KR100788347B1 - 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법 - Google Patents
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- 238000005247 gettering Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 27
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
본 발명은 소오스/드레인 영역을 확장하여 그라운딩 및 게터링(gettering) 효과를 높이는 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법에 관한 것으로, 본 발명의 수직형 이미지 센서는 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판의 소정 부위에 형성된 제 1 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer)과, 상기 제 1 에피층 표면에 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드와, 상기 제 1 에피층 상에 형성된 제 2 에피층과, 상기 제 2 에피층 표면에 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판, 제 1 에피층 및 제 2 에피층 표면에 각각 불순물이 주입되어 형성되며, 그라운딩된 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
수직형 이미지 센서, 게터링(gettering), 그라운딩(grounding)
Description
도 1은 일반적인 수직형 이미지 센서의 간략한 평면도
도 2는 도 1의 단위 픽셀 확대도를 나타낸 도면
도 3은 일반적인 수직형 이미지 센서의 단위 픽셀의 단면도
도 4는 본 발명의 수직형 이미지 센서의 간략한 평면도
도 5는 도 4의 단위 픽셀 확대도를 나타낸 도면
도 6은 본 발명의 수직형 이미지 센서의 단위 픽셀의 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 이미지 센서 110 : 주변부
120 : 픽셀 영역 111 : 그라운딩 단자
112 : 더미 액티브 영역 101 : 실리콘 기판
102 : 적색 포토 다이오드 103 : 제 1 에피층
104 : 제 1 플러그 105 : 녹색 포토 다이오드
106 : 제 2 에피층 107 : 소자 격리막
108 : 제 2 플러그 109 : 청색 포토 다이오드
110 : 제 1 소오스/드레인 영역 113 : 제 2 소오스/드레인 영역
115 : 제 3 소오스/드레인 영역
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로 특히, 소오스/드레인 영역을 확장하여 그라운딩 및 게터링(gettering) 효과를 높이는 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 씨모스 이미지 센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 이중에서 전하 결합 소자(CCD: Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
한편, 씨모스 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소 수 만큼의 포토다이오드와 이에 연결되어 채널을 열고 닫는 트랜지스터들을 만들고 상기 트랜지스터들을 이용하여 차례로 적색(RED), 녹색(GREEN) 및 청색(BLUE)의 광학 신호를 검출하여 스위칭 방식에 의해 출력하는 소자이다.
상기와 같은 씨모스 이미지 센서는 낮은 소비전력, 낮은 공정 단가 및 높은 수준의 집적도 등의 많은 장점들을 가지고 있다. 특히 최근의 기술적 진보로 인해 씨모스 이미지 센서는 여러 응용 분야에서 고체촬상소자(Charge Coupled Devices; CCD)의 대안으로 각광을 받고 있다.
상기와 같은 CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
이 경우, 일반적인 씨모스 이미지 센서의 경우, 포토 다이오드를 포함하여 구동 등을 위한 트랜지스터들이 수평 상으로 형성되며, 단위 픽셀은 적색(R), 녹색 (G), 청색(B)의 컬러 필터를 이용하여 해당 색상의 광을 감지하게 된다.
이 때, 일반적인 씨모스 이미지 센서에 있어서는, 하나의 단위 픽셀은 평면상으로 형성되는 상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 컬러필터를 모두 포함하여 대응되어야 하므로, 그 크기가 크게 되며, 따라서, 이러한 일반적인 씨모스 이미지 센서의 경우, 픽셀 집적도가 저하된다.
이와 같이, 일반적인 이미지 센서의 집적도 저하 문제를 개선하기 위해 수직형 이미지 센서가 제안되었다.
이를 개선하기 위해서 수직형 이미지 센서가 개발되었는데, 이러한 수직형 이미지센서는 단위 픽셀당 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 신호를 모두 감지할 수 있도록 적/녹/청색 포토다이오드가 수직적 구조로 되어 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 수직형 씨모스 이미지 센서를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 수직형 이미지 센서의 간략한 평면도이며, 도 2는 도 1의 단위 픽셀 확대도를 나타낸 도면이고, 도 3은 일반적인 수직형 이미지 센서의 단위 픽셀의 단면도이다.
도 1 및 도 2와 같이, 종래의 수직형 이미지 센서(20)는, 포토다이오드는 n+형으로 도핑되어 형성된 웰(well) 형상으로 이루어지며, 단위 픽셀당 신호를 모두 감지할 수 있도록 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 포토다이오드가 수직적 구조로 되어 있다.
여기서, 상기 종래의 수직형 이미지 센서(20)는 그 영역이 크게, 복수개의 단위 픽셀들이 형성되는 픽셀 영역(15)과 상기 픽셀 영역(15)에 형성되는 소자들 및 포토 다이오드에 신호를 인가하는 그라운딩 단자(18)를 포함하는 주변 영역(10)이 형성된다. 이러한 종래의 수직형 이미지 센서(20)는 그라운딩(Grounding)를 위해 상기 주변 영역(10)에 P+형의 소오스/드레인 임플런트 공정을 적용하여 그라운딩(GND)단자로 사용하게 된다. 특히, 단위 픽셀(R, G, B 포토 다이오드를 하나씩 포함)에 존재하는 P+형의 더미(dummy) 영역은 그라운딩 역할뿐 아니라 상기 수직형 이미지 센서(20)를 이루는 제 1 또는 제 2 에피층에 공정상 발생된 금속 양이온(metal impurity)의 게터링(gettering) 효과를 높이기 위해 추가되었다. 즉 P+ 이온주입(boron implant)이 더미 모우트(dummy moat) 영역에 적용되도록 함으로써(예 Fe-B 결합) 에피층에 남아있는 금속 이온(M+)을 게터링할 수 있어, 금속 이온 잔류에 의한 오염(metal ion contamination)을 제거 할 수 있다.
도 3과 같이, 종래의 수직형 씨모스 이미지 센서는 실리콘 기판(1)과, 상기 실리콘 기판의 소정 부위에 형성된 제 1 포토 다이오드(2)와, 상기 실리콘 기판(1) 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer)(3)과, 상기 제 1 에피층(3) 상에 상기 제 1 포토 다이오드(2)와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드(5)과, 상기 제 1 에피층(3) 상에 형성된 제 2 에피층(6)과, 상기 제 2 에피층(6) 상에 상기 제 2 포토 다이오드(5)와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드(9)와, 상기 제 2 에피층(6) 상의 소정 부위에 P+형의 이온이 불순물이 주입되어 형성되며, 그라운딩된 더미 모우트(dummy moat)(10)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 설명하지 않은 부호 7은 소자 격리 영역으로, 상기 수직형 이미지 센서의 절연 영역을 정의하는 부위로, 소자들간의 격리를 담당하고 있다.
이러한 종래의 수직형 씨모스 이미지 센서는 그라운딩과 게터링을 담당하는 더미 모우트(10)가 최상부 에피층(제 2 에피층)(6) 표면에만 위치하여, 상기 제 2 에피층에 잔류하는 금속 이온의 제거나 그라운딩은 가능하나, 하부 에피층(제 1 에피층)이나 기판에 대한 게터링이나 그라운딩 수단이 전무하다.
그러나 상기와 같은 종래의 수직형 씨모스 이미지 센서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 수직형 씨모스 이미지 센서는 포토 다이오드가 형성되는 3개의 에피층의 수직적인 특징 때문에 아래와 같이 두 가지 문제점이 있다.
첫째, 그라운딩 처리는 최상부의 포토 다이오드가 형성되는 상부 에피층(p-well영역)에 대한 그라운딩(grounding)만이 적용된다. 즉, 그 하측의 에피층이나 반도체 기판 상에는 그라운딩이 안되어, 센서 동작 시 그라운딩 경로(GND Path)의 저항성분에 의한 노이즈에 취약하다.
둘째, 게터링(Gettering)측면에 있어서도, 최상부의 제 3 포토 다이오드가 형성되는 최상부 에피층에 포토 다이오드와 다른 불순물이 주입된 더미 모우트 영역을 구비한다 할지라도, 상기 제 1, 제 2 포토 다이오드가 형성된 실리콘 기판이나 에피층에에 존재하는 금속불순물 이온(M+)의 게터링하기에는 부족한 단점이 있다. 따라서 누설전류 감소를 기대하기 어렵다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 소오스/드레 인 영역을 확장하여 그라운딩 및 게터링(gettering) 효과를 높이는 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 수직형 이미지 센서는 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판의 소정 부위에 형성된 제 1 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer)과, 상기 제 1 에피층에 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드와, 상기 제 1 에피층 상에 형성된 제 2 에피층과, 상기 제 2 에피층에 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판, 제 1 에피층 및 제 2 에피층 각각에 각각 불순물이 주입되어 형성되며, 그라운딩된 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
상기 제 1 내지 제 3 포토 다이오드는 제 1형의 불순물 이온이 주입되며, 상기 제 1 내지 제 3 더미 모우트에는 제 2 형의 불순물 이온이 주입된 것이다.
상기 제 1 형의 불순물 이온은 n+형이며, 상기 제 2형의 불순물 이온은 p+형이다. 상기 제 2형의 불순문 이온은 B(Boron)이다.
상기 제 1 내지 제 3 더미 모우트는 각각 외부의 그라운딩 단자와 연결된다.
또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 수직형 이미지 센서의 제조 방법은 실리콘 기판의 소정 부위에 제 1 포토 다이오드를 형성하는 단계와, 상기 제 1 포토 다이오드와 이격된 상기 실리콘 기판에 제 1 불순물이 주입된 제 1 더미 모우트를 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판 상에 제 1 에피층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 에피층의 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되는 부위에 제 2 포토 다이오드를 형성하는 단계와, 상기 제 2 포토 다이오드와 이격된 상기 제 1 에피층에 제 1 불순물이 주입된 제 2 더미 모우트를 형성하는 단계와, 상기 제 1 에피층 상에 제 2 에피층을 형성하는 단계와, 상기 제 2 에피층의 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되는 부위에 제 3 포토 다이오드를 형성하는 단계 및 상기 제 2 포토 다이오드와 이격된 상기 제 2 에피층에 제 1 불순물이 주입된 제 3 더미 모우트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 또 다른 특징이 있다.
또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 게터링 방법은 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판의 소정 부위에 형성된 제 1 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer)과, 상기 제 1 에피층에 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드와, 상기 제 1 에피층 상에 형성된 제 2 에피층과, 상기 제 2 에피층에 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판, 제 1 에피층 및 제 2 에피층에 각각 불순물이 주입되어 형성되고, 그라운딩된 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 포함하여 이루어진 수직형 씨모스 이미지 센서의 게터링 방법에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 외부의 그라운딩 단자와 연결한다. 여기서, 상기 제 1 내지 제 3 포토 다이오드는 제 1형의 불순물 이온이 주입되며, 상기 제 1 내지 제 3 더미 모우트에는 제 2 형의 불순물 이온이 주입되어 있으며, 이 때, 상기 제 1 형의 불순물 이온은 n+형이며, 상기 제 2형의 불순물 이온은 p+형이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 수직형 이미지 센서의 간략한 평면도이며, 도 5는 도 4의 단위 픽셀 확대도를 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명의 수직형 이미지 센서의 단위 픽셀의 단면도이다.
도 4 및 도 5와 같이, 본 발명의 수직형 이미지 센서는 수직형 이미지 센서(100)는, 포토다이오드는 n+형으로 도핑되어 형성된 웰(well) 형상으로 이루어지며, 단위 픽셀당 신호를 모두 감지할 수 있도록 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 포토다이오드가 수직적 구조로 되어 있다.
여기서, 상기 본 발명의 수직형 이미지 센서(100)는 그 영역이 크게, 복수개의 단위 픽셀들이 형성되는 픽셀 영역(120)과 상기 픽셀 영역(120)에 형성되는 소자들 및 포토 다이오드에 신호를 인가하는 그라운딩 단자(111)를 포함하는 주변 영역(110)이 형성된다. 이러한 본 발명의 수직형 이미지 센서(100)는 그라운딩(Grounding)를 위해 상기 주변 영역(110)에 P+형의 소오스/드레인 임플런트 공정을 적용하여 그라운딩(GND)단자로 사용하게 된다. 특히, 단위 픽셀(R, G, B 포토 다이오드를 하나씩 포함)에 존재하는 P+형의 더미(dummy) 영역(112, 도 6에서는 110, 113, 115)은 그라운딩 역할뿐 아니라 상기 수직형 이미지 센서(100)를 이루는 제 1 또는 제 2 에피층(103, 106)의 형성 공정상 발생된 금속 양이온(metal impurity)의 게터링(gettering) 효과를 높이기 위해 추가되었다. 즉 P+ 이온주입(boron implant)이 더미 모우트(dummy moat) 영역(110)에 적용되도록 함으로써(예 Fe-B 결합) 에피층에 남아있는 금속 이온(M+)을 게터링할 수 있어, 금속 이온 잔류에 의한 오염(metal ion contamination)을 제거 할 수 있다.
도 6과 같이, 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 실리콘 기판(101)과, 상기 실리콘 기판(101)의 소정 부위에 형성된 제 1 포토 다이오드(102)와, 상기 실리콘 기판(101) 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer)(103)과, 상기 제 1 에피층(103)에 상기 제 1 포토 다이오드(102)와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드(105)와, 상기 제 1 에피층(103) 상에 형성된 제 2 에피층(106)과, 상기 제 2 에피층(106)에 상기 제 2 포토 다이오드(105)와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드(109)와, 각 실리콘 기판 및 제 1, 제 2 에피층의 해당 포토 다이오드와 이격된 부위에 P+형의 이온이 불순물로 주입되어 형성되며, 그라운딩된 제 1 내지 제 3 더미 모우트(dummy moat)(115, 113, 110)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 설명하지 않은 부호 107은 소자 격리 영역으로, 상기 수직형 이미지 센서의 절연 영역을 정의하는 부위로, 소자들간의 격리를 담당하고 있다.
여기서, 제 1 내지 제 3 포토 다이오드(102, 105, 109)는 각각 적색, 녹색, 청색 광을 감지하는 해당 색상의 포토 다이오드이다.
씨모스 이미지 센서에 있어서, 전체 구성 중 포토다이오드로 구성되는 픽셀 어레이 부분은 빛을 감지하여 전기신호로 변환시키는 핵심적인 역할을 담당한다. 또한 가장 큰 영역을 차지하고 있어 픽셀설계가 전체 성능을 나타낼 만큼 매우 중요하다.
이에 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 화질 등에 있어서, 중요 구성이 되는 픽셀 영역의 효과적인 그라운딩(grounding) 및 게터링(gettering) 효과를 얻기 위해 포토 다이오드가 형성되는 각 실리콘 기판(101) 및 제 1, 제 2 에피층(103, 106)에 대하여 P+형의 불순물이 주입된 더미 모우트(115, 113, 110)를 형성하고 있다. 종래에는 이러한 더미 모우트 영역이 청색 포토 다이오드가 형성되는 상부 에피층(2nd epi layer)에 국부적으로 적용되기 때문에 그 하측의 적색/녹색 포토다이오드가 있는 에피층에 대한 그라운딩(grounding) 및 게터링(gettering)의 효과가 적다.
본 발명에서는, 이를 해결하기 위해 P+형의 소오스/드레인 불순물 이온 주입 공정을 각 기판 및 에피층 상에 추가로 사용하여 픽셀 영역(120) 전 영역 및 초기 실리콘 기판(101)부터 최상부 에피층인 제 2 에피층(106)까지 확장하여 그라운딩(grounding) 및 게터링(gettering) 효과를 최대화하고 있다. 이 때, 각 포토 다이오드는 n+형의 이온이 주입되어 있다.
즉, 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 픽셀 영역(120)의 그라운딩 부위에 더미 모우트(115, 113, 110) 영역에 P+형 주입용 마스크를 사용하여 각각의 실리콘 기판(101) 및 제 1, 제 2 에피층(103, 106)에 P형 이온주입(Boron)을 실시한다.
이러한 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 각각 p+형 불순물이 주입된 더미 모우트 영역을 외부의 그라운딩 단자와 연결하여, 해당 실리콘 기판(101) 및 제 1, 제 2 에피층(103, 106)에 남아있는 금속 이온(M+)을 게터링하며, 또한, 그라운딩 처리한다.
이 경우, 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 게터링 후, 각각의 에피층에 존재하는 3개의 n+형 포토다이오드의 p영역(더미 모우트 영역)을 등전위(same potential)로 만들 수 있어 이로 인한 노이즈 감소 효과가 있다.
또한, 불가피하게 2번의 추가 에피공정에 의해서, 에피층에 남아있는 금속이온의 오염(metal contamination)을 각각의 에피층의 더미 모우트 영역에서 이를 효과적으로 게터링할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 각 포토 다이오드가 형성된 실리콘 기판과 에피층들에 대하여 그라운딩 부위를 더미 모우트 영역으로 정의하고, 각 더미 모우트 영역에 포토 다이오드와 다른 형의 불순물 이온이 주입시키고, 각 더미 모우트 영역을 외부의 그라운딩 단자와 연결함으로써, 그라운딩(grounding) 및 게터링(gettering) 효과를 높일 수 있다.
둘째, 본 발명의 수직형 씨모스 이미지 센서는 게터링 후, 각각의 에피층에 존재하는 3개의 n+형 포토다이오드의 p영역(더미 모우트 영역)을 등전위(same potential)로 만들 수 있어 이로 인한 노이즈 감소 효과가 있다.
셋째, 불가피하게 2번의 추가 에피공정에 의해서, 에피층에 남아있는 금속이온의 오염(metal contamination)을 각각의 에피층의 더미 모우트 영역에서 이를 효과적으로 게터링할 수 있다.
넷째, 픽셀 영역에 발생하는 노이즈 및 누설전류를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 이로써, 실제 이미지 구현 시 나타나는 휘점(white pixel), 암점(dead pixel) 등의 불량화소의 개수가 줄어들게 되어 이미지 개선효과를 가져올 수 있다.
Claims (9)
- 실리콘 기판;상기 실리콘 기판에 형성된 제 1 포토 다이오드;상기 실리콘 기판 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer);상기 제 1 에피층에 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드;상기 제 1 에피층 상에 형성된 제 2 에피층;상기 제 2 에피층에 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드;상기 실리콘 기판, 제 1 에피층 및 제 2 에피층 각각의 표면에 보론(B: Boron)이 주입되어 형성되고, 그라운딩된 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 수직형 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 포토 다이오드는 n+형의 불순물 이온이 주입되는 것을 특징으로 하는 수직형 씨모스 이미지 센서.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 더미 모우트는 각각 외부의 그라운딩 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 수직형 씨모스 이미지 센서.
- 실리콘 기판 상의 소정 부위에 제 1 포토 다이오드를 형성하는 단계;상기 제 1 포토 다이오드와 이격된 상기 실리콘 기판에 보론을 주입하여 제 1 더미 모우트를 형성하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 형성된 제 1 에피층을 형성하는 단계;상기 제 1 에피층의 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되는 부위에 제 2 포토 다이오드를 형성하는 단계;상기 제 2 포토 다이오드와 이격된 상기 제 1 에피층에 보론을 주입하여 제 2 더미 모우트를 형성하는 단계;상기 제 1 에피층 상에 제 2 에피층을 형성하는 단계;상기 제 2 에피층의 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되는 부위에 제 3 포토 다이오드를 형성하는 단계; 및상기 제 3 포토 다이오드와 이격된 상기 제 2 에피층에 보론을 주입하여 제 3 더미 모우트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 수직형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판에 형성된 제 1 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 제 1 에피층(epitaxial layer)과, 상기 제 1 에피층에 상기 제 1 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 2 포토 다이오드와, 상기 제 1 에피층 상에 형성된 제 2 에피층과, 상기 제 2 에피층에 상기 제 2 포토 다이오드와 오버랩되어 형성된 제 3 포토 다이오드와, 상기 실리콘 기판, 제 1 에피층 및 제 2 에피층 표면 각각에 보론을 주입하여 형성되며, 그라운딩된 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 포함하여 이루어진 수직형 씨모스 이미지 센서의 게터링 방법에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 더미 모우트를 외부의 그라운딩 단자와 연결하는 것을 특징으로 하는 수직형 씨모스 이미지 센서의 게터링 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 포토 다이오드는 n+형의 불순물 이온이 주입되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 씨모스 이미지 센서의 게터링 방법.
- 삭제
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050132718A KR100788347B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법 |
| US11/616,753 US7633104B2 (en) | 2005-12-28 | 2006-12-27 | CMOS image sensor |
| CNB2006101567109A CN100495716C (zh) | 2005-12-28 | 2006-12-28 | 垂直型cmos图像传感器及其制造方法和吸附方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050132718A KR100788347B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070069970A KR20070069970A (ko) | 2007-07-03 |
| KR100788347B1 true KR100788347B1 (ko) | 2008-01-02 |
Family
ID=38192587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050132718A KR100788347B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 수직형 씨모스 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이의 게터링 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7633104B2 (ko) |
| KR (1) | KR100788347B1 (ko) |
| CN (1) | CN100495716C (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4479729B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子モジュール及び電子機器 |
| DE102008039794A1 (de) * | 2007-08-30 | 2009-03-12 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR100915751B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-09-04 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| CN101459184B (zh) * | 2007-12-13 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 在cmos上感测图像的系统和方法 |
| KR101009393B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2011-01-19 | 주식회사 동부하이텍 | 수직형 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| KR100954918B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2010-04-27 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
| KR101010443B1 (ko) * | 2008-08-13 | 2011-01-27 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP5985269B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| CN107302009B (zh) * | 2017-06-29 | 2020-05-15 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种图像传感器结构及其制备方法 |
| CN107819001A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-20 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及用于形成图像传感器的方法 |
| KR20210053599A (ko) * | 2019-11-04 | 2021-05-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20020058353A1 (en) | 2000-09-25 | 2002-05-16 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US6930336B1 (en) | 2001-06-18 | 2005-08-16 | Foveon, Inc. | Vertical-color-filter detector group with trench isolation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2557750B2 (ja) * | 1991-02-27 | 1996-11-27 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置 |
| US6750489B1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-06-15 | Foveon, Inc. | Isolated high voltage PMOS transistor |
| JP4775684B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2011-09-21 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体集積回路装置 |
-
2005
- 2005-12-28 KR KR1020050132718A patent/KR100788347B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-12-27 US US11/616,753 patent/US7633104B2/en active Active
- 2006-12-28 CN CNB2006101567109A patent/CN100495716C/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168313A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sony Corp | 撮像素子及びその製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100495716C (zh) | 2009-06-03 |
| CN1992301A (zh) | 2007-07-04 |
| KR20070069970A (ko) | 2007-07-03 |
| US7633104B2 (en) | 2009-12-15 |
| US20070145442A1 (en) | 2007-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141111 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161117 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171110 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181102 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190923 Year of fee payment: 13 |