KR920017263A - 광 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

광 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 공 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도, 제2도는 제1도의 제조방법을 설명하는 제1도면, 제3도는 제1도의 제조방법을 설명하는 제2도면.

Claims (6)

  1. 한 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 표면에 도프되지 않게 적층된 제1에피택셜층, 상기 반도체 기판의 최소한 포토다이오드를 형성하는 영역에 도프된 상기 반도체 기판의 불순물 농도를 상쇄하는 역도전형의 불순물, 상기 제1에피택셜층 표면에 형성된 역도전형의 제2에피택셜층, 상기 제1 및 제2에피택셜층을 관통해서 상기 제1 및 제2에피택셜층을 복수의 섬 영역으로 형성하는 한 도전형의 분리 영역, 상기 분리 영역의 일부를 형성하고, 상기 기판의 표면에서 상기 제1에피택셜층의 내부로 확산되는 제1분리영역, 상기 분리 영역의 일부를 형성하고, 상기 제1에피택셜층 표면에서 상기 방향으로 확산되는 제2분리영역, 상기 분리 영역의 일부를 형성하고, 상기 제2에피택셜층 표면에서의 상기 제2에피택셜층 내부로 확산되는 제3분리영역, 제1섬 영역의 표면에 형성된 역도전형의 확산 영역에 접촉하는 포토다이오의 한쪽 전극, 상기 분리 영역의 표면에 접촉하는 포토다이오드의 다른 쪽전극, 제2섬 영역의 상기 제1에피택셜층 표면에 형성되는 역도전형의 매립층, 및 상기 제2섬 영역 표면에 형성되는 한 도전형 베이스 영역 및 역도전형 에미터 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 비저항이 40-60Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에피택셜층의 비저항이 200-1500Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드의 역도전형 확산 영역이 상기 에미터 영역의 형성과 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 상쇄하는 불순물을 상기 반도체 기판의 전체 면에 도입하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 상쇄하는 불순물을 상기 제1섬 영역의 기판 표면에 선택적으로 도입하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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