JP4709012B2 - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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一導電型の半導体基板と、
半導体基板上の所定領域に形成した、一導電型と反対導電型の二導電型の埋め込み層と、
埋め込み層上に形成した一導電型の半導体層と、
一導電型の半導体層の表層部に設けた一導電型の半導体層より高濃度の一導電型の半導体領域とでなる受光部と、
受光部の近傍の、半導体基板上に形成された一導電型の半導体層の表層部に形成された回路素子と、
を備えた光半導体装置において、
埋め込み層の部分を除く、半導体基板と一導電型の半導体層との境界の界面層は、一導電型の半導体層であることを特徴とする光半導体装置である。
一導電型の半導体基板と、
半導体基板上の所定領域に形成した、一導電型と反対導電型の二導電型の埋め込み層と、
埋め込み層上に形成した一導電型の半導体層と、
一導電型の半導体層の表層部に設けた一導電型の半導体層より高濃度の一導電型の半導体領域とでなる受光部と、
受光部の部分を除く、半導体基板上に形成された一導電型の半導体層の表層部に形成された回路素子と、
を備えた光半導体装置の製造方法であって、
少なくとも、
一導電型の半導体基板上の所定領域に二導電型の埋め込み層を形成する工程と、
次に、埋め込み層を含む半導体基板上に、一導電型の反転防止層を形成する工程と、
次に、一導電型の反転防止層の上に、一導電型の半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
11 p-型半導体基板
12 n+型埋め込み層
13 p-型エピタキシャル層
14 p+型拡散層
15 n+型拡散層
16 受光素子部
17 p+型エミッタ層
18 n+型ベース層
19 p+型コレクタ層
20 pnp型バイポーラトランジスタ
21 界面層としてのn-型半導体層
22 寄生トランジスタ
101 本発明の光半導体装置
102a 界面層としてのp-型半導体層
102 反転防止層
Claims (4)
- 一導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上の所定領域に形成した、一導電型と反対導電型の二導電型の埋め込み層と、
前記埋め込み層上に形成した一導電型の半導体層と、
前記一導電型の半導体層の表層部に設けた前記一導電型の半導体層より高濃度の一導電型の半導体領域とでなる受光部と、
前記受光部の近傍の、前記半導体基板上に形成された前記一導電型の半導体層の表層部に形成された回路素子と、
を備えた光半導体装置において、
前記埋め込み層の部分を除く、前記半導体基板と前記一導電型の半導体層との境界の界面層は、一導電型の半導体層であることを特徴とする光半導体装置。 - 一導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上の所定領域に形成した、一導電型と反対導電型の二導電型の埋め込み層と、
前記埋め込み層上に形成した一導電型の半導体層と、
前記一導電型の半導体層の表層部に設けた前記一導電型の半導体層より高濃度の一導電型の半導体領域とでなる受光部と、
前記受光部の部分を除く、前記半導体基板上に形成された前記一導電型の半導体層の表層部に形成された回路素子と、
を備えた光半導体装置の製造方法であって、
少なくとも、
前記一導電型の半導体基板上の所定領域に前記二導電型の埋め込み層を形成する工程と、
次に、前記埋め込み層を含む半導体基板上に、一導電型の反転防止層を形成する工程と、
次に、前記一導電型の反転防止層の上に、前記一導電型の半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記一導電型の反転防止層の不純物濃度は、少なくとも、前記一導電型の半導体基板および前記一導電型の半導体層の不純物濃度より高濃度であることを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記一導電型の反転防止層の不純物はボロン(B)であることを特徴とする請求項2または3に記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP (1) | JP4709012B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2557750B2 (ja) * | 1991-02-27 | 1996-11-27 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置 |
JP3197592B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-08-13 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4077063B2 (ja) * | 1997-05-27 | 2008-04-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | BiCMOS内蔵受光半導体装置 |
JP3687777B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2005-08-24 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその検査方法 |
JP4269033B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2009-05-27 | シャープ株式会社 | 受光素子及びその製造方法、並びに、回路内蔵型受光素子及びその製造方法 |
JP2005236167A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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