KR100198622B1 - 고체촬상소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

고체촬상소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100198622B1
KR100198622B1 KR1019950048242A KR19950048242A KR100198622B1 KR 100198622 B1 KR100198622 B1 KR 100198622B1 KR 1019950048242 A KR1019950048242 A KR 1019950048242A KR 19950048242 A KR19950048242 A KR 19950048242A KR 100198622 B1 KR100198622 B1 KR 100198622B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
type
type well
charge transfer
high concentration
Prior art date
Application number
KR1019950048242A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970054284A (ko
Inventor
김용관
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR1019950048242A priority Critical patent/KR100198622B1/ko
Priority to JP8184294A priority patent/JP2866351B2/ja
Priority to US08/762,845 priority patent/US5821574A/en
Publication of KR970054284A publication Critical patent/KR970054284A/ko
Priority to US09/017,800 priority patent/US6054341A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100198622B1 publication Critical patent/KR100198622B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14825—Linear CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로, 특히 수광영역의 구조를 달리하여 감도(Sensitivity)를 향상시키는데 적당하도록 한 고체촬상소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 고체촬상소자는 N형 반도체 기판에 형성된 제 1 P형 웰과, 상기 제 1 P형 웰 영역내에 반복적으로 형성되는 제 2 P형 웰과, 상기 제 2 P형 웰 영역내에 형성되는 전하전송 영역(BCCD)과, 상기 전하전송 영역과 분리되어 제 1 P형 웰 영역의 상층부에 형성되는 N형 포토다이오드 영역(PDN)과, 상기 전하전송 영역을 제외한 상기 N형 포토다이오드 영역보다 넓은 폭을 갖고 전하 격리층 역할을 하는 제 1고농도 P형 영역과, 상기 전하전송 영역상에 반복적으로 형성되는 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ와, 상기 폴리게이트Ⅰ,Ⅱ를 마스크로 하여 상기 제 1 고농도 P형 영역 표면에 형성되는 제 2 고농도 P형 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
그리고 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, CST 마스크를 사용하지 않으므로 최소한의 디자인 룰을 고려하지 않은 상태에서 소자의 스케일 다운(Scale Down)이 가능하다.
둘째, 전하격리 영역의 미세 형성으로 각 광전변환 영역의 포텐셜 포켓이 확대되고, CCD 채널의 사이드 이펙트(Side Effect)가 감소하여 전하전송 효율(CTE)이 증대되어 소자의 감도가 향상된다.
셋째, 소자의 표면(Surface)이 BCCD까지 PDP+층으로 커버링(Covering)되고, PDN 영역과 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ의 에지(Edge)부분이 격리되므로 화이트 디펙트(White Defect), 플래싱 디펙트(Flashing Defect)가 감소된다.
넷째, 전하 격리층이 박스(Box)형태로 되어 있는(종래의 기술에서는 신호전하가 트랜스퍼 되는 부분에는 채널 스톱층이 형성되지 않는다.) 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ 하측부분의 포텐셜이 균일하게 형성되어 수직전하 전송효율(VCTE)가 향상된다.
그리고 CST 마스크를 사용하지 않으므로 마스크 공정의 감소로 인해 소자의 제조원가 및 공정시간이 단축된다.

Description

고체촬상소자 및 이의 제조방법
제1도는 종래의 고체촬상소자의 레이아웃도.
제2도 (a) 내지 (g)는 제1도의 A-A'에 따른 공정단면도.
제3도는 종래의 고체촬상소자의 공정순서도.
제4도는 본 발명의 고체촬상소자의 공정순서도.
제5도 (a) 내지 (h)는 제4도의 B-B'선에 따른 공정단면도.
제6도는 본 발명의 고체촬상소자의 공정순서도.
제7도는 제4도의 B-B'선에 따른 포텐셜 프로파일.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
50 : 반도체 기판 51 : 제 1 P형 웰
52 : 제 2 P형 웰 53 : PDN 영역
54 : BCCD 영역 55 : 제 1 고농도 P형 영역
56 : 폴리 게이트 Ⅰ 57 : 폴리게이트 Ⅱ
58 : 제 2 고농도 P형 영역
본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로, 특히 수광영역의 구조를 달리하여 감도(Sensitivity)를 향상시키는데 적당하도록 한 고체촬상소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 고체촬상소자에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 고체촬상소자의 레이아웃도이고, 제2도 (a)내지 (g)는 제1도의 A-A'선에 따른 공정단명도이고, 제3도는 종래의 고체촬상소자의 공정순서도이다.
종래의 고체촬상소자는 N형의 반도체 기판(1)의 소정영역에 형성되는 제 1 P형 웰(2)과, 상기 제 1 P형 웰(2) 영역내의 수광영역을 제외한 부분에 형성되는 제 2 P형 웰(3)과, 상기 제 1 P형 웰(2) 영역내의 소정영역에 형성되는 PDN 영역(4)과, 상기 PDN 영역(4) 상부표면에 형성되는 고농도 P형 영역(5)과, 상기 PDN 영역(4) 및 고농도 P형 영역(5)의 일측에 인접하여 형성되는 BCCD 영역(6)과, 상기 PDN 영역(4) 및 고농도 P형 영역(5)으로 이루어진 각 포토다이오드 영역 및 BCCD 영역(6)을 격리하는 CST(7)와, 상기 BCCD 영역(6) 상측에 형성되는 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ(8)(9)(폴리케이트Ⅰ은 제1도 참조)를 포함하여 구성된다.
상기와 같은 종래의 고체촬상소자의 제조공정은 다음과 같다.
먼저, 제2도 (a)(b)에서와 같이, N형 반도체 기판(1)의 소정영역에 P형 불순물 이온주입을 실시하여 제 1 P형 웰(2)을 형성하여 활성영역(Active Region)을 정의한다.
그리고 제2도 (c)에서와 같이, 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 제 1 P형 웰(2) 영역 내의 CCD 채널이 형성될 부분에 P형 불순물 이온주입을 실시하여 제 2 P형 웰(3)을 형성한다.
이어, 제2도 (d)에서와 같이, 각 포토 다이오드 영역의 사이 및 BCCD영역(6)의 사이에 각 화소간의 전하를 격리하기 위한 전위장벽을 만들기 위해 이온주입을 실시하여 CST(7)를 형성한다.
그리고 제2도 (e)에서와 같이, CCD 채널영역에 베리드(Buried) 이온주입을 실시하여 BCCD 영역(6)을 형성한다.
이어, 제2도 (f)에서와 같이, 전면에 폴리 실리콘을 증착하고 패터닝하여 폴리 게이트Ⅰ(8)을 형성하고, (도면에 도시되지 않았음) 게이트와 게이트의 절연을 위한 층간 절연막(도면에 도시하지 않음)을 형성한 후 다시 폴리 실리콘을 증착하고 패터닝하여 폴리 게이트Ⅱ(9)를 형성한다.
그리고 상기 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ(8)(9)를 마스크로 하여 수광영역에 N형 불순물 이온주입을 실시하여 PDN 영역(4)을 형성한다.
이어, 제2도 (g)에서와 같이, 상기 PDN 영역(4)의 표면에 고농도의 P형 불순물 이온주입을 실시하여 고농도 P형 영역(5)을 형성하게 된다.
상기와 같은 종래의 고체촬상소자는 BCCD 영역(6)이 제 2 P형 웰(3) 영역 내에 형성되어 BCCD 영역(6)내의 신호전하는 SUB 바이어스의 영향을 받지 않고 이동되어진다.
그리고 제1도에서와 같이, 광전변환 영역(PD)을 둘러싸고 있는 CST층이 광전변환 영역을 완전하게 감싸고 형성되는 것이 아니라 어느 한 부분이 오픈되어 형성되어지는데, 그 이유는 다음과 같다.
즉, 광전변환으로 생성되어진 신호전하를 원활하게 트랜스퍼 시키기 위한 것으로, 트랜스퍼 게이트(TG)로 사용되는 게이트에 HIGH 바이어스가 인가되면 CST층이 형성되지 않은 부분의 포텐셜이 변화되어 신호전하가 광전변환 영역에서 CCD채널로 이용되는 BCCD 영역으로 원활하게 이동된다.
그러나 상기와 같이 CST층이 형성되는 종래의 고체촬상소자에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
CST층을 형성하기 위해 CST 마스크를 이용하므로 소자의 특성에 중대한 영향을 미치는 CST층의 폭(Width : W)의 제한에는 한계가 있다.
왜냐하면, 마스크 패터닝을 위한 스텝퍼(Stepper) 등의 장비에서 컨트롤이 가능한 최소한의 패턴 디파인 능력이하로 폭을 제한 형성하기가 어렵기 때문이다.
CST층의 폭이 크면 사이드 이펙트(Side Effect)에 의하여 각 화소의 포텐셜 포켓(Potential Poket)이 작아지고, CCD 채널에서 전하전송 효율(CTE)이 저하된다(왜냐하면 각 화소의 주변과 CCD 채널주변에는 CST층이 형성되므로).
따라서, 고체촬상소자의 감도(Sensitivity)가 떨어진다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 고체촬상소자의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 수광영역 및 전하 격리층의 구조를 달리하여 소자의 감도(Sensitivity)를 향상시키는데 적당하도록 한 고체촬상소자 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고체촬상소자는 N형 반도체 기판에 형성된 제 1 P형 웰과, 상기 제 1 P형 웰 영역내에 반복적으로 형성되는 제 2P 형 웰과, 상기 제 2 P형 웰 영역 내에 형성되는 전하전송 영역(BCCD)과, 상기 전하전송 영역과 분리되어 제 1 P형 웰 영역의 상층부에 형성되는 N형 포토다이오드 영역(PDN)과, 상기 전하전송 영역을 제외한 상기 N형 포토다이오드 영역 상측표면에 상기 N형 포토다이오드 영역보다 넓은 폭을 갖고 전하 격리층 역할을 하는 제 1 고농도 P형 영역과, 상기 전하전송 영역 상에 반복적으로 형성되는 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ와, 상기 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ를 마스크로 하여 상기 제 1고농도 P형 영역 표면에 형성되는 제 2고농도 P형 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 고체촬상소자 및 이의 제조방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제4도는 본 발명의 고체촬상소자의 레이아웃도이고, 제5도 (a)내지 (h)는 제4도의 B-B'선에 따른 공정단면도이고, 제6도는 본 발명의 고체촬상소자의 공정순서도이다.
본 발명의 고체촬상소자는 광전변환 영역에서 CCD 채널로의 신호전하 이동이 반도체 기판의 표면이 아닌 벌크(Bulk)영역에서 이루어지도록 한 것으로 CST층이 없는 구조이다.
제4도와 제5도에서와 같이 N형의 반도체 기판(50)의 소정영역에 형성되는 제 1 P형 웰(51)과, 상기 제 1 P형 웰(51)의 특정영역에 형성되는 복수의 제 2 P형 웰(52)과, 상기 제 2 P형 웰(52)이 형성되지 않은 제 1 P형 웰(51) 영역에 광전변환 영역으로 형성되는 PDN 영역(53)과, 상기 PDN 영역(53)상에 PDN 영역(53) 보다 넓게 상기 전하전송 영역까지 확장되어 형성되는 제 1 고농도 P형 영역(55)상에 동일 넓이로 형성되는 제 2 고농도 P형 영역(58)과, 상기 제 2 P형 웰(52) 영역에 상기 제 1,2 고농도 P형 영역(55)(58)에 인접하여 형성되는 BCCD 영역(54)과, 상기 BCCD 영역(54) 상측에 층간절연막에 의해 절연되어 반복적으로 형성되는 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ(56)(57)(폴리게이트 Ⅰ은 제4도 참조)를 포함하여 구성된다.
이때, 제 1 고농도 P형 영역(55)은 트랜스퍼 게이트(Transfer Gate)로 사용되는 폴리 게이트 Ⅱ(57)의 가장자리 하측영역까지 형성된다.
상기와 같은 본 발명의 고체촬상소자는 별도의 CST층을 형성하지 않고 제 1 고농도 P형 영역(55)이 전하격리층으로 이용되는 구조이다.
상기와 같이 제 1고농도P형 영역(55)이 전하 격리층으로 이용되는 광전변환 영역에서 생성되어진 신호전하가 벌크 트랜스퍼 되어진다.
상기와 같은 본 발명의 고체촬상소자의 제조공정은 다음과 같다.
먼저, 제5도(a)에서와 같이, N형의 반도체 기판(50)의 소정영역에 P형 불순물 이온주입을 실시하여 제5도(b)에서와 같은 제1P형 불순물 이온주입을 실시하여 제5도 (b)에서와 같은 제1P형 웰(51)을 형성한다.
이어 제5도 (c)에서와 같이, 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 제 1 P형 웰(51) 영역에 P형 불순물 이온주입을 실시하여 후공정에서 형성되는 CCD 채널영역을 보호하기 위한 제 2 P형 웰(51)을 형성한다.
그리고 제5도 (d)에서와 같이, 상기 제 2 P형 웰(51)이 형성되지 않은 제 1 P형 웰(51) 영역에 N형 불순물 이온주입을 실시하여 광전변환 영역으로 이용되는 PDN 영역(53)을 형성한다.
상기와 같이 폴리 게이트를 형성하기 전에 PDN 영역(53)을 형성한 이유는 후공정에서 형성되는 폴리 게이트Ⅰ의 하측영역까지 PDN 영역(53)을 확대 형성하기 위한 것이다.
이어, 제5도 (e)에서와 같이, 상기 PDN 영역(53) 등으로 이루어진 광전변환 영역에서 생성된 신호전하를 일방향으로 이동시키기 위한 CCD 채널영역을 형성한다.
즉, 제 2P형 웰(51) 영역에 베리드(Buried) 이온주입을 실시하여 BCCD영역(54)을 형성한다.
그리고 제5도 (f)에서와 같이, 상기 PDN 영역(53) 상측에 고농도의 P형 불순물 이온주입을 실시하여 제 1고농도 P형 영역(55)을 형성한다.
이때, 제 1고농도 P형 영역(55)은 전하 격리층 역할이 가능하도록 도우즈(Dose)량, 도핑 에너지 등을 조절하여 트랜스퍼 게이트(TG)로 이용되는 폴리 게이트Ⅱ(후공정에서 형성되는) 하측영역까지 넓게 형성된다.
이는 종래의 CST층이 형성되던 영역까지 PDN 영역(53)이 확대됨에 따라 각 광전변환 영역과 CCD 채널영역(BCCD) 사이의 전하격리 역할이 충분히 이루어지도록 한 것이다.
그리고 광전변환 영역에서 CCD 채널영역으로 트랜스퍼 되는 부분의 베리어(Barrier)를 강화하고, 신호전하의 벌크 트랜스퍼(Bulk Transfer)를 유도하기 위한 것이다.
이어, 제5도 (g)에서와 같이, 제 1 폴리 실리콘층(도면에 도시되지 않음)을 형성하고 패터닝하여 폴리 게이트Ⅰ(56)(제4도 참조)을 형성하고 게이트간의 절연을 위한 절연층을 형성한다(절연층은 도면에 도시되지 않음).
그리고 제 2 폴리 실리콘층을 형성하고 패터닝하여 폴리 게이트Ⅱ(57)를 형성한다.
그리고 제5도 (h)에서와 같이, 상기 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ(56)(57)를 마스크로 하여 전면에 고농도의 P형 불순물 이온을 주입하여 화이트 디펙트(White Defect) 감소를 위한 제 2 고농도 P형 영역(58)을 형성한다.
통상적으로 광전변환 영역의 PDN층의 표면에 형성되는 고농도 P형 영역은 암전류(Dark Current) 발생을 억제하기 위한 것으로, 서페이스 스테이트(Surface State)를 통해 노이즈 전하들이 광전변환 영역(PD)으로 유입되는 것을 방지하고, 암전류의 발생원이 되는 Si-SiO2경계면을 비공핍화 영역에 가둠으로써 암전류의 발생을 억제하기 위한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 고체촬상소자는 별도의 채널 스톱층을 형성하지 않고 고농도 P형 영역을 전하격리 영역으로 이용하는 것으로 다음과 같은 효과를 갖는다.
첫째, CST 마스크를 사용하지 않으므로 최소한의 디자인 룰을 고려하지 않은 상태에서 소자의 스케일 다운(Scale Down)이 가능하다.
둘째, 전하격리 영역의 미세 형성으로 각 광전변환 영역의 포텐셜 포켓이 확대되고, CCD 채널의 사이드 이펙트(Side Effect)가 감소하여 전하전송 효율(CTE)이 증대되어 소자의 감도가 향상된다.
셋째, 소자의 표면(Surface)이 BCCD까지 고농도 P형 영역으로 커버링(Covering)되고, PDN 영역과 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ의 에지(Edge)부분이 격리되므로 화이트 디펙트(White Defect), 플래싱 디펙트(Flashing Defect)가 감소된다.
넷째, 전하 격리층이 박스(Box)형태로 되어 있는(종래의 기술에서는 신호전하가 트랜스퍼 되는 부분에는 채널 스톱층이 형성되지 않는다.) 폴리 게이트Ⅰ,Ⅱ 하측부분의 포텐셜이 균일하게 형성되어 수직전하 전송효율(VCTE)이 향상된다.
그리고 CST 마스크를 사용하지 않으므로 마스크 공정의 감소로 인해 소자의 제조원가 및 공정시간이 단축된다.

Claims (2)

  1. N형 반도체 기판에 형성된 제 1 P형 웰과, 상기 제 1 P형 웰 영역내에 반복적으로 형성되는 제 2 P형 웰과, 상기 제 2 P형 웰 영역내에 형성되는 전하전송 영역(BCCD)과, 상기 전하전송 영역과 분리되어 제 1 P형 웰 영역의 상층부에 형성되는 N형 포토다이오드 영역(PDN)과, 상기 전하전송 영역을 제외한 상기 N형 포토 다이오드 영역 상측표면에 상기 N형 포토다이오드 영역보다 넓은 폭을 갖고 전하 격리층 역할을 하는 제 1 고농도 P형 영역과, 상기 전하전송 영역상에 반복적으로 형성되는 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ와 상기 폴리게이트 Ⅰ,Ⅱ를 마스크로 하여 상기 제 1 고농도 P형 영역 표면에 형성되는 제 2 고농도 P형 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. N형 반도체 기판의 소정영역에 P형 불순물 이온 주입을 하여 제 1 P형 웰을 형성하고, 상기 제 1 P형 웰 영역내에 제 2 P형 웰을 형성하는 공정과, 상기 제 2 P형 웰이 형성되지 않은 제 1 P형 웰 영역에 N형 불순물 이온주입 공정을 하여 N형 포토 다이오드 영역(PDN)을 형성하는 공정과, 상기 제 2 P형 웰 영역에 N형 불순물 이온주입 공정으로 전하전송 영역(BCCD)을 형성하는 공정과, 상기 전하전송 영역을 제외한 N형 포토 다이오드 영역 상층부에 제 1 고농도 P형 영역을 형성하는 공정과, 상기 전하전송 영역상에 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ를 차례로 형성하는 공정과, 상기 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ를 마스크로 하여 상기 제 1 고농도 P형 영역 표면에 제 2 고농도 P형 영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
KR1019950048242A 1995-12-11 1995-12-11 고체촬상소자 및 이의 제조방법 KR100198622B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950048242A KR100198622B1 (ko) 1995-12-11 1995-12-11 고체촬상소자 및 이의 제조방법
JP8184294A JP2866351B2 (ja) 1995-12-11 1996-06-26 固体撮像素子の製造方法
US08/762,845 US5821574A (en) 1995-12-11 1996-12-10 Charge-coupled device having different light-receiving region and charge isolation layer structures
US09/017,800 US6054341A (en) 1995-12-11 1998-02-03 Method of manufacturing charge-coupled device having different light-receiving region and charge-isolating layer structures

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950048242A KR100198622B1 (ko) 1995-12-11 1995-12-11 고체촬상소자 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970054284A KR970054284A (ko) 1997-07-31
KR100198622B1 true KR100198622B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19438963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950048242A KR100198622B1 (ko) 1995-12-11 1995-12-11 고체촬상소자 및 이의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5821574A (ko)
JP (1) JP2866351B2 (ko)
KR (1) KR100198622B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100870823B1 (ko) * 2002-07-05 2008-11-27 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 및 그 제조방법
US8446508B2 (en) 2005-07-27 2013-05-21 Sony Corporation Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components
US10585101B2 (en) 2016-03-10 2020-03-10 Wavesense, Inc. Prostatic liquid biopsy for the detection of prostate cancer and benign prostatic hyperplasia

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125303B2 (ja) * 1990-11-26 2001-01-15 日本電気株式会社 固体撮像素子
JPH0567767A (ja) * 1991-03-06 1993-03-19 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
KR970007711B1 (ko) * 1993-05-18 1997-05-15 삼성전자 주식회사 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치
JPH07161958A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Nec Corp 固体撮像装置
JP2816824B2 (ja) * 1995-09-11 1998-10-27 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド Ｃｃｄ固体撮像素子
JPH09266296A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6054341A (en) 2000-04-25
US5821574A (en) 1998-10-13
KR970054284A (ko) 1997-07-31
JP2866351B2 (ja) 1999-03-08
JPH09162385A (ja) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3570733B2 (ja) 仮想位相フレーム・インタライン転送ｃｃｄ画像センサ
EP1130638B1 (en) Method and structure for reducing leakage currents of active area photodiodes
KR100494030B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조 방법
US7705380B2 (en) Amplification-type solid-state image sensing device
US6617174B2 (en) Fieldless CMOS image sensor
US5051798A (en) Solid state image sensing device having an overflow drain structure
US4173064A (en) Split gate electrode, self-aligned antiblooming structure and method of making same
JP4049218B2 (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサーの製造方法
EP0502521B1 (en) Solid-state image pickup device and method of manufacturing the same
KR100293718B1 (ko) 개선된 이미지센서 제조방법
KR100198622B1 (ko) 고체촬상소자 및 이의 제조방법
KR100855282B1 (ko) 이미지 센서 제조 방법
US6482667B2 (en) Solid state image sensor device and method of fabricating the same
US6346722B1 (en) Solid state imaging device and method for manufacturing the same
US6043523A (en) Charge coupled device and method of fabricating the same
US5741728A (en) Method for manufacturing charge-coupled device with polygates having the same resistances
KR960006064A (ko) 씨씨디(ccd) 영상소자의 제조방법
KR0165326B1 (ko) 전하전송소자 및 그 제조방법
JP3105781B2 (ja) 固体撮像装置
KR100359767B1 (ko) 고체촬상소자의 제조 방법
JPH0697416A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH04291965A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
KR100748317B1 (ko) 이미지센서의 제조 방법
JPH0685233A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH04340275A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050221

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee