KR920017259A - 광 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 광 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도, 제2도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제1도면, 제3도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제2도면.
Claims (8)
- 한 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 에피택셜층과, 상기 에피택셜층을 복수의 섬 영역으로 형성하는 한 도전형의 분리영역과, 제1의 섬 영역인 에피택셜층 표면에 형성된 포토다이오드의 한쪽 취출 영역이 되는 확산 영역과, 상기 포토다이오드를 형성하는 영역의 에피택셜층 표면을 피복하는 반사 방지막과, 제2의 섬 영역인 에피택셜층 표면에 형성된 용량 소자의 하부전극 영역과, 상기 하부 전극 영역의 표면을 피복하는 상기 포토다이오드의 반사 방지막과 동일 재료로 이루어지는 유전체 박막과, 상기 하부 전극과 대향하도록 상기 유전체 박막 위에 형성된 용량 소자의 상부 전극과, 제3의 섬 영역인 에피택셜층 표면에 형성된 한 도전형의 베이스 영역과, 상기 베이스 영역 표면에 형성된 반대 도전형의 에미터 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드의 고농도 확산 영역과 상기 용량 소자의 하부 전극 영역은 상기 에미터영역의 형성과 동시적으로 행해지는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 광 신호가 파장 λ=850-900㎚의 적외광인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 한 도전형의 광 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 표면에 적층된 고 비저항의 제1에피택셜층과, 상기 제1에피택셜층 표면에 적층된 반대 도전형의 제2에피택셜층과, 상기 제1과 제2에피택셜층을 관통해서 복수의 섬 영역을 형성하는 한 도전형의 분리 영역과, 제1의 섬 영역인 제2에피택셜층 표면에 형성된 포토다이오드의 취출영역이 되는 확산 영역과, 상기 포토다이오드를 형성하는 영역의 제1에피택셜층 표면을 피복하는 반사 방지막과, 제2의 섬 영역인 제2에피택셜층 표면에 형성된 용량소자의 하부 전극 영역과, 상기 하부 전극 영역의 표면을 피복하는 상기 포토다이오드의 반사 방지막과 동일 재료로 이루어진 유전체 박막과, 상기 하부 전극과 대향하도록 상기 유전체 박막 위에 형성된 용량 소자의 상부 전극과, 제3의 섬 영역인 제2에피택셜층 표면에 형성된 한 도전형의 베이스 영역과, 상기 베이스 영역의 표면에 형성된 반대 도전형의 에미터 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 반도체 기판은 비저항이 40-60Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1에피택셜층은 비저항이 200-1500Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1에패택셜층은 논도프로 적층한 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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