JP5294534B2 - Cmosイメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1を参照すれば、CIS 10は、回路基板上に形成された能動ピクセルアレイ領域20及びCMOS制御回路30を含む。能動ピクセルアレイ領域20は、マトリックス状に配された複数の単位ピクセル22を含む。前記能動ピクセルアレイ領域20の周囲に位置されている前記CMOS制御回路30は複数のCMOSトランジスタ(図示せず)で構成され、前記能動ピクセルアレイ領域20の各単位ピクセル22に一定の信号を提供し、その一方、出力信号を制御する。
図2を参照すれば、前記単位ピクセル22は、光を印加されて光電荷を生成するフォトダイオードPDと、前記フォトダイオードPDで生成された電荷をフローティング拡散領域FDに運送するトランスファトランジスタTxと、前記フローティング拡散領域FDに保存されている電荷を周期的にリセットするリセットトランジスタRxと、ソースフォロワバッファ増幅器の役割を果たして前記フローティング拡散領域FDに充電された電荷による信号をバッファリングするドライブトランジスタDxと、前記単位ピクセル22を選択するためのスイッチング及びアドレッシングの役割を行うセレクトトランジスタSxとを含む。図2において、“RS”はリセットトランジスタRxのゲートに印加される信号であり、“TG”は、トランスファトランジスタTxのゲートに印加される信号である。
図3を参照すれば、本発明の望ましい実施形態によるCISは、フォトダイオード領域及びトランジスタ領域を有する半導体基板100を備える。望ましい例として、前記半導体基板100は、シリコン基板よりなる。前記半導体基板100のフォトダイオード領域には、N型のフォトダイオード142が形成されている。前記N型のフォトダイオード142上には前記半導体基板100の表面付近にP+型のHAD(Hole−Accumulation Diode)領域140が形成されている。前記HAD領域140は、フォトダイオード領域でダングリングボンドが多く存在するシリコン基板表面での暗電流を減らすために形成されたものである。すなわち、前記半導体基板100表面のダングリングボンドで熱的に発生した電子−ホール対のうち、ホールは前記HAD領域140を通じて接地された基板に広がり、電子は前記HAD領域140に広がる過程で正孔と再結合して消滅する。したがって、熱的に発生した電子が前記N型のフォトダイオード142に蓄積されることを減らして暗電流を減少させうる。
前記半導体基板100のトランジスタ領域には、前記N型のフォトダイオード142で生成された電荷をN+型のフローティング拡散領域152に転送するためのトランスファトランジスタTxが形成されている。また、前記トランスファトランジスタTxに隣接してリセットトランジスタRxが形成されている。前記リセットトランジスタRxのリセットゲート134の両側にはフローティング拡散領域152とドレーン領域154とが各々形成されている。
まず、外部から受光部であるフォトダイオード142に光が入射されれば、フォトダイオード142は感知された光量に比例した電子を発生させる。フォトダイオード142により発生された電荷はトランスファトランジスタTxのゲート障壁によりフォトダイオード領域に拘束される。リセットトランジスタRxが、オフ状態から、前記トランスファトランジスタTxがオン状態になれば、フォトダイオード142に蓄積された信号電荷はトランスファゲートを通じてさらに高い電位状態にあるフローティング拡散領域152に伝送され、以後トランスファゲートがオフ状態になって低い電位状態に戻れば、前記フォトダイオードは空乏状態になる。
その後、リセットトランジスタRxのリセットゲート134にリセット信号RSが印加されてリセットゲートがオンになれば、フローティング拡散領域152がVDDレベルに充電され、リセットトランジスタRxのゲート電位障壁が低くなり、フローティング拡散領域152に充電されていた電荷が外部に放出される。これにより、フローティング拡散領域152は電荷の受け入れが可能な状態となる。リセットゲート134のオフ時には、リセットトランジスタRxのゲート電位障壁は元の状態に回復される。この際、CISの出力電圧OUTは、フィードスルー(feed−through)及びカップリングによって所定値だけ降下され、前記フローティング拡散領域152は通常VDDレベルより若干低いフィードスルーレベルになる。この際、フローティング拡散領域152の電位レベルを1次サンプリング電圧として検出する。
図4Aに示したように、トランスファゲート132の下部のチャンネル領域での電位プロファイルはフローティング拡散領域152に近づくほど電位が高まる電位勾配が形成され、前記第2チャンネル領域114とフォトダイオード142との間には、電位障壁が形成される。すなわち、トランスファゲート132の下部の半導体基板100の表面に第2チャンネル領域114を形成することによって、半導体基板100の表面で熱的に生成される電子はフローティング拡散領域152の電位によってフローティング拡散領域152に掃き出され、前記P−型の第1チャンネル領域112による電位障壁によって前記第2チャンネル領域114で熱的に生成された電子は前記N型のフォトダイオード142には拡散されない。
図4Cを参照すれば、フォトダイオード領域で半導体基板100の表面での電位プロファイルは、フォトダイオード領域全体にわたって変化せずに一定している。したがって、フォトダイオード領域で基板の界面欠陥によって発生した電子は、前記フォトダイオード142に流入しやすく、結局ノイズまたは暗電流のような画像欠陥を招く。
前記フローティング拡散領域152が形成された後、前記第2チャンネル領域114は前記フローティング拡散領域152と連結される構造を有する。
その後、通常の方法によって必要な配線形成工程を実施してCISを完成する。
20 能動ピクセルアレイ領域
22 単位ピクセル
30 CMOS制御回路
Claims (11)
- 半導体基板にその表面から第1深さまで形成されている第1導電型のフォトダイオードと、
前記フォトダイオード上で、前記半導体基板の表面から前記第1深さより浅い第2深さまで形成された第1導電型と反対である第2導電型のHAD(Hole−Accumulation Diode)領域と、
前記HAD領域上で、前記半導体基板の表面から前記第2深さより浅い第3深さまで形成された前記第1導電型の表面拡散領域と、
前記フォトダイオードの近傍に形成されているトランスファゲートと、
前記トランスファゲートの下に形成されている前記第2導電型の第1チャンネル領域と、
前記第1チャンネル領域を挟んで前記フォトダイオードから離隔されている第1導電型のフローティング拡散領域と、
前記フォトダイオードとは隔離され、前記表面拡散領域及びフローティング拡散領域には連結されるように前記第1チャンネル領域上で前記半導体基板表面に形成されている前記第1導電型の第2チャンネル領域と、を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - 前記第1導電型はN型であり、前記第2導電型はP型であることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記第2チャンネル領域は、前記フローティング拡散領域より低いドーピング濃度を有することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記第2チャンネル領域は、前記HAD領域及び前記フローティング拡散領域より浅く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記表面拡散領域は、前記第2チャンネル領域と同じか、前記第2チャンネル領域よりも浅く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記第1チャンネル領域は、前記HAD領域より低いドーピング濃度を有することを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記第1チャンネル領域は、前記フォトダイオードより浅く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサー。
- 半導体基板に形成されているN型フォトダイオードと、
前記N型フォトダイオード上で前記半導体基板表面に形成されたP+型領域と、
P+型領域上で前記半導体基板の表面に形成されたN−型表面拡散領域と、
前記N型フォトダイオードの近傍に形成されたトランスファゲートと、
前記トランスファゲートの下に形成されているP−型チャンネル領域と、
前記P−型チャンネル領域を挟んで前記N型フォトダイオードから離隔されているN+型フローティング拡散領域と、
前記N型フォトダイオードとは隔離され、前記N−型表面拡散領域及びN+型フローティング拡散領域には連結されるように前記P−型チャンネル領域上で前記半導体基板の表面に形成されたN−型チャンネル領域と、を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。 - 前記N−型チャンネル領域は、前記P+型領域及び前記N+型フローティング拡散領域より浅く形成されていることを特徴とする請求項8に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記N−型表面拡散領域は、前記N−型チャンネル領域と同じか、前記N−型チャンネル領域よりも浅く形成されていることを特徴とする請求項8に記載のCMOSイメージセンサー。
- 前記P−型チャンネル領域は、前記N型フォトダイオードより浅く形成されていることを特徴とする請求項8に記載のCMOSイメージセンサー。
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