JP2008251760A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板の第2素子が形成される領域にエッチングによるダメージが発生するのを抑制しながら第1素子のゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置100の製造方法は、シリコン基板11の電界効果型トランジスタ2が形成される領域にゲート電極28を形成する工程と、ゲート電極28の表面およびシリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域を覆うようにスペーサ絶縁膜42を形成する工程と、スペーサ絶縁膜42を表面から所定の厚み分エッチングすることにより、シリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域にスペーサ絶縁膜42を所定の厚み分残した状態でゲート電極28の側面を覆うサイドウォール絶縁膜30を形成する工程とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】この半導体装置100の製造方法は、シリコン基板11の電界効果型トランジスタ2が形成される領域にゲート電極28を形成する工程と、ゲート電極28の表面およびシリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域を覆うようにスペーサ絶縁膜42を形成する工程と、スペーサ絶縁膜42を表面から所定の厚み分エッチングすることにより、シリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域にスペーサ絶縁膜42を所定の厚み分残した状態でゲート電極28の側面を覆うサイドウォール絶縁膜30を形成する工程とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、第1素子と第2素子とを備えた半導体装置の製造方法に関する。
従来、CMOSトランジスタ(第1素子)とバイポーラトランジスタ(第2素子)とを備えた半導体装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。この特許文献1に記載の半導体装置は、シリコン基板上にバイポーラトランジスタが形成される領域とCMOSトランジスタが形成される領域とを有している。この半導体装置では、CMOSトランジスタのゲート酸化膜およびゲート電極用ポリシリコン膜が形成された後、TEOS酸化膜をシリコン基板の全面に堆積する。そして、TEOS酸化膜を全面エッチバックすることにより、ゲート電極用ポリシリコン膜およびゲート酸化膜の側面にのみTEOS酸化膜をサイドウォールとして残存させている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の半導体装置の製造方法では、TEOS酸化膜のゲート電極用ポリシリコン膜およびゲート酸化膜の側面にサイドウォールとして残存させる部分以外の部分をエッチングにより除去する際、シリコン基板のバイポーラトランジスタが形成される領域にエッチングによるダメージが発生するという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、半導体基板の第2素子が形成される領域にエッチングによるダメージが発生するのを抑制しながら第1素子のゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
この発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の第1素子が形成される領域の表面上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の表面および半導体基板の第2素子が形成される領域を覆うように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を表面から途中までエッチングすることにより、半導体基板の第2素子が形成される領域に絶縁膜を所定の厚み分残した状態でゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成する工程とを備える。
本発明では、上記のように、サイドウォール絶縁膜を形成する工程において、第2素子が形成される領域に所定の厚み分の絶縁膜を残すことによって、第2素子が形成される領域の絶縁膜を全てエッチングによって除去する場合のように、半導体素子の第2素子が形成される領域にエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の一実施形態による半導体装置100の断面図である。なお、本実施形態では、シリコン基板11の表面にnpn型のバイポーラトランジスタ1とp型の電界効果型トランジスタ2とが形成される半導体装置100について説明する。
本実施形態による半導体装置100は、図1に示すように、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aと電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bとから構成されている。なお、バイポーラトランジスタ1および電界効果型トランジスタ2は、それぞれ、本発明の「第2素子」および「第1素子」の一例である。p型のシリコン基板11の表面には、リーチスルー領域12aを含むn+型のサブコレクタ領域12、素子分離用のpウェル13およびnウェル14が形成されている。また、サブコレクタ領域12の表面には、n+型のコレクタ領域15が形成されている。また、pウェル13の表面と、nウェル14およびシリコン基板11の表面とには、素子分離絶縁膜16が形成されている。また、nウェル14の表面には、チャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて、電界効果型トランジスタ2のソース/ドレインとして機能するp+型の高濃度の不純物領域17aおよびp−型の低濃度の不純物領域18aと、p+型の高濃度の不純物領域17bおよびp−型の低濃度の不純物領域18bとが形成されている。
また、コレクタ領域15の表面上には、p型の内部ベース層19と、p+型の外部ベース層20および21が形成されている。また。内部ベース層19の表面には、n型拡散層からなるエミッタ層22が形成されている。また、外部ベース層20および21の側面には、それぞれ、後述する多結晶シリコン膜46の残渣23および24が形成されている。また、エミッタ層22の表面には、n+型のエミッタ電極25が形成されている。また、エミッタ電極25の側面を覆うように、サイドウォール絶縁膜26が形成されている。
また、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bのシリコン基板11の表面にはゲート絶縁膜27を介してゲート電極28が形成されている。ゲート電極28の側面には、ゲート電極28を覆うように絶縁膜29が形成されている。また、絶縁膜29の側面を覆うように、サイドウォール絶縁膜30が形成されている。
また、バイポーラトランジスタ1の多結晶シリコン膜46の残渣23および24と、外部ベース層20および21と、エミッタ電極25と、リーチスルー領域12aとの表面には、シリサイド膜31が形成されている。また、電界効果型トランジスタ2の不純物領域17aおよび17bと、ゲート電極28との表面にもシリサイド膜31が形成されている。また、バイポーラトランジスタ1と電界効果型トランジスタ2とを分離する素子分離絶縁膜16の表面には、シリコン窒化膜32とTEOS膜33とが形成されている。
図2〜図12は、それぞれ、本発明の一実施形態による半導体装置100の製造プロセスを説明するための断面図である。
まず、図2に示すように、シリコン基板11上にLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法を用いて素子分離絶縁膜16を形成する。その後、SiO2からなる酸化膜41を形成する。
次に、酸化膜41の表面と素子分離絶縁膜16の表面との所定領域に図示しないレジスト膜を形成した後、領域Aの所定領域にリン(P)をイオン注入することにより、リーチスルー領域12aを形成する。この後、レジスト膜を除去する。
また、酸化膜41の表面と素子分離絶縁膜16の表面との所定領域に図示しないレジスト膜を形成した後、領域Bにリン(P)をイオン注入することにより、nウェル14を形成する。この後、レジスト膜を除去する。
この後、酸化膜41の表面と素子分離絶縁膜16の表面との所定領域に図示しないレジスト膜を形成した後、ホウ素(B)イオンを注入することにより、素子分離絶縁膜16の下部に素子同士を分離するためのpウェル13を形成する。この後、レジスト膜を除去する。
そして、酸化膜41の表面と素子分離絶縁膜16の表面との全面に多結晶シリコン膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて図示しないレジスト膜を形成した後、そのレジスト膜をマスクとして多結晶シリコン膜をエッチングすることにより多結晶シリコン膜28aを形成する。この後、熱酸化法により、多結晶シリコン膜28aの表面にSiO2からなる絶縁膜29を形成する。
この後、酸化膜41の表面と素子分離絶縁膜16の表面との所定領域に図示しないレジスト膜を形成した後、ホウ素(B)イオンを注入することにより、nウェル14の多結晶シリコン膜28aが形成されない表面にLDD(Light Doped Drain)となる不純物領域18aおよび18bが形成される。この後、レジスト膜を除去する。
そして、酸化膜41、素子分離絶縁膜16および絶縁膜29の表面の全面に約200nmの厚みを有するSiO2からなるスペーサ絶縁膜42を形成する。なお、スペーサ絶縁膜42は、本発明の「絶縁膜」の一例である。
次に、図3に示すように、スペーサ絶縁膜42の表面をエッチバックする。ここで、本実施形態では、スペーサ絶縁膜42の全ての厚み分をエッチバックするのではなく、約30nm〜約70nm程度の厚みを残す。なお、この膜厚は、サブコレクタ領域12、外部ベース層20および21の注入マスクとして機能する膜厚であればよい。これにより、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aの表面と、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bの表面とにスペーサ絶縁膜42が残った状態となっている。また、電界効果型トランジスタ2の多結晶シリコン膜28aを覆う絶縁膜29の周囲には、サイドウォール絶縁膜30が形成される。なお、スペーサ絶縁膜42のサイドウォール絶縁膜30が形成される領域以外の領域に位置する部分は、後述する工程において除去される。
次に、図4に示すように、スペーサ絶縁膜42の所定領域に図示しないレジスト膜を形成した後、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aの所定領域にリン(P)をイオン注入するとともに電気的に活性化することにより、サブコレクタ領域12が形成される。このとき、リーチスルー領域12aとサブコレクタ領域12とが接続される。リン(P)がイオン注入される際、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aに残っているスペーサ絶縁膜42は、チャネリングの発生の防止および洗浄時の金属汚染抑制の保護膜として機能する。この後、レジスト膜を除去する。
この後、スペーサ絶縁膜42の所定領域に図示しないレジスト膜を形成した後、サブコレクタ領域12が形成されるシリコン基板11の表面の所定領域にリン(P)をイオン注入することにより、コレクタ領域15が形成される。ここでも、スペーサ絶縁膜42は、シリコン基板11の表面にイオン注入によるダメージが発生するのを抑制するための保護膜として機能する。この後、レジスト膜を除去する。また、スペーサ絶縁膜42の表面に多結晶シリコン膜43を形成する。
次に、図5に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてレジスト膜44を形成した後、バイポーラトランジスタ1が形成されるシリコン基板11の表面の多結晶シリコン膜43をドライエッチング法により除去するとともに、スペーサ絶縁膜42をウェットエッチング法により除去する。さらに、酸化膜41を除去する。この後、レジスト膜44を除去する。その結果、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Bの所定の領域のシリコン基板11が露出した状態となるとともに、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bには、スペーサ絶縁膜42が残された状態となる。
次に、図6に示すように、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aおよび電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bの表面に、ホウ素(B)をドーピングしたシリコンゲルマニウム(SiGe)層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル層19aを形成する。
次に、図7に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてレジスト膜45を形成した後、そのレジスト膜45をマスクとしてエピタキシャル層19aをエッチングすることにより不要な部分を除去する。
次に、図8に示すように、減圧CVD法により、素子分離絶縁膜16、エピタキシャル層19aおよびスペーサ絶縁膜42の表面に多結晶シリコン膜46を形成した後、n型の不純物である砒素(As)またはリン(P)をイオン注入する。これにより、多結晶シリコン膜46は、n+型の多結晶シリコン膜46となる。
次に、図9に示すように、多結晶シリコン膜46の表面に、シリコン窒化膜47を形成する。
次に、図10に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてシリコン窒化膜47の表面にレジスト膜48を形成した後、ドライエッチング法によりシリコン窒化膜47および多結晶シリコン膜46を除去する。これにより、シリコン窒化膜47aおよびエミッタ電極25が形成される。その後、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bのスペーサ絶縁膜42の表面にも多結晶シリコン膜46の残渣46aおよび46bが形成されるが、レジスト膜48が除去された後、残渣46aおよび46bは、エッチングにより除去される。この残渣46aおよび46bは、電界効果型トランジスタ2のサイドウォール絶縁膜30の角部にあるため、エッチングによって容易に除去することができる。
次に、図11に示すように、減圧CVD法により、多結晶シリコン膜46の残渣23および24、シリコン窒化膜47aおよびスペーサ絶縁膜42の表面にシリコン酸化膜49を形成する。
次に、図12に示すように、ドライエッチング法により、シリコン酸化膜49(図11参照)をエッチバックすることにより、エミッタ電極25およびシリコン窒化膜47aの側面にサイドウォール絶縁膜26が形成される。
次に、図13に示すように、ホウ素(B)をイオン注入するとともに、熱処理によるイオンの活性化を行うことにより、エピタキシャル層19aに外部ベース層20および21が形成される。なお、エピタキシャル層19aの外部ベース層20および21が形成されない領域は、内部ベース層19となる。
次に、図14に示すように、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aにレジスト膜50を形成した後、エッチングを行うことにより、酸化膜41およびスペーサ絶縁膜42の所定の領域を除去する。これにより、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bにゲート絶縁膜27が形成されるとともに、絶縁膜29の側面にサイドウォール絶縁膜30が形成される。この後、レジスト膜50を除去する。
次に、図15に示すように、シリコン窒化膜32aを、リーチスルー領域12a、素子分離絶縁膜16、不純物領域17a、不純物領域17b、外部ベース層20、外部ベース層21、エミッタ電極25、サイドウォール絶縁膜26、多結晶シリコン膜28a(図14参照)、絶縁膜29およびサイドウォール絶縁膜30の表面に形成する。次に、シリコン窒化膜32aの表面の所定領域にレジスト膜51を形成した後、ホウ素(B)をイオン注入することにより、不純物領域18aおよび18bとともに電界効果型トランジスタ2のソース/ドレインとして機能する不純物領域17aおよび不純物領域17bが形成される。また、電界効果型トランジスタ2のゲート電極28が形成される。この後、レジスト膜51を除去する。
次に、熱処理を行って、エミッタ電極25のn型の不純物を内部ベース層19に拡散させることにより、エミッタ層22を形成する。これにより、エミッタ−ベース接合が、内部ベース層19の中に形成される。
次に、図1に示したように、TEOS膜33をシリコン窒化膜32aの表面に形成した後、TEOS膜33およびシリコン窒化膜32aの所定領域を除去する。この際、シリコン窒化膜47a(図15参照)もシリコン窒化膜32aと同時に除去される。これにより、素子分離絶縁膜16の表面に、シリコン窒化膜32およびTEOS膜33が形成される。最後に、コバルト(Co)またはチタン(Ti)からなるシリサイド膜31を、残渣23、残渣24、外部ベース層20、外部ベース層21、エミッタ電極25、リーチスルー領域12a、不純物領域17a、不純物領域17bおよびゲート電極28の表面に形成することにより、半導体装置100が形成される。
本実施形態では、上記のように、サイドウォール絶縁膜30を形成する工程(図3参照)において、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aに所定の厚み分のスペーサ絶縁膜42を残すことによって、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aのスペーサ絶縁膜42を全てエッチングによって除去する場合のように、半導体素子100のバイポーラトランジスタ1が形成される領域Aにエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、シリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域Aに残っているスペーサ絶縁膜42を保護膜としてバイポーラトランジスタ1の形成される領域Aにリン(P)をイオン注入することによりサブコレクタ領域12およびコレクタ領域15を形成する工程(図4参照)を備えることによって、シリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域Aに残っているスペーサ絶縁膜42により、容易に、リン(P)がイオン注入される際にバイポーラトランジスタ1が形成される領域Aにダメージが発生するのを抑制することができる。また、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aのスペーサ絶縁膜42を全てエッチングによって除去する場合と異なり、バイポーラトランジスタ1の形成される領域Aに不純物をイオン注入する際の保護膜を改めて形成する必要がないので、製造プロセスを簡略化することができる。
また、本実施形態では、上記のように、サイドウォール絶縁膜30を形成する工程は、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bのソース/ドレイン領域となる不純物領域17aおよび17bの表面に形成されるスペーサ絶縁膜42を所定の厚み分残した状態でサイドウォール絶縁膜30を形成する工程(図3参照)を含むことによって、電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bの不純物領域17aおよび17bの表面のスペーサ絶縁膜42を全て除去する場合と異なり、不純物領域17aおよび17bにエッチングによってダメージが発生するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、シリコン基板11の電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bの所定の厚み分のスペーサ絶縁膜42を残した状態で、シリコン基板11のバイポーラトランジスタ1が形成される領域Aのスペーサ絶縁膜42を除去する工程(図5参照)を備える。これにより、シリコン基板11の電界効果型トランジスタ2が形成される領域Bには所定の厚み分のスペーサ絶縁膜42が残っているので、バイポーラトランジスタ1が形成される領域Aのチャネリングの発生の防止や、洗浄工程などでの金属による汚染を抑制することができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態では、npn型のバイポーラトランジスタを形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、pnp型のバイポーラトランジスタを形成してもよい。
また、上記実施形態では、p型の電界効果型トランジスタを形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、n型の電界効果型トランジスタを形成してもよい。
1 バイポーラトランジスタ(第2素子)
2 電界効果型トランジスタ(第1素子)
11 シリコン基板(半導体基板)
15 コレクタ領域
30 サイドウォール絶縁膜
42 スペーサ絶縁膜
2 電界効果型トランジスタ(第1素子)
11 シリコン基板(半導体基板)
15 コレクタ領域
30 サイドウォール絶縁膜
42 スペーサ絶縁膜
Claims (5)
- 半導体基板の第1素子が形成される領域の表面上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の表面および前記半導体基板の第2素子が形成される領域を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を表面から途中までエッチングすることにより、前記半導体基板の前記第2素子が形成される領域に前記絶縁膜を所定の厚み分残した状態で前記ゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記第1素子は、電界効果型トランジスタであり、前記第2素子は、バイポーラトランジスタである、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の前記バイポーラトランジスタが形成される領域に残っている前記絶縁膜を保護膜として前記バイポーラトランジスタの形成される領域に不純物をイオン注入することによりコレクタ領域を形成する工程をさらに備える、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サイドウォール絶縁膜を形成する工程は、前記電界効果型トランジスタが形成される領域のソース/ドレイン領域の表面に形成される前記絶縁膜を所定の厚み分残した状態で前記サイドウォール絶縁膜を形成する工程を含む、請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の前記電界効果型トランジスタが形成される領域に前記所定の厚み分の絶縁膜を残した状態で、前記半導体基板の前記バイポーラトランジスタが形成される領域の前記絶縁膜を除去する工程をさらに備える、請求項2〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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2007
- 2007-03-30 JP JP2007090047A patent/JP2008251760A/ja active Pending
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2008
- 2008-03-28 US US12/078,313 patent/US20080254583A1/en not_active Abandoned
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