KR970054284A - 고체촬상소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

고체촬상소자 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로, 특히 수광영역의 구조를 달리하여 감도(Sensitivity)를 향상시키는데 적당하도록 한 고체촬상소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 고체촬상소자는 N형 반도체 기판에 형성된 제1P형 웰과, 상기 제1P형 웰 영역내에 반복적으로 형성되는 제2P형 웰과, 상기 제2P형 웰 영역내에 형성되는 전하전송 영역(BCCD)과, 상기 전하전송 영역과 분리되어 제1P형 웰 영역의 상층부에 형성되는 N형 포토 다이오드 영역(PDN)과, 상기 전하전송 영역을 제외한 N형 포토 다이오드 영역 상측표면에 형성되어 전하 격리층 역할을 하는 제1고농도 P형 포토 다이오드 영역(제1PDP+영역)과, 상기 전하전송 영역상에 반복적으로 형성되는 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ와, 상기 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ에 셀프 얼라인 되어 상기 제1고농도 P형 포토 다이오드 영역의 표면에 형성되는 제2고농도 P형 포토 다이오드 영역(2PDP+영역)으로 이루어져 다음과 같은 효과를 갖는다.
첫째, CST 마스크를 사용하지 않으므로 최소한의 디자인 툴을 고려하지 않은 상태에서 소자의 스케일 다운(Scale Down)이 가능하다.
둘째, 전하격리 영역의 미세 형성으로 각 광전변환 영역의 포텐셜 포켓이 확대되고, CCD 채널의 사이드 이펙트(Side Effect)가 감소하여 전하전송 효율(CTE)이 증대되어 소자의 감도가 향상된다.
셋째, 소자의 표면(Surface)이 BCCD까지 PDP+층으로 커버링(Covering)되고, PDN 영역과 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ의 에지(Edge)부분이 격리되므로 화이트 디펙트(White Defect), 플래싱 디펙트(Flashing Defect)가 감소된다.
넷째, 전하 격리층이 박스(Box)형태로 되어 있는 (종래의 기술에서는 신호전하가 트랜스퍼 되는 부분에는 채널 스톱층이 형성되지 않는다.) 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ 하측부분의 포텐셜이 균일하게 형성되어 수직전하 전송효율(VCTE)가 향상된다.
그리고 CST 마스크를 사용하지 않으므로 마스크 공정의 감소로 인해 소자의 제조원가 및 공정시간이 단축된다.

Description

고체촬상소자 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 고체촬상소자의 레이아웃도,
제5도 (a) 내지 (h)는 제4도의 B-B′선에 따른 공정단면도.

Claims (2)

  1. N형 반도체 기판에 형성된 제1P형 웰과, 상기 제1P형 웰 영역내의 반복적으로 형성하는 제2P형 웰과,상기 제2P형 웰 영역내에 형성되는 전하전송 영역(BCCD)과, 상기 전하전송 영역과 분리되어 제1P형 웰 영역의 상층부에 형성되는 N형 포토다이오드 영역(PDN)과, 상기 전하전송 영역을 제외한 N형 포토 다이오드 영역상측표면에 형성되어 전하 격리층 역할을 하는 제1고농도 P형 포토 다이오드 영역(제1PDP+영역)과, 상기 전하전송 영역상에 반복적으로 형성되는 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ와, 상기 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ에 셀프 얼라인 되어 상기 제1고농도 P형 포토 다이오드 영역의 표면에 형성되는 제2고농도 P형 포토 다이오드 영역(제2PDP+영역)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. N형 반도체 기판의 소정영역에 P형 불순물 이온주입을 하여 제1P형 웰을 형성하고, 상기 제1P형 웰 영역내에 제2P형 웰을 형성하는 공정과, 상기 제2P형 웰이 형성되지 않은 제1P형 웰 영역에 N형 불순물 이온주입 공정을 하여 N형 포토 다이오드 영역(PDN)을 형성하는 공정과, 상기 제2P형 웰 영역에 N형 불순물 이온주입 공정으로 전하전송 영역(BCCD)을 형성하는 공정과, 상기 전하전송 영역을 제외한 N형 포토 다이오드 영역 상층부에 고농도 P형 불순물 이온주입 공정을 실시하여 제1고농도 P형 포토 다이오드 영역(제1PDP+영역)을 형성하는 공정과, 전면에 폴리 실리콘을 증착하고 패터닝하여 상기 전하전송 영역상에 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ를 차례로 형성하는 공정과, 상기 폴리 게이트 Ⅰ,Ⅱ를 마스크로 하여 전면에 고농도 P형 불순물 이온주입 공정을 실시하여 제2고농도 P형 포토 다이오드 영역(제2PDP+영역)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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