배열되어 형성된 복수개의 광검출기들; 상기 복수개의 광검출기들의 열방향의 사이사이에 형성된 제2 도전형의 복수개의 전하 전송 영역들; 및 상기 광검출기들과 전하 전송 영역들의 각각을 서로 전기적으로 절연시키기 위하여 기판의 표면내에 형성되는 채널 스톱층을 포함하고, 이 채널 스톱층은 서로 이웃하는 두 개의 광검출기가 인접하는 각각의 부분들에서 채널 스톱층의 도핑 농도를 감소시키기 위해 CST 도핑 농도 감소 영역을 적어도 하나 이상 갖는 것을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
  2. 제1항에 있어서, CST 도핑 농도 감소 영역이 전하 전송 영역과 채널 스톱층의 경계에 형성되어 그 부분에서 채널 스톱층의 폭이 축소되어 형성됨을 측징으로 하는 CCD 영상 소자.
  3. 제2항에 있어서, 채널 스톱층의 폭이 축소되는 부분에는 채널 스톱층을 형성하기 위한 제1 도전형의 불순물과 전하 전송 영역을 형성하기 위한 제2 도전형의 불순물이 중복주입되어 인접하는 체널 스톱층보다 포텐셜 레벨이 낮게 형성됨을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
  4. 제2항에 있어서, CST 도핑 농도 감소 영역에는 전하 전송 영역을 형성하기 위한 제2 도전형의 불순물만 주입되어 그 부분이 전하 전송 영역으로 사용되는 것을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
  5. 제1항에 있어서, CST 도핑 농도 감소 영역이 채널 스톱층 내측의 소정 부분에 형성됨을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
  6. 제5항에 있어서, CST 도핑 농도 감소 영역에는 광검출기를 형성하기 위한 제2 도전형의 불순물이 주입되어 인접하는 체널 스톱층보다 포텐셜 레벨이 낮게 형성됨을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
  7. 제5항에 있어서, CST 도핑 농도 감소 영역에는 광검출기 또는 체널 스톱층을 형성하기 위한 어떤 도전형의 불순물도 주입되지 않아 인접하는 채널 스톱층보다 포텐셜 레벨이 낮게 형성됨을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
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