KR950021814A - 반도체장치 - Google Patents

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KR950021814A
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semiconductor device
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노부유끼 요시다께
신지 다까구라
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

복수의 포토다이오드를 가진 포토IC에 있어서 포토다이오드 사이의 크로스 토크를 저감한다.
포토IC에 있어서, 크로스토크의 원인으로 되는 부유(浮遊)캐리어를 흡입하는 반도체영역(2c)을 인접하는 포토다이오드 사이에 형성함으로써 포토다이오드 사이의 크로스토크를 저감한다.

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 포토IC의 구성을 나타낸 단면도.

Claims (5)

  1. 제1도전형의 반도체기체(基體)와, 상기 제1도전형의 반도체기체상에 서로 분리되어 형성된 복수의 제2도전형의 반도체층을 가지고, 상기 제1도전형의 반도체기체와 상기 복수의 제2도전형의 반도체층에 의해 복수의 포토다이오드가 구성되어 있는 반도체장치에 있어서, 상기 복수의 제2도전형의 반도체층중의 최소한 1쌍의 서로 인접하는 제2도전형의 반도체층의 사이의 부분에 부유(浮遊)캐리어를 흡입하기 위한 제2도전형의 반도체영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형의 반도체층과 상기 제1도전형의 반도체기체와의 사이의 부분에 상기 제1도전형의 반도체기체보다 고불순농도의 제1도전형의 반도체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1도전형의 p형이고, 상기 제2도전형이 n형인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1도전형의 반도체기체와, 상기 제1도전형의 반도체기체상에 형성된 제2도전형의 반도체층과, 상기 제2도전형의 반도체층상에 서로 분리되어 형성된 복수의 제2도전형의 제2의 반도체층과, 상기 복수의 제2도전형의 제2반도체층중에 각각 형성된 제1도전형의 반도체층을 가지고, 상기 복수의 제2도전형의 제2반도체층중에 각각 형성된 제1도전형의 반도체층에 의해 복수의 포토다이오드가 구성되고, 상기 제2도전형의 제1반도체층은 상기 복수의 제2도전형의 제2반도체층보다 고불순농도인 반도체장치로서, 상기 복수의 제2도전형의 제2의 반도체층중의 최소한 1쌍의 서로 인접하는 제2도전형의 제2의 반도체층의 사이이 부분에 부유캐리어를 흡입하기 위한 제1도전형의 반도체영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1도전형의 p형이고, 상기 제2도전형이 n형인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940033823A 1993-12-21 1994-12-13 반도체장치 KR100280841B1 (ko)

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