JP2009033167A - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このため、基板内に第1導電型で形成されたエピ層と、該エピ層内に形成されたフォトダイオードと、該フォトダイオードから分離されるように、前記フォトダイオードの下部に、第2導電型で形成された第1ドープ領域とを含むイメージセンサを提供する。
【選択図】図1
Description
101 エピ層
103 ゲート絶縁膜
104 ゲート導電膜
105 ゲート電極
106 第1ドープ領域
107 第2ドープ領域
108 スペーサ
109 第3ドープ領域
110 第4ドープ領域
PD フォトダイオード
Tx トランスファトランジスタ
Claims (21)
- 基板内に第1導電型で形成されたエピ層と、
該エピ層内に形成されたフォトダイオードと、
該フォトダイオードから分離されるように、前記フォトダイオードの下部に、第2導電型で形成された第1ドープ領域と
を含むことを特徴とするイメージセンサ。 - 前記フォトダイオードが、
前記第2導電型で形成された第2ドープ領域と、
該第2ドープ領域上に、前記第1導電型で形成された第3ドープ領域と
を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ドープ領域が、前記第2ドープ領域よりも低いドーピング濃度で形成されることを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記フォトダイオードの一側に接するように、前記基板上に形成されたゲート電極を更に含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記第1ドープ領域が、前記ゲート電極の一側に整列されるように形成されることを特徴とする請求項4に記載のイメージセンサ。
- 前記第1ドープ領域が、島状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1導電型がp型であり、前記第2導電型がn型であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のイメージセンサ。
- 第1導電型でエピ層が形成された基板上に、素子分離膜を形成するステップと、
前記基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の一側に露出した前記エピ層内に、第2導電型で第1ドープ領域を形成するステップと、
前記第1ドープ領域から分離されるように、前記第1ドープ領域上に、フォトダイオードを形成するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトダイオードが、前記第1ドープ領域の形成時に用いられたイオン注入マスクを用いて形成されることを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。
- 第1導電型でエピ層が形成された基板上に、素子分離膜を形成するステップと、
前記エピ層内に、第2導電型で第1ドープ領域を形成するステップと、
前記基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記第1ドープ領域から分離されるように、前記ゲート電極の一側に露出した前記第1ドープ領域上に、フォトダイオードを形成するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトダイオードを形成するステップが、
前記ゲート電極の一側に整列されるように、前記第2導電型で第2ドープ領域を形成するステップと、
前記第2ドープ領域上に、前記ゲート電極の一側から離隔するように、第1導電型で第3ドープ領域を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第1ドープ領域が、前記第2ドープ領域よりも低いドーピング濃度で形成されることを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトダイオードを形成するステップが、
前記ゲート電極の一側に整列されるように、前記第2導電型で第2ドープ領域を形成するステップと、
前記第2ドープ領域上に、前記ゲート電極の一側に整列されるように、前記第1導電型で第3ドープ領域を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第3ドープ領域を形成するステップが、
前記第2ドープ領域上に、前記ゲート電極の一側に整列されるように、第1イオン注入工程を行うステップと、
前記ゲート電極の両側壁にスペーサを形成するステップと、
前記スペーサの一側に整列されるように、前記第1イオン注入工程よりも高いドーピング濃度で第2イオン注入工程を行うステップと
を含むことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第1ドープ領域が、前記第2ドープ領域よりも低いドーピング濃度で形成されることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1ドープ領域が、前記ゲート電極の一側に整列されるように形成されることを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1ドープ領域が、島状に形成されることを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1導電型がp型であり、前記第2導電型がn型であることを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1ドープ領域が、500KeV〜1.5MeVの範囲のイオン注入エネルギーで形成されることを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1ドープ領域が、1×109ions/cm2〜5×1011ions/cm2の範囲のドーズで形成されることを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1ドープ領域が、ブランケットイオン注入工程によって形成されることを特徴とする請求項8又は10に記載のイメージセンサの製造方法。
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