JPH09232555A - イメージセンサ - Google Patents
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- JPH09232555A JPH09232555A JP8033230A JP3323096A JPH09232555A JP H09232555 A JPH09232555 A JP H09232555A JP 8033230 A JP8033230 A JP 8033230A JP 3323096 A JP3323096 A JP 3323096A JP H09232555 A JPH09232555 A JP H09232555A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素間クロストークの発生を避けるために、
Ｎ型の半導体基板に設けたＰ型のウエル層に受光部とな
るＮ+ 型の不純物層を形成すると、Ｐ型のウエル層とＮ
+ 型の不純物層との接合容量が増加して検出感度を低下
させていた。 【解決手段】 第１導電型（Ｎ型）の半導体基板11に設
けた第２導電型（Ｐ型）のウエル層12に第１導電型の受
光部となるＮ+ 型の不純物層13を形成したイメージセン
サ1 において、Ｎ+ 型の不純物層13とＰ型のウエル層12
との間に、Ｎ+ 型の不純物層13よりも不純物濃度が低く
かつＮ+ 型の不純物層13の下部側に接続するＮ- 型の不
純物層14を備えたものである。またはＰ型のウエル層12
よりも不純物濃度が低くかつＮ+ 型の不純物層13の下部
側に接合するＰ型の不純物層（図示省略）を備えてもよ
い。
Ｎ型の半導体基板に設けたＰ型のウエル層に受光部とな
るＮ+ 型の不純物層を形成すると、Ｐ型のウエル層とＮ
+ 型の不純物層との接合容量が増加して検出感度を低下
させていた。 【解決手段】 第１導電型（Ｎ型）の半導体基板11に設
けた第２導電型（Ｐ型）のウエル層12に第１導電型の受
光部となるＮ+ 型の不純物層13を形成したイメージセン
サ1 において、Ｎ+ 型の不純物層13とＰ型のウエル層12
との間に、Ｎ+ 型の不純物層13よりも不純物濃度が低く
かつＮ+ 型の不純物層13の下部側に接続するＮ- 型の不
純物層14を備えたものである。またはＰ型のウエル層12
よりも不純物濃度が低くかつＮ+ 型の不純物層13の下部
側に接合するＰ型の不純物層（図示省略）を備えてもよ
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イメージセンサに
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】第１の従来の技術を図４の概略構成図に
よって説明する。図４に示すように、このイメージセン
サ１１０はいわゆるフォトゲートを用いている。すなわ
ち、Ｐ型の半導体基板１１１にフォトゲート１１２が形
成されている。このフォトゲート１１２のＮ+ 型の第１
不純物層１１３は転送ゲート１１４の一方の不純物層と
共有する状態に形成されている。また転送ゲート１１４
の他方のＮ+ 型の第２不純物層１１５には、ソースホロ
ワ〔例えばＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor ）トラ
ンジスタで構成されている〕１２１のゲートが接続され
るとともにリセットゲート１２２の一方の拡散層が接続
されている。またソースホロワ１２１には垂直スイッチ
（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）１２３
が直列に接続されている。
よって説明する。図４に示すように、このイメージセン
サ１１０はいわゆるフォトゲートを用いている。すなわ
ち、Ｐ型の半導体基板１１１にフォトゲート１１２が形
成されている。このフォトゲート１１２のＮ+ 型の第１
不純物層１１３は転送ゲート１１４の一方の不純物層と
共有する状態に形成されている。また転送ゲート１１４
の他方のＮ+ 型の第２不純物層１１５には、ソースホロ
ワ〔例えばＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor ）トラ
ンジスタで構成されている〕１２１のゲートが接続され
るとともにリセットゲート１２２の一方の拡散層が接続
されている。またソースホロワ１２１には垂直スイッチ
（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）１２３
が直列に接続されている。
【０００３】次に第２の従来の技術として、図５の概略
構成図に示すような増幅型ＭＯＳイメージセンサ１３０
が日本放送協会の技術研究所から提案されている。すな
わち、Ｐ型の半導体基板（例えばシリコン基板）１１１
の上層の一部分に受光部になるＮ+ 型の不純物層１３１
が形成されている。上記Ｎ+ 型の不純物層１３１には、
ソースホロワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されて
いる）１２１のゲートが接続されるとともに、リセット
ゲート１２２の一方の拡散層が接続されている。またソ
ースホロワ１２１には垂直スイッチ（例えばＭＯＳトラ
ンジスタで構成されている）１２３が直列に接続されて
いる。
構成図に示すような増幅型ＭＯＳイメージセンサ１３０
が日本放送協会の技術研究所から提案されている。すな
わち、Ｐ型の半導体基板（例えばシリコン基板）１１１
の上層の一部分に受光部になるＮ+ 型の不純物層１３１
が形成されている。上記Ｎ+ 型の不純物層１３１には、
ソースホロワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されて
いる）１２１のゲートが接続されるとともに、リセット
ゲート１２２の一方の拡散層が接続されている。またソ
ースホロワ１２１には垂直スイッチ（例えばＭＯＳトラ
ンジスタで構成されている）１２３が直列に接続されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】微細化ＣＭＯＳプロセ
スを用いて上記図４に示した構成のイメージセンサを形
成すると、フォトゲートのゲート電極はタングステンポ
リサイドで形成されることになる。そのため、ゲート電
極は光を透過しないものになる。そこで、いわゆるマス
ク工程を追加して行うことによって、タングステンポリ
サイドのタングステン層を除去し、光の透過性を高めた
ゲート電極の構成にすることが可能である。しかしなが
ら、ポリシリコンによる光の吸収、特に青色の光の吸収
を無視することができない。
スを用いて上記図４に示した構成のイメージセンサを形
成すると、フォトゲートのゲート電極はタングステンポ
リサイドで形成されることになる。そのため、ゲート電
極は光を透過しないものになる。そこで、いわゆるマス
ク工程を追加して行うことによって、タングステンポリ
サイドのタングステン層を除去し、光の透過性を高めた
ゲート電極の構成にすることが可能である。しかしなが
ら、ポリシリコンによる光の吸収、特に青色の光の吸収
を無視することができない。
【０００５】また、赤い光は基板の内部まで入射するこ
と、および基板にＰ型の半導体基板を用いていることか
ら、Ｐ型の半導体基板自体で光電変換した電子がその周
囲の画素に侵入する、いわゆる画素間クロストークが発
生する。これは、いわゆる１チップカラー化のイメージ
センサを構成するに当たって重大な問題になる。
と、および基板にＰ型の半導体基板を用いていることか
ら、Ｐ型の半導体基板自体で光電変換した電子がその周
囲の画素に侵入する、いわゆる画素間クロストークが発
生する。これは、いわゆる１チップカラー化のイメージ
センサを構成するに当たって重大な問題になる。
【０００６】さらに、イメージセンサでは残像の発生と
高感度化とは、いわゆるトレードオフの関係にある。す
なわち、電荷蓄積時には、フォトゲートのポテンシャル
は浅い状態にあり、転送ゲートのポテンシャルは中間状
態にある。またリセットゲートのポテンシャルは浅い状
態にある。このようなポテンシャル状態で動作させる
と、転送ゲートが横型のオーバフローゲートになり、前
記図４によって説明した不純物層（１１５）の電圧がＶ
DDとなってこの不純物層（１１５）がオーバフロードレ
インになる。
高感度化とは、いわゆるトレードオフの関係にある。す
なわち、電荷蓄積時には、フォトゲートのポテンシャル
は浅い状態にあり、転送ゲートのポテンシャルは中間状
態にある。またリセットゲートのポテンシャルは浅い状
態にある。このようなポテンシャル状態で動作させる
と、転送ゲートが横型のオーバフローゲートになり、前
記図４によって説明した不純物層（１１５）の電圧がＶ
DDとなってこの不純物層（１１５）がオーバフロードレ
インになる。
【０００７】一方、検出時には、リセットゲートのポテ
ンシャルφRSを深くして、ソースホロワおよび垂直スイ
ッチを動作させると、リセットゲートのカットオフ時に
発生するもので、前記図４によって説明した不純物層
（１１５）におけるスイッチングノイズ（以下、ｋTCノ
イズという）が検出される。また、信号検出時には、フ
ォトゲートのポテンシャルを深くして、フォトゲートと
前記図４によって説明した不純物層（１１３）とにある
電荷を不純物層（１１５）へ移動させ、ソースホロワと
垂直スイッチとで不純物層（１１５）の電位を検出す
る。
ンシャルφRSを深くして、ソースホロワおよび垂直スイ
ッチを動作させると、リセットゲートのカットオフ時に
発生するもので、前記図４によって説明した不純物層
（１１５）におけるスイッチングノイズ（以下、ｋTCノ
イズという）が検出される。また、信号検出時には、フ
ォトゲートのポテンシャルを深くして、フォトゲートと
前記図４によって説明した不純物層（１１３）とにある
電荷を不純物層（１１５）へ移動させ、ソースホロワと
垂直スイッチとで不純物層（１１５）の電位を検出す
る。
【０００８】上記検出方法では、不純物層（１１５）の
みが、いわゆるフローティングディフュージョンにな
り、キャパシタンス（容量）が最も小さく、かつスイッ
チングノイズのｋTCノイズを検出でき、ＣＤＳ（Correl
ated Double Sampling）が可能になる。つまり高感度化
がし易くなる。
みが、いわゆるフローティングディフュージョンにな
り、キャパシタンス（容量）が最も小さく、かつスイッ
チングノイズのｋTCノイズを検出でき、ＣＤＳ（Correl
ated Double Sampling）が可能になる。つまり高感度化
がし易くなる。
【０００９】しかしながら、不純物層（１１３）から転
送ゲートを通過して不純物層（１１５）への電荷転送
は、キャパシタに信号電荷を蓄積し、これをＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ（電界効果トランジスタ）のスイッチ作用で、次の
キャパシタにいわゆるバケツリレー式に転送する方式で
あるＢＢＤ（Bucket Brigade Device ）方式であるの
で、残像が発生する。
送ゲートを通過して不純物層（１１５）への電荷転送
は、キャパシタに信号電荷を蓄積し、これをＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ（電界効果トランジスタ）のスイッチ作用で、次の
キャパシタにいわゆるバケツリレー式に転送する方式で
あるＢＢＤ（Bucket Brigade Device ）方式であるの
で、残像が発生する。
【００１０】残像を無くそうとすると、リセット時に転
送ゲートの電圧を高くして不純物層（１１３）と不純物
層（１１５）との両方をリセットする必要がある。この
とき、フォトゲートの電荷もリセットされる。この場合
には、リセットゲートのポテンシャルφRSを浅くした
後、転送ゲートの電圧を高くして、フォトゲートと不純
物層（１１３）にある電荷を不純物層（１１３）と不純
物層（１１５）と転送ゲートとに移動して、ソースホロ
ワと垂直スイッチとで電位を検出する。しかしながら、
不純物層（１１３）と不純物層（１１５）と転送ゲート
とが、いわゆるフローティングディフュージョンになる
ため、このフローティングディフュージョンのキャパシ
タンス（容量）が増加する。
送ゲートの電圧を高くして不純物層（１１３）と不純物
層（１１５）との両方をリセットする必要がある。この
とき、フォトゲートの電荷もリセットされる。この場合
には、リセットゲートのポテンシャルφRSを浅くした
後、転送ゲートの電圧を高くして、フォトゲートと不純
物層（１１３）にある電荷を不純物層（１１３）と不純
物層（１１５）と転送ゲートとに移動して、ソースホロ
ワと垂直スイッチとで電位を検出する。しかしながら、
不純物層（１１３）と不純物層（１１５）と転送ゲート
とが、いわゆるフローティングディフュージョンになる
ため、このフローティングディフュージョンのキャパシ
タンス（容量）が増加する。
【００１１】上記第２の従来の技術で説明したイメージ
センサも上記第１の従来の技術と同様の理由から画素間
クロストークを発生する。この画素間クロストークの発
生を避ける構造として、図６の概略構成図に示すような
構造が提案されている。
センサも上記第１の従来の技術と同様の理由から画素間
クロストークを発生する。この画素間クロストークの発
生を避ける構造として、図６の概略構成図に示すような
構造が提案されている。
【００１２】図６に示すように、このイメージセンサ１
４０は前記図５によって説明したイメージセンサ（１３
０）において、基板にＮ型の半導体基板１４１を用い、
そのＮ型の半導体基板１４１にＰ型のウエル層１４２を
形成し、そのＰ型のウエル層１４２に受光部になるＮ+
型の不純物層１４３を形成したものである。ソースホロ
ワ１２１、リセットゲート１２２、垂直スイッチ１２３
の構成は、前記図５によって説明した構成と同様であ
る。
４０は前記図５によって説明したイメージセンサ（１３
０）において、基板にＮ型の半導体基板１４１を用い、
そのＮ型の半導体基板１４１にＰ型のウエル層１４２を
形成し、そのＰ型のウエル層１４２に受光部になるＮ+
型の不純物層１４３を形成したものである。ソースホロ
ワ１２１、リセットゲート１２２、垂直スイッチ１２３
の構成は、前記図５によって説明した構成と同様であ
る。
【００１３】しかしながら、ＭＯＳ構造を微細化するプ
ロセスにおいてはＰ型のウエル層１４２の不純物濃度が
高く設定されるようになってきているため、上記図６に
よって説明したイメージセンサでは、Ｐ型のウエル層１
４２とＮ+ 型の不純物層１４３との接合容量が増加す
る。そのため、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層１４３
に係わる接合容量とソースホロワ１２１までの配線容
量）が大きくなるので、検出感度が低下する。
ロセスにおいてはＰ型のウエル層１４２の不純物濃度が
高く設定されるようになってきているため、上記図６に
よって説明したイメージセンサでは、Ｐ型のウエル層１
４２とＮ+ 型の不純物層１４３との接合容量が増加す
る。そのため、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層１４３
に係わる接合容量とソースホロワ１２１までの配線容
量）が大きくなるので、検出感度が低下する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたイメージセンサである。すなわ
ち、第１のイメージセンサは、第１導電型の半導体基板
に設けた第２導電型のウエルに第１導電型の受光部を形
成し、この第１導電型の受光部と上記第２導電型のウエ
ルとの間に、上記第１導電型の受光部よりも不純物濃度
の低い第１導電型の不純物層を備えたものである。
決するためになされたイメージセンサである。すなわ
ち、第１のイメージセンサは、第１導電型の半導体基板
に設けた第２導電型のウエルに第１導電型の受光部を形
成し、この第１導電型の受光部と上記第２導電型のウエ
ルとの間に、上記第１導電型の受光部よりも不純物濃度
の低い第１導電型の不純物層を備えたものである。
【００１５】上記構成の第１のイメージセンサでは、第
１導電型の受光部と第２導電型のウエルとの間に上記第
１導電型の受光部よりも不純物濃度の低い第１導電型の
不純物層を備えていることから、第１導電型の受光部と
第２導電型のウエルとの間の容量が低減される。
１導電型の受光部と第２導電型のウエルとの間に上記第
１導電型の受光部よりも不純物濃度の低い第１導電型の
不純物層を備えていることから、第１導電型の受光部と
第２導電型のウエルとの間の容量が低減される。
【００１６】第２のイメージセンサは、第１導電型の半
導体基板に設けた第２導電型のウエルに第１導電型の受
光部を形成し、この第１導電型の受光部と上記第２導電
型のウエルとの間に、この第２導電型のウエルよりも不
純物濃度の低い第２導電型の不純物層を備えたものであ
る。
導体基板に設けた第２導電型のウエルに第１導電型の受
光部を形成し、この第１導電型の受光部と上記第２導電
型のウエルとの間に、この第２導電型のウエルよりも不
純物濃度の低い第２導電型の不純物層を備えたものであ
る。
【００１７】上記構成の第２のイメージセンサでは、第
１導電型の受光部と第２導電型のウエルとの間に上記第
２導電型のウエルよりも不純物濃度の低い第２導電型の
不純物層を備えていることから、第１導電型の受光部と
第２導電型のウエルとの間の容量が低減される。
１導電型の受光部と第２導電型のウエルとの間に上記第
２導電型のウエルよりも不純物濃度の低い第２導電型の
不純物層を備えていることから、第１導電型の受光部と
第２導電型のウエルとの間の容量が低減される。
【００１８】第３のイメージセンサは、第１導電型の半
導体基板に設けた第２導電型のウエル層に形成した受光
部と、この受光部に隣接して上記第２導電型のウエル層
に設けた転送ゲートとを備えたもので、上記受光部は、
第２導電型のウエルよりも不純物濃度の高い第２導電型
の不純物層と、この第２導電型の不純物層の下部に接合
する状態に形成した第１導電型の第１不純物層と、この
第１導電型の第１不純物層の下部に接続する状態に形成
したもので上記第１導電型の第１不純物層よりも不純物
濃度の低い第１導電型の第２不純物層とからなるもので
ある。
導体基板に設けた第２導電型のウエル層に形成した受光
部と、この受光部に隣接して上記第２導電型のウエル層
に設けた転送ゲートとを備えたもので、上記受光部は、
第２導電型のウエルよりも不純物濃度の高い第２導電型
の不純物層と、この第２導電型の不純物層の下部に接合
する状態に形成した第１導電型の第１不純物層と、この
第１導電型の第１不純物層の下部に接続する状態に形成
したもので上記第１導電型の第１不純物層よりも不純物
濃度の低い第１導電型の第２不純物層とからなるもので
ある。
【００１９】上記構成の第３のイメージセンサでは、残
像が発生しないように、読み出し時に転送ゲートのポテ
ンシャルを浅い状態にして受光部の電荷を転送ゲートに
よって移動させても、受光部を構成する第１導電型の第
１不純物層の下部側にこれよりも不純物濃度の低い第１
導電型の第２不純物層が接続する状態に形成されている
ことから、第１導電型の第１不純物層と第２導電型のウ
エル層との間の容量が大きくなることはなく、その容量
は低減される。また受光部の表面層に第２導電型の不純
物層を形成したことから、表面暗電流の発生が防止され
る。さらに第１導電型としてＮ型の半導体基板を用いる
ことにより、基板自体で入射光によって光電変換を起こ
すことが無くなるので、いわゆる画素間クロストークの
発生が防止される。
像が発生しないように、読み出し時に転送ゲートのポテ
ンシャルを浅い状態にして受光部の電荷を転送ゲートに
よって移動させても、受光部を構成する第１導電型の第
１不純物層の下部側にこれよりも不純物濃度の低い第１
導電型の第２不純物層が接続する状態に形成されている
ことから、第１導電型の第１不純物層と第２導電型のウ
エル層との間の容量が大きくなることはなく、その容量
は低減される。また受光部の表面層に第２導電型の不純
物層を形成したことから、表面暗電流の発生が防止され
る。さらに第１導電型としてＮ型の半導体基板を用いる
ことにより、基板自体で入射光によって光電変換を起こ
すことが無くなるので、いわゆる画素間クロストークの
発生が防止される。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態の一例を図
１の概略構成図によって説明する。
１の概略構成図によって説明する。
【００２１】図１に示すように、イメージセンサ１は以
下のように構成されている。すなわち、第１導電型（以
下Ｎ型として説明する）の半導体基板（例えばシリコン
基板）１１の上層に第２導電型（以下Ｐ型として説明す
る）のウエル層１２が形成され、そのＰ型のウエル層１
２の上層の一部分に受光部になるＮ+ 型の不純物層１３
が形成されている。このＮ+ 型の不純物層１３は、例え
ば１×１０18個／ｃｍ3 〜１×１０22個／ｃｍ3 程度の
濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチモ
ン等）が拡散されてなるものである。さらに上記Ｎ+ 型
の不純物層１３の下部側に接続する状態に、Ｎ+ 型の不
純物層１３よりも不純物濃度の低いＮ- 型の不純物層１
４が形成されている。このＮ - 型の不純物層１４は、例
えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／ｃｍ3 程度
の濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチ
モン等）が拡散されているものである。
下のように構成されている。すなわち、第１導電型（以
下Ｎ型として説明する）の半導体基板（例えばシリコン
基板）１１の上層に第２導電型（以下Ｐ型として説明す
る）のウエル層１２が形成され、そのＰ型のウエル層１
２の上層の一部分に受光部になるＮ+ 型の不純物層１３
が形成されている。このＮ+ 型の不純物層１３は、例え
ば１×１０18個／ｃｍ3 〜１×１０22個／ｃｍ3 程度の
濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチモ
ン等）が拡散されてなるものである。さらに上記Ｎ+ 型
の不純物層１３の下部側に接続する状態に、Ｎ+ 型の不
純物層１３よりも不純物濃度の低いＮ- 型の不純物層１
４が形成されている。このＮ - 型の不純物層１４は、例
えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／ｃｍ3 程度
の濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチ
モン等）が拡散されているものである。
【００２２】上記Ｎ+ 型の不純物層１３には、ソースホ
ロワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）２
１のゲートが接続されるとともにリセットゲート２２の
一方の拡散層が接続されている。またソースホロワ２１
には垂直スイッチ（例えばＭＯＳトランジスタで構成さ
れている）２３が直列に接続されている。
ロワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）２
１のゲートが接続されるとともにリセットゲート２２の
一方の拡散層が接続されている。またソースホロワ２１
には垂直スイッチ（例えばＭＯＳトランジスタで構成さ
れている）２３が直列に接続されている。
【００２３】上記イメージセンサ１では、Ｎ+ 型の不純
物層１３の下部側にＮ- 型の不純物層１４が接続する状
態に形成されていることから、Ｎ+ 型の不純物層１３と
Ｐ型のウエル層１２との間の容量が低減される。そのた
め、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層１３とＰ型のウエ
ル層１２との接合容量とソースホロワ２１までの配線容
量）が小さくなるので、検出感度が向上する。さらにＮ
型の半導体基板１１を用いていることから、基板自体で
光電変換を起こすことが無くなるので、いわゆる画素間
クロストークの発生が防止できる。
物層１３の下部側にＮ- 型の不純物層１４が接続する状
態に形成されていることから、Ｎ+ 型の不純物層１３と
Ｐ型のウエル層１２との間の容量が低減される。そのた
め、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層１３とＰ型のウエ
ル層１２との接合容量とソースホロワ２１までの配線容
量）が小さくなるので、検出感度が向上する。さらにＮ
型の半導体基板１１を用いていることから、基板自体で
光電変換を起こすことが無くなるので、いわゆる画素間
クロストークの発生が防止できる。
【００２４】また上記構成のイメージセンサ１では、相
補型ＭＯＳプロセスに対して１回のイオン注入工程を追
加するだけで形成することが可能になる。そのため、プ
ロセス的な負荷が少ない。
補型ＭＯＳプロセスに対して１回のイオン注入工程を追
加するだけで形成することが可能になる。そのため、プ
ロセス的な負荷が少ない。
【００２５】次に本発明の第２実施形態の一例を図２の
概略構成図によって説明する。なお、図２では、上記第
１実施形態で説明した構成部品と同様のものには同一の
符号を付す。
概略構成図によって説明する。なお、図２では、上記第
１実施形態で説明した構成部品と同様のものには同一の
符号を付す。
【００２６】図２に示すように、イメージセンサ２は以
下のように構成されている。すなわち、第１導電型（以
下Ｎ型として説明する）の半導体基板（例えばシリコン
基板）１１の上層に第２導電型（以下Ｐ型として説明す
る）のウエル層１２が形成され、そのＰ型のウエル層１
２の上層の一部分に受光部となるＮ+ 型の不純物層１３
が形成されている。このＮ+ 型の不純物層１３は、例え
ば１×１０18個／ｃｍ3 〜１×１０22個／ｃｍ3 程度の
濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチモ
ン等）が拡散されているものである。さらに上記Ｎ+ 型
の不純物層１３の下部側に接合する状態に上記Ｐ型のウ
エル層１２よりも不純物濃度の低いＰ- 型の不純物層１
５が形成されている。このＰ - 型の不純物層１５は、例
えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／ｃｍ3 程度
の濃度にＰ導電型の不純物（例えばホウ素）が拡散され
ているものである。
下のように構成されている。すなわち、第１導電型（以
下Ｎ型として説明する）の半導体基板（例えばシリコン
基板）１１の上層に第２導電型（以下Ｐ型として説明す
る）のウエル層１２が形成され、そのＰ型のウエル層１
２の上層の一部分に受光部となるＮ+ 型の不純物層１３
が形成されている。このＮ+ 型の不純物層１３は、例え
ば１×１０18個／ｃｍ3 〜１×１０22個／ｃｍ3 程度の
濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチモ
ン等）が拡散されているものである。さらに上記Ｎ+ 型
の不純物層１３の下部側に接合する状態に上記Ｐ型のウ
エル層１２よりも不純物濃度の低いＰ- 型の不純物層１
５が形成されている。このＰ - 型の不純物層１５は、例
えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／ｃｍ3 程度
の濃度にＰ導電型の不純物（例えばホウ素）が拡散され
ているものである。
【００２７】上記Ｎ+ 型の不純物層１３には、ソースホ
ロワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）２
１のゲートが接続されるとともにリセットゲート２２の
一方の拡散層が接続されている。またソースホロワ２１
には垂直スイッチ（例えばＭＯＳトランジスタで構成さ
れている）２３が直列に接続されている。
ロワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）２
１のゲートが接続されるとともにリセットゲート２２の
一方の拡散層が接続されている。またソースホロワ２１
には垂直スイッチ（例えばＭＯＳトランジスタで構成さ
れている）２３が直列に接続されている。
【００２８】上記構成のイメージセンサ２では、Ｎ+ 型
の不純物層１３の下部側に接合する状態にＰ- 型の不純
物層１５が形成されていることから、Ｎ+ 型の不純物層
１３とＰ型のウエル層１２との間の容量が低減される。
そのため、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層１３とＰ型
のウエル層１２との接合容量とソースホロワ２１までの
配線容量）が小さくなるので、検出感度が向上する。さ
らにＮ型の半導体基板１１を用いていることから、基板
自体で光電変換を起こすことが無くなるので、いわゆる
画素間クロストークの発生が防止できる。
の不純物層１３の下部側に接合する状態にＰ- 型の不純
物層１５が形成されていることから、Ｎ+ 型の不純物層
１３とＰ型のウエル層１２との間の容量が低減される。
そのため、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層１３とＰ型
のウエル層１２との接合容量とソースホロワ２１までの
配線容量）が小さくなるので、検出感度が向上する。さ
らにＮ型の半導体基板１１を用いていることから、基板
自体で光電変換を起こすことが無くなるので、いわゆる
画素間クロストークの発生が防止できる。
【００２９】また、通常、相補型ＭＯＳプロセスで形成
されるＰ型のウエル層１２は、通常、イオン注入法によ
って形成される。そのため、浅い領域の濃度と深い領域
の濃度とを独立的に制御することが可能になっている。
このような場合には、例えば、Ｐ型のウエル層１２の浅
い領域を形成するためのイオン注入マスクを、イオン注
入による不純物が受光部（Ｎ+ 型の不純物層１３）に入
射されないようなマスクに変更して、Ｐ型のウエル層１
２を形成することにより、上記説明した第２実施形態の
構成を採ることが可能になる。
されるＰ型のウエル層１２は、通常、イオン注入法によ
って形成される。そのため、浅い領域の濃度と深い領域
の濃度とを独立的に制御することが可能になっている。
このような場合には、例えば、Ｐ型のウエル層１２の浅
い領域を形成するためのイオン注入マスクを、イオン注
入による不純物が受光部（Ｎ+ 型の不純物層１３）に入
射されないようなマスクに変更して、Ｐ型のウエル層１
２を形成することにより、上記説明した第２実施形態の
構成を採ることが可能になる。
【００３０】また、上記第１実施形態の構成と上記第２
実施形態の構成とを組み合わせた構成にしてもよい。図
示はしないが、上記第１実施形態で説明したのと同様
に、Ｐ型のウエル層１２の上層の一部分に受光部となる
Ｎ+ 型の不純物層１３を形成し、このＮ+ 型の不純物層
１３の下部側に接続する状態にＮ+ 型の不純物層１３よ
りも不純物濃度の低いＮ- 型の不純物層１４を形成す
る。さらに、上記Ｎ- 型の不純物層１４の下部側に接合
する状態に上記Ｐ型のウエル層１２よりも不純物濃度の
低いＰ- 型の不純物層を形成する。このＰ- 型の不純物
層は、例えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／ｃ
ｍ3 程度の濃度にＰ導電型の不純物（例えばホウ素）が
拡散されているものである。
実施形態の構成とを組み合わせた構成にしてもよい。図
示はしないが、上記第１実施形態で説明したのと同様
に、Ｐ型のウエル層１２の上層の一部分に受光部となる
Ｎ+ 型の不純物層１３を形成し、このＮ+ 型の不純物層
１３の下部側に接続する状態にＮ+ 型の不純物層１３よ
りも不純物濃度の低いＮ- 型の不純物層１４を形成す
る。さらに、上記Ｎ- 型の不純物層１４の下部側に接合
する状態に上記Ｐ型のウエル層１２よりも不純物濃度の
低いＰ- 型の不純物層を形成する。このＰ- 型の不純物
層は、例えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／ｃ
ｍ3 程度の濃度にＰ導電型の不純物（例えばホウ素）が
拡散されているものである。
【００３１】次に本発明の第３実施形態の一例を図３の
概略構成図によって説明する。
概略構成図によって説明する。
【００３２】図３に示すように、イメージセンサ３は以
下のように構成されている。すなわち、第１導電型（以
下Ｎ型として説明する）の半導体基板（例えばシリコン
基板）１１の上層に第２導電型（以下Ｐ型として説明す
る）のウエル層１２が形成され、そのＰ型のウエル層１
２の上層の一部分に受光部３１が形成されている。この
受光部３１は、上層にＰ+ 型の不純物層３２が形成さ
れ、このＰ+ 型の不純物層３２の下部側に接合する状態
にＮ+ 型の不純物層３３が形成され、このＮ+ 型の不純
物層３３の下部側に接続する状態にＮ- 型の不純物層３
４が形成されているものである。
下のように構成されている。すなわち、第１導電型（以
下Ｎ型として説明する）の半導体基板（例えばシリコン
基板）１１の上層に第２導電型（以下Ｐ型として説明す
る）のウエル層１２が形成され、そのＰ型のウエル層１
２の上層の一部分に受光部３１が形成されている。この
受光部３１は、上層にＰ+ 型の不純物層３２が形成さ
れ、このＰ+ 型の不純物層３２の下部側に接合する状態
にＮ+ 型の不純物層３３が形成され、このＮ+ 型の不純
物層３３の下部側に接続する状態にＮ- 型の不純物層３
４が形成されているものである。
【００３３】上記Ｐ+ 型の不純物層３２は、例えば１×
１０18個／ｃｍ3 〜１×１０22個／ｃｍ3 程度の濃度に
Ｐ導電型の不純物（例えばホウ素）が拡散されているも
のであり、上記Ｎ+ 型の不純物層３３は、例えば１×１
０16個／ｃｍ3 〜１×１０19個／ｃｍ3 程度の濃度にＮ
導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチモン等）が
拡散されているものである。また上記Ｎ- 型の不純物層
３４は、例えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／
ｃｍ3 程度の濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リ
ン、アンチモン等）が拡散されているものである。
１０18個／ｃｍ3 〜１×１０22個／ｃｍ3 程度の濃度に
Ｐ導電型の不純物（例えばホウ素）が拡散されているも
のであり、上記Ｎ+ 型の不純物層３３は、例えば１×１
０16個／ｃｍ3 〜１×１０19個／ｃｍ3 程度の濃度にＮ
導電型の不純物（例えばヒ素、リン、アンチモン等）が
拡散されているものである。また上記Ｎ- 型の不純物層
３４は、例えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／
ｃｍ3 程度の濃度にＮ導電型の不純物（例えばヒ素、リ
ン、アンチモン等）が拡散されているものである。
【００３４】上記受光部３１は転送ゲート４１の一方の
拡散層と共有する状態に形成されている。また転送ゲー
ト４１の他方のＮ+ 型の不純物層４２には、ソースホロ
ワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）２１
のゲートが接続されるとともにリセットゲート２２の一
方の拡散層が接続されている。またソースホロワ２１に
は垂直スイッチ（例えばＭＯＳトランジスタで構成され
ている）２３が直列に接続されている。
拡散層と共有する状態に形成されている。また転送ゲー
ト４１の他方のＮ+ 型の不純物層４２には、ソースホロ
ワ（例えばＭＯＳトランジスタで構成されている）２１
のゲートが接続されるとともにリセットゲート２２の一
方の拡散層が接続されている。またソースホロワ２１に
は垂直スイッチ（例えばＭＯＳトランジスタで構成され
ている）２３が直列に接続されている。
【００３５】上記構成のイメージセンサ３では、残像が
発生しないように、読み出し時に転送ゲート４１に高い
電圧を印加して受光部３１の電荷をＮ+ 型の不純物層４
２に移動させても、Ｎ+ 型の不純物層３２の下部側に接
続する状態にＮ+ 型の不純物層３２よりも不純物濃度の
低いＮ- 型の不純物層３３が形成されていることから、
Ｎ+ 型の不純物層３２とＰ型のウエル層１２との間の容
量が大きくなることはなく、その容量は低減される。そ
のため、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層３２とＰ型の
ウエル層１２との接合容量とソースホロワ２１までの配
線容量）が小さくなるので、検出感度が向上する。また
Ｐ+ 型の不純物層３２を設けたことから、表面暗電流の
発生が防止される。さらにＮ型の半導体基板１１を用い
ていることから、基板自体で光電変換を起こすことが無
くなるので、いわゆる画素間クロストークの発生が防止
される。
発生しないように、読み出し時に転送ゲート４１に高い
電圧を印加して受光部３１の電荷をＮ+ 型の不純物層４
２に移動させても、Ｎ+ 型の不純物層３２の下部側に接
続する状態にＮ+ 型の不純物層３２よりも不純物濃度の
低いＮ- 型の不純物層３３が形成されていることから、
Ｎ+ 型の不純物層３２とＰ型のウエル層１２との間の容
量が大きくなることはなく、その容量は低減される。そ
のため、電荷検出容量（Ｎ+ 型の不純物層３２とＰ型の
ウエル層１２との接合容量とソースホロワ２１までの配
線容量）が小さくなるので、検出感度が向上する。また
Ｐ+ 型の不純物層３２を設けたことから、表面暗電流の
発生が防止される。さらにＮ型の半導体基板１１を用い
ていることから、基板自体で光電変換を起こすことが無
くなるので、いわゆる画素間クロストークの発生が防止
される。
【００３６】また上記イメージセンサ３は、相補型ＭＯ
Ｓプロセスに対して２回のイオン注入工程を追加するだ
けで形成することが可能になる。そのため、プロセス的
な負荷が少なくてすむ。
Ｓプロセスに対して２回のイオン注入工程を追加するだ
けで形成することが可能になる。そのため、プロセス的
な負荷が少なくてすむ。
【００３７】また、上記第２実施形態の構成と上記第３
実施形態の構成とを組み合わせた構成にしてもよい。図
示はしないが、上記Ｎ- 型の不純物層３３の下部側に上
記Ｐ型のウエル層１２よりも不純物濃度の低いＰ- 型の
不純物層を接合する状態に形成する。このＰ - 型の不純
物層は、例えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／
ｃｍ3 程度の濃度にＰ導電型の不純物（例えばホウ素）
が拡散されているものである。
実施形態の構成とを組み合わせた構成にしてもよい。図
示はしないが、上記Ｎ- 型の不純物層３３の下部側に上
記Ｐ型のウエル層１２よりも不純物濃度の低いＰ- 型の
不純物層を接合する状態に形成する。このＰ - 型の不純
物層は、例えば１×１０13個／ｃｍ3 〜１×１０16個／
ｃｍ3 程度の濃度にＰ導電型の不純物（例えばホウ素）
が拡散されているものである。
【００３８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
第１導電型の半導体基板にＮ型の半導体基板を用いるこ
とによって、基板自体で光電変換を起こすことが無くな
るので、いわゆる画素間クロストークの発生が防止でき
るとともに、受光部の不純物濃度よりも低い不純物層ま
たはウエル層の不純物濃度よりも低い不純物層を受光部
とウエル層との間に設けたので、受光部とウエル層との
間の接合容量を低減することができる。よって、画素間
クロストークが防止されることによって１チップカラー
化を構成することが容易になるとともに、第１導電型の
受光部と第２導電型のウエル層との間の接合容量が低減
されることによって検出感度を向上させることが可能に
なる。さらに残像が発生しないようにしても、上記接合
容量の増加を招くことがないので、検出感度の低下は起
きない。よって、本発明のイメージセンサは高品質なも
のになる。
第１導電型の半導体基板にＮ型の半導体基板を用いるこ
とによって、基板自体で光電変換を起こすことが無くな
るので、いわゆる画素間クロストークの発生が防止でき
るとともに、受光部の不純物濃度よりも低い不純物層ま
たはウエル層の不純物濃度よりも低い不純物層を受光部
とウエル層との間に設けたので、受光部とウエル層との
間の接合容量を低減することができる。よって、画素間
クロストークが防止されることによって１チップカラー
化を構成することが容易になるとともに、第１導電型の
受光部と第２導電型のウエル層との間の接合容量が低減
されることによって検出感度を向上させることが可能に
なる。さらに残像が発生しないようにしても、上記接合
容量の増加を招くことがないので、検出感度の低下は起
きない。よって、本発明のイメージセンサは高品質なも
のになる。
【図１】本発明の第１実施形態の概略構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態の概略構成図である。
【図３】本発明の第３実施形態の概略構成図である。
【図４】第１の従来の技術に係わる概略構成図である。
【図５】第２の従来の技術に係わる概略構成図である。
【図６】第３の従来の技術に係わる概略構成図である。
１ イメージセンサ １１ Ｎ型の半導体基板 １
２ Ｐ型のウエル層 １３ Ｎ+ 型の不純物層 １４ Ｎ- 型の不純物層
２ Ｐ型のウエル層 １３ Ｎ+ 型の不純物層 １４ Ｎ- 型の不純物層
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板に設けた第２導
電型のウエル層に第１導電型の受光部を形成したイメー
ジセンサにおいて、 前記第１導電型の受光部と前記第２導電型のウエル層と
の間に、該第１導電型の受光部よりも不純物濃度が低く
かつ該第１導電型の受光部の下部側に接続する第１導電
型の不純物層を備えたことを特徴とするイメージセン
サ。 - 【請求項２】 第１導電型の半導体基板に設けた第２導
電型のウエル層に第１導電型の受光部を形成したイメー
ジセンサにおいて、 前記第１導電型の受光部と前記第２導電型のウエル層と
の間に、該第２導電型のウエル層よりも不純物濃度が低
くかつ該第１導電型の受光部の下部側に接合する第２導
電型の不純物層を備えたことを特徴とするイメージセン
サ。 - 【請求項３】 第１導電型の半導体基板に設けた第２導
電型のウエル層に形成した受光部と、 前記受光部に隣接して前記第２導電型のウエル層に設け
た転送ゲートとを備えたイメージセンサにおいて、 前記受光部は、 前記第２導電型のウエル層よりも不純物濃度の高いもの
で該第２導電型のウエル層の上層に形成した第２導電型
の不純物層と、 前記第２導電型の不純物層の下部側に接合する状態に形
成した第１導電型の第１不純物層と、 前記第１導電型の第１不純物層よりも不純物濃度の低い
もので該第１導電型の第１不純物層の下部側に接続する
状態に形成した第１導電型の第２不純物層とからなるこ
とを特徴とするイメージセンサ。 - 【請求項４】 請求項３記載のイメージセンサにおい
て、 前記受光部と前記第２導電型のウエル層との間に、該第
２導電型のウエル層よりも不純物濃度が低くかつ該受光
部の下部側に接合する第２導電型の不純物層を備えたこ
とを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8033230A JPH09232555A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | イメージセンサ |
| US08/803,275 US5977576A (en) | 1996-02-21 | 1997-02-20 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8033230A JPH09232555A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | イメージセンサ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004182863A Division JP2004349715A (ja) | 2004-06-21 | 2004-06-21 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232555A true JPH09232555A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12380665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8033230A Pending JPH09232555A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5977576A (ja) |
| JP (1) | JPH09232555A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020061502A (ko) * | 2001-01-15 | 2002-07-24 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 분할된 광전변환부를 구비한 고체촬상장치 |
| US6448104B1 (en) | 1998-04-22 | 2002-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | CMOS type solid imaging device |
| KR20030052588A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하운송효율을 높인 이미지센서 및 그 제조방법 |
| US7034347B2 (en) | 2003-03-06 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge detecting device |
| US7067785B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-06-27 | Toko, Inc. | Solid-state image pickup device used as a photoelectric conversion device with improved dynamic range |
| JP2006237622A (ja) * | 1997-10-06 | 2006-09-07 | Micron Technology Inc | 能動画素センサにおける量子効率の改善 |
| JP2016100509A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815791B1 (en) * | 1997-02-10 | 2004-11-09 | Fillfactory | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
| US7199410B2 (en) * | 1999-12-14 | 2007-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Pixel structure with improved charge transfer |
| JP3359258B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いたイメージセンサ、画像読取装置 |
| JP3874135B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2007-01-31 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
| JP3308904B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2002-07-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6489643B1 (en) * | 1998-06-27 | 2002-12-03 | Hynix Semiconductor Inc. | Photodiode having a plurality of PN junctions and image sensor having the same |
| KR100298178B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-08-07 | 박종섭 | 이미지센서의포토다이오드 |
| US6084259A (en) * | 1998-06-29 | 2000-07-04 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photodiode having charge transfer function and image sensor using the same |
| JP3457551B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| KR100399951B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칼라이미지센서제조방법 |
| US6593607B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-07-15 | Pictos Technologies, Inc. | Image sensor with enhanced blue response and signal cross-talk suppression |
| US6218692B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-04-17 | Eastman Kodak Company | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross talk |
| JP3884600B2 (ja) | 1999-11-29 | 2007-02-21 | 富士通株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| US7087944B2 (en) * | 2003-01-16 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having a charge storage region provided within an implant region |
| JP3977285B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP3727639B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2005-12-14 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4613305B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2011-01-19 | 国立大学法人静岡大学 | 埋め込みフォトダイオード構造による撮像装置 |
| US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
| US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
| KR100672812B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-01-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 그 제조 방법 |
| US20080296644A1 (en) * | 2005-05-02 | 2008-12-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cmos image sensors and methods of fabricating same |
| KR100699849B1 (ko) * | 2005-06-21 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 국부적인 불순물 영역을 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 소자 및 그제조방법 |
| US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251669A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US5008723A (en) * | 1989-12-29 | 1991-04-16 | Kopin Corporation | MOS thin film transistor |
| US5424567A (en) * | 1991-05-15 | 1995-06-13 | North American Philips Corporation | Protected programmable transistor with reduced parasitic capacitances and method of fabrication |
-
1996
- 1996-02-21 JP JP8033230A patent/JPH09232555A/ja active Pending
-
1997
- 1997-02-20 US US08/803,275 patent/US5977576A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237622A (ja) * | 1997-10-06 | 2006-09-07 | Micron Technology Inc | 能動画素センサにおける量子効率の改善 |
| US6448104B1 (en) | 1998-04-22 | 2002-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | CMOS type solid imaging device |
| US6642562B2 (en) | 1998-04-22 | 2003-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | CMOS type solid imaging device |
| KR20020061502A (ko) * | 2001-01-15 | 2002-07-24 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 분할된 광전변환부를 구비한 고체촬상장치 |
| KR20030052588A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하운송효율을 높인 이미지센서 및 그 제조방법 |
| US7067785B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-06-27 | Toko, Inc. | Solid-state image pickup device used as a photoelectric conversion device with improved dynamic range |
| US7034347B2 (en) | 2003-03-06 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge detecting device |
| CN100382329C (zh) * | 2003-03-06 | 2008-04-16 | 松下电器产业株式会社 | 电荷检测装置 |
| JP2016100509A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5977576A (en) | 1999-11-02 |
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