KR970067918A - 개선된 인터라인 전하 결합 소자 고체 이미지 센서 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
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Abstract
본 발명은 다음의 부재를 구비하는 인터라인 고체 이미지 센서를 제공한다. 수직방향으로 뻗어있는 복수개의 수직 전하 결합 소자 레지스터가 설치된다. 수직 전하 결합 소자 레지스터는 서로 평행하다. 복수개의 포토다이오드가 수직 전하 결합 소자 레지스터 각각의 일측을 따라 정렬되어 포토다이오드가 인접한 두 수직 전하 결합 소자 레지스터 사이에서 정렬된다. 각 포토다이오드는 전하 독출 게이트 영역을 지나 수직 전하 결합 소자 레지스터에 접속된다. 각 수직 전하 결합 소자 레지스터는 제1 도전형 확산층과 제1 도전형 확산층 아래에 뻗어있는 제2 도전형 확산층의 적층을 구비한다. 수평 전하결합 레지스터는 수평 방향으로 뻗어있다. 수평 전하 결합 레지스터는 수직 전하 결합 소자 레지스터의 단부와 결합된다. 본 발명은 제2 도전형 확산층이 수평방향에서 불순물 농도가 가변하여 제2 도전형 확산층의 반대측 영역이 제 2 도전형 확산층의 중심영역보다 불순물 농도가 높다는 것이 중요하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 3은 본 발명에 따른 실시예 1 및 실시예 2의 신규한 인터라인 전하 결합 소자 고체 이미지 센서의 단위화소의 부분 정단면도.
Claims (14)
- 인터라인 고체 이미지 센서의 반도체 기판의 상부영역에서 형성되며, 제1 도전형 확산층과 제1 도전형 확산층의 아래에 뻗어있는 제2 도전형 확산층의 적층을 구비하며, 상기 제2 도전형 확산층은 폭방향에서 불순물 농도가 가변하여 상기 제2 도전형 확산층의 반대측 영역이 상기 제 2도전형 확산층의 중시영역보다 불순물 농도가 높은 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 확산층은 제1 불순물 농도를 갖는 제1영역, 상기 제1영역의 제1 측부와 접촉하며 뻗어 있으며 상기 제1 불순물 농도보다 높은 제2 불순물 농도를 갖는 제2영역, 및 상기 제1영역의 제2 측부와 접촉하며 뻗어있으며 상기 제 1불순물 농도보다 높은 제3 불순물 농도를 갖는 제3 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 제2항에 있어서, 상기 제2 및 제3 불순물 농도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 불순물 농도는 대략 0.8×1016㎝-3이며 상기 제2 및 제3 불순물 농도는 대략 2.0×1016㎝-3이며 상기 제1 도전형 확산층의 불순물 농도는 대략 1.0×1017㎝-3인 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 제3항에 있어서 상기 제1 불순물 농도는 대략 1.2×1016㎝-3이며 상기 제2 및 제3 불순물 농도는 대략 2.0×1016㎝-3이며 상기 제1 도전형 확산층의 불순물 농도는 대략 1.0×1017㎝-3인 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 제1항에 있어서 상기 제2 도전형 확산층은 그의 반대측 정도의 불순물 농도로 증가하는 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 제1항에 있어서 주 캐리어는 전자이며, 상기 제1 도전형은 n형이며, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 수직 전하 결합 소자 레지스터.
- 수직방향으로 뻗어있으며, 서로 평행한 복수개의 수직 전하 결합 소자 레지스터, 상기 수직 전하 결합 소자 레지스터의 일측을 따라 정렬되어 인접한 두 수직 전하 결합 소자 레지스터 사이에서 정렬되며, 전하 독출 게이트 영역을 지나 상기 수직 전하 결합 소자 레지스터에 접속되며, 제1 도전형 확산층과 상기 제1 도전형 확산층 아래에 뻗어있는 제2 도전형 확산층의 적층을 구비하는 복수개의 포토다이오드, 및 수평방향으로 뻗어있으며 상기 수직 전하 결합 소자 레지스터의 단부에 결합되는 수평 전하 결합 소자를 구비하며 상기 제2 도전형 확산층은 상기 수평방향에서 농도가 가변하여 상기 제2 도전형 확산층의 반대측 영역이 상기 제2 도전형 확산층의 중심영역보다 불순물 농도가 높은 것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
- 제8항에 있어서 상기 제2 도전형 확산층은 제1 불순물 농도를 갖는 제1영역, 상기 제1영역의 제1 측부와 접촉하며 뻗어 있으며 상기 제1 불순물 농도보다 높은 제2 불순물 농도를 갖는 제2영역, 및 상기 제1영역의 제2 측부와 접촉하며 뻗어있으며 상기 제 1불순물 농도보다 높은 제3 불순물 농도를 갖는 제3 영역을 구비하는것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
- 제9항에 있어서 상기 제2 및 제3 불순물 농도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
- 제10항에 있어서 상기 제1 불순물 농도는 대략 0.8×1016㎝-3이며 상기 제2 및 제3 불순물 농도는 대략 2.0×1016㎝-3이며 상기 제1 도전형 확산층의 불순물 농도는 대략 1.0×1017㎝-3인 것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
- 제10항에 있어서 상기 제1 불순물 농도는 대략 1.2×1016㎝-3이며 상기 제2 및 제3 불순물 농도는 대략 2.0×1016㎝-3이며 상기 제1 도전형 확산층의 불순물 농도는 대략 1.0×1017㎝-3인 것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
- 제8항에 있어서 상기 제2 도전형 확산층은 그의 반대측 정도의 불순물 농도로 증가하는 것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
- 제8항에 있어서 주 캐리어는 전자이며, 상기 제1 도전형은 n형이며, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 인터라인 고체 이미지 센서.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9674091 | 1996-03-28 | ||
| JP8074091A JPH09266296A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 固体撮像装置 |
| JP96-74091 | 1996-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067918A true KR970067918A (ko) | 1997-10-13 |
| KR100267129B1 KR100267129B1 (ko) | 2000-10-16 |
Family
ID=13537174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970011274A KR100267129B1 (ko) | 1996-03-28 | 1997-03-28 | 개선된인터라인전하결합소자고체이미지센서 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5828091A (ko) |
| JP (1) | JPH09266296A (ko) |
| KR (1) | KR100267129B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697766B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2007-03-22 | 산요덴키가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100198622B1 (ko) * | 1995-12-11 | 1999-06-15 | 구본준 | 고체촬상소자 및 이의 제조방법 |
| KR100192954B1 (ko) * | 1996-07-18 | 1999-06-15 | 김광호 | 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| US6815791B1 (en) * | 1997-02-10 | 2004-11-09 | Fillfactory | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| US7199410B2 (en) * | 1999-12-14 | 2007-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Pixel structure with improved charge transfer |
| US6333526B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-12-25 | Nec Corporation | Charge transfer device and a manufacturing process therefor |
| NL1011381C2 (nl) | 1998-02-28 | 2000-02-15 | Hyundai Electronics Ind | Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| US6480305B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-11-12 | Hewlett-Packard Company | Imaging device |
| KR100388803B1 (ko) | 1999-07-14 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
| US6627475B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Buried photodiode structure for CMOS image sensor |
| US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
| US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
| US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
| JP4784655B2 (ja) | 2009-01-26 | 2011-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| WO2012169211A1 (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | パナソニック株式会社 | 光学素子とその製造方法 |
| US8878256B2 (en) | 2013-01-07 | 2014-11-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multiple output structures |
| US8878255B2 (en) | 2013-01-07 | 2014-11-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multiple output structures |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126256A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH03190272A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
| JP3048011B2 (ja) * | 1991-06-28 | 2000-06-05 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子 |
| JP3160382B2 (ja) * | 1992-08-27 | 2001-04-25 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| KR100306088B1 (ko) * | 1993-04-09 | 2001-12-15 | 이데이 노부유끼 | 씨씨디(ccd)고체촬상소자및전하결합소자 |
| US5656875A (en) * | 1993-12-27 | 1997-08-12 | Adam Hutson Research | Creating independance via electronically presented information segments |
| JP2848268B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP8074091A patent/JPH09266296A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-27 US US08/827,361 patent/US5828091A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-28 KR KR1019970011274A patent/KR100267129B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697766B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2007-03-22 | 산요덴키가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09266296A (ja) | 1997-10-07 |
| KR100267129B1 (ko) | 2000-10-16 |
| US5828091A (en) | 1998-10-27 |
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| JPS6410985B2 (ko) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |